JP2017194966A - 不揮発性メモリモジュール、及び格納装置の動作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
メモリモジュール制御器220はホスト100からコマンド及び/或いはアドレスを受信し、複数のDRAM211乃至214の入出力動作を制御する。実施形態において、メモリモジュール制御器220は内部政策にしたがってホスト100に内部動作に必要である内部動作時間要請を伝送する。実施形態において、メモリモジュール制御器220はホスト100から伝送された内部動作時間承認/拒絶情報(内部動作コマンド)に応答して内部動作を遂行する。
図3は本発明の実施形態に係るコンピューティングシステム10においてレジスター設定方式にしたがう内部動作時間要請及びその応答を例示的に示す図面である。図3を参照すれば、格納装置200は複数の内部動作時間RT1乃至RTk(kは2以上の自然数)を格納するレジスター集合(register set)を含む。例えば、第1内部動作時間RT1は16クロックに対応する時間であり、第2内部動作時間RT2は8クロックに対応する時間である。
図17は本発明の実施形態に係るデータサーバーシステム50を例示的に示すブロック図である。図17を参照すれば、データサーバーシステム50はデータベース管理システム(RDBMS)51、キャッシュサーバー52、及びアプリケーションサーバー53を含む。
41 プロセッサ
42 メモリモジュール
43、310L、310R 不揮発性メモリ
50 データサーバーシステム
51 データベース管理システム
52 キャッシュサーバー
53 アプリケーションサーバー
100、100a ホスト
200 格納装置
211、212、213、214、215、400 DRAM
220 メモリモジュール制御器
300 不揮発性メモリモジュール
320L、320R 揮発性メモリ
330L、330R データバッファ
340 メモリ制御回路
410 メモリセルアレイ
420 リフレッシュ制御器
Claims (20)
- 格納装置の動作方法において、
内部動作に必要である内部動作時間(renewal time)をホスト或いは外部装置に要請する段階と、
前記要請に対応する内部動作コマンドを前記ホスト或いは外部装置から受信する段階と、
前記内部動作時間の間に前記内部動作コマンドに応答して前記内部動作を遂行する段階と、を含むことを特徴とする格納装置の動作方法。 - 前記内部動作時間を要請する段階は、
非同期イベント要請コマンド(asynchronous event request command)の応答メッセージを通じて前記要請を前記ホスト或いは外部装置に伝送する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。 - 前記内部動作時間を要請する段階は、
前記内部動作時間を有するメッセージを前記ホスト或いは外部装置に伝送する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。 - 前記内部動作時間を要請する段階は、
前記内部動作時間を前記格納装置のバッファ領域に格納する段階と、
メッセージチャンネルを利用して前記要請を前記ホスト或いは外部装置に伝送する段階と、を含み、
前記内部動作コマンドを受信する時、前記バッファ領域に格納された前記内部動作時間を読み出し、前記読み出された内部動作時間の間に前記内部動作が遂行されることを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。 - 前記内部動作コマンドを受信する段階は、
少なくとも1つのコマンドピン、少なくとも1つのアドレスピン、少なくとも1つのRFU(reserved future use)ピンの中の少なくとも1つを通じてなされることを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。 - 前記内部動作を遂行する段階は、
前記内部動作コマンドに応答してすべてのバンク或いは一部のバンクに対する内部動作を遂行する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。 - 前記内部動作コマンドは、前記要請に対する承認(approval)或いは拒絶(rejection)を指示する情報を含み、
前記内部動作コマンドが前記要請に対する承認を指示する情報を含む時、前記ホスト或いは外部装置から発生された新しいコマンドを無視する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。 - 前記内部動作コマンドは、前記要請に対する承認或いは拒絶を指示する情報を含み、
前記内部動作コマンドが前記要請に対する拒絶を指示する情報を含む時、前記ホスト或いは外部装置から発生された新しいコマンドを処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。 - 前記内部動作は、リフレッシュ動作、タイミング調節動作、内部データ伝送動作の中の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。
- 前記格納装置は、DIMM(dual in−line memory module)、NVDIMM(nonvolatiel dual in−line memory module)、SSD(solid state drive)、UFS(universal flash storage)、eMMC(embedded multimedia card)、SD(secure digital)カード、DRAM(dynamic random access memory)、SRAM(static random access memory)、nand flash memory、vertical nand flash memory、PRAM(phase random access memory)、RRAM(登録商標)(resistive random access memory)の中のいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の格納装置の動作方法。
- 少なくとも1つの揮発性メモリと、
少なくとも1つの不揮発性メモリと、
前記少なくとも1つの揮発性メモリ及び前記少なくとも1つの不揮発性メモリを制御するメモリ制御回路と、を含み、
前記メモリ制御回路は、内部動作が必要であると判別される時、内部動作要請メッセージをホスト或いは外部装置に伝送し、前記ホスト或いは外部装置から前記内部動作要請メッセージに対応する内部動作コマンドを受信し、前記内部動作コマンドに応答して、内部動作時間(renewal time)の間に前記内部動作を遂行し、
前記内部動作要請メッセージは、前記内部動作時間を含むことを特徴とする不揮発性メモリモジュール。 - 前記メモリ制御回路は、前記内部動作を遂行する時、前記ホスト或いは外部装置から発行された新しいコマンドを無視することを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
- 前記メモリ制御回路は、内部動作要請を拒絶する情報を指示する前記内部動作コマンドを受信する時、前記ホスト或いは外部装置から発行された新しいコマンドを処理することを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
- 前記内部動作コマンドは、前記内部動作時間或いは前記内部動作時間に関連された情報を含むことを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
- 前記内部動作コマンドは、少なくとも1つのコマンドピン、少なくとも1つのアドレスピン、少なくとも1つのRFU(reserved future use)ピンの中の少なくとも1つを利用して受信されることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
- 前記内部動作要請メッセージは、少なくとも1つのデータピン及び少なくとも1つのデータストロボピンの中の少なくとも1つを利用して前記ホスト或いは外部装置に伝送されることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
- 前記内部動作要請メッセージは、少なくとも1つのメッセージピンを通じて信号のトグリングを利用して前記ホスト或いは外部装置に伝送されることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
- 前記メモリ制御回路は、
前記内部動作に必要である前記内部動作時間をバッファ領域に格納し、
前記内部動作要請メッセージに対応する信号をメッセージピンを通じて前記ホスト或いは外部装置に伝送し、
前記ホスト或いは外部装置から前記信号に対応する読出しコマンドを受信し、
前記受信された読出しコマンドに応答して前記バッファ領域に格納された内部動作時間を読み出し、
前記ホスト或いは外部装置から前記読み出された内部動作時間に対応する前記内部動作コマンドを受信することを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。 - 前記内部動作は、前記少なくとも1つの揮発性メモリと前記少なくとも1つの不揮発性メモリとの間のデータ伝送動作を含むことを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
- 前記内部動作コマンドは、
すべてのバンクに対する内部動作を指示する第1内部動作コマンドと、或いは、
シングルバンクに対する内部動作を指示する第2内部動作コマンドと、を含むことを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリモジュール。
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