JP2017195221A - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サスペンション基板においては、支持基板10上に接地層50および第1の絶縁層41が形成される。接地層50は支持基板10よりも高い電気伝導率を有する。第1の絶縁層41上に電源用配線パターンP1が形成される。接地層50および第1の絶縁層41を覆うように支持基板10上に第2の絶縁層42が形成される。少なくとも一部が接地層50に重なるように第2の絶縁層42上に書込用配線パターンW1,W2が形成される。支持基板10、第1の絶縁層41および第2の絶縁層42の積層方向における接地層50と書込用配線パターンW1,W2との間隔d1が、その積層方向における電源用配線パターンP1と書込用配線パターンW1との間隔d2よりも大きく設定される。
【選択図】図4
Description
(1)サスペンション基板の構造
図1は、第1の実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図1において、矢印が向かう方向を前方と呼び、その逆方向を後方と呼ぶ。図1に示すように、サスペンション基板1は、サスペンション本体部として例えばステンレス鋼からなる支持基板10を備える。図1においては、支持基板10は、略前後方向に延びている。
書込用配線パターンW1,W2および電源用配線パターンP1の構成について説明する。図2は、図1の書込用配線パターンW1,W2および電源用配線パターンP1の構成を示す模式図である。
サスペンション基板1の製造方法について説明する。図9〜図14は、図1のサスペンション基板1の製造方法を示す模式的工程断面図である。図9〜図14の各図においては、(a)が図3のA−A線断面図に対応し、(b)が図3のB−B線断面図に対応し、(c)が図7のD−D線断面図に対応する。ここでは、図1のタング部12、複数の接続端子21〜26,31〜36、複数の孔部H、読取用配線パターンR1,R2および電源用配線パターンP2の形成工程についての説明は省略する。
本実施の形態に係るサスペンション基板1においては、支持基板10上に接地層50および第1の絶縁層41が形成される。第1の絶縁層41上に電源用配線パターンP1が形成される。また、接地層50および第1の絶縁層41を覆うように支持基板10上に第2の絶縁層42が形成される。さらに、少なくとも一部が接地層50に重なるように第2の絶縁層42上に書込用配線パターンW1,W2が形成される。この場合、電源用配線パターンP1および書込用配線パターンW1,W2の各々に電気信号を伝送させることができる。
第2の実施の形態に係るサスペンション基板について、第1の実施の形態に係るサスペンション基板1とは異なる点を説明する。図15は第2の実施の形態に係るサスペンション基板の一部拡大平面図であり、図16は図15のE−E線断面図であり、図17は図15のF−F線断面図である。図15の一部拡大平面図は、図3の拡大平面図に対応する。図15においては、図3の例と同様に、サスペンション基板の複数の構成要素のうち一部の構成要素を互いに異なる態様で示すとともに、他の構成要素の図示を省略している。
第3の実施の形態に係るサスペンション基板について、第1の実施の形態に係るサスペンション基板1とは異なる点を説明する。図18は、第3の実施の形態に係るサスペンション基板のうち図3のA−A線に対応する部分の断面図である。図19は、第3の実施の形態に係るサスペンション基板のうち図3のB−B線に対応する部分の断面図である。図20は、第3の実施の形態に係るサスペンション基板のうち図3のC−C線に対応する部分の断面図である。
(1)上記実施の形態では、交差領域CN1,CN2において支持基板10の一部が第1の交差配線部10Xとして形成されるとともに第1の交差配線部10X上に第2の交差配線部50Xが形成されるが、本発明はこれに限定されない。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
実施例1,2および比較例1,2として、以下のサスペンション基板を想定する。図30(a)は実施例1のサスペンション基板の平面図であり、図30(b)は図30(a)のJ1−J1線断面図である。
10 支持基板
10X 第1の交差配線部
10Y 支持部
11 開口部
12 タング部
18 環状開口部
19 第1の開口部
21,22,23,24,25,26,31,32,33,34,35,36 接続端子
41 第1の絶縁層
42 第2の絶縁層
50 接地層
50X 第2の交差配線部
59 第2の開口部
60 第3の絶縁層
90 支持プレート
91 前端領域
92 後端領域
93 中央領域
94 圧電素子実装領域
94h 貫通孔
95,96 圧電素子
CN1,CN2 交差領域
G1,G2 接続部
H11,H12 貫通孔
H 孔部
L10 上部配線パターン
L11,L12,LA1,LA2,LA3,LA4,LA5,LB1,LB2,LB3,LB4,LB5 線路
L20 下部配線パターン
P1,P2 電源用配線パターン
R1,R2 読取用配線パターン
V1,V2 ビア
W1,W2 書込用配線パターン
ZZ 交差配線部
Claims (13)
- 導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上に形成されかつ前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層と、
前記支持基板上に形成される第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成される下部配線パターンと、
前記接地層および前記下部配線パターンを覆うように前記第1の絶縁層上に形成される第2の絶縁層と、
前記接地層に重なるように前記第2の絶縁層上に形成される上部配線パターンとを備え、
前記支持基板、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層の積層方向において、前記接地層と前記上部配線パターンとの間隔は、前記下部配線パターンと前記上部配線パターンとの間隔よりも大きい、配線回路基板。 - 前記第1の絶縁層は、前記支持基板上の前記接地層が形成されない領域に形成され、
前記第2の絶縁層は、前記接地層に接触するように形成される、請求項1記載の配線回路基板。 - 前記第1の絶縁層は、前記接地層と前記第2の絶縁層との間に延びる部分を有し、
前記延びる部分は、前記接地層に接触するように形成される、請求項1記載の配線回路基板。 - 前記支持基板には、第1の開口部が形成され、
前記接地層には、前記支持基板の前記第1の開口部に重なる第2の開口部が形成され、
前記上部配線パターンの少なくとも一部は、前記接地層の前記第2の開口部に重なる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の配線回路基板。 - 前記第1および第2の開口部は、前記配線回路基板を前記積層方向に沿って見た場合に前記第2の開口部の内縁が前記第1の開口部の内縁を取り囲むように形成され、
前記第2の開口部の内縁が、前記第1または第2の絶縁層で被覆される、請求項4記載の配線回路基板。 - 前記上部配線パターンは第1の方向に延び、
前記第2の開口部は、前記第1の方向に並ぶように前記接地層に間欠的に複数形成される、請求項4または5記載の配線回路基板。 - 前記第1および第2の絶縁層のうち少なくとも一方を貫通する第1および第2のビアをさらに備え、
前記支持基板は、前記接地層に電気的に接続された支持部と、前記支持部から電気的に絶縁された配線部とを含み、
前記上部配線パターンは、信号線路対を構成する第1および第2の信号線路を含み、
前記第1の信号線路は、第1および第2の分岐線路を含み、
前記第2の信号線路は、互いに電気的に接続された第3および第4の分岐線路を含み、
前記第1の信号線路の前記第1および第2の分岐線路と前記第2の信号線路の前記第3および第4の分岐線路とは、交互に並ぶように配置され、
前記第1のビアは、前記第1の信号線路の前記第1の分岐線路の一部と前記支持基板の前記配線部とを電気的に接続し、
前記第2のビアは、前記第1の信号線路の前記第1の分岐線路の残りの部分と前記支持基板の前記配線部とを電気的に接続する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の配線回路基板。 - 前記第1の絶縁層上に形成される中継パターンと、
前記第2の絶縁層を貫通する第1および第2のビアをさらに備え、
前記上部配線パターンは、信号線路対を構成する第1および第2の信号線路を含み、
前記第1の信号線路は、第1および第2の分岐線路を含み、
前記第2の信号線路は、互いに電気的に接続された第3および第4の分岐線路を含み、
前記第1の信号線路の前記第1および第2の分岐線路と前記第2の信号線路の前記第3および第4の分岐線路とは、交互に並ぶように配置され、
前記第1のビアは、前記第1の信号線路の前記第1の分岐線路の一部と前記中継パターンとを電気的に接続し、
前記第2のビアは、前記第1の信号線路の前記第1の分岐線路の残りの部分と前記中継パターンとを電気的に接続する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の配線回路基板。 - 前記支持基板はステンレス鋼を含み、前記接地層は銅を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の配線回路基板。
- 前記上部配線パターンを覆うように前記第2の絶縁層上に形成される第3の絶縁層をさらに備える、請求項1〜9のいずれか一項に記載の配線回路基板。
- 導電性材料により形成される支持基板上に前記支持基板よりも高い電気伝導率を有する接地層を形成するステップと、
前記支持基板上に第1の絶縁層を形成するステップと、
前記第1の絶縁層上に下部配線パターンを形成するステップと、
前記接地層および前記下部配線パターンを覆うように前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成するステップと、
前記接地層に重なるように前記第2の絶縁層上に上部配線パターンを形成するステップとを含み、
前記接地層および前記下部配線パターンを形成するステップは、前記支持基板、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層の積層方向において、前記接地層と前記上部配線パターンとの間隔が前記下部配線パターンと前記上部配線パターンとの間隔よりも大きくなるように前記接地層および前記下部配線パターンを形成することを含む、配線回路基板の製造方法。 - 前記第1の絶縁層を形成するステップは、前記支持基板上の前記接地層が形成されない領域に前記第1の絶縁層を形成することを含み、
前記第2の絶縁層を形成するステップは、前記第2の絶縁層を前記接地層に接触するように形成することを含む、請求項11記載の配線回路基板の製造方法。 - 前記第1の絶縁層を形成するステップは、前記接地層と前記第2の絶縁層との間に延びるようにかつ前記接地層に接触するように前記第1の絶縁層を形成することを含む、請求項11記載の配線回路基板の製造方法。
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