TWI648755B - Electronic parts - Google Patents

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TWI648755B
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Tsuyoshi Ogino
荻野剛士
Takayuki Sekiguchi
関口貴之
Koji Otsuka
大塚幸司
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Taiyo Yuden Co., Ltd.
太陽誘電股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種電子零件，其可確保導體間之絕緣性並且抑制因環境變化導致之導電特性之劣化。 本發明之一形態之電子零件100具備絕緣體部10、內部導體部20及外部電極30。絕緣體部10由含有樹脂之材料構成。內部導體部20設置於絕緣體部10之內部，具有導體部本體Vm、及設置於導體部本體Vm之周面之至少一部分且電阻高於導體部本體Vm之外層覆膜Vc。外部電極30設置於絕緣體部10且與內部導體部20電連接。

Description

電子零件
本發明係關於一種線圈零件等電子零件。
先前以來，於電子機器等搭載有線圈零件，尤其是用於可攜式機器之線圈零件呈現晶片形狀，且表面安裝於內置在可攜式機器等之電路基板上。作為先前技術之一例，例如於專利文獻1揭示有一種晶片線圈，其以如下方式形成：於包含硬化物之絕緣性樹脂中，內置至少一端與外部電極連接之螺旋狀之導體，且導體之螺旋方向與所安裝之基板面平行。又，於專利文獻2揭示有一種線圈零件，其具有包含樹脂之絕緣體、設置於絕緣體內之線圈狀之內部導體、及與內部導體電連接之外部電極，絕緣體係長度L、寬度W、高度H之長方體狀，對於L、W、H，L＞W≧H關係成立，外部電極係於與絕緣體之高度方向H垂直之一面，於沿長度方向L觀察為上述一面之兩端部附近，各由一個導體形成，內部導體具有與絕緣體之寬度方向W大致平行之線圈軸。於該等先前技術中，使用光微影法技術或鍍覆技術，一面於高度方向依序堆積絕緣層及導體部一面製作線圈零件。[先前技術文獻][專利文獻][專利文獻1]日本專利特開2006-324489號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-232815號公報
[發明所欲解決之問題]伴隨近年之零件之小型化，導體部之微細化或導體部之截面面積之微小化發展，另一方面，不僅導體間之絕緣性確保，阻止導體之電特性之劣化亦成為日益重要之問題。於如上述先前技術般絕緣體由樹脂構成之電子零件中，相較於絕緣體由陶瓷等構成之電子零件，容易受到環境之影響，尤其是，伴隨導體之微細化，亦不可忽視導體之氧化等。鑒於以上情況，本發明之目的在於提供一種電子零件，其可確保導體間之絕緣性並且抑制因環境變化所導致之導電特性之劣化。[解決問題之技術手段]為達成上述目的，本發明之一形態之電子零件具備絕緣體部、內部導體部及外部電極。上述絕緣體部由含有樹脂之材料構成。上述內部導體部設置於上述絕緣體部之內部，具有導體部本體、及設置於上述導體部本體之周面之至少一部分且電阻高於上述導體部本體之外層覆膜。上述外部電極設置於上述絕緣體部且與上述內部導體部電連接。於上述電子零件中，內部導體部分別具有導體部本體及設置於其周面之外層覆膜，外層覆膜以高於導體部本體之電阻構成。外層覆膜係作為防止導體部本體之氧化等之鈍態覆膜而發揮功能。藉此，可確保構成內部導體部之導體間之絕緣性並且抑制因環境變化所導致之導電特性之劣化。典型而言，上述導體部本體由金屬材料構成，上述外層覆膜由上述金屬材料之氧化物構成。藉由外層覆膜之存在而能夠防止因環境變化之影響所導致之導體部本體之進一步氧化。亦可為，上述內部導體部包括於一軸方向延伸之複數個柱狀導體、及將上述複數個柱狀導體中之特定2個相互連接之複數個連結導體。上述複數個柱狀導體及上述複數個連結導體構成圍繞與上述一軸方向正交之軸捲繞之線圈部。亦可為，上述絕緣體部具有：第1絕緣層，其具有與上述一軸方向正交之接合面；及第2絕緣層，其與上述接合面接合。於此情形時，上述複數個柱狀導體分別具有：第1通孔導體，其設置於上述第1絕緣層之內部；及第2通孔導體，其設置於上述第2絕緣層之內部且與上述第1通孔導體接合。亦可為，上述內部導體部進而具有配置於上述第1通孔導體與上述第2通孔導體之間之接觸部，上述接觸部由與上述導體部本體不同之導電材料構成。藉此，可防止因環境變化之影響所導致之柱狀導體之電阻值之變化。上述第1及第2通孔導體、接觸部之構成材料並無特別限制，例如，上述第1及第2通孔導體由含有銅、銀或鎳之金屬材料構成，上述接觸部亦可由含有鈦或鉻之金屬材料構成。亦可為，上述電子零件進而具備配置於上述線圈部與上述外部電極之間之電容元件部。上述電容元件部具有：第1內部電極層，其與上述線圈部之一端連接；及第2內部電極層，其與上述線圈部之另一端連接且於上述一軸方向與上述第1內部電極層對向。藉此，可構成兼具線圈元件及電容元件之電子零件。亦可為，上述內部導體部包含複數個環繞部，於此情形時，上述複數個環繞部構成圍繞一軸方向捲繞之線圈部。亦可為，上述絕緣體部由含有樹脂及陶瓷粒子之材料構成。[發明之效果] 如上所述，根據本發明，可確保導體間之絕緣性並且抑制因環境變化所導致之導電特性之劣化。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。＜第1實施形態＞[基本構成]圖1係本發明之一實施形態之電子零件之概略透視立體圖，圖2係其概略透視側視圖，圖3係其概略透視俯視圖。再者，於各圖中，X軸、Y軸及Z軸方向係表示相互正交之3軸方向。本實施形態之電子零件100係作為表面安裝用線圈零件而構成。電子零件100具備絕緣體部10、內部導體部20及外部電極30。絕緣體部10具有頂面101、底面102、第1端面103、第2端面104、第1側面105及第2側面106，形成為於X軸方向具有寬度方向、於Y軸方向具有長度方向、於Z軸方向具有高度方向之長方體形狀。絕緣體部10例如設計為寬度尺寸為0.05～0.3 mm、長度尺寸為0.1～0.6 mm、高度尺寸為0.05～0.5 mm。於本實施形態中，寬度尺寸約為0.125 mm，長度尺寸約為0.25 mm，高度尺寸約為0.2 mm。絕緣體部10具有本體部11及頂面部12。本體部11內置有內部導體部20，構成絕緣體部10之主要部分。頂面部12構成絕緣體部10之頂面101。頂面部12亦可作為例如顯示電子零件100之型號等之印刷層而構成。本體部11及頂面部12由以樹脂為主體之絕緣材料構成。作為構成本體部11之絕緣材料，可使用藉由熱、光、化學反應等硬化之樹脂，例如可列舉聚醯亞胺、環氧樹脂、液晶聚合物等。另一方面，除上述材料以外，頂面部12亦可由樹脂膜等構成。絕緣體部10亦可使用於樹脂中含有填料之複合材料。作為填料，典型而言，可列舉二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯等陶瓷粒子。陶瓷粒子之形狀並無特別限制，典型而言為球狀，但並不限定於此，亦可為針狀、鱗片狀等。內部導體部20設置於絕緣體部10之內部。內部導體部20具有複數個柱狀導體21及複數個連結導體22，藉由該等複數個柱狀導體21及連結導體22而構成線圈部20L。複數個柱狀導體21形成為具有與Z軸方向平行之軸心之大致圓柱狀。複數個柱狀導體21由大致於Y軸方向相互對向之2個導體群構成。構成其中一個導體群之第1柱狀導體211係於X軸方向間隔特定距離而排列，構成另一個導體群之第2柱狀導體212亦同樣地於X軸方向間隔特定距離而排列。再者，所謂大致圓柱狀，除軸直方向(與軸心垂直之方向)之剖面形狀為圓形之柱體以外，亦包含上述剖面形狀為橢圓形或長圓形之柱體，作為橢圓形或長圓形，意指例如長軸/短軸之比為3以下者。第1及第2柱狀導體211、212分別以相同直徑及相同高度構成。於圖示之例中，第1及第2柱狀導體211、212分別各設置5根。如下所述，第1及第2柱狀導體211、212係藉由於Z軸方向積層複數個通孔導體而構成。再者，所謂大致相同直徑係用以抑制電阻之增加者，意指於相同方向所觀察到之尺寸之偏差侷限於例如10%以內，所謂大致相同高度係用以確保各層之堆積精度者，意指高度之偏差侷限於例如1 μm之範圍。複數個連結導體22由在XY平面上平行地形成且在Z軸方向相互對向之2個導體群構成。構成其中一個導體群之第1連結導體221沿Y軸方向延伸，於X軸方向間隔距離而排列，逐一將第1及第2柱狀導體211、212之間連接。構成另一個導體群之第2連結導體222相對於Y軸方向傾斜特定角度而延伸，於X軸方向間隔距離而排列，逐一將第1及第2柱狀導體211、212之間連接。於圖示之例中，第1連結導體221由5個連結導體構成，第2連結導體222由4個連結導體構成。於圖1中，第1連結導體221與特定一組柱狀導體211、212之上端連接，第2連結導體222與特定一組柱狀導體211、212之下端連接。更詳細而言，第1及第2柱狀導體211、212與第1及第2連結導體221、222以圍繞X軸方向描畫矩形螺旋之方式相互連接。藉此，於絕緣體部10之內部，形成於X軸方向具有軸心(線圈軸)之開口形狀為矩形之線圈部20L。內部導體部20進而具有引出部23及梳齒阻擋部24，經由該等將線圈部20L連接於外部電極30(31、32)。引出部23具有第1引出部231及第2引出部232。第1引出部231與構成線圈部20L之一端之第1柱狀導體211之下端連接，第2引出部232與構成線圈部20L之另一端之第2柱狀導體212之下端連接。第1及第2引出部231、232配置於與第2連結導體222相同之XY平面上，且於Y軸方向上平行地形成。梳齒阻擋部24具有以於Y軸方向相互對向之方式配置之第1及第2梳齒阻擋部241、242。第1及第2梳齒阻擋部241、242係將各梳齒部之前端於圖1中朝向上方而配置。於絕緣體部10之兩端面103、104及底面102，梳齒阻擋部241、242之一部分露出。於第1及第2梳齒阻擋部241、242各自之特定之梳齒部之間，分別連接有第1及第2引出部231、232(參照圖3)。於第1及第2梳齒阻擋部241、242各自之底部，分別設置有構成外部電極30之基底層之導體層301、302(參照圖2)。外部電極30構成表面安裝用外部端子，具有於Y軸方向相互對向之第1及第2外部電極31、32。第1及第2外部電極31、32形成於絕緣體部10之外表面之特定區域。更具體而言，如圖2所示，第1及第2外部電極31、32具有被覆絕緣體層10之底面102之Y軸方向兩端部之第1部分30A、及跨及特定高度地被覆絕緣體層10之兩端面103、104之第2部分30B。第1部分30A經由導體層301、302與第1及第2梳齒阻擋部241、242之底部電連接。第2部分30B以被覆第1及第2梳齒阻擋部241、242之梳齒部之方式形成於絕緣體層10之端面103、104。柱狀導體21、連結導體22、引出部23、梳齒阻擋部24及導體層301、302由例如Cu(銅)、Al(鋁)、Ni(鎳)等金屬材料構成，於本實施形態中，均由銅或其合金之鍍覆層構成。第1及第2外部電極31、32由例如鍍Ni/Sn構成。圖4係將電子零件100之上下反轉而表示之概略透視側視圖。如圖4所示，電子零件100由膜層L1及複數個電極層L2～L6之積層體構成。於本實施形態中，藉由於Z軸方向自頂面101朝向底面102依序積層膜層L1及電極層L1～L6而製作。層之數量並無特別限制，此處設為6層進行說明。膜層L1及電極層L2～L6包含構成該各層之絕緣體部10及內部導體部20之要素。圖5A～F分別為圖4中之膜層L1及電極層L2～L6之概略俯視圖。膜層L1由形成絕緣體部10之頂面101之頂面部12構成(圖5A)。電極層L2包括構成絕緣體部10(本體部11)之一部分之絕緣層110(112)、及第1連結導體221(圖5B)。電極層L3包括絕緣層110(113)、及構成柱狀導體211、212之一部分之通孔導體V1(圖5C)。電極層L4除包括絕緣層110(114)、通孔導體V1以外，亦包括構成梳齒阻擋部241、242之一部分之通孔導體V2(圖5D)。電極層L5除包括絕緣層110(115)、通孔導體V1、V2以外，亦包括引出部231、232或第2連結導體222(圖5E)。並且，電極層L6包括絕緣層110(116)及通孔導體V2(圖5F)。電極層L2～L6經由接合面S1～S4(圖4)積層於高度方向。因此，各絕緣層110或通孔導體V1、V2同樣於高度方向具有邊界部。並且，電子零件100係藉由將各電極層L2～L6一面自電極層L2依序製作一面進行積層之增層法而製造。[基本製造過程]繼而，對電子零件100之基本製造過程進行說明。電子零件100係以晶圓級同時製作複數個，製作後單片化(小片化)為每個元件。圖6～圖8係說明電子零件100之製造步驟之一部分之元件單位區域之概略剖視圖。具體之製造方法係於支持基板S上貼合構成頂面部12之樹脂膜12A(膜層L1)，並於其上依序製作電極層L2～L6。支持基板S係使用例如矽、玻璃、或藍寶石基板。典型而言，重複實施如下步驟：藉由電鍍法製作構成內部導體部20之導體圖案，以絕緣性樹脂材料被覆該導體圖案而製作絕緣層110。圖6及圖7係表示電極層L3之製作步驟。於該步驟中，首先，藉由例如濺鍍法等於電極層L2之表面形成用以電鍍之籽晶層(饋電層)SL1(圖6A)。籽晶層SL1只要為導電性材料則並無特別限制，例如由Ti(鈦)或Cr(鉻)構成。電極層L2包括絕緣層112及連結導體221。連結導體221以與樹脂膜12A相接之方式設置於絕緣層112之下表面。繼而，於籽晶層SL1上形成抗蝕膜R1(圖6B)。藉由依序進行對抗蝕膜R1之曝光、顯影等處理而介隔籽晶層SL1形成具有與構成柱狀導體21(211、212)之一部分之通孔導體V13對向之開口部P1之抗蝕圖案(圖6C)。之後，進行除去開口部P1內之抗蝕殘渣之除渣處理(圖6D)。繼而，將支持基板S浸漬於銅鍍浴，藉由對籽晶層SL1之電壓施加而於開口部P1內形成包含銅鍍層之複數個通孔導體V13(圖6E)。並且，除去抗蝕膜R1及籽晶層SL1後(圖7A)，形成被覆通孔導體V13之絕緣層113(圖7B)。絕緣層113係於電極層L2上印刷、塗佈樹脂材料或貼合樹脂膜後使之硬化。硬化後，使用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械研磨裝置)或研磨機等研磨裝置研磨絕緣層113之表面直至通孔導體V13之前端露出(圖7C)。圖7C係表示作為一例，將支持基板S上下反轉並安放於可自轉之研磨頭H，利用公轉之研磨墊P對絕緣層113進行研磨處理(CMP)之情況。以上述方式而於電極層L2上製作電極層L3(圖7D)。再者，關於絕緣層112之形成方法省略了記載，但典型而言，絕緣層112亦與絕緣層113同樣地，利用如下方法而製作：印刷、塗佈、或貼合後，使之硬化，並藉由CMP(化學機械研磨裝置)或研磨機等而進行研磨。此後以相同之方式而於電極層L3上製作電極層L4。首先，於電極層L3之絕緣層113(第2絕緣層)上，形成與複數個通孔導體V13(第1通孔導體)連接之複數個通孔導體(第2通孔導體)。即，於上述第2絕緣層之表面形成被覆上述第1通孔導體之表面之籽晶層，並於上述籽晶層上形成與上述第1通孔導體之表面對應之區域開口之抗蝕圖案，藉由以上述抗蝕圖案作為遮罩之電鍍法而形成上述第2通孔導體。繼而，於上述第2絕緣層上，形成被覆上述第2通孔導體之第3絕緣層。之後，對上述第3絕緣層之表面進行研磨直至上述第2通孔導體之前端露出。再者，於上述第2通孔導體之形成步驟中，亦同時形成構成梳齒阻擋部24(241、242)之一部分之通孔導體V2(參照圖4、圖5D)。於此情形時，作為上述抗蝕圖案，形成除上述第2通孔導體之形成區域以外通孔導體V2之形成區域亦開口之抗蝕圖案。圖8A～D係表示電極層L5之製造步驟之一部分。此處，亦首先於電極層L4之表面，依序形成電鍍用籽晶層SL3、及具有開口部P2、P3之抗蝕圖案(抗蝕膜R3)(圖8A)。之後，進行除去開口部P2、P3內之抗蝕殘渣之除渣處理(圖8B)。電極層L4具有絕緣層114及通孔導體V14、V24。通孔導體V14相當於構成柱狀導體21(211、212)之一部分之通孔(V1)，通孔導體V24相當於構成梳齒阻擋部24(241、242)之一部分之通孔(V2)(參照圖5C、D)。開口部P2介隔籽晶層SL3與電極層L4內之通孔導體V14對向，開口部P3介隔籽晶層SL3與電極層L4內之通孔導體V24對向。開口部P2形成為與各連結導體222對應之形狀。繼而，將支持基板S浸漬於銅鍍浴，藉由對籽晶層SL3之電壓施加而於開口部P2、P3內分別形成包含銅鍍層之通孔導體V25及連結導體222(圖8C)。通孔導體V25相當於構成梳齒阻擋部24(241、242)之一部分之通孔(V2)。繼而，除去抗蝕膜R3及籽晶層SL3(圖8D)，形成被覆通孔導體V25及連結導體222之絕緣層115。之後，雖未圖示，但對絕緣層115之表面進行研磨直至通孔導體V25之前端露出，進而藉由重複籽晶層之形成、抗蝕圖案之形成、電鍍處理等步驟而製作圖4及圖5E所示之電極層L5。之後，於露出至絕緣層115之表面(底面102)之梳齒阻擋部24(241、242)形成導體層301、302後，分別形成第1及第2外部電極31、32。[本實施形態之構造]伴隨近年來之零件之小型化，導體部之微細化或導體部之截面面積之微小化發展，另一方面，不僅導體間之絕緣性之確保，阻止導體之電特性之劣化亦成為日益重要之問題。尤其是，相較於絕緣體由陶瓷等構成之電子零件，絕緣體由樹脂構成之電子零件容易受到環境之影響，尤其是，伴隨導體之微細化，亦不可忽視導體之氧化等。於圖9，模式性地表示相互積層之2個電極層中之接合部之剖面構造。下層側之絕緣層LS1經由接合面SA與上層側之絕緣層LS2接合，下層側之通孔導體VS1經由接觸部CA與上層側之通孔導體VS2接合。接觸部CA相當於介存於2個通孔導體VS1、VS2之間之籽晶層SL，籽晶層SL之兩面構成與通孔導體VS1、VS2之接觸面。此處，通孔導體VS1、VS2由金屬銅構成，其等之周面分別與絕緣層LS1、LS2直接相接。絕緣層LS1、LS2由以樹脂為主體之材料構成。因此，有如下之虞：受到零件完成後所實施之特性評價試驗(高溫多濕試驗)或實際使用環境中之溫濕度之影響等，進行通孔導體VS1、VS2之氧化，其導電特性隨時間而劣化。為消除此種問題，於本實施形態之電子零件100中，以如下方式構成：如圖10所示，構成柱狀導體21之複數個通孔導體VS1、VS2分別具有導體部本體Vm、及設置於其周面之外層覆膜Vc，外層覆膜Vc作為抑制導體部本體Vm之氧化之鈍態覆膜而發揮功能。以下，對本實施形態之電子零件100之構造之詳細進行說明。如上所述，本實施形態之電子零件100具有絕緣體部10及內部導體部20。絕緣體部10由含有樹脂之材料構成。內部導體部20具有複數個柱狀導體21(211、212)，且設置於絕緣體部10之內部。複數個柱狀導體21分別具有導體部本體Vm、及設置於導體部本體Vm之周面且電阻高於導體部本體Vm之外層覆膜Vc。於本實施形態中，外層覆膜Vc作為防止導體部本體Vm之氧化等之鈍態覆膜而發揮功能，確保相鄰之複數個柱狀導體21間之絕緣性，並且抑制因環境變化所導致之柱狀導體21之導電特性之劣化。即，藉由外層覆膜Vc之存在，可防止因環境變化之影響所導致之導體部本體Vm之進一步氧化。此處，導體部本體Vm由金屬材料構成，本實施形態中由銅(銅鍍層)構成。另一方面，外層覆膜Vc由構成導體部本體Vm之金屬材料之氧化物構成，本實施形態中由氧化銅構成。外層覆膜Vc之厚度並無特別限制，可根據導體部本體Vm之直徑、外徑、或粗細等適當設定，典型而言為5 nm以上且5 μm以下。藉由將外層覆膜Vc之厚度設為上述範圍，可穩定地形成缺陷較少之外層覆膜Vc，且可防止相鄰之柱狀導體21間之短路不良之發生。外層覆膜Vc並非限定於導體部本體Vm之氧化物，亦可為氮化物或碳化物、硫化物、氮氧化物等其他化合物。又，外層覆膜Vc亦可由除構成導電體本體Vm之金屬以外之金屬材料之氧化物等構成。如圖10所示，下層側之通孔導體VS1經由接觸部CA連接於上層側之通孔導體VS2。接觸部CA相當於如上所述介存於在Z軸方向相鄰之2個通孔導體VS1、VS2之間之籽晶層SL，籽晶層SL之兩面構成與通孔導體VS1、VS2之接觸面。接觸部CA之厚度並無特別限制，例如為5 nm以上且20 nm以下，本實施形態中為10 nm。通孔導體VS1、VS2由鈦或鉻構成，但於與絕緣層LS1、LS2相接之周面部亦可形成該等鈦或鉻之氧化物覆膜。進而，外層覆膜Vc通常相較於導體部本體Vm硬度提高，故而藉由柱狀導體21具有外層覆膜Vc，相較於無外層覆膜Vc之情形，可提高柱狀導體21之機械強度。再者，如圖11A所示，通孔導體VS1、VS2間之接觸部CA亦可設置於相對於絕緣層LS1、LS2間之接合面SA於Z軸方向偏移之位置(較接合面SA更靠絕緣層LS1之內部之位置)。藉此，如於圖11B模式性地所示，可避免伴隨絕緣層LS2之硬化處理而產生之收縮應力(σ1)、或起因於絕緣層LS2與通孔導體VS2之間之熱膨脹率差之熱應力(σ2)向接觸部CA集中，能夠實現內部導體部20之可靠性之進一步提高。外層覆膜Vc不僅可設置於柱狀導體21(211、212)之周面，亦可設置於連結導體22(221、222)之周面之一部分。周面之一部分相當於連結導體22之除接觸面(與籽晶層接觸之面)以外之全部表面。藉此，可阻止起因於環境變化之連結導體22之氧化，有效防止導電特性之經時劣化。圖12A、B分別為模式性地表示電子零件100之內部構造(線圈部20L)之自X軸及Y軸方向所觀察之側剖視圖。於圖12A、B中，以陰影所表示之區域分別相當於設置於電極層L2～L5之柱狀導體21(211、212)及連結導體22(221、222)。於圖12A、B中，以粗實線表示之區域(面)相當於外層覆膜Vc之形成區域，以單點鏈線表示之區域(面)相當於構成接觸面之籽晶層之形成區域。如此，藉由於與絕緣體部10接觸之柱狀導體21及連結導體22之全部面設置外層覆膜Vc而抑制由絕緣體部10內之氧導致之導體部之過度氧化，確保內部導體20之穩定之電特性。再者，雖未圖示，但於除線圈部20L以外之其他導體部(例如梳齒阻擋部24)之表面亦可形成同樣的外層覆膜Vc。作為外層覆膜Vc之形成方法，例如亦可實施將電子零件100裝填於加熱爐進行加熱之處理。加熱溫度並無特別限制，例如為100～250℃，加熱時間亦無特別限制，例如為1～12小時。然而，該加熱處理係藉由於加熱溫度較高之情形時縮短加熱時間、於加熱溫度較低之情形時延長加熱時間而進行。加熱處理氛圍可為大氣中，亦可為耐久試驗用高溫多濕環境。利用絕緣體層10中之氧，可於內部導體部20之表面形成包含構成該導體部之金屬材料之氧化物之外層覆膜，並且抑制絕緣體部10之樹脂之劣化。再者，作為加熱溫度，設定為較實際使用環境之溫度更高之溫度。例如可使加熱溫度較實際使用環境之溫度高10～30℃。若於此溫度下進行加熱，則可抑制實際使用環境下之內部導體20之變化。又，由於利用此方法形成之外層覆膜Vc為構成該導體部之金屬材料之氧化物，故而該導體部不會露出，即便使厚度變薄亦無缺陷。作為除上述以外之方法，例如亦可於藉由電鍍之通孔導體之形成後且絕緣層之形成前，實施外層覆膜Vc之形成處理。於此情形時，可採用對通孔導體之熱氧化處理或各種絕緣材料之塗覆處理等。如上所述，根據本實施形態之電子零件100，於柱狀導體21或連結導體22之導體部本體Vm之周面或表面設置有電阻高於該導體部本體之外層覆膜Vc，因此，可確保絕緣體部10內之導體部間之絕緣特性，並且可抑制因環境變化所導致之內部導體部之導電特性之劣化。本發明者等對具有外層覆膜Vc之電子零件之樣品、及不具有外層覆膜之電子零件之樣品，測定進行高溫試驗(150℃、1000小時)時之試驗前後之內部導體部之電阻值之變化。結果，不具有外層覆膜之電子零件之電阻值之變化為5%，相對於此，具有外層覆膜之電子零件之電阻值之變化為1%以下。又，根據本實施形態，即便由於在研削絕緣層之表面而使通孔導體露出至外部之步驟中可能發生之通孔導體之端部之延伸(毛邊)等而產生導體間距離非常近之部分，但由於該部分於外層覆膜Vc之形成步驟中被氧化，故而亦可防止因上述毛邊所導致之導體間之短路不良。進而，藉由在構成內部導體部之導體間之任一面存在如外層覆膜Vc般之氧化膜，亦可抑制遷移。尤其是，於線圈零件中，藉由使用銅作為導體部之構成材料而可有效抑制遷移，確保穩定之線圈特性，並且可謀求內部導體部之微細化。例如，於使用作為與銅同樣比電阻較小之金屬材料之銀作為導體材料之情形時，可藉由使用銅將其導體間距離必須為15 μm之情形減小至導體間距離為5 μm。＜第2實施形態＞圖13係表示本發明之第2實施形態之電子零件之概略剖視立體圖。以下，主要對與第1實施形態不同之構成進行說明，對與第1實施形態同樣之構成，標註同樣之符號並省略或簡化其說明。本實施形態之電子零件200具有絕緣體部2010及內部導體部2020，內部導體部2020由包含圍繞Z軸方向捲繞之線圈部200L之線圈零件構成。於本實施形態中，線圈部200L由具有在Z軸方向隔著絕緣層而積層之複數個(本例中為3層)環繞部2021～2023之積層型線圈構成。與第1實施形態同樣地，絕緣體部2010由以樹脂為主體之材料構成，包含積層於Z軸方向之複數個絕緣層LS20。電子零件200係藉由自下層側(或上層側)依序交替地增加絕緣層LS20及環繞部2021～2023而製作。各環繞部2021～2023由銅、鎳或銀構成，藉由電鍍法而形成於成為基底之絕緣層LS20上。於Z軸方向相互對向之環繞部2021～2023之間係經由未圖示之通孔而電連接。如此構成之線圈部200L之一端與其中一個外部電極E1電連接，另一端與另一個外部電極E2電連接。與第1實施形態同樣地，各環繞部2021～2023具有導體部本體Vm、外層覆膜Vc及接觸部CA。接觸部CA設置於圖中以單點鏈線表示之區域(環繞部2021～2023之下表面)，由電鍍之籽晶層構成。外層覆膜Vc形成於除接觸部CA以外之與絕緣層LS20相接之導體部本體Vm之周面(上表面及側面)，由構成導體部本體Vm之金屬材料之氧化物構成。於如以上構成之本實施形態之電子零件200中，亦可獲得與上述第1實施形態同樣之作用效果。尤其是，根據本實施形態，於在積層方向(Z軸方向)上對向之環繞部2021～2023之其中一面，介存有電阻高於導體部本體Vm之外層覆膜Vc，因此，即便使位於環繞部2021～2023間之絕緣層LS20之厚度較小，亦可確保所需之絕緣特性。藉此，可謀求電子零件200之薄型化。＜第3實施形態＞圖4係表示本發明之第3實施形態之電子零件之概略剖視立體圖。以下，主要對與第1實施形態不同之構成進行說明，對與第1實施形態同樣之構成，標註同樣之符號並省略或簡化其說明。本實施形態之電子零件300具有絕緣體部3010及內部導體部3020，內部導體部3020由包含圍繞Z軸方向捲繞之線圈部300L之線圈零件構成。於本實施形態中，線圈部300L由具有於Z軸方向形成為同心之複數個(本例中為3個)環繞部3021～3023之平面型線圈(螺旋型線圈)構成。與第1實施形態同樣地，絕緣體部3010由以樹脂為主體之材料構成，包含積層於Z軸方向之複數個絕緣層LS30。電子零件300係藉由自下層側(或上層側)依序交替地增加絕緣層LS30及環繞部3021～3023而製作。各環繞部3021～3023由銅、鎳或銀構成，藉由電鍍法而形成於成為基底之絕緣層LS20上。各環繞部3021～3023以圍繞Z軸連續之方式相互連接。如此構成之線圈部300L之一端與其中一個外部電極E1電連接，另一端與另外一個外部電極E2電連接。與第1實施形態同樣地，各環繞部3021～3023具有導體部本體Vm、外層覆膜Vc及接觸部CA。接觸部CA設置於圖中以單點鏈線表示之區域(環繞部3021～3023之下表面)，由電鍍之籽晶層構成。外層覆膜Vc形成於除接觸部CA以外之與絕緣層LS30相接之導體部本體Vm之周面(上表面及側面)，由構成導體部本體Vm之金屬材料之氧化物構成。於如以上構成之本實施形態之電子零件300中，亦可獲得與上述第1實施形態同樣之作用效果。尤其是，根據本實施形態，於在與積層方向(Z軸方向)正交之方向上對向之環繞部3021～3023之其中一面，介存有電阻高於導體部本體Vm之外層覆膜Vc，因此，即便使位於環繞部3021～3023間之絕緣層LS30之寬度較小，亦可確保所需之絕緣特性。藉此，可謀求電子零件200之小型化、環繞部之多工化(捲繞數之增加)。＜第4實施形態＞圖15係表示本發明之第4實施形態之電子零件之概略側剖視圖。再者，為易於理解而將相當於內部導體部之區域以斜線表示。以下，主要對與第1實施形態不同之構成進行說明，對與第1實施形態同樣之構成，標註同樣之符號並省略或簡化其說明。本實施形態之電子零件400具有絕緣體部10、內部導體部20及外部電極30，就與第1實施形態同樣地構成線圈零件之方面而言，與第1實施形態共通，但就內部導體部20具有2個線圈部21L、22L之方面而言，與第1實施形態不同。即，本實施形態之電子零件400於絕緣體部10內置有2個線圈部21L、22L，並且，於絕緣體部10之底面102設置有3個外部電極331、332、3333。並且，其中一個線圈部21L連接於外部電極331、333間，另外一個線圈部22L連接於外部電極332、333間。線圈部之數量並未限定於圖示之2個，亦可為3個以上。外部電極30之數量亦並未限定於圖示之3個，可根據線圈部之數量適當設定。根據本實施形態，可將複數個線圈零件彙集於1個零件。＜第5實施形態＞圖16係表示本發明之第5實施形態之電子零件之概略側剖視圖。再者，為易於理解而將相當於內部導體部之區域以斜線表示。以下，主要對與第4實施形態不同之構成進行說明，對與第2實施形態同樣之構成，標註同樣之符號並省略或簡化其說明。本實施形態之電子零件500具有絕緣體部10、內部導體部20及外部電極30，就內部導體部20含有2個線圈部21L、22L之方面而言，與第4實施形態共通，但就內部導體部20進而具有2個電容元件部21C、22C之方面而言，與第4實施形態不同。電容元件部21C設置於線圈部21L與絕緣體部10之底面102之間，與線圈部21L並聯連接於外部電極331、333。另一方面，電容元件部22C設置於線圈部22L與絕緣體部10之底面102之間，與線圈部22L並聯連接於外部電極332、333。各電容元件部21C、22C具有與線圈部21L、22L之一端連接之第1內部電極層、及與線圈部21L、22L之另一端連接之第2內部電極層。第2內部電極層於Z軸方向與第1內部電極層對向而形成電容。電容元件21C、22C配置於線圈部21L、22L與外部電極331～333之間，藉此構成LC(inductance capacitance，電感電容)一體式電子零件500。以上對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並非僅限定於上述實施形態，當然可施加各種變更。例如，於以上實施形態中，對電子零件自頂面側朝向底面側依序積層絕緣層及通孔導體之方法進行了說明，但並非限定於此，亦可自底面側朝向頂面側依序積層絕緣層及通孔導體。進而，於以上實施形態中，作為電子零件，以線圈零件、LC零件為例進行了說明，但除此以外，本發明亦可應用於電容器零件、電阻零件、多層配線基板等、具有內部導體部且於高度方向以層單位增層之其他電子零件。
10‧‧‧絕緣體部
11‧‧‧本體部
12‧‧‧頂面部
12A‧‧‧樹脂膜
20‧‧‧內部導體部
20L‧‧‧線圈部
21‧‧‧柱狀導體
21C‧‧‧電容元件部
21L‧‧‧線圈部
22‧‧‧連結導體
22C‧‧‧電容元件部
22L‧‧‧線圈部
23‧‧‧引出部
24‧‧‧梳齒阻擋部
30‧‧‧外部電極
30A‧‧‧第1部分
30B‧‧‧第2部分
31‧‧‧外部電極
32‧‧‧外部電極
100‧‧‧電子零件
101‧‧‧頂面
102‧‧‧底面
103‧‧‧第1端面
104‧‧‧第2端面
105‧‧‧第1側面
106‧‧‧第2側面
110‧‧‧絕緣層
112‧‧‧絕緣層
113‧‧‧絕緣層
114‧‧‧絕緣層
115‧‧‧絕緣層
116‧‧‧絕緣層
200‧‧‧電子零件
200L‧‧‧線圈部
211‧‧‧柱狀導體
212‧‧‧柱狀導體
221‧‧‧連結導體
222‧‧‧連結導體
231‧‧‧引出部
232‧‧‧引出部
241‧‧‧梳齒阻擋部
242‧‧‧梳齒阻擋部
300‧‧‧電子零件
300L‧‧‧線圈部
301‧‧‧導體層
302‧‧‧導體層
331‧‧‧外部電極
332‧‧‧外部電極
333‧‧‧外部電極
400‧‧‧電子零件
500‧‧‧電子零件
2010‧‧‧絕緣體部
2020‧‧‧內部導體部
2021‧‧‧環繞部
2022‧‧‧環繞部
2023‧‧‧環繞部
3010‧‧‧絕緣體部
3020‧‧‧內部導體部
3021‧‧‧環繞部
3022‧‧‧環繞部
3023‧‧‧環繞部
CA‧‧‧接觸部
E1‧‧‧外部電極
E2‧‧‧外部電極
H‧‧‧研磨頭
L1‧‧‧膜層
L2‧‧‧電極層
L3‧‧‧電極層
L4‧‧‧電極層
L5‧‧‧電極層
L6‧‧‧電極層
LS1‧‧‧絕緣層
LS2‧‧‧絕緣層
LS20‧‧‧絕緣層
LS30‧‧‧絕緣層
P‧‧‧研磨墊
P1‧‧‧開口部
P2‧‧‧開口部
P3‧‧‧開口部
R1‧‧‧抗蝕膜
R3‧‧‧抗蝕膜
S‧‧‧支持基板
S1‧‧‧接合面
S2‧‧‧接合面
S3‧‧‧接合面
S4‧‧‧接合面
SA‧‧‧接合面
SL‧‧‧籽晶層
SL1‧‧‧籽晶層
SL3‧‧‧籽晶層
V1‧‧‧通孔導體
V2‧‧‧通孔導體
V13‧‧‧通孔導體
V14‧‧‧通孔導體
V24‧‧‧通孔導體
V25‧‧‧通孔導體
Vc‧‧‧外層覆膜
Vm‧‧‧導體部本體
VS1‧‧‧通孔導體
VS2‧‧‧通孔導體
σ1‧‧‧收縮應力
σ2‧‧‧熱應力
圖1係本發明之一實施形態之電子零件之概略透視立體圖。圖2係上述電子零件之概略透視側視圖。圖3係上述電子零件之概略透視俯視圖。圖4係將上述電子零件之上下反轉而表示之概略透視側視圖。圖5A～F係構成上述電子零件之各電極層之概略俯視圖。圖6A～E係表示上述電子零件之基本製造流程之元件單位區域之概略剖視圖。圖7A～D係表示上述電子零件之基本製造流程之元件單位區域之概略剖視圖。圖8A～D係表示上述電子零件之基本製造流程之元件單位區域之概略剖視圖。圖9係模式性地表示比較例之電子零件之內部構造之主要部分概略剖視圖。圖10係模式性地表示本發明之一實施形態之電子零件之內部構造之主要部分概略剖視圖。圖11A、B係模式性地表示本發明之一實施形態之電子零件之內部構造及其作用之主要部分概略剖視圖。圖12A、B係模式性地表示電子零件100之內部構造之圖，A係自X軸方向所觀察到之側剖視圖，B係自Y軸方向所觀察到之側剖視圖。圖13係表示本發明之第2實施形態之電子零件之概略剖視立體圖。圖14係表示本發明之第3實施形態之電子零件之概略剖視立體圖。圖15係表示本發明之第4實施形態之電子零件之概略剖視立體圖。 圖16係表示本發明之第5實施形態之電子零件之概略剖視立體圖。

Claims (9)

  1. 一種電子零件，其具備： 絕緣體部，其由含有樹脂之材料構成；內部導體部，其具有導體部本體、及設置於上述導體部本體之周面之至少一部分且電阻高於上述導體部本體之外層覆膜，並設置於上述絕緣體部之內部；及 外部電極，其設置於上述絕緣體部且與上述內部導體部電連接。
  2. 如請求項1之電子零件，其中 上述導體部本體由金屬材料構成， 上述外層覆膜由上述金屬材料之氧化物構成。
  3. 如請求項1或2之電子零件，其中 上述內部導體部包含於一軸方向延伸之複數個柱狀導體、及將上述複數個柱狀導體中特定2個相互連接之複數個連結導體， 上述複數個柱狀導體及上述複數個連結導體構成圍繞與上述一軸方向正交之軸捲繞之線圈部。
  4. 如請求項3之電子零件，其中 上述絕緣體部具有：第1絕緣層，其具有與上述一軸方向正交之接合面；及第2絕緣層，其與上述接合面接合， 上述複數個柱狀導體分別具有：第1通孔導體，其設置於上述第1絕緣層之內部；及第2通孔導體，其設置於上述第2絕緣層之內部且與上述第1通孔導體接合。
  5. 如請求項4之電子零件，其中 上述內部導體部進而具有配置於上述第1通孔導體與上述第2通孔導體之間之接觸部， 上述接觸部由與上述導體部本體不同之導電材料構成。
  6. 如請求項5之電子零件，其中 上述第1及第2通孔導體由含有銅、銀或鎳之金屬材料構成， 上述接觸部由含有鈦或鉻之金屬材料構成。
  7. 如請求項3之電子零件，其 進而具備電容元件部，該電容元件部配置於上述線圈部與上述外部電極之間，具有與上述線圈部之一端連接之第1內部電極層、及與上述線圈部之另一端連接且於上述一軸方向與上述第1內部電極層對向之第2內部電極層。
  8. 如請求項1或2之電子零件，其中 上述內部導體部包含複數個環繞部， 上述複數個環繞部構成圍繞一軸方向捲繞之線圈部。
  9. 如請求項1或2之電子零件，其中 上述絕緣體部由含有樹脂及陶瓷粒子之材料構成。
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