TW201743343A - 線圈零件 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種謀求小型化並且高特性之線圈零件。本發明之一形態之線圈零件具備絕緣體部及線圈部。上述絕緣體部於第1軸方向上具有寬度方向，於第2軸方向上具有長度方向，於第3軸方向上具有高度方向，且由非磁性材料構成。上述線圈部具有繞上述第1軸方向捲繞之環繞部，且配置於上述絕緣體部之內部。上述絕緣體部之高度尺寸相對於長度尺寸之比率，係沿上述第3軸方向之上述環繞部之內周部間之高度尺寸相對於沿上述第2軸方向之上述環繞部之內周部間之長度尺寸之比率的1.5倍以下。

Description

線圈零件

本發明係關於一種具有絕緣體部及設置於其內部之線圈部之線圈零件。

一直以來，於電子機器等上搭載有線圈零件，尤其可攜式機器中使用之線圈零件呈晶片形狀，且表面安裝於內置於可攜式機器等中之電路基板上。作為先前技術之例，例如於專利文獻1中，揭示有一種晶片線圈，其係以如下方式形成，即，於包含硬化物之絕緣性樹脂之內部，內置有至少一端連接於外部電極之螺旋狀之導體，且導體之螺旋方向與安裝之基板面平行。同樣地於專利文獻2中，揭示有一種積層型之線圈零件，其係以線圈狀導體之軸心方向與基板面平行之方式形成。進而於專利文獻3中，揭示有一種線圈零件，其具備包含樹脂之絕緣體、設置於絕緣體內之線圈狀之內部導體、及與內部導體電性連接之外部電極，絕緣體係長度為L、寬度為W、高度為H之長方體狀，關於L、W、H，L＞W³H之關係成立，外部電極在與絕緣體之高度方向H垂直之一面上，沿長度方向L觀察時於上述一面之兩端部附近，分別各由1個導體而形成，內部導體具有與絕緣體之寬度方向W大致平行之線圈軸。[先前技術文獻][專利文獻][專利文獻1]日本專利特開2006-324489號公報[專利文獻2]日本專利特開2006-32430號公報[專利文獻3]日本專利特開2014-232815號公報

[發明所欲解決之問題]近年來，伴隨電子機器之小型化、薄型化，搭載於該電子機器上之線圈零件之進一步小型化不斷推進。然而，伴隨線圈零件之小型化，線圈零件之特性之降低變得顯著。因此，要求謀求線圈零件之小型化、並且能夠滿足特性需求之技術。鑒於如上情形，本發明之目的在於提供一種謀求小型化並且高特性之線圈零件。[解決問題之技術手段]為達成上述目的，本發明之一形態之線圈零件具備絕緣體部及線圈部。上述絕緣體部於第1軸方向上具有寬度方向，於第2軸方向上具有長度方向，於第3軸方向上具有高度方向，且由非磁性材料構成。上述線圈部具有繞上述第1軸方向捲繞之環繞部，且配置於上述絕緣體部之內部。上述絕緣體部之高度尺寸相對於長度尺寸之比率，係沿上述第3軸方向之上述環繞部之內周部間之高度尺寸相對於沿上述第2軸方向之上述環繞部之內周部間之長度尺寸之比率的1.5倍以下。典型而言，沿上述第3軸方向之上述環繞部之內周部間之高度尺寸相對於沿上述第2軸方向之上述環繞部之內周部間之長度尺寸之比率為0.6以上且1.0以下。典型而言，自上述第1軸方向觀察時由上述環繞部之內周部劃分之面積相對於上述絕緣體部之面積之比率為0.22以上且0.45以下。典型而言，上述絕緣體部係由陶瓷或樹脂材料構成。自上述第1軸方向觀察時由上述環繞部之內周部劃分之面積相對於上述絕緣體部之面積之比率為0.22以上且0.65以下。上述絕緣體部係由陶瓷或樹脂材料構成。上述絕緣體部亦可具有長方體形狀。於該情形時，上述線圈零件進而具備外部電極，其與上述線圈部電性連接，且僅配置於上述絕緣體部之1面。上述線圈部與上述外部電極亦可藉由與上述線圈部之端部連接之連接用通孔導體而電性連接。上述通孔導體之與上述第3軸正交之剖面具有較上述線圈部之端部之與上述第3軸正交之剖面大的剖面形狀。上述外部電極亦可具有與上述絕緣體部之上述1面對向之內表面部、及設置於上述內表面部且沒入上述1面之複數個突起部。[發明之效果]根據本發明，可提供一種謀求小型化並且高特性之線圈零件。

以下，一面參照圖式一面說明本發明之實施形態。＜第1實施形態＞[基本構成]圖1係本發明之一實施形態之電子零件之概略透視立體圖，圖2係其概略透視側視圖，圖3係其概略透視俯視圖。再者，於各圖中，X軸、Y軸及Z軸方向表示相互正交之3軸方向。本實施形態之電子零件100係作為表面安裝用之線圈零件而構成。電子零件100具備絕緣體部10、內部導體部20、及外部電極30。絕緣體部10具有頂面101、底面102、第1端面103、第2端面104、第1側面105及第2側面106，且形成為於X軸方向上具有寬度方向、於Y軸方向上具有長度方向、且於Z軸方向上具有高度方向之長方體形狀。絕緣體部10設計為例如寬度尺寸為0.05～0.2 mm，長度尺寸為0.1～0.4 mm，高度尺寸為0.05～0.4 mm。於本實施形態中，寬度尺寸為約0.2 mm，長度尺寸為約0.35 mm，高度尺寸為約0.2 mm。絕緣體部10具有本體部11與頂面部12。本體部11內置有內部導體部20，且構成絕緣體部10之主要部分。頂面部12構成絕緣體部10之頂面101。頂面部12例如亦可作為顯示電子零件100之型號等之印刷層而構成。本體部11及頂面部12係由以樹脂為主體之絕緣材料構成。作為構成本體部11之絕緣材料，可使用藉由熱、光、化學反應等而硬化之樹脂，可舉出例如聚醯亞胺、環氧樹脂、液晶聚合物等。另一方面，頂面部12亦可由除上述材料之外之樹脂膜等構成。或者絕緣體部10亦可由玻璃等陶瓷材料而構成。絕緣體部10亦可使用於樹脂中包含填料之複合材料。作為填料，典型而言，可舉出二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯等陶瓷粒子。陶瓷粒子之形狀並未特別限定，典型而言為球狀，但並不限於此，亦可為針狀、鱗片狀等。內部導體部20設置於絕緣體部10之內部。內部導體部20具有複數個柱狀導體21、及複數個連結導體22，藉由該等複數個柱狀導體21及連結導體22而構成線圈部20L。複數個柱狀導體21形成為具有與Z軸方向平行之軸心之大致圓柱形狀。複數個柱狀導體21係由在大致Y軸方向上相互對向之2個導體群而構成。構成其中之一個導體群之第1柱狀導體211於X軸方向上隔開特定之間隔而排列，構成另一個導體群之第2柱狀導體212亦同樣地於X軸方向上隔開特定之間隔而排列。再者，所謂大致圓柱形狀，除軸直角方向(與軸心垂直之方向)之剖面形狀為圓形之柱體之外，亦包含上述剖面形狀為橢圓形或長圓形之柱體，作為橢圓形或長圓形係指例如長軸/短軸之比為3以下者。第1及第2柱狀導體211、212係以分別相同直徑及相同高度而構成。於圖示之例中第1及第2柱狀導體211、212分別各設置5根。如下所述，第1及第2柱狀導體211、212係藉由將複數個通孔導體於Z軸方向積層而構成。再者，所謂大致相同直徑係指用以抑制電阻之增加者，且於相同方向觀察之尺寸之不均例如落在10%以內，所謂大致相同高度係指用以確保各層之堆積精度者，且高度之不均例如落在±1 μm之範圍內。複數個連結導體22係由與XY平面平行地形成且於Z軸方向上相互對向之2個導體群而構成。構成其中之一個導體群之第1連結導體221沿Y軸方向延伸，且於X軸方向上隔開間隔而排列，將第1及第2柱狀導體211、212之間各自連接。構成另一個導體群之第2連結導體222相對於Y軸方向以特定角度傾斜而延伸，且於X軸方向上隔開間隔而排列，將第1及第2柱狀導體211、212之間各自連接。於圖示之例中，第1連結導體221係由5個連結導體構成，第2連結導體222係由4個連結導體構成。於圖1中，第1連結導體221與特定之一組柱狀導體211、212之上端連接，第2連結導體222與特定之一組柱狀導體211、212之下端連接。更詳細而言，第1及第2柱狀導體211、212與第1及第2連結導體221、222構成線圈部20L之環繞部Cn(C1～C5)，該等環繞部Cn以繞X軸方向描繪矩形之螺旋之方式而相互連接。藉此，於絕緣體部10之內部，形成於X軸方向上具有軸心(線圈軸)之開口形狀為矩形之線圈部20L。本實施形態中環繞部Cn係由5個環繞部C1～C5構成。各環繞部C1～C5之開口形狀形成為分別大致相同之形狀。內部導體部20進而具有引出部23、及梳齒塊部24，經由該等而將線圈部20L連接至外部電極30(31、32)。引出部23具有第1引出部231、及第2引出部232。第1引出部231連接於構成線圈部20L之一端之第1柱狀導體211之下端，第2引出部232連接於構成線圈部20L之另一端之第2柱狀導體212之下端。第1及第2引出部231、232配置於與第2連結導體222相同之XY平面上，且與Y軸方向平行地形成。梳齒塊部24具有於Y軸方向以相互對向之方式配置之第1及第2梳齒塊部241、242。第1及第2梳齒塊部241、242中，各者之梳齒部之前端於圖1中朝向上方而配置。於絕緣體部10之兩端面103、104及底面102，露出有梳齒塊部241、242之一部分。於第1及第2梳齒塊部241、242各者之特定之梳齒部之間，分別連接有第1及第2引出部231、232(參照圖3)。於第1及第2梳齒塊部241、242各者之底部，分別設置有構成外部電極30之基底層之導體層301、302(參照圖2)。外部電極30構成表面安裝用之外部端子，且具有於Y軸方向上相互對向之第1及第2外部電極31、32。第1及第2外部電極31、32形成於絕緣體部10之外表面之特定區域。更具體而言，如圖2所示，第1及第2外部電極31、32具有被覆絕緣體層10之底面102之Y軸方向兩端部之第1部分30A、及將絕緣體層10之兩端面103、104跨及特定之高度而被覆之第2部分30B。第1部分30A經由導體層301、302而與第1及第2梳齒塊部241、242之底部電性連接。第2部分30B以被覆第1及第2梳齒塊部241、242之梳齒部之方式形成於絕緣體層10之端面103、104。柱狀導體21、連結導體22、引出部23、梳齒塊部24及導體層301、302例如係由Cu(銅)、Al(鋁)、Ni(鎳)等金屬材料構成，於本實施形態中均係由銅或其合金之鍍覆層而構成。第1及第2外部電極31、32例如由Ni/Sn鍍覆而構成。圖4係將電子零件100之上下反轉而表示之概略透視側視圖。如圖4所示，電子零件100係由膜層L1、及複數個電極層L2～L6之積層體而構成。於本實施形態中，藉由將膜層L1及電極層L2～L6自頂面101向底面102於Z軸方向上依序積層而製作。層之數量並未特別限定，此處設為6層進行說明。膜層L1及電極層L2～L6包含構成該各層之絕緣體部10及內部導體部20之要素。圖5A～F分別係圖4中之膜層L1及電極層L2～L6之概略俯視圖。膜層L1係由絕緣體部10之形成頂面101之頂面部12而構成(圖5A)。電極層L2包含構成絕緣體部10(本體部11)之一部分之絕緣層110(112)、及第1連結導體221(圖5B)。電極層L3包含絕緣層110(113)、及構成柱狀導體211、212之一部分之通孔導體V1(圖5C)。電極層L4除絕緣層110(114)、通孔導體V1之外，還包含構成梳齒塊部241、242之一部分之通孔導體V2(圖5D)。電極層L5除絕緣層110(115)、通孔導體V1、V2之外，還包含引出部231、232或第2連結導體222(圖5E)。而且，電極層L6包含絕緣層110(116)、及通孔導體V2(圖5F)。電極層L2～L6隔著接合面S1～S4(圖4)而於高度方向上積層。因此，各絕緣層110或通孔導體V1、V2於相同高度方向上具有邊界部。而且，電子零件100藉由將各電極層L2～L6自電極層L2依序製作並積層之增層法而製造。[基本製造過程]繼而，對電子零件100之基本製造過程進行說明。電子零件100係以晶圓級同時製作複數個，且於製作後對每個元件進行單片化(晶片化)。圖6～圖8係說明電子零件100之製造步驟之一部分之元件單位區域之概略剖視圖。作為具體之製造方法，於支持基板S上貼合構成頂面部12之樹脂膜12A(膜層L1)，且於其上依序製作電極層L2～L6。對於支持基板S，可使用例如矽基板、玻璃基板、或藍寶石基板。典型而言，反覆實施以下步驟，即，藉由電性鍍覆法而製作構成內部導體部20之導體圖案，且利用絕緣性樹脂材料被覆該導體圖案而製作絕緣層110。圖6及圖7表示電極層L3之製造步驟。於該步驟中，首先，於電極層L2之表面例如藉由濺鍍法等形成用以電性鍍覆之籽晶層(供電層)SL1(圖6A)。籽晶層SL1只要係導電性材料則並無特別限定，例如由Ti(鈦)或Cr(鉻)構成。電極層L2包含絕緣層112、及連結導體221。連結導體221以與樹脂膜12A相接之方式設置於絕緣層112之下表面。繼而，於籽晶層SL1上形成抗蝕劑膜R1(圖6B)。依序進行對抗蝕劑膜R1之曝光、顯影等處理，藉此經由籽晶層SL1而形成具有與構成柱狀導體21(211、212)之一部分之通孔導體V13對應之複數個開口部P1之抗蝕劑圖案(圖6C)。其後，執行去除開口部P1內之抗蝕劑殘渣之除渣處理(圖6D)。繼而，將支持基板S浸漬於鍍Cu浴中，藉由對籽晶層SL1之電壓施加而於開口部P1內形成包含鍍Cu層之複數個通孔導體V13(圖6E)。繼而，將抗蝕劑膜R1及籽晶層SL1去除之後(圖7A)，形成被覆通孔導體V13之絕緣層113(圖7B)。絕緣層113係於電極層L2上印刷、塗佈樹脂材料、或貼合樹脂膜之後，使其硬化。於硬化後，使用CMP(chemical mechanical polishing，化學機械研磨裝置)或研磨機等研磨裝置，將絕緣層113之表面研磨直至通孔導體V13之前端露出為止(圖7C)。圖7C表示作為一例，將支持基板S之上下反轉而置於能夠自轉之研磨頭H上，利用公轉之研磨墊P進行絕緣層113之研磨處理(CMP)之狀況。如以上般，於電極層L2上製作電極層L3(圖7D)。再者，關於絕緣層112之形成方法省略記載，典型而言，絕緣層112又以與絕緣層113相同之方法而製作，即，於印刷、塗佈、或貼合之後，使其硬化，藉由CMP(化學機械研磨裝置)或研磨機等進行研磨。以後，同樣地於電極層L3上製作電極層L4。首先，於電極層L3之絕緣層113(第2絕緣層)上，形成與複數個通孔導體V13(第1通孔導體)連接之複數個通孔導體(第2通孔導體)。即，於上述第2絕緣層之表面形成被覆上述第1通孔導體之表面之籽晶層，且於上述籽晶層上，形成在與上述第1通孔導體之表面對應之區域設置開口之抗蝕劑圖案，藉由將上述抗蝕劑圖案作為遮罩之電性鍍覆法而形成上述第2通孔導體。繼而，於上述第2絕緣層上，形成被覆上述第2通孔導體之第3絕緣層。其後，研磨上述第3絕緣層之表面直至上述第2通孔導體之前端露出為止。再者，於上述第2通孔導體之形成步驟中，亦又同時形成構成梳齒塊部24(241、242)之一部分之通孔導體V2(參照圖4、圖5D)。於該情形時，作為上述抗蝕劑圖案，除上述第2通孔導體之形成區域設置開口之抗蝕劑圖案之外，還形成通孔導體V2之形成區域設置開口之抗蝕劑圖案。圖8A～D表示電極層L5之製造步驟之一部分。此處，亦首先於電極層L4之表面依序形成電性鍍覆用之籽晶層SL3、及具有開口部P2、P3之抗蝕劑圖案(抗蝕劑膜R3)(圖8A)。其後，執行去除開口部P2、P3內之抗蝕劑殘渣之除渣處理(圖8B)。電極層L4具有絕緣層114、及通孔導體V14、V24。通孔導體V14相當於構成柱狀導體21(211、212)之一部分之通孔(V1)，通孔導體V24相當於構成梳齒塊部24(241、242)之一部分之通孔(V2)(參照圖5C、D)。開口部P2隔著籽晶層SL3而與電極層L4內之通孔導體V14對向，開口部P3隔著籽晶層SL3而與電極層L4內之通孔導體V24對向。開口部P2形成為與各連結導體222對應之形狀。繼而，將支持基板S浸漬於鍍Cu浴中，藉由對籽晶層SL3之電壓施加而於開口部P2、P3內分別形成包含鍍Cu層之通孔導體V25與連結導體222(圖8C)。通孔導體V25相當於構成梳齒塊部24(241、242)之一部分之通孔(V2)。繼而，去除抗蝕劑膜R3及籽晶層SL3，形成被覆通孔導體V25與連結導體222之絕緣層115(圖8D)。其後儘管未圖示，亦藉由對絕緣層115之表面之研磨直至通孔導體V25之前端露出為止、進而反覆執行籽晶層之形成、抗蝕劑圖案之形成、電性鍍覆處理等步驟而製作圖4及圖5E所示之電極層L5。其後，在露出於絕緣層115之表面(底面102)之梳齒塊部24(241、242)形成有導體層301、302之後，分別形成第1及第2外部電極31、32。[本實施形態之構造]伴隨近年來之零件之小型化，存在線圈特性之確保變得困難之傾向。即，線圈零件之特性較大地依存於內置之線圈部之大小、形狀等，典型而言，線圈部之開口越大則可獲得越高之電感特性。然而，由零件之小型化而對絕緣體部之大小產生制約，其結果導致線圈部之有效面積減少、電感特性降低。因此，於本實施形態中，藉由使線圈部之開口之尺寸比率最佳化而要既謀求小型化，又謀求線圈零件之高特性化。圖9A～C係說明線圈零件之高頻特性之模式圖。圖9A所示之線圈零件200具有長方體形狀之絕緣體部210、及配置於其內部之線圈部220C。此處為了容易理解，將線圈部220C之環繞部Cn以塗有斜線(影線)之單純之矩形環狀區域表示(圖10中亦相同)。再者，符號230為外部電極。線圈零件之典型之小型化方法中，使絕緣體部210低背化，因此環繞部Cn之上邊側(以下，稱為A側)與下邊側(以下，稱為B側)相互接近。若環繞部Cn之A側與B側接近，則由A側與B側所形成之磁通(磁場)間之影響變大。即，如圖9B所示，由流經A側之電流IA所形成之磁通ΦA與由流經B側之電流IB所形成之ΦB為相反方向，故A側與B側越接近則磁通ΦA與磁通ΦB之相互干涉(相互抵消)越大。其結果，環繞部Cn之開口整體之磁通ΦT亦變小，從而無法獲得如設計般之電感。因此，本實施形態中，如圖9C所示，藉由增大A側與B側之間之距離而抑制於雙方所形成之磁通ΦA、ΦB之相互干涉，使環繞部Cn整體之磁通ΦT增大，從而使電感提高。又，可提高電感係與可同時縮短線路長度相關，其結果，電阻被較低地抑制，故可提高Q值。環繞部Cn之A側及B側之隔開距離可藉由絕緣體部210之高背化而實現。藉此，線圈零件之安裝面積不會變大，故既謀求線圈零件之小型化，又謀求線圈特性之提高。使用有上述典型之小型化方法之線圈零件200中，由於晶片零件之外形尺寸之制約，故必須使位於環繞部之開口(核心)之導體內周面之尺寸比率(hd/ld)變小(參照圖9A)。相對於此，本實施形態中，根據晶片零件之外形尺寸而重新認識，其特徵在於，不改變絕緣體部10之大小(零件體積)而增大了尺寸比率(hd/ld)。藉此，可有效率地提高電感，結果可獲得Q值較高之線圈零件。具體而言，如圖10所示，本實施形態之線圈零件100以如下方式構成，即，絕緣體部10之高度尺寸(Ha)相對於長度尺寸(La)之比率(Ha/La)，成為沿Z軸方向之環繞部Cn之內周部間之高度尺寸(hd)相對於沿Y軸方向之環繞部Cn之內周部間之長度尺寸(ld)之比率(hd/ld)的1.5倍以下。藉此，可有效率地提高線圈零件100之Q值。此處，「沿Y軸方向之環繞部Cn之內周部間之長度尺寸(ld)」係指將構成該環繞部Cn之第1及第2柱狀導體211、212之對向面間之距離投影至YZ平面後之關於Y軸方向的長度。又，「沿Z軸方向之環繞部Cn之內周部間之高度尺寸(hd)」係指將構成該環繞部Cn之第1及第2連結導體221、222之對向面間之距離投影至YZ平面後之關於Z軸方向的長度。關於尺寸之測定，自Z軸方向(高度方向)進行剖面研磨、銑削直至穿過絕緣體之高度方向之中心之面為止，利用掃描式電子顯微鏡(SEM，scanning electron microscope)進行200倍左右之觀察，藉此測定第1柱狀導體211與第2柱狀導體212之間隔，將其作為環繞部Cn之內周部間之長度尺寸(ld)。又，自X軸方向(寬度方向)進行剖面研磨、銑削直至穿過絕緣體部之寬度方向之中心之面為止，利用SEM測定第1連結導體221與第2連結導體222之間隔，將其作為環繞部Cn之內周部間之高度尺寸(hd)。關於其他部分之尺寸測定，亦分別使用上述之觀察試樣進行。環繞部Cn之開口尺寸比率(hd/ld)並未特別限定，於本實施形態中，為0.6以上且1.2以下。藉此可更穩定地確保較高之電感值及Q值。又，自線圈軸方向(X軸方向)觀察時由環繞部Cn之內周部劃分之面積(Sd)相對於絕緣體部12之面積(Sa)之比率(Sd/Sa)亦並未特別限定，於本實施形態中，為0.22以上且0.45以下(22%以上且45%以下)。藉此，可有效率地提高線圈零件100之電感值。進而，根據本實施形態，於圖1中將第1及第2梳齒塊部241、242之各者之梳齒部之前端朝向上方而配置，故可彌補絕緣體部10之伴隨高背化之剛性不足。藉此，可提高線圈零件100之可靠性。＜實驗例＞以下，參照圖10及圖11，對由本發明者等人實施之實驗例進行說明。將環繞部Cn之開口稱為核心部。(實驗例1)製作出各部之尺寸如下之具備玻璃製之絕緣體部及線圈部之線圈零件樣本。∙絕緣體部：長度(La)370 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)215 μm∙線圈部：Y軸方向之導體尺寸(lc)35 μm，X軸方向之導體尺寸(wc)10 μm，Z軸方向之導體尺寸(hc)35 μm，X軸方向上相鄰之環繞部間之距離(導體間距離g)20 μm，Y軸方向之核心部尺寸(ld)200 μm，整個環繞部Cn之X軸方向之核心部尺寸(wd)130 μm，Z軸方向之核心部尺寸(hd)85 μm∙側邊緣：Y軸方向之尺寸(lb)50 μm，X軸方向之尺寸(wb)30 μm，Z軸方向之尺寸(hb)30 μm對所製作之樣本，使用RF(radio frequency，射頻)阻抗分析儀(Agilent公司製造E4991A)分別測定電感(L值)(測定頻率500 MHz)及Q值(測定頻率1.8 GHz)，L值為2.6 nH，Q值為27。(實驗例2)將絕緣體部設為長度(La)350 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)230 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)180 μm，X軸方向(wd)130 μm，Z軸方向(hd)100 μm，除此之外，在與實驗例1相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為2.7 nH，Q值為28。(實驗例3)將絕緣體部設為長度(La)320 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)250 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)150 μm，X軸方向(wd)130 μm，Z軸方向(hd)120 μm，除此之外，在與實驗例1相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為2.8 nH，Q值為29。(實驗例4)將絕緣體部設為長度(La)305 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)265 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)135 μm，X軸方向(wd)130 μm，Z軸方向(hd)135 μm，除此之外，在與實驗例1相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為2.9 nH，Q值為30。(實驗例5)將絕緣體部設為長度(La)275 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)290 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)105 μm，X軸方向(wd)130 μm，Z軸方向(hd)160 μm，除此之外，在與實驗例1相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為2.6 nH，Q值為29。(實驗例6)將絕緣體部設為長度(La)265 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)300 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)95 μm，X軸方向(wd)130 μm，Z軸方向(hd)170 μm，除此之外，在與實驗例1相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為2.3 nH，Q值為28。(實驗例7)製作出各部之尺寸如下之具備樹脂製之絕緣體部及線圈部之線圈零件樣本。∙絕緣體部：長度(La)410 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)195 μm∙線圈部：Y軸方向之導體尺寸(lc)35 μm，X軸方向之導體尺寸(wc)24 μm，Z軸方向之導體尺寸(hc)35 μm，導體間距離(g)10 μm，Y軸方向之核心部尺寸(ld)250 μm，X軸方向之核心部尺寸(wd)160 μm，Z軸方向之核心部尺寸(hd)85 μm∙側邊緣：Y軸方向之尺寸(lb)45 μm，X軸方向之尺寸(wb)20 μm，Z軸方向之尺寸(hb)20 μm對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.0 nH，Q值為31。(實驗例8)將絕緣體部設為長度(La)380 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)210 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)220 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)100 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.2 nH，Q值為32。(實驗例9)將絕緣體部設為長度(La)350 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)230 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)190 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)120 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.3 nH，Q值為33。(實驗例10)將絕緣體部設為長度(La)320 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)250 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)160 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)140 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.4 nH，Q值為34。(實驗例11)將絕緣體部設為長度(La)310 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)260 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)150 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)150 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.5 nH，Q值為34。(實驗例12)將絕緣體部設為長度(La)275 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)290 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)115 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)180 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.3 nH，Q值為32。(實驗例13)將絕緣體部設為長度(La)255 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)315 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)95 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)205 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.1 nH，Q值為31。(實驗例14)將絕緣體部設為長度(La)310 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)260 μm，將Y軸方向之導體尺寸(lc)設為30 μm，X軸方向之導體尺寸(wc)設為24 μm，Z軸方向之導體尺寸(hc)設為30 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)160 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)160 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.6 nH，Q值為36。(實驗例15)將絕緣體部設為長度(La)310 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)260 μm，將Y軸方向之導體尺寸(lc)設為25 μm，X軸方向之導體尺寸(wc)設為24 μm，Z軸方向之導體尺寸(hc)設為25 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)170 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)170 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為3.8 nH，Q值為37。(實驗例16)將絕緣體部設為長度(La)310 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)260 μm，將Y軸方向之導體尺寸(lc)設為20 μm，將X軸方向之導體尺寸(wc)設為24 μm，將Z軸方向之導體尺寸(hc)設為20 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)180 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)180 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為4.2 nH，Q值為37。(實驗例17)將絕緣體部設為長度(La)310 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)260 μm，將Y軸方向之導體尺寸(lc)設為15 μm，將X軸方向之導體尺寸(wc)設為24 μm，將Z軸方向之導體尺寸(hc)設為15 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)190 μm，X軸方向(wd)160 μm，Z軸方向(hd)190 μm，除此之外，在與實驗例7相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為4.8 nH，Q值為36。(比較例1)將絕緣體部設為長度(La)400 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)200 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)230 μm，X軸方向(wd)130 μm，Z軸方向(hd)70 μm，除此之外，在與實驗例1相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為2.2 nH，Q值為22。(比較例2)將絕緣體部設為長度(La)407 μm，寬度(Wa)200 μm，高度(Ha)202 μm，將核心部尺寸設為Y軸方向(ld)237 μm，X軸方向(wd)130 μm，Z軸方向(hd)72 μm，除此之外，在與實驗例1相同之條件下製作樣本。對所製作之樣本，在與實驗例1相同之條件下測定電感(L值)及Q值，L值為2.3 nH，Q值為23。將實驗例1～17及比較例1、2之上述各部之條件、尺寸比、自線圈軸方向(X軸方向)觀察之絕緣體部及核心部之面積及其面積比、以及線圈特性彙總示於表1～3。 [表1] [表2] [表3] 如表2及表3所示，根據絕緣體部之尺寸比率(Ha/La)係核心部之尺寸比率(hd/ld)之1.5倍以下的實驗例1～17，確認可獲得較絕緣體部之尺寸比率(Ha/La)超出核心部之尺寸比率(hd/ld)之1.5倍之比較例1、2高的Q值。又，根據核心部之尺寸比率(hd/ld)為0.8以上且1.5以下之實驗例3～5，確認可獲得較實驗例1、2、6高之(29以上之)Q值。同樣地，根據核心部之尺寸比率(hd/ld)為0.6以上且1.0以下之實驗例9～11、14～17，確認可獲得較實驗例7、8、12、13高(超過32)之Q值。又，根據核心部之尺寸比率(hd/ld)為0.6以上且1.0以下之實驗例2～4，確認可獲得較實驗例1、5、6高(2.7 nH以上)之L值。進而，根據核心部之面積(Sd)相對於絕緣體部之面積(Sa)之比率(Sd/Sa)為22%以上且45%以下的實驗例2～4、7～17，確認可獲得2.7 nH以上之較高之電感值。以下個別地來看，於實驗例1中，儘管為與比較例2大致相同之核心面積，但核心部之尺寸比(wd/ld)較比較例2大，故獲得較比較例2高之Q值。於實驗例4中，核心部之尺寸比(wd/ld)成為大致1，故於實驗例1～6中獲得最高之Q值。於實驗例7～17中，與實驗例1～6相比較，絕緣體部之絕緣性高，可將導體尺寸增大至最大限度，故可提高電感值。伴隨此，亦可使Q值較高，為31以上。以上，對本發明之實施形態進行了說明，但當然本發明並不僅限定於上述實施形態，而是可施加各種變更。例如，於以上之實施形態中，對線圈零件之自頂面側向底面側依序積層絕緣層及通孔導體之方法進行了說明，但並不限於此，亦可自底面側向頂面側依序積層絕緣層及通孔導體。又，本發明亦能夠應用於將線圈部之各環繞部於線圈軸方向依序積層之線圈零件之製造方法。又，於上述實施形態中，自Z軸方向觀察之環繞部為四邊形，但即便為多邊形、於一部分形成有圓角等，只要環繞部導體存在對向之位置關係，則可取得相同之效果。又，於上述實施形態中將線圈零件之線圈軸設為X軸方向(寬度方向)，但線圈軸方向即便為Z軸方向(高度方向)亦可取得相同之效果。進而，絕緣體部中，所使用之材料無論為玻璃抑或樹脂，例如即便於一部分包含鐵氧體粉等，只要磁導率為2以下，則可取得相同之效果。又，絕緣體只要介電常數為5以下，則尤其可使高頻特性良好，只要介電常數為4以下，則可進一步減小與端子電極之間產生之雜散電容，可使高頻下之Q值提高。＜第2實施形態＞於上述第1實施形態中，對配置有梳齒塊部之電子零件進行了說明，但亦可設為如上述圖1～圖3所示未配置梳齒塊部24之電子零件，以下作為變化例進行說明。於下述各構成例中，亦構成為使絕緣體部之高度尺寸(Ha)相對於長度尺寸(La)之比率(Ha/La)，成為沿Z軸方向之環繞部Cn之內周部間之高度尺寸(hd)相對於沿Y軸方向之環繞部Cn之內周部間之長度尺寸(ld)之比率(hd/ld)的1.5倍以下。又，環繞部Cn之開口尺寸比率(hd/ld)並未特別限定，但於本實施形態中，為0.6以上且1.0以下。藉此可更穩定地確保較高之電感值及Q值。又，自線圈軸方向(X軸方向)觀察時由環繞部Cn之內周部劃分之面積(Sd)相對於絕緣體部之面積(Sa)之比率(Sd/Sa)亦未特別限定，但於本實施形態中，為0.22以上且0.65以下(22%以上且65%以下)。藉此，可有效率地提高線圈零件之電感值。(第1構成例)第1構成例之電子零件中未配置梳齒塊部。藉此，在相同體積之絕緣體部內配置內部導體部之情形時，與配置梳齒塊部之情形相比較，線圈部之設計範圍變大且能夠擴大線圈部之開口面積，從而可使L值、Q值提高。又，於本構成例中，未配置梳齒塊部，故能夠成為僅於長方體形狀之絕緣體部之1個面上形成外部電極之構造，可形成1面安裝型電子零件。上述實施形態之線圈零件係於長方體形狀之絕緣體部之3個面102、103、104上形成有外部電極之3面安裝型電子零件，但並不限定於此，亦可如本構成例般設為僅於絕緣體部之1個面上形成有外部電極之1面安裝型電子零件。進而，於上述實施形態中線圈部與外部電極之連接係經由梳齒塊部及引出線進行，但於本構成例中，線圈部與外部電極之連接係經由連接用通孔導體層進行。以下，使用圖12～圖14對第1構成例之電子零件進行說明。圖12A係本實施形態之第1構成例之線圈零件之概略透視立體圖，圖12B係其外觀立體圖，圖13A係其概略透視側視圖，圖13B係其外觀側視圖，圖14係其概略透視俯視圖。再者，於各圖中X軸、Y軸及Z軸方向表示相互正交之3軸方向。本構成例之電子零件1100係作為表面安裝用之線圈零件而構成。電子零件1100具備絕緣體部1010、內部導體部1020、及外部電極1030。絕緣體部1010具有頂面1101、底面1102、第1端面1103、第2端面1104、第1側面1105及第2側面1106，形成為於X軸方向上具有寬度方向、於Y軸方向上具有長度方向、且於Z軸方向上具有高度方向之長方體形狀。底面1102成為安裝面。絕緣體部1010具有本體部1011與頂面部12。本體部1011內置有內部導體部1020，且構成絕緣體部1010之主要部分。頂面部12構成絕緣體部1010之頂面1101。用於絕緣體部1010之材料與上述實施形態相同。內部導體部1020設置於絕緣體部1010之內部。內部導體部1020具有複數個柱狀導體1021、複數個連結導體1022、及連接用通孔導體層V1023，藉由該等複數個柱狀導體1021及連結導體1022而構成線圈部1020L。又，連接用通孔導體層V1023連接於線圈部1020L之兩端部之各者。複數個柱狀導體1021形成為具有與Z軸方向平行之軸心之大致圓柱形狀。複數個柱狀導體1021係由在大致Y軸方向上相互對向之2個導體群構成。構成其中之一個導體群之第1柱狀導體10211於X軸方向上隔開特定之間隔而排列，構成另一個導體群之第2柱狀導體10212亦同樣地於X軸方向上隔開特定之間隔而排列。再者，所謂大致圓柱形狀，除軸直角方向(與軸心垂直之方向)之剖面形狀為圓形之柱體之外，亦包含上述剖面形狀為橢圓形或長圓形之柱體，作為橢圓形或長圓形例如係指長軸/短軸之比為3以下者。第1及第2柱狀導體10211、10212係以分別相同直徑及相同高度而構成。於圖示之例中第1及第2柱狀導體10211、10212分別各設置5根。如下所述，第1及第2柱狀導體10211、10212係藉由將複數個通孔導體於Z軸方向積層而構成。再者，所謂大致相同直徑係指用以抑制電阻之增加者，且於相同方向觀察之尺寸之不均例如落在10%以內，所謂大致相同高度係指用以確保各層之堆積精度者，且高度之不均例如落在±10 μm之範圍內。複數個連結導體1022係由與XY平面平行地形成且於Z軸方向上相互對向之2個導體群而構成。構成其中之一個導體群之第1連結導體10221沿Y軸方向延伸，且於X軸方向上隔開間隔而排列，將第1及第2柱狀導體10211、10212之間各自連接。構成另一個導體群之第2連結導體10222相對於Y軸方向以特定角度傾斜而延伸，且於X軸方向上隔開間隔而排列，將第1及第2柱狀導體10211、10212之間各自連接。於圖示之例中，第1連結導體10221係由5個連結導體構成，第2連結導體10222係由4個連結導體構成。於圖12中，第1連結導體10221與特定之一組柱狀導體10211、10212之上端連接，第2連結導體10222與特定之一組柱狀導體10211、10212之下端連接。更詳細而言，第1及第2柱狀導體10211、10212與第1及第2連結導體10221、10222構成線圈部1020L之環繞部Cn(C1～C5)，該等環繞部Cn以繞X軸方向描繪矩形之螺旋之方式而相互連接。藉此，於絕緣體部1010之內部，形成於X軸方向上具有軸心(線圈軸)之開口形狀為矩形之線圈部1020L。本實施形態中環繞部Cn係由5個環繞部C1～C5構成。各環繞部C1～C5之開口形狀形成為分別大致相同之形狀。連接用通孔導體層V1023具有第1連接用通孔導體層V10231、及第2連接用通孔導體層V10232。第1連接用通孔導體層V10231與構成線圈部1020L之一端之第1柱狀導體10211之下端連結而連接，第2連接用通孔導體層V10232與構成線圈部1020L之另一端之第2柱狀導體10212之下端連結而連接。第1及第2連接用通孔導體層V10231、V10232中，與Z軸方向垂直之剖面形狀為大致圓形，且具有與柱狀導體1021之與Z軸方向垂直之剖面大致相同之大小及形狀。外部電極1030構成表面安裝用之外部端子，其具有於Y軸方向上相互對向之第1及第2外部電極1031、1032。第1及第2外部電極1031、1032僅形成於絕緣體部1010之作為1面之底面1102。外部電極1030形成於絕緣體部1010之外側。柱狀導體1021、連結導體1022、及連接用通孔導體層V1023例如係由Cu(銅)、Al(鋁)、Ni(鎳)等金屬材料構成，於本實施形態中任一者均由銅或其合金之鍍覆層構成。第1及第2外部電極1031、1032例如由Ni/Sn鍍覆而構成。圖15係將電子零件1100之上下反轉而表示之概略透視側視圖。如圖15所示，電子零件1100係由膜層L1001、及複數個電極層L1002～L1006之積層體而構成。於本實施形態中，藉由將膜層L1001及電極層L1002～L1006自頂面1101向底面1102於Z軸方向上依序積層而製作。層之數量並未特別限定，此處設為6層進行說明。膜層L1001及電極層L1002～L1006包含構成該各層之絕緣體部1010、內部導體部1020及外部電極1030之要素。圖16A～F分別係圖15中之膜層L1001及電極層L1002～L1006之概略俯視圖。膜層L1001係由絕緣體部1010之形成頂面1101之頂面部12而構成(圖16A)。電極層L1002包含構成絕緣體部1010(本體部1011)之一部分之絕緣層10110(10112)、及第1連結導體10221(圖16B)。電極層L1003包含絕緣層10110(10113)、及構成柱狀導體10211、10212之一部分之通孔導體V1001(圖16C)。電極層L1004除絕緣層10110(10114)、通孔導體V1001之外，還包含第2連結導體10222(圖16D)。電極層L1005包含絕緣層10110(10115)、及連接用通孔導體層V1023(第1連接用通孔導體層V10231、第2連接用通孔導體層V10232)(圖16E)。而且，電極層L1006包含外部電極1030(第1外部電極1031、第2外部電極1032)(圖16F)。電極層L1002～L1006隔著接合面S1～S4(圖15)而於高度方向上積層。因此各絕緣層10110、通孔導體V1001、連接用通孔導體層V1023、外部電極1030於相同高度方向上具有邊界部。而且，電子零件1100藉由將各電極層L1002～L1006自電極層L1002依序製作並積層之與上述實施形態相同之增層法而製造。如以上般，第1構成例之電子零件1100中未配置梳齒塊部，故可擴大Y軸方向之核心部尺寸(ld)。藉此可擴大線圈部1020L之開口面積，且能夠提高L值及Q值。又，於本構成例中，成為表面安裝用之外部端子之外部電極1030僅形成於電子零件1100之1面，故在將電子零件1100藉由焊接而安裝時，安裝面僅為1面，故不形成焊接填角便能夠進行高密度安裝。又，將線圈部1020L與外部電極1030藉由連接用通孔導體層V1023而連接，故與配置有梳齒塊部之情形相比較，可縮短自外部電極至線圈部1020為止之電流路徑。藉此，可獲得雜訊之產生較少且特性劣化較少之電子零件1100。(第2構成例)於上述第1構成例中，連接用通孔導體層V1023之與Z軸方向垂直之剖面形狀具有大致圓形，但並不限定於此，例如亦可具有長圓形，以下，作為第2構成例進行說明。主要對與第1構成例不同之構成進行說明，對於相同之構成，有標註相同之符號且省略說明之情況。於本構成例中，亦與第1構成例同樣地，能夠增大線圈部之開口面積，藉此能夠提高L值、Q值。以下，使用圖17～圖19對第2構成例之線圈零件進行說明。圖17係線圈零件之概略透視立體圖。圖18係其概略透視側視圖。圖19係其概略透視俯視圖。本構成例之電子零件2100係作為表面安裝用之線圈零件而構成。電子零件2100具備絕緣體部2010、內部導體部2020、及外部電極1030。絕緣體部2010具有本體部2011與頂面部12。本體部2011內置有內部導體部2020，且構成絕緣體部2010之主要部分。絕緣體部2010具有頂面2101、底面2102、第1端面2103、第2端面2104、第1側面2105及第2側面2106，且形成為於X軸方向上具有寬度方向、於Y軸方向上具有長度方向、且於Z軸方向上具有高度方向之長方體形狀。內部導體部2020設置於絕緣體部2010之內部。內部導體部2020具有複數個柱狀導體1021、複數個連結導體1022、及連接用通孔導體層V2023，藉由該等複數個柱狀導體1021及連結導體1022而構成線圈部1020L。又，連接用通孔導體層V2023連接於線圈部1020L之兩端部之各者。連接用通孔導體層V2023具有第1連接用通孔導體層V20231、及第2連接用通孔導體層V20232。第1連接用通孔導體層V20231與構成線圈部1020L之一端之第1柱狀導體10211之下端連接，第2連接用通孔導體層V20232與構成線圈部1020L之另一端之第2柱狀導體10212之下端連接。第1及第2連接用通孔導體層V20231、V20232之與Z軸方向垂直之剖面形狀為長圓形，且具有較柱狀導體1021之與Z軸方向垂直之剖面大的剖面形狀。換言之，將柱狀導體1021與連接用通孔導體層V2023投影至XY平面時，柱狀導體1021之大致圓形之投影圖全部包含於連接用通孔導體層V2023之大致長圓形之投影圖中。外部電極1030構成表面安裝用之外部端子，且具有於Y軸方向上相互對向之第1及第2外部電極1031、1032。第1及第2外部電極1031、1032形成於絕緣體部2010之僅作為1面之底面2102。如以上般，於本構成例中，將連接用通孔導體層V2023之剖面形狀設為長圓，且形成較構成線圈部1020L之一部分之柱狀導體1021之剖面大的剖面形狀，藉此可增大線圈部1020L與外部電極1030之接觸面積。(第3構成例)於上述各構成例中，亦可以與連接用通孔導體層V1023、V2023相同層而設置未將線圈部1020L與外部電極1030電性連接之虛設通孔導體層，以下，作為第3構成例進行說明。虛設通孔導體層係與外部電極1030接觸而於絕緣體內形成複數個。藉由設置虛設通孔導體層而可使外部電極1030與絕緣體部1010之密接強度提高。虛設通孔導體層之設置能夠應用於上述構成例及上述實施形態。圖20係第3構成例之線圈零件之概略透視立體圖。圖21係其概略透視側視圖。圖22係其概略透視俯視圖。於第3構成例中，以於上述第1構成例中設置有虛設通孔導體層之情形為例進行說明，對於與第1構成例相同之構成標註相同之符號，省略說明。本構成例之電子零件3100係作為表面安裝用之線圈零件而構成。電子零件3100具備絕緣體部3010、內部導體部1020、及外部電極1030。絕緣體部3010具有本體部3011及頂面部12。本體部3011內置有內部導體部1020及虛設通孔導體層3040，且構成絕緣體部3010之主要部分。絕緣體部3010具有頂面3101、底面3102、第1端面3103、第2端面3104、第1側面3105及第2側面3106，且形成為於X軸方向上具有寬度方向、於Y軸方向上具有長度方向、且於Z軸方向上具有高度方向之長方體形狀。虛設通孔導體層3040係由設置於與長方體形狀之絕緣體部3010之底面3102對向之外部電極1030之內表面部的複數個突起部而構成，圖21所示沒入絕緣體部3010之底面3102之內部。虛設通孔導體層3040之前端部隔著構成絕緣體部3010之絕緣材料而與內部導體部1020對向，因此並未與線圈部1020L接觸。虛設通孔導體層3040係以與連接用通孔導體層V1023相同層而形成。複數個虛設通孔導體層3040係由在Y軸方向上相互對向之2個導體層群而構成。構成其中之一個導體層群之第1虛設通孔導體層3041與XY平面上之形狀大致矩形之第1外部電極1031之四角對應而分別各配置1個。構成另一個導體層群之第2虛設通孔導體層3042與XY平面上之形狀大致矩形之第2外部電極1032之四角對應而分別各配置1個。虛設通孔導體層3040藉由構成絕緣體部3011之絕緣層而與內部導體部1020電性絕緣。於本變化例中，藉由設置虛設通孔導體層3040而使外部電極1030與絕緣體部3011之密接強度提高。即，於外部電極1030之製作方法中，可採取以下方法，即，例如與藉由電性鍍覆法而製作構成上述實施形態之內部導體部之導體圖案之方法同樣地，設置電性鍍覆用之籽晶層，且設置具有開口部之抗蝕劑圖案之後，藉由電性鍍覆法而形成外部電極。於此種方法中藉由製作外部電極1030而產生虛設通孔導體層3040與外部電極1030之較強之接著，從而絕緣體部3011與外部電極1030之密接強度提高。＜電子零件特性＞本發明之電子零件並不限定於上述各實施形態，例如亦可採取圖23及圖24所示之構成。圖23、圖24之各圖係上述實施形態之電子零件之概略透視圖。圖23之各圖表示如上述第1實施形態般配置有梳齒塊部24之電子零件之圖，圖24之各圖表示如上述第2實施形態般未配置梳齒塊部之電子零件之圖。對於與上述各實施形態相同之構成，標註相同之符號。圖23及圖24所示之各電子零件之外形尺寸均相同，對於任一電子零件，均構成為使絕緣體部之高度尺寸(Ha)相對於長度尺寸(La)之比率(Ha/La)，成為沿Z軸方向之環繞部Cn之內周部間之高度尺寸(hd)相對於沿Y軸方向之環繞部Cn之內周部間之長度尺寸(ld)之比率(hd/ld)的1.5倍以下。圖23A係上述第1實施形態之電子零件100之概略透視側視圖。圖23B係如下形態之電子零件4100之概略透視側視圖，即，與電子零件100相比較，該電子零件4100未設置引出部23，且如上述第2實施形態般經由連接用通孔導體層V1023而將外部電極30與線圈部1020L加以連接。圖23C係以下情形之電子零件5100之概略透視側視圖，即，與圖23B之電子零件3100相比較，該電子零件5100之梳齒塊部24之Y軸方向之長度較短，且線圈部1020L與梳齒塊部24之距離較長。於圖23之各圖中，Y軸方向(圖中左右方向)之線圈部20L與絕緣體部端面之間之側邊緣之尺寸(1b)均為45 μm。圖24之各圖係與上述第2實施形態(第1構成例)之電子零件1100對應者，僅Y軸方向之側邊緣之尺寸(1b)不同，基本的構成相同。圖24A所示之電子零件1100A之側邊緣1b為45 μm，圖24B所示之電子零件1100B之側邊緣1b為20 μm，圖24C所示之電子零件1100C之側邊緣1b為10 μm。圖25表示圖23及圖24所示之各電子零件之電感(L值)特性。圖26表示圖23及圖24所示之各電子零件之Q值特性。於圖25及圖26中，橫軸之23A相當於圖23A所示之電子零件，以下同樣地，23B、23C、24A、24B及24C分別相當於圖23B、圖23C、圖24A、圖24B及圖24C所示之電子零件，對各電子零件之電感及Q值進行繪圖。如圖25及圖26所示，顯示任一電子零件中L值均為3.0 nH以上，Q值均為30以上，可獲得較高之電感值及Q值。進而，藉由擴大線圈部之開口(核心)而可使電感特性及Q值特性進一步提高。圖27係根據電子零件之構成之不同而比較內部導體部之可形成區域之圖。圖27之各圖中，以電子零件之外形為200 μm(寬度)×400 μm(橫長)×200 μm(高度)者為例記載各尺寸。圖27B係上述第2實施形態(第1構成例)所示之1面安裝型之電子零件1100之概略外觀側視圖。圖27C表示上述第1實施形態所示之3面安裝型之電子零件100之概略透視側視圖。圖27D表示先前之5面安裝型之電子零件7100之概略外觀側視圖，符號7030表示外部電極。對於任一電子零件，外部電極之厚度均設為10 μm。圖27A表示假定絕緣體部之外形與電子零件之外形相等之情形之例，將此時之絕緣體部6010之體積設為100%，計算圖27B～圖27D之各圖所示之電子零件中之絕緣體部所占之比例。於圖27B之1面安裝型之電子零件1100中，絕緣體部1010所占之比例成為95%，圖27C之3面安裝型之電子零件100中，絕緣體部10所占之比例成為84%，圖27D之5面安裝型之電子零件7100中，絕緣體部所占之比例為76.95%。電子零件中之絕緣體部所占之比例越高，則配置於絕緣體部之內部之內部導體部之可形成區域越大。因此，1面安裝型之電子零件1100及3面安裝型之電子零件100之任一者與先前之5面安裝型之電子零件7100相比較，內部導體部之可形成區域均變大，可擴大線圈部之開口(核心)。藉此，能夠提高L值及Q值。

10‧‧‧絕緣體部
11‧‧‧本體部
12‧‧‧頂面部
12A‧‧‧樹脂膜
20‧‧‧內部導體部
20L‧‧‧線圈部
21‧‧‧柱狀導體
22‧‧‧連結導體
23‧‧‧引出部
24‧‧‧梳齒塊部
30‧‧‧外部電極
30A‧‧‧第1部分
30B‧‧‧第2部分
31‧‧‧第1外部電極
32‧‧‧第2外部電極
100‧‧‧電子零件(線圈零件)
101‧‧‧頂面
102‧‧‧底面
103‧‧‧第1端面
104‧‧‧第2端面
105‧‧‧第1側面
106‧‧‧第2側面
110‧‧‧絕緣層
112‧‧‧絕緣層
113‧‧‧絕緣層
115‧‧‧絕緣層
116‧‧‧絕緣層
200‧‧‧線圈零件
210‧‧‧絕緣體部
211‧‧‧柱狀導體
212‧‧‧柱狀導體
220C‧‧‧線圈部
221‧‧‧連結導體
222‧‧‧連結導體
230‧‧‧外部電極
231‧‧‧第1引出部
232‧‧‧第2引出部
241‧‧‧第1梳齒塊部
242‧‧‧第2梳齒塊部
301‧‧‧導體層
302‧‧‧導體層
1010‧‧‧絕緣體部
1011‧‧‧本體部
1020‧‧‧內部導體部
1020L‧‧‧線圈部
1021‧‧‧柱狀導體
1022‧‧‧連結導體
1030‧‧‧外部電極
1031‧‧‧第1外部電極
1032‧‧‧第2外部電極
1100‧‧‧電子零件(線圈零件)
1100A‧‧‧電子零件(線圈零件)
1100B‧‧‧電子零件(線圈零件)
1100C‧‧‧電子零件(線圈零件)
1101‧‧‧頂面
1102‧‧‧底面
1103‧‧‧第1端面
1104‧‧‧第2端面
1105‧‧‧第1側面
1106‧‧‧第2側面
2010‧‧‧絕緣體部
2011‧‧‧本體部
2012‧‧‧底面
2020‧‧‧內部導體部
2100‧‧‧電子零件(線圈零件)
2101‧‧‧頂面
2102‧‧‧底面
2103‧‧‧第1端面
2104‧‧‧第2端面
2105‧‧‧第1側面
2106‧‧‧第2側面
3010‧‧‧絕緣體部
3011‧‧‧本體部
3040‧‧‧虛設通孔導體層
3041‧‧‧虛設通孔導體層
3042‧‧‧虛設通孔導體層
3100‧‧‧電子零件(線圈零件)
3101‧‧‧頂面
3102‧‧‧底面
3103‧‧‧第1端面
3104‧‧‧第2端面
3105‧‧‧第1側面
3106‧‧‧第2側面
4100‧‧‧電子零件(線圈零件)
5100‧‧‧電子零件(線圈零件)
7030‧‧‧外部電極
7100‧‧‧電子零件
10110‧‧‧絕緣層
10112‧‧‧絕緣層
10113‧‧‧絕緣層
10114‧‧‧絕緣層
10115‧‧‧絕緣層
10211‧‧‧柱狀導體
10212‧‧‧柱狀導體
10221‧‧‧第1連結導體
10222‧‧‧第2連結導體
Cn‧‧‧環繞部
C1‧‧‧環繞部
C2‧‧‧環繞部
C3‧‧‧環繞部
C4‧‧‧環繞部
C5‧‧‧環繞部
G‧‧‧導體間距離
H‧‧‧研磨頭
Ha‧‧‧絕緣體部之高度尺寸
hb‧‧‧側邊緣之Z軸方向之尺寸
hc‧‧‧Z軸方向之導體尺寸
hd‧‧‧環繞部Cn之內周部間之高度尺寸
L1‧‧‧膜層
L2‧‧‧電極層
L3‧‧‧電極層
L4‧‧‧電極層
L5‧‧‧電極層
L6‧‧‧電極層
L1001‧‧‧膜層
L1002‧‧‧電極層
L1003‧‧‧電極層
L1004‧‧‧電極層
L1005‧‧‧電極層
L1006‧‧‧電極層
La‧‧‧絕緣體部之長度尺寸
lb‧‧‧側邊緣之Y軸方向之尺寸
lc‧‧‧Y軸方向之導體尺寸
ld‧‧‧環繞部Cn之內周部間之長度尺寸
P‧‧‧研磨墊
P1‧‧‧開口部
P2‧‧‧開口部
P3‧‧‧開口部
R1‧‧‧抗蝕劑膜
R3‧‧‧抗蝕劑膜
S‧‧‧支持基板
S1‧‧‧接合面
S2‧‧‧接合面
S3‧‧‧接合面
S4‧‧‧接合面
Sa‧‧‧絕緣體部之面積
Sd‧‧‧環繞部Cn之內周部劃分之面積
SL1‧‧‧籽晶層
SL3‧‧‧籽晶層
V1‧‧‧通孔導體
V2‧‧‧通孔導體
V13‧‧‧通孔導體
V14‧‧‧通孔導體
V24‧‧‧通孔導體
V25‧‧‧通孔導體
V1001‧‧‧通孔導體
V1023‧‧‧連接用通孔導體層
V10231‧‧‧第1連接用通孔導體層
V10232‧‧‧第2連接用通孔導體層
V2023‧‧‧連接用通孔導體層
V20231‧‧‧第1連接用通孔導體層
V20232‧‧‧第2連接用通孔導體層
Wa‧‧‧絕緣體部之寬度尺寸
wb‧‧‧側邊緣之X軸方向之尺寸
wc‧‧‧X軸方向之導體尺寸
wd‧‧‧X軸方向之核心部尺寸

圖1係本發明之一實施形態之電子零件之概略透視立體圖。圖2係上述電子零件之概略透視側視圖。圖3係上述電子零件之概略透視俯視圖。圖4係將上述電子零件之上下反轉而表示之概略透視側視圖。圖5A～F係構成上述電子零件之各電極層之概略俯視圖。圖6A～E係表示上述電子零件之基本製造流程之元件單位區域之概略剖視圖。圖7A～D係表示上述電子零件之基本製造流程之元件單位區域之概略剖視圖。圖8A～D係表示上述電子零件之基本製造流程之元件單位區域之概略剖視圖。圖9A～C係說明線圈零件之高頻特性之模式圖。圖10係上述電子零件之記載有各部之尺寸之概略側視圖。圖11係上述電子零件之記載有各部之尺寸之概略俯視圖。圖12A、B係表示本發明之另一實施形態之電子零件之第1構成例之概略透視立體圖及外觀立體圖。圖13A、B係圖12所示之電子零件之概略透視側視圖及外觀側視圖。圖14係圖12所示之電子零件之概略透視俯視圖。圖15係表示將圖12所示之電子零件之上下反轉而表示之概略透視側視圖。圖16A～F係構成圖12所示之電子零件之各電極層之概略俯視圖。圖17係表示上述電子零件之第2構成例之概略透視立體圖。圖18係圖17所示之電子零件之概略透視側視圖。圖19係圖17所示之電子零件之概略透視俯視圖。圖20係表示上述電子零件之第3構成例之概略透視立體圖。圖21係圖20所示之電子零件之概略透視側視圖。圖22係圖20所示之電子零件之概略透視俯視圖。圖23A～C係本發明之一實施形態及其變化例之電子零件之概略透視側視圖。圖24A～C係上述第1構成例之使側邊緣互不相同之電子零件之概略透視側視圖。圖25係表示圖23及圖24所示之各電子零件之電感(L值)特性之圖。圖26係表示圖23及圖24所示之各電子零件之Q值特性之圖。圖27A～D係根據本發明之實施形態之電子零件之構成之不同而比較內部導體部之可形成區域之圖。

10‧‧‧絕緣體部

30‧‧‧外部電極

100‧‧‧電子零件(線圈零件)

Cn‧‧‧環繞部

Ha‧‧‧絕緣體部之高度尺寸

hb‧‧‧側邊緣之Z軸方向之尺寸

hc‧‧‧Z軸方向之導體尺寸

hd‧‧‧環繞部Cn之內周部間之高度尺寸

La‧‧‧絕緣體部之長度尺寸

lb‧‧‧側邊緣之Y軸方向之尺寸

lc‧‧‧Y軸方向之導體尺寸

ld‧‧‧環繞部Cn之內周部間之長度尺寸

Claims (14)

1. 一種線圈零件，其具備：絕緣體部，其於第1軸方向上具有寬度方向，於第2軸方向上具有長度方向，於第3軸方向上具有高度方向，且由非磁性材料構成；及線圈部，其具有繞上述第1軸方向捲繞之環繞部，且配置於上述絕緣體部之內部；上述絕緣體部之高度尺寸相對於長度尺寸之比率，係沿上述第3軸方向之上述環繞部之內周部間之高度尺寸相對於沿上述第2軸方向之上述環繞部之內周部間之長度尺寸之比率的1.5倍以下。
2. 如請求項1之線圈零件，其中沿上述第3軸方向之上述環繞部之內周部間之高度尺寸相對於沿上述第2軸方向之上述環繞部之內周部間之長度尺寸的比率為0.6以上且1.0以下。
3. 如請求項1或2之線圈零件，其中自上述第1軸方向觀察時由上述環繞部之內周部劃分之面積相對於上述絕緣體部之面積之比率為0.22以上且0.45以下。
4. 如請求項1或2之線圈零件，其中上述絕緣體部係由陶瓷或樹脂材料構成。
5. 如請求項1或2之線圈零件，其中自上述第1軸方向觀察時由上述環繞部之內周部劃分之面積相對於上述絕緣體部之面積之比率為0.22以上且0.65以下。
6. 如請求項5之線圈零件，其中上述絕緣體部係由陶瓷或樹脂材料構成。
7. 如請求項1或2之線圈零件，其中上述絕緣體部具有長方體形狀，上述線圈零件進而具備外部電極，其與上述線圈部電性連接，且僅配置於上述絕緣體部之1面。
8. 如請求項7之線圈零件，其中上述線圈部與上述外部電極係藉由與上述線圈部之端部連接之連接用通孔導體而電性連接。
9. 如請求項8之線圈零件，其中上述通孔導體之與上述第3軸正交之剖面具有較上述線圈部之端部之與上述第3軸正交之剖面大的剖面形狀。
10. 如請求項7之線圈零件，其中 上述外部電極具有與上述絕緣體部之上述1面對向之內表面部、及設置於上述內表面部且沒入上述1面之複數個突起部。
11. 如請求項6之線圈零件，其中上述絕緣體部具有長方體形狀， 上述線圈零件進而具備外部電極，其與上述線圈部電性連接，且僅配置於上述絕緣體部之1面。
12. 如請求項11之線圈零件，其中 上述線圈部與上述外部電極係藉由與上述線圈部之端部連接之連接用通孔導體而電性連接。
13. 如請求項12之線圈零件，其中 上述通孔導體之與上述第3軸正交之剖面具有較上述線圈部之端部之與上述第3軸正交之剖面大的剖面形狀。
14. 如請求項11之線圈零件，其中 上述外部電極具有與上述絕緣體部之上述1面對向之內表面部、及設置於上述內表面部且沒入上述1面之複數個突起部。