JP2017201645A

JP2017201645A - 回路基板および半導体集積回路の実装構造

Info

Publication number: JP2017201645A
Application number: JP2016092267A
Authority: JP
Inventors: 真司松永; Shinji Matsunaga
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2016-05-02
Filing date: 2016-05-02
Publication date: 2017-11-09
Anticipated expiration: 2036-05-02
Also published as: JP6771308B2; US20170318661A1; US10314161B2

Abstract

【課題】半導体集積回路が備えるパッケージ本体と回路基板の放熱用接続パッドを確実に接合させ、また、それらの接合に用いる接合材の過多による不良品の発生を抑制する回路基板および半導体集積回路の実装構造の提供を目的とする。
【解決手段】パッケージされた半導体集積回路を実装可能な回路基板であって、主面を有する基板本体と、主面上に配置された一の金属層と、一の金属層上に配置された一の絶縁層とを含む基板と、一の絶縁層に設けられた開口から、一の金属層が露出してなり、半導体集積回路の放熱部を接合材により接続可能な放熱用接続パッドと、放熱用接続パッドの外縁よりも外側に位置する一の絶縁層に設けられた開口から一の金属層が露出してなる第１開口領域とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、回路基板およびその回路基板に半導体集積回路を実装した半導体集積回路の実装構造に関し、特に半導体集積回路を回路基板に表面実装する技術に関する。

近年、半導体集積回路（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ：ＩＣ）は、自己の電力消費によって生じる熱を放熱するため、パッケージ本体の裏面部にヒートスプレッダ（ＨｅａｔＳｐｒｅａｄｅｒ）すなわち放熱部を設けた仕様が多く採用されている。ヒートスプレッダは、プリント配線基板上の銅箔部に装着もしくは固着され、パッケージ内部の半導体チップで生じた熱をプリント配線基板側に放熱する。特許文献１には、配線基板が備える放熱用ランドにヒートスプレッダを備える半導体パッケージを接合した実装構造が開示されている。

図５（ａ）は従来のプリント配線基板すなわち回路基板５０を表す平面図であり、図５（ｂ）は回路基板５０に実装する半導体集積回路５５を表す平面図である。半導体集積回路５５はパッケージ本体５６と、リードすなわち端子５７とを備え、パッケージ本体５６の裏面の中央部には、図５（ｂ）中に破線で示したようにヒートスプレッダすなわち放熱部５８をさらに備える。また、図５（ａ）に示すように、回路基板５０は、放熱部５８の位置に対応して銅箔部すなわち放熱用接続パッド５１と、端子５７の位置に対応して端子接続パッド５２とを備える。

効率的な放熱の実現には、ヒートスプレッダがプリント配線基板の銅箔部分へ確実に接合して実装されることが必要である。図６は回路基板５０に半導体集積回路５５を実装した実装構造６０を表す図である。図６（ａ）は実装構造６０の平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）中のＥ−Ｅ’間における断面図である。実装構造６０は、放熱部５８と放熱用接続パッド５１との間に接合材６１として半田を備える。その図６（ｂ）の実装構造６０は、回路基板５０への半導体集積回路５５の実装工程において、接合材６１の塗布量が最適であった場合を示している。放熱部５８は接合材６１に接して接合されており、またその接合材６１は放熱用接続パッド５１に接して接合されている。

特開２０１２−２３８６７０号公報

図６（ｂ）は、接合材６１の塗布量が最適であった場合の実装構造６０を示したが、回路基板５０への半導体集積回路５５の実装工程において、接合材６１の塗布量を再現性良く最適な塗布量にコントロールすることは難しい。例えば、その実装工程において、接合前に回路基板５０上に半導体集積回路５５が仮装着されると、回路基板５０と半導体集積回路５５とのクリアランスは小さく、物理的に接合部分の視認が出来ない。また、そのクリアランスは、回路基板５０および半導体集積回路５５の製造バラツキにも依存するため安定しない。

接合材６１の塗布量が最適塗布量よりも少なくなった場合、放熱部５８と接合材６１との接合に、もしくは接合材６１と放熱用接続パッド５１との接合に不良が発生する。例えば、放熱部５８から放熱用接続パッド５１への熱伝導が阻害され、半導体チップの動作不良を引き起こす。そのような接合不良を生じた不良品を製品出荷前の検査によって検出することは難しく、不良品が市場に流出する可能性が生じる。ヒートスプレッダの接合状態が接合不良の様な非正常な状態にならないためにも、接合不良が生じ得る塗布量よりも、接合材６１の塗布量を多く設定する方法が考えられるが、その塗布量が過多であった場合には、以下の問題が新たに生じる。

接合材６１の塗布量が過多であった場合、接合材６１は放熱用接続パッド５１および放熱部５８の位置から溢れ、端子５７付近へ押し出される。その溢れた接合材は、端子５７間を短絡させる等の不具合を引き起こす。また、溢れた接合材が分離して小さな屑となり、その接合材の屑が、回路基板１０およびパッケージ本体５６、端子５７に囲まれた空間において自由に移動可能な状態となる場合もある。製品出荷前の表示点灯検査等の際、接合材の屑が短絡の生じない位置に移動していた場合、出荷前検査では検出できず、接合材の塗布量が少なかった場合と同様に、不良品が市場に流出する可能性がある。

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、半導体集積回路が備える放熱部と回路基板の放熱用接続パッドを確実に接合させ、また、それらの接合に用いる接合材の過多による不良品の発生を抑制する回路基板の提供を目的とする。

本発明に係る回路基板は、パッケージされた半導体集積回路を実装可能な回路基板であって、主面を有する基板本体と、主面上に配置された一の金属層と、一の金属層上に配置された一の絶縁層とを含む基板と、一の絶縁層に設けられた開口から、一の金属層が露出してなり、半導体集積回路の放熱部を接合材により接続可能な放熱用接続パッドと、放熱用接続パッドの外縁よりも外側に位置する一の絶縁層に設けられた開口から一の金属層が露出してなる第１開口領域とを備える。

本発明に係る回路基板によれば、半導体集積回路が備える放熱部と回路基板の放熱用接続パッドを確実に接合させ、また、それらの接合に用いる接合材の過多による不良品の発生を抑制する回路基板の提供が可能である。

実施の形態１における回路基板と半導体集積回路の構成を表す図である。実施の形態１における半導体集積回路の実装構造を表す図である。実施の形態２における回路基板を表す図である。実施の形態３における回路基板を表す図である。従来例における回路基板および半導体集積回路を表す図である。従来例における半導体集積回路の実装構造を表す図である。

本発明に係る回路基板およびその回路基板を用いた半導体集積回路の実装構造の実施の形態を説明する。

＜実施の形態１＞
（回路基板の構成）
図１（ａ）は本実施の形態１における回路基板１０の平面図であり、図１（ｂ）は半導体集積回路１５の平面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’の位置における回路基板１０の断面図である。

図１（ｂ）に示すように、半導体集積回路１５は、半導体チップ（図示せず）が内包されるパッケージ本体１６と、パッケージ本体１６の外縁の少なくとも一部に沿って配置される端子１７とを備える。半導体集積回路１５のパッケージ形態は、表面実装型のＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）であり、パッケージ本体１６の４辺の外縁に沿って複数のリードすなわち端子１７を備える。

また、半導体集積回路１５は裏面すなわち実装後に回路基板１０と対向する接合面１８（図２（ｂ）参照）に接合材２１によって接合される放熱部１９を備える。その放熱部１９は、図１（ｂ）に示すように、接合面１８の面内の中央に位置する。放熱部１９はパッケージ本体１６の熱を放熱する機能を有し、本実施の形態１では、放熱部１９はヒートスプレッダである。

図１（ａ）と図１（ｃ）とに示すように、回路基板１０は、主面１ｂを含む基板本体１ａと、その主面１ｂ上に積層された１つの金属層３と、金属層３上に積層された１つの絶縁層４とを含む基板１を備える。基板本体１ａは、例えば単層基板や多層基板、プリプレグ等である。またそのプリプレグの材料は、例えば炭素繊維もしくはガラス繊維、樹脂等を含む。本実施の形態１の回路基板１０は、ガラス繊維とエポキシ樹脂を含むプリプレグを基材としたプリント配線基板である。金属層３は、本実施の形態１においては銅箔である。また、絶縁層４は、基板本体１ａ上の各種端子や配線の表面を保護し、かつ、それらの短絡を防止する絶縁材料であり、例えば樹脂材料が好ましい。本実施の形態１において、絶縁層４はソルダーレジストである。

また、回路基板１０は、主面１ｂ側に端子１７と接続可能に配置される端子接続パッド２とをさらに備える。端子接続パッド２の配置や形状は、実装する半導体集積回路１５のパッケージの形態に依存する。本実施の形態１の端子接続パッド２は、上記したＱＦＰに対応した配置と形状を有する。また、本実施の形態１において、端子接続パッド２の材料は銅箔である。

また、回路基板１０は、接合材によって放熱部１９に接続可能な位置において、絶縁層４に設けられた開口から金属層３が露出する放熱用接続パッド５をさらに備える。本実施の形態１の放熱用接続パッド５は、図１（ａ）に示すように矩形状の平面形状を有している。

また、回路基板１０は、放熱用接続パッド５の外縁よりも外側に位置する絶縁層４に開口を含み、基板１の最表面に金属層３が露出し、周囲が絶縁層４によって囲まれる第１開口領域６をさらに備える。本実施の形態１の第１開口領域６の平面形状は、放熱用接続パッド５の外周から一定の距離を保って、その周囲を取り巻くように環状の形状を有している。また、第１開口領域６は、放熱用接続パッド５よりも端子接続パッド２側に配置される。

なお、金属層３の平面配置は、図１（ａ）に示すように、放熱用接続パッド５および第１開口領域６を含む領域の外側にまで配置されている。

（半導体集積回路の実装構造）
次に、図１（ａ）に示した回路基板１０に、図１（ｂ）に示した半導体集積回路１５を実装して、図２に示す半導体集積回路の実装構造２０を得る実装工程について説明する。図２（ａ）は実装構造２０を表す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＢ−Ｂ’の位置における実装構造２０の断面図である。また、本実施の形態１において、その実装工程はリフロー方式を用いる。

まず、図１（ａ）に示す回路基板１０の放熱用接続パッド５および端子接続パッド２に接合材が配置される（ステップＳ１）。なお、本実施の形態１においては、ステップＳ１の際、第１開口領域６には接合材は配置されない。接合材は、例えば半田であり、例えばＳｎまたはＡｕまたはＰｂを含む。また、接合材の配置方法は、例えばスクリーン印刷技術等である。すなわち、本実施の形態１では、ペースト状の半田が、スクリーン印刷技術によって放熱用接続パッド５および端子接続パッド２に塗布される。

次に、図示しないが、回路基板１０上に、半導体集積回路１５が仮装着される（ステップＳ２）。つまり、半導体集積回路１５は回路基板１０上の実装位置に位置決めされて設置される。

回路基板１０および半導体集積回路１５は、所定温度のリフロー炉の中で所定時間加熱された後、冷却される（ステップＳ３）。この工程をリフロー工程と称する。このステップＳ３のリフロー工程により、半田すなわち接合材は溶融した後、固着する。その結果、端子１７と端子接続パッド２とが接合材を介して接合される。また、放熱部１９と放熱用接続パッド５とが接合材を介して接合される。本明細書では、図２（ｂ）に示すように、放熱部１９と放熱用接続パッド５とを接合する接合材に符号２１を振り接合材２１と称する。

図１（ａ）に示す放熱用接続パッド５は、良好な熱伝導を得るために大きな面積を有している。このため接合材の塗布量が少なくリフロー工程後に接合不良とならないよう、ステップＳ１にて放熱用接続パッド５への接合材配置量を適正量よりも過多気味に設定することが好ましい。本実施の形態１においては、リフロー工程における加熱の際、放熱用接続パッド５から余分な接合材が周囲に溢れ出したとしても、図２（ｂ）に示すように、溢れ出した接合材は放熱用接続パッド５の周囲を取り囲むように配置された第１開口領域６で捕捉され、端子１７もしくは端子接続パッド２まで到達しない。本明細書では、その第１開口領域６で捕捉される接合材に符号２２を振り接合材２２と称する。

以上のように、上記の実装工程により作製された実装構造２０は、回路基板１０と、半導体集積回路１５と、放熱用接続パッド５と接合面１８との間に接合材２１とを備え、その接合材２１は、放熱用接続パッド５と放熱部１９とに接続する。接合材２１は、放熱部１９の全面および放熱用接続パッド５の全面に接する。また、本実施の形態１の実装構造２０は、第１開口領域６の少なくとも一部に放熱用接続パッド５から溢れ出た接合材２２をさらに備える。

（効果）
このように接合材の配置量すなわち半田の塗布量が過多となり、実装工程のリフロー工程の際に、余分な半田が放熱用接続パッド５から溢れ出したとしても、溢れ出した半田は放熱用接続パッド５の周囲を取り巻くように配置された第１開口領域６にて捕捉される。つまり、第１開口領域６を備える回路基板１０は、端子１７の短絡等の不具合を低減できる。よって、回路基板１０を用いた実装工程を行うことにより、リフロー工程前の半田の塗布量（接合材の配置量）を接合不良とならない様に従来の適正量よりも過多にできる。以上のことから、第１開口領域６を備える回路基板１０は、リフロー工程前の半田塗布量（接合材配置）の設定マージンすなわち許容量を大きくすることができ、その結果、接合材の配置量のコントロールが可能となる。

また、その結果、図２（ｂ）に示すように、実装構造２０は、接合材２１が確実に放熱部１９もしくは接合面１８に接する構造を備える。よって、回路基板１０を用いた実装構造２０は、半導体集積回路１５から回路基板１０側への熱伝導が効率的に行われ、過熱による半導体チップの動作不良の頻度を抑えることもできる。

なお、本実施の形態１では、半導体集積回路１５が接合面１８に放熱部１９を備え、実装構造２０の接合材２１がその放熱部１９に接する例を示したが、半導体集積回路１５は必ずしも放熱部１９を備える必要がない。すなわち放熱部１９を、半導体集積回路１５が備える接合部と読み替えても良く、実装構造２０の接合材２１がその接合部と直接接する構成であっても本発明の効果を奏する。

また、半導体集積回路１５のパッケージ形態は上記の形態に限らず、例えば、パッケージ本体の２辺の外縁に沿って複数のリード（端子１７）を備えるＳＯＰ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）であっても良いし、パッケージ本体の４辺に外縁に沿ってリードではなく複数のパッドを端子１７として備えるＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔＮｏｎ−ｌｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）であっても本発明の効果を奏する。

以上をまとめると、本発明に係る回路基板１０は、パッケージされた半導体集積回路１５を実装可能な回路基板１０であって、主面１ｂを有する基板本体１ａと、主面１ｂ上に配置された一の金属層３と、前記一の金属層３上に配置された一の絶縁層４とを含む基板１と、一の絶縁層４に設けられた開口から、一の金属層３が露出してなり、半導体集積回路１５の放熱部１９を接合材により接続可能な放熱用接続パッド５と、放熱用接続パッド５の外縁よりも外側に位置する一の絶縁層４に設けられた開口から一の金属層３が露出してなる第１開口領域６とを備える。このような構成により、回路基板１０と半導体集積回路１５との実装工程において、接合材が放熱用接続パッド５から溢れ出したとしても、溢れ出した接合材２２は第１開口領域６で捕捉され、端子１７もしくは端子接続パッド２へ到達しない。つまり、回路基板１０は、半導体集積回路１５を実装後、接合材による端子１７もしくは端子接続パッド２の短絡発生頻度を低減できる。回路基板１０は、実装工程における接合材の許容配置量を、第１開口領域６を設けない回路基板を使用した場合の許容配置量と比較して多くすることができ、接合材の配置量のコントロールを可能とする。これにより、回路基板１０は、接合材２１が半導体集積回路１５の放熱部１９に確実に安定して接続する実装構造２０を提供することができる。

本発明に係る半導体集積回路の実装構造２０は、回路基板１０と、半導体集積回路１５とを備え、回路基板１０の放熱用接続パッド５と半導体集積回路１５の放熱部１９とが接合材２１により接合される。このような構成により、半導体集積回路１５の実装構造２０は、接合材による端子１７もしくは端子接続パッド２の短絡を低減できる。また、実装構造２０は、半導体集積回路１５が備える放熱部１９から回路基板１０側への熱伝導を効率的に行うことができ、過熱による半導体チップの動作不良の頻度を抑えることができる。また、製品出荷前検査では検出できないような、可動する接合材の屑によって短絡が生じ得る不良品が市場に流出する可能性を防ぐことが可能となる。

（実施の形態１の変形例）
上述した実装工程ではステップＳ１にて、接合材が第１開口領域６に配置されない例を示したが、接合材が第１開口領域６に配置されても良い。すなわちステップＳ１にて、ペースト状の半田が、スクリーン印刷技術によって第１開口領域６に塗布されても良い。その第１開口領域６に配置される接合材の量は、接合材がリフロー工程中に第１開口領域６よりも端子接続パッド２側に漏れ出さない程度の量である。このような回路基板１０と半導体集積回路１５を接合した場合、第１開口領域６のぬれ性が改善されるため、放熱用接続パッド５から溢れた接合材が第１開口領域６に補足され易くなる。その結果、回路基板１０は、放熱用接続パッド５への接合材配置量の設定マージンを大きくすることができる。

＜実施の形態２＞
本実施の形態２における回路基板１０および半導体集積回路１５の実装構造２０について説明する。なお、実施の形態１と同様の構成および動作については説明を省略する。

図３は、本実施の形態２における回路基板１０を表す平面図である。回路基板１０は、実施の形態１に記載した放熱用接続パッド５および第１開口領域６に加えて、第２開口領域７をさらに備える。第２開口領域７は、放熱用接続パッド５と第１開口領域６との間に位置する絶縁層４に設けられた開口から基板１の最表面に金属層３が露出している。また、第２開口領域は９、一端を放熱用接続パッド５に接続し、他端を第１開口領域６に接続する。本実施の形態２において、第２開口領域７は、矩形状の放熱用接続パッド５の各角とその矩形状の放熱用接続パッド５の周囲を環状に取り囲む形状を有する第１開口領域６の各角とを接続している。

実施の形態１に記載した実装工程のステップＳ１にて、放熱用接続パッド５上への接合材配置量が適正量と比較して過多であった場合、ステップＳ２のリフロー工程において、放熱用接続パッド５から余分な接合材が周囲に溢れ出す。第２開口領域７はその溢れ出す接合材を第１開口領域６へ効率的に導く。その結果、溢れ出す接合材は第１開口領域６に捕捉されやすくなる。また、第２開口領域７自体も、第１開口領域６と同様に放熱用接続パッド５から溢れ出す接合材を捕捉する。その結果、回路基板１０は、放熱用接続パッド５への接合材配置量の設定マージンを大きくすることができる。

さらに、本実施の形態２の第２開口領域７は、放熱用接続パッド５の中央から各角に向かう方向に設けられているため、接合材を放熱用接続パッド５の各角に導き、接合材が放熱用接続パッド５の全面と放熱部１９の全面とを接合する確実性が向上する。

（効果）
本発明に係る回路基板１０は、放熱用接続パッド５と第１開口領域６との間に位置する一の絶縁層４に設けられた開口から一の金属層３が露出してなる第２開口領域７をさらに備え、第２開口領域７は、放熱用接続パッド５と第１開口領域６との間を接続する。このような構成により、回路基板１０と半導体集積回路１５との実装工程において、放熱用接続パッド５から溢れ出す接合材は、第２開口領域７によって、第１開口領域６へ効率よく導かれる。その結果、溢れ出す接合材は第１開口領域６に捕捉されやすくなる。また、第２開口領域７自体も、第１開口領域６と同様に放熱用接続パッド５から溢れ出す接合材を捕捉する。実装工程における接合材の最大許容配置量を、第２開口領域７を設けない回路基板を使用した場合の許容配置量と比較して多くすることができる。回路基板１０は、半導体集積回路１５を実装後、接合材による端子１７もしくは端子接続パッド２の短絡を低減できる。

＜実施の形態３＞
本実施の形態３における回路基板１０および半導体集積回路１５の実装構造２０について説明する。なお、実施の形態１と同様の構成および動作については説明を省略する。

図４は実施の形態３における回路基板１０を表す平面図である。回路基板１０は、正八角形状の放熱用接続パッド５を備える。また、回路基板１０は、その正八角形状の放熱用接続パッド５を形成する８本の辺のうち互いに対向する各辺を底辺とし、頂点をその正八角形の中心から放射方向に設けた三角形の形状を有する第２開口領域７をさらに備える。また、回路基板１０は、その三角形の頂点を含む位置に円形の第１開口領域６をさらに備える。つまり三角形の第２開口領域７と円形の第１開口領域６とは接続されている。

放熱用接続パッド５から第１開口領域６の方向に対して垂直な面における第２開口領域７の断面積は、放熱用接続パッド５側から第１開口領域６側にかけて、漸次小さくなる。つまり、図４のＣ−Ｃ’における第２開口領域７の断面積は、Ｄ−Ｄ’における断面積よりも小さい。第２開口領域７がこのような形状を有することにより、放熱用接続パッド５から溢れ出す接合材は、毛細管現象によって、第１開口領域６へ効率よく容易に導くことができる。その結果、ステップＳ２にて溢れ出す接合材は第１開口領域６に捕捉されやすくなる。また、第２開口領域７自体も、第１開口領域６と同様に放熱用接続パッド５から溢れ出す接合材を捕捉する。

本実施の形態３において、放熱用接続パッド５および第１開口領域６および第２開口領域７によって形成される平面パターンは、放熱用接続パッド５の中央を中心に４回対称に配置されている。このように、少なくとも放熱用接続パッド５および第１開口領域によって形成される平面パターンが、ｎを２以上の整数としてｎ回対称であれば、放熱用接続パッド５の中央から第１開口領域６および第２開口領域７に向かう方向に接合材を導く。その結果、接合材が放熱用接続パッド５の全面と放熱部１９の全面と接合する確実性も向上する。

（効果）
本発明に係る回路基板１０は、放熱用接続パッド５から第１開口領域６の方向に対して垂直な面における第２開口領域７の断面積が、放熱用接続パッド５側から第１開口領域６側の方向にかけて漸次小さくなる。このような構成により、回路基板１０と半導体集積回路１５との実装工程において、放熱用接続パッド５から溢れ出す接合材は、第２開口領域７の毛細管現象によって、第１開口領域６へ効率よく容易に導かれる。その結果、溢れ出す接合材は第１開口領域６に捕捉されやすくなる。また、第２開口領域７自体も、第１開口領域６と同様に放熱用接続パッド５から溢れ出す接合材を捕捉する。回路基板１０は、半導体集積回路１５を実装後、接合材による端子１７もしくは端子接続パッド２の短絡を低減する実装構造を提供することができる。回路基板１０は、実装工程における接合材の最大許容配置量を、第２開口領域７を設けない回路基板を使用した場合の許容配置量と比較して多くすることができる。

本発明に係る回路基板１０は、基板１の平面視において、放熱用接続パッド５と第１開口領域６とを含む平面パターンは、ｎを２以上の整数として、放熱用接続パッド５の中央を中心にｎ回対称のパターンを有する。このような構成により、回路基板１０と半導体集積回路１５との実装工程において、回路基板１０は放熱用接続パッド５から放射状に溢れ出る過剰な接合材を第１開口領域６にて効率的に捕捉できる。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。

１基板、１ａ基板本体、１ｂ主面、３金属層、４絶縁層、５放熱用接続パッド、６第１開口領域、７第２開口領域、１０回路基板、１５半導体集積回路、１６パッケージ本体、１９放熱部、２０実装構造、２１接合材、２２接合材。

Claims

パッケージされた半導体集積回路を実装可能な回路基板であって、
主面を有する基板本体と、前記主面上に配置された一の金属層と、前記一の金属層上に配置された一の絶縁層とを含む基板と、
前記一の絶縁層に設けられた開口から、前記一の金属層が露出してなり、前記半導体集積回路の放熱部を接合材により接続可能な放熱用接続パッドと、
前記放熱用接続パッドの外縁よりも外側に位置する前記一の絶縁層に設けられた開口から前記一の金属層が露出してなる第１開口領域とを備える回路基板。
前記放熱用接続パッドと前記第１開口領域との間に位置する前記一の絶縁層に設けられた開口から前記一の金属層が露出してなる第２開口領域をさらに備え、
前記第２開口領域は、前記放熱用接続パッドと前記第１開口領域との間を接続する請求項１に記載の回路基板。
前記放熱用接続パッドから前記第１開口領域の方向に対して垂直な面における前記第２開口領域の断面積が、前記放熱用接続パッド側から前記第１開口領域側の方向にかけて漸次小さくなる請求項２に記載の回路基板。
前記基板の平面視において、前記放熱用接続パッドと前記第１開口領域とを含む平面パターンは、ｎを２以上の整数として、前記放熱用接続パッドの中央を中心にｎ回対称のパターンを有する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の回路基板。
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の回路基板と、
前記半導体集積回路とを備え、
前記回路基板の前記放熱用接続パッドと前記半導体集積回路の前記放熱部とが前記接合材により接合される半導体集積回路の実装構造。