JP2017174902A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10840205B2 (en) 2017-09-24 2020-11-17 Invensas Bonding Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing for hybrid bonding
US11056348B2 (en) 2018-04-05 2021-07-06 Invensas Bonding Technologies, Inc. Bonding surfaces for microelectronics
JP7040257B2 (ja) * 2018-04-25 2022-03-23 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、及び成膜方法
JP7004608B2 (ja) * 2018-05-11 2022-01-21 東京エレクトロン株式会社 半導体膜の形成方法及び成膜装置
US10741442B2 (en) 2018-05-31 2020-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Barrier layer formation for conductive feature
US11011494B2 (en) 2018-08-31 2021-05-18 Invensas Bonding Technologies, Inc. Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics
US10872788B2 (en) * 2018-11-26 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet etch apparatus and method for using the same
CN110459464B (zh) * 2019-08-14 2021-09-14 中国科学院微电子研究所 一种厚膜氮化硅的区域挖槽制备方法
US11264357B1 (en) 2020-10-20 2022-03-01 Invensas Corporation Mixed exposure for large die
WO2023132268A1 (ja) 2022-01-06 2023-07-13 東京エレクトロン株式会社 判定方法及び基板処理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654049A (en) * 1979-10-09 1981-05-13 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP2812599B2 (ja) * 1992-02-06 1998-10-22 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JPH07297182A (ja) * 1994-04-27 1995-11-10 Sony Corp SiN系絶縁膜の形成方法
JP3660391B2 (ja) * 1994-05-27 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US20010028922A1 (en) * 1995-06-07 2001-10-11 Sandhu Gurtej S. High throughput ILD fill process for high aspect ratio gap fill
JP3402972B2 (ja) 1996-11-14 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
US7115516B2 (en) * 2001-10-09 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing a material layer
JP2003243537A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3759525B2 (ja) * 2003-10-27 2006-03-29 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
WO2005062390A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-07 Showa Denko K.K. Group iii nitride semiconductor device and light-emitting device using the same
US7482247B1 (en) * 2004-12-30 2009-01-27 Novellus Systems, Inc. Conformal nanolaminate dielectric deposition and etch bag gap fill process
KR100711928B1 (ko) * 2005-12-29 2007-04-27 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장치의 금속 배선 및 그 형성 방법
JP5550843B2 (ja) * 2009-03-19 2014-07-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
US8742476B1 (en) * 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
JP5490753B2 (ja) * 2010-07-29 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 トレンチの埋め込み方法および成膜システム
JP5544343B2 (ja) * 2010-10-29 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5599350B2 (ja) * 2011-03-29 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP5829926B2 (ja) * 2011-07-06 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法
JP5162016B1 (ja) * 2011-09-15 2013-03-13 株式会社東芝 半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法
US9000557B2 (en) * 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
JP6468955B2 (ja) * 2015-06-23 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 シリコン含有膜の成膜方法及び成膜装置

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