JP2017157813A - 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ - Google Patents
酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017157813A JP2017157813A JP2016182146A JP2016182146A JP2017157813A JP 2017157813 A JP2017157813 A JP 2017157813A JP 2016182146 A JP2016182146 A JP 2016182146A JP 2016182146 A JP2016182146 A JP 2016182146A JP 2017157813 A JP2017157813 A JP 2017157813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- thin film
- semiconductor layer
- film transistor
- annealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 99
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 47
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 40
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007610 Zn—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
Abstract
【解決手段】基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース・ドレイン電極、および少なくとも1層の保護膜を有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層を構成する金属元素がIn、Ga、Zn、およびSnを含み、前記酸化物半導体層における全金属元素の合計(In+Ga+Zn+Sn)に対する各金属元素の割合が、In:20〜45原子%、Ga:5〜20原子%、Zn:30〜60原子%、およびSn:9〜25原子%である薄膜トランジスタ。
【選択図】図2
Description
[1]基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース・ドレイン電極、および少なくとも1層の保護膜を有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層を構成する金属元素がIn、Ga、Zn、およびSnを含み、前記酸化物半導体層における全金属元素の合計(In+Ga+Zn+Sn)に対する各金属元素の割合が、
In:20〜45原子%、
Ga:5〜20原子%、
Zn:30〜60原子%、および
Sn:9〜25原子%
である薄膜トランジスタ。
In:20〜45原子%、
Ga:5〜20原子%、
Zn:30〜60原子%、および
Sn:9〜25原子%
(In/Ga)の値は2.0以上がより好ましく、また、5.0以下が好ましい。
本発明に係る薄膜トランジスタは、エッチストップ型やバックチャネルエッチ型に限らず、従来と同様の方法及び条件にて製造することができる。TFTの製造方法の一例を以下に記載するが、これらに限定されない。基板上にスパッタリング法等によりゲート電極を形成し、パターニングを行った後、CVD法等によりゲート絶縁膜を成膜する。パターニングは通常の方法で行うことができる。また、ゲート絶縁膜の成膜において加熱される。次いで、スパッタリング法等により酸化物半導体層を成膜し、パターニングを行う。その後、プレアニール処理を行い、必要に応じてエッチストッパー層の成膜とパターニングを行う。
[薄膜トランジスタの製造]
図1を参照して薄膜トランジスタの製造方法を以下に示す。ガラス製の基板1(イーグル社製 商品名Eagle2000、直径4インチ、厚さ0.7mm)上に、ゲート電極2としてMo膜を250nm成膜し、その上にゲート絶縁膜3として、プラズマCVD法により、厚さ250nmの酸化シリコン(SiOx)膜を以下の条件で成膜した。
成膜パワー密度:0.96W/cm2
成膜温度:320℃
成膜時のガス圧:133Pa
成膜法:DCスパッタリング法
装置:株式会社アルバック製 CS200
成膜温度:室温
ガス圧:1mTorr
キャリアガス:Ar
酸素分圧:100×O2 /(Ar+O2 )=4体積%
成膜パワー密度:2.55W/cm2
上記純Mo膜の成膜条件を下記に示す。
投入パワー:DC300W(成膜パワー密度:3.8W/cm2 )
キャリアガス:Ar
ガス圧:2mTorr
基板温度:室温
成膜パワー密度:0.32W/cm2
成膜温度:150℃
成膜時のガス圧:133Pa
酸化物半導体層についてTLM(Transfer Length Method)測定を行い、シート抵抗Rshを求めた。TLM測定においてはTFTにおけるSi基板の裏面処理として、基板表面のパターン形成側をレジストで覆った後、バッファードフッ酸を用いて、室温で約4分間の浸漬、水洗10分を行い、撥水を確認した後で、乾燥処理を行った。酸化物半導体層における電極間距離を変えて複数の電極間における電流−電圧特性を測定し、各電極間の電気抵抗値を求めた。ここでは、合計5点の電極間の電気抵抗値を求めた。
ρc=Rct×LT×Z
それぞれの組成を有する酸化物半導体を酸素分圧4%、200W、1mTorrで作製した後に、プレアニール熱処理を350℃で1時間、大気下で行った。その後、マスクスパッタによって酸化物半導体上に電極を形成し、ホール効果素子を作製後、ホール効果測定からキャリア移動度を算出した。
Hall測定装置(東洋テクニカ社製「Resitest 8310」)を用いてvan der Pauw法により測定する。Hall測定に使用した試料は、ガラス基板上に素子として5mm角サイズの正方形状の酸化物半導体薄膜(膜厚200nm)をスパッタ法にて形成したあと、スパッタ法を用いてMo電極を酸化物半導体薄膜の正方形パターンの4隅に形成する。4つの電極にそれぞれ電極線を導電性ペーストを用いて取りつけ、比抵抗およびホール係数の測定結果からキャリア密度を算出した。測定は、印加磁界を0.5T、測定温度を室温として行った。
表2に示す組成を有する酸化物半導体層を有するTFTを用いてドレイン電流(Id)−ゲート電圧(Vg)特性を測定した。Id−Vg特性は、ゲート電圧、ソース−ドレイン電極の電圧を以下のように設定し、プローバーおよび半導体パラメータアナライザ(Keithley 4200SCS)を用いて測定を行った。
ソース電圧:0V
ドレイン電圧:10V
測定温度:室温
次に、それぞれの組成を有する酸化物半導体層を有するTFTを用い、以下のようにしてストレス耐性(ΔVth@NBTIS)の評価を行った。ストレス耐性は、ゲート電極に負バイアスをかけながら光を照射するストレス印加試験を行って評価した。ストレス印加条件は以下のとおりである。
ソース/ドレイン電圧:10V
基板温度:60℃
光ストレス条件
ストレス印加時間:2時間
光強度:25000NIT
光源:白色LED
ここでΔVthとは(Vth@ストレス印加2時間後)−(Vth@ストレス印加ゼロ時間)である。
酸化物半導体層の厚さを40nmから300nmに変更した以外は、実施例1と同様にして薄膜トランジスタを製造した。結果を表4に示す。
No.5のサンプルにおけるOHとOとの深さ方向の分布を図4及び図5に示した。ここで、ポストアニールなし、ポストアニール250℃のESL(SiOx)と酸化物半導体界面領域のOH基と、ポストアニール300℃のESL(SiOx)と酸化物半導体界面領域のOH基では、SIMSの二次イオン強度に明らかな差がみられた。ポストアニール300℃後では、界面近傍のシリコン酸化膜中のOH基のピークが減少する一方で、界面近傍の酸化物半導体膜中のOH基が増加している。表1のLNBTSに対するΔVthを照合すると、このように界面近傍のOH基がシリコン酸化膜から酸化物半導体に拡散し、酸化物半導体のバックチャネルにOH基が吸着することによって、光ストレスに対するΔVthの低減に寄与したといえる。No.2のサンプルについても同様の効果が確認できた。その一方、No.3およびNo.18においてはOH基の拡散(OHの吸着=界面欠陥の補修効果)がみられておらず、結果として、光ストレスによるΔVthのシフトの低減もみられないことがわかった。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 酸化物半導体層
5 ソース・ドレイン電極
6 保護膜
9 エッチストップ層
Claims (10)
- 基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース・ドレイン電極、および少なくとも1層の保護膜を有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層を構成する金属元素がIn、Ga、Zn、およびSnを含み、前記酸化物半導体層における全金属元素の合計(In+Ga+Zn+Sn)に対する各金属元素の割合が、
In:20〜45原子%、
Ga:5〜20原子%、
Zn:30〜60原子%、および
Sn:9〜25原子%
である薄膜トランジスタ。 - 前記酸化物半導体層において、全金属元素に占めるSnに対するZnの割合(Zn/Sn)が2.4倍より大きく、かつ、Gaに対するInの割合(In/Ga)が2.0倍より大きい、請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護膜を形成した直後の酸化物半導体層のシート抵抗Rshと、その後ポストアニール処理を行った後の酸化物半導体層のシート抵抗Rsh’との比(Rsh’/Rsh)が1.0超である、請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護膜を形成する前のシート抵抗が1.0×105 Ω/□以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護膜を形成した直後の酸化物半導体層のキャリア密度Dと、ポストアニール処理を行った後の酸化物半導体層のキャリア密度D’との比(D’/D)が、1.5以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層は少なくとも一部の金属原子にOH基が結合している半導体薄膜である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- ポストアニール後において、保護膜であるシリコン酸化膜のOH基が酸化物半導体の表面に拡散して増加する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層がアモルファス構造、又は、少なくとも一部が結晶化されたアモルファス構造である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層の直上にさらにエッチストッパー層を有するエッチストップ型である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体層の直上にエッチストッパー層を有さないバックチャネルエッチ型である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/079,915 US20190051758A1 (en) | 2016-02-26 | 2017-02-02 | Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer |
CN201780013390.8A CN108780817B (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-02 | 含氧化物半导体层的薄膜晶体管 |
KR1020187024429A KR102218802B1 (ko) | 2016-02-26 | 2017-02-02 | 산화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 |
PCT/JP2017/003851 WO2017145695A1 (ja) | 2016-02-26 | 2017-02-02 | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ |
TW106105158A TW201735359A (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-17 | 含有氧化物半導體層的薄膜電晶體 |
TW108142764A TW202006955A (zh) | 2016-02-26 | 2017-02-17 | 薄膜電晶體 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016035806 | 2016-02-26 | ||
JP2016035806 | 2016-02-26 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017157813A true JP2017157813A (ja) | 2017-09-07 |
JP2017157813A5 JP2017157813A5 (ja) | 2019-10-03 |
JP6875088B2 JP6875088B2 (ja) | 2021-05-19 |
Family
ID=59810845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016182146A Active JP6875088B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-09-16 | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190051758A1 (ja) |
JP (1) | JP6875088B2 (ja) |
KR (1) | KR102218802B1 (ja) |
CN (1) | CN108780817B (ja) |
TW (2) | TW202006955A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019009435A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ、その製造方法及び表示装置 |
WO2019216209A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ |
US11205729B2 (en) | 2018-03-07 | 2021-12-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US11417774B2 (en) | 2017-05-31 | 2022-08-16 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor, gate driver including the same, and display device including the gate driver |
JP7462438B2 (ja) | 2019-06-11 | 2024-04-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体薄膜及びそれを用いた薄膜トランジスタ、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113972285A (zh) * | 2021-10-25 | 2022-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010118407A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エッチング耐性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP2012253372A (ja) * | 2009-09-16 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体層 |
WO2013180141A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタ、表示装置およびスパッタリングターゲット |
JP2014225626A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-12-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP2015029051A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-02-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2015165582A (ja) * | 2009-07-03 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102867855B (zh) | 2004-03-12 | 2015-07-15 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
JP5690063B2 (ja) | 2009-11-18 | 2015-03-25 | 出光興産株式会社 | In−Ga−Zn系酸化物焼結体スパッタリングターゲット及び薄膜トランジスタ |
JP2011174134A (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | In−Ga−Sn系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体膜、及び半導体素子 |
JP5606787B2 (ja) * | 2010-05-18 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、x線センサー及びx線デジタル撮影装置 |
JP2012114367A (ja) | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 錫を含む非晶質酸化物薄膜、及び薄膜トランジスタ |
CN102832109A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 广东中显科技有限公司 | 一种制备柔性薄膜晶体管过程强化薄膜的方法 |
US9224820B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-12-29 | Samsung Corning Advanced Glass, Llc | Oxide semiconductor sputtering target, method of manufacturing thin-film transistors using the same, and thin film transistor manufactured using the same |
JP6002088B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2016-10-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
US9202926B2 (en) * | 2012-06-06 | 2015-12-01 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor |
JP2014175504A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP2014229666A (ja) | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 出光興産株式会社 | 薄膜トランジスタ |
CN103968306A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 背光模组以及液晶显示器 |
-
2016
- 2016-09-16 JP JP2016182146A patent/JP6875088B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-02 US US16/079,915 patent/US20190051758A1/en not_active Abandoned
- 2017-02-02 CN CN201780013390.8A patent/CN108780817B/zh active Active
- 2017-02-02 KR KR1020187024429A patent/KR102218802B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-17 TW TW108142764A patent/TW202006955A/zh unknown
- 2017-02-17 TW TW106105158A patent/TW201735359A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010118407A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エッチング耐性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
JP2015165582A (ja) * | 2009-07-03 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012253372A (ja) * | 2009-09-16 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体層 |
WO2013180141A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタ、表示装置およびスパッタリングターゲット |
JP2014225626A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-12-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
JP2015029051A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-02-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11417774B2 (en) | 2017-05-31 | 2022-08-16 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor, gate driver including the same, and display device including the gate driver |
US11791418B2 (en) | 2017-05-31 | 2023-10-17 | Lg Display Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device |
US11201248B2 (en) | 2017-06-27 | 2021-12-14 | Lg Display Co., Ltd. | Thin-film transistor including oxide semiconductor layer, method of manufacturing the same, and display apparatus including the same |
US10608117B2 (en) | 2017-06-27 | 2020-03-31 | Lg Display Co., Ltd. | Thin-film transistor including oxide semiconductor layer, method of manufacturing the same, and display apparatus including the same |
JP2019009435A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ、その製造方法及び表示装置 |
US11205729B2 (en) | 2018-03-07 | 2021-12-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
KR20200136988A (ko) * | 2018-05-09 | 2020-12-08 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 산화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 |
CN112088432A (zh) * | 2018-05-09 | 2020-12-15 | 株式会社神户制钢所 | 含有氧化物半导体层的薄膜晶体管 |
JP7063712B2 (ja) | 2018-05-09 | 2022-05-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ |
KR102406298B1 (ko) * | 2018-05-09 | 2022-06-10 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 산화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 |
JP2019197798A (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ |
US11515429B2 (en) | 2018-05-09 | 2022-11-29 | Kobe Steel, Ltd. | Thin film transistor including oxide semiconductor layer |
WO2019216209A1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ |
CN112088432B (zh) * | 2018-05-09 | 2024-02-27 | 株式会社神户制钢所 | 含有氧化物半导体层的薄膜晶体管 |
JP7462438B2 (ja) | 2019-06-11 | 2024-04-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体薄膜及びそれを用いた薄膜トランジスタ、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108780817B (zh) | 2022-06-14 |
TW201735359A (zh) | 2017-10-01 |
JP6875088B2 (ja) | 2021-05-19 |
KR102218802B1 (ko) | 2021-02-22 |
CN108780817A (zh) | 2018-11-09 |
US20190051758A1 (en) | 2019-02-14 |
KR20180109961A (ko) | 2018-10-08 |
TW202006955A (zh) | 2020-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5977569B2 (ja) | 薄膜トランジスタ構造、ならびにその構造を備えた薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
JP6875088B2 (ja) | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ | |
JP6326270B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
WO2012091126A1 (ja) | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ | |
WO2013180141A1 (ja) | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタ、表示装置およびスパッタリングターゲット | |
JP6659255B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
JP2017188683A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
WO2014061638A1 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
WO2017175731A1 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
WO2014136659A1 (ja) | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
JP2017069585A (ja) | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ | |
WO2013081128A1 (ja) | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物薄膜、薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
JP7384777B2 (ja) | 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット | |
WO2014136660A1 (ja) | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
WO2017145695A1 (ja) | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ | |
WO2020166269A1 (ja) | 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット | |
WO2016194795A1 (ja) | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ | |
TWI834014B (zh) | 氧化物半導體薄膜、薄膜電晶體及濺鍍靶 | |
WO2019216209A1 (ja) | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ | |
JP2020205404A (ja) | 酸化物半導体薄膜及びそれを用いた薄膜トランジスタ、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP2022076351A (ja) | 酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6875088 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |