JP2017157691A - 圧電デバイス、memsデバイス、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 - Google Patents

圧電デバイス、memsデバイス、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 Download PDF

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Abstract

【課題】圧電体層の保護を行うと共に変位低下を抑制した圧電デバイス、MEMSデバイス、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】圧電体層70と、第1耐湿層201と、第2耐湿層202とがこの順に積層された圧電デバイスであって、前記第1耐湿層201は、前記第2耐湿層202よりも柔軟性が高く、前記第2耐湿層202は、前記第1耐湿層201よりも透湿性が低い材料である。
【選択図】 図4

Description

本発明は、圧電体層を有する圧電デバイス、圧電デバイスを有するMEMSデバイス、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関する。
圧電デバイスに用いられる圧電素子としては、電気機械変換機能を呈する圧電材料、例えば、結晶化した誘電材料からなる圧電体層を、下電極と上電極との2つの電極で挟んで構成されたものがある。このような圧電素子は、一般的に、撓み振動モードのアクチュエータ装置と呼ばれ、例えば、液体噴射ヘッド等に搭載されて使用されている。なお、液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッド等がある。
また、インクジェット式記録ヘッド等に用いられる圧電デバイスとしては、圧電材料で形成された圧電体層と、圧電体層を覆う保護膜とを具備するものが提案されている(例えば、特許文献1及び2等参照)。
特開2008−173924号公報 特開2015−208882号公報
しかしながら、圧電体層を保護膜で覆うと、保護膜が圧電体層の変位を阻害し、所望の変位特性を得ることができないという問題がある。
また、保護膜による圧電体層の変位の阻害を抑制するために、保護膜の膜厚を薄くすると、保護膜によって圧電体層を大気中の水分などの環境から確実に保護することができないという問題がある。
なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに用いられる圧電デバイスに限定されず、他の圧電デバイスにおいても同様に存在する。
本発明はこのような事情に鑑み、圧電体層の保護を行うと共に変位低下を抑制した圧電デバイス、MEMSデバイス、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層と、第1耐湿層と、第2耐湿層とがこの順に積層された圧電デバイスであって、前記第1耐湿層は、前記第2耐湿層よりも柔軟性が高く、前記第2耐湿層は、前記第1耐湿層よりも透湿性が低い材料であることを特徴とする圧電デバイスにある。
かかる態様では、第2耐湿層を設けることで、圧電体層の水分に起因する破壊を抑制することができる。また、第1耐湿層を設けることで、耐湿層が圧電体層の変形を阻害するのを抑制することができる。
ここで、前記第1耐湿層が、前記第2耐湿層よりもヤング率が低いことが好ましい。これによれば、第1耐湿層及び第2耐湿層が圧電体層の変形を阻害するのを抑制することができる。
また、前記第2耐湿層が、前記第1耐湿層よりも膜厚が薄いことが好ましい。これによれば、水蒸気が拡散し難い材料は一般的に硬い材料が多いため、比較的硬い材料で形成された第2透湿層を薄くすることで、第1耐湿層及び第2耐湿層が圧電体層の変形を阻害するのを抑制することができる。
また、前記第2耐湿層が金属であることが好ましい。これによれば、金属は水分が拡散し難く、圧電体層の水分に起因する破壊を抑制することができる。
また、前記第1耐湿層が、有機化合物であることが好ましい。これによれば、比較的軟らかい材料を用いることで、第1耐湿層が圧電体層の変形を阻害するのを抑制することができる。
また、前記第1耐湿層がポリイミドであることが好ましい。これによれば、比較的軟らかい材料を用いることで、第1耐湿層が圧電体層の変形を阻害するのを抑制することができる。
また、前記第2耐湿層がクロムであることが好ましい。これによれば、第2耐湿層によって圧電体層の水分に起因する破壊を抑制することができる。
さらに、本発明の他の態様は、圧電体層と第1耐湿層と第2耐湿層とがこの順に積層された圧電デバイスであって、前記第1耐湿層は、前記第2耐湿層よりも柔軟性が高く、前記第2耐湿層が水蒸気により酸化する材料であることを特徴とする圧電デバイスにある。
かかる態様では、第2耐湿層を設けることで、第2耐湿層が水分をトラップして、第2耐湿層の内側に水分が透過するのを抑制することができ、圧電体層の水分に起因する破壊を抑制することができる。また、第1耐湿層を設けることで、耐湿層が圧電体層の変形を阻害するのを抑制することができる。
また、本発明の他の態様は、上記態様に記載の圧電デバイスを具備することを特徴とするMEMSデバイスにある。
かかる態様では、圧電体層を保護することができると共に、圧電体層の変形の阻害を抑制したMEMSデバイスを実現できる。
さらに、本発明の他の態様は、上記態様の圧電デバイスを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、圧電体層を保護することができると共に、液体の吐出特性の低下を抑制した液体噴射ヘッドを実現できる。
また、本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、圧電体層を保護することができると共に、液体の吐出特性の低下を抑制した液体噴射装置を実現できる。
本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの分解斜視図である。 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの平面図である。 図2のA−A′線断面図である。 図3のB−B′線断面図である。 本発明の実施形態1に係る記録ヘッドの変形例を示す要部断面図である。 本発明の実施形態1に係る記録装置の概略構成を示す図である。 本発明の実施形態2に係る超音波デバイスの平面図である。 図7のC−C′線断面図である。
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図2は、インクジェット式記録ヘッドの平面図であり、図3は、図2のA−A′線断面図であり、図4は、図3のB−B′線断面図である。
図示するように、インクジェット式記録ヘッドIを構成する流路形成基板10は、ステンレス鋼やNiなどの金属、ZrOあるいはAlを代表とするセラミック材料、ガラスセラミック材料、MgO、LaAlOのような酸化物などを用いることができる。本実施形態では、流路形成基板10は、シリコン単結晶基板からなる。この流路形成基板10には、一方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁によって区画された圧力発生室12がインクを吐出する複数のノズル開口21が並設される方向に沿って並設されている。本実施形態では、この方向を圧力発生室12の並設方向、又は第1の方向Xと称する。また、ノズル開口21が開口する液体噴射面の面内において、第1の方向Xに直交する方向を第2の方向Yと称する。さらに、第1の方向X及び第2の方向Yの双方に交差する方向を本実施形態では、第3の方向Zと称する。なお、本実施形態では、各方向(X、Y、Z)の関係を直交とするが、各構成の配置関係が必ずしも直交するものに限定されるものではない。
また、流路形成基板10には、圧力発生室12の第2の方向Yの一端部側には、インク供給路14と連通路15とが隔壁11によって区画されている。また、連通路15の一端には、各圧力発生室12の共通のインク室(液体室)となるマニホールド100の一部を構成する連通部13が形成されている。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15からなる液体流路が設けられている。
インク供給路14は、圧力発生室12の第2の方向Yの一端部側に連通し且つ圧力発生室12より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路14は、マニホールド100と各圧力発生室12との間の圧力発生室12側の流路を幅方向である第1の方向Xに絞ることで、圧力発生室12の幅より小さい幅で形成されている。なお、このように、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の第1の方向Xの幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向である第3の方向Zから絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路15は、インク供給路14の圧力発生室12とは反対側に連通し、インク供給路14の幅方向(短手方向)より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路15を圧力発生室12と同じ断面積で形成した。
すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12と、圧力発生室12の短手方向の断面積より小さい断面積を有するインク供給路14と、このインク供給路14に連通すると共にインク供給路14の短手方向の断面積よりも大きい断面積を有する連通路15とが複数の隔壁11により区画されて設けられている。
また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。ノズルプレート20としては、例えば、ステンレス鋼(SUS)等の金属、ポリイミド樹脂のような有機物、ガラスセラミックス、又はシリコン単結晶基板等を用いることができる。なお、ノズルプレート20として流路形成基板10と同じシリコン単結晶基板を用いることで、ノズルプレート20と流路形成基板10との線膨張係数を同等として、加熱や冷却されることによる反りや熱によるクラック、剥離等の発生を抑制することができる。
一方、流路形成基板10のノズルプレート20とは反対側には、振動板50が形成されている。本実施形態では、振動板50として、流路形成基板10側に設けられた酸化シリコンからなる弾性膜51と、弾性膜51上に設けられた酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜52と、を設けるようにした。なお、圧力発生室12等の液体流路は、流路形成基板10をノズルプレート20が接合された面側から異方性エッチングすることにより形成されており、圧力発生室12等の液体流路の他方面は、弾性膜51によって画成されている。
また、振動板50の絶縁体膜52上には、第1電極60と、圧電体層70と、第2電極80とが、本実施形態では、成膜及びリソグラフィー法によって積層形成されて圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を活性部320という。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、第1電極60が、複数の圧力発生室12に亘って連続して設けられているため、第1電極60が振動板の一部として機能するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、上述の弾性膜51及び絶縁体膜52の何れか一方又は両方を設けずに、第1電極60のみが振動板として作用するようにしてもよい。
このような圧電素子300を構成する圧電体層70の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。
このような圧電体層70は、第2電極80と共に圧力発生室12毎に切り分けられて形成されている。すなわち、第1電極60は、複数の圧力発生室12に亘って連続して設けられており、複数の活性部320の共通電極として機能する。また、圧電体層70及び第2電極80は、圧力発生室12毎に切り分けられており、第2電極80が各活性部320の個別電極として機能する。つまり、各圧電素子300は、第2電極80が圧電体層70の第3の方向Zにおける流路形成基板10とは反対側の面のみに設けられており、圧電体層70の側面、すなわち、第1の方向X及び第2の方向Yに交差する方向の面は第2電極80によって覆われていない。
このような圧電素子300は、耐湿層200によって覆われている。耐湿層200は、本実施形態では、圧電体層70側に設けられた第1耐湿層201と、第1耐湿層201の圧電体層70とは反対面側に設けられた第2耐湿層202とを有する。すなわち、圧電体層70と、第1耐湿層201と、第2耐湿層202とがこの順で積層されている。
このような耐湿層200は、少なくとも活性部320において、圧電体層70の第2電極80によって覆われていない側面のみを覆っていればよい。本実施形態では、第1耐湿層201は、流路形成基板10の圧電素子300側の全面に設けるようにした。つまり、第1耐湿層201は、圧電体層70及び第2電極80の側面と、第2電極80の上面とを覆い、且つ複数の圧電素子300に亘って連続して設けるようにした。これにより、本実施形態では、第1の方向Xで互いに隣り合う2つの圧電素子300の間の第1電極60上にも第1耐湿層201が形成されている。
また、第2耐湿層202は、圧電素子300のリード電極90が接続される第2の方向Yの一端部以外の領域、すなわち、活性部320を含む領域に設けるようにした。なお、リード電極90は、詳しくは後述するが、活性部320の外側で第2電極80に接続されているため、この部分に第2耐湿層202を設けないようにしても、第2耐湿層202は、活性部320を含む領域に設けることが可能である。
このように圧電素子300を耐湿層200で覆うことにより、大気中の水分等に起因する圧電素子300の破壊を抑制することができる。
ここで、第1耐湿層201は、絶縁性を有し、且つ第2耐湿層202よりも柔軟性が高い材料からなる。特に、第1耐湿層201は、第2耐湿層202に比べてヤング率が低い材料が好ましい。これにより、第1耐湿層201による圧電素子300の変形の阻害を低減することができる。また、第1耐湿層201として絶縁性を有する材料を用いることで、第1電極60と第2電極80とに亘って連続して第1耐湿層201を形成することができ、第1耐湿層201によって圧電体層70の側面を確実に覆うことができる。さらに、第1耐湿層201は、有機化合物であるのが好ましい。第1耐湿層201に用いられる有機化合物としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、珪素系樹脂、フッ素系樹脂及びポリウレタン樹脂から選択される少なくとも一種が挙げられる。なお、有機絶縁材料からなる第1耐湿層201は、例えば、スピンコーティング法、スプレー法等により形成することができる。このように第1耐湿層201として有機化合物を用いることで、第1耐湿層201として比較的ヤング率が低く、高い柔軟性及び絶縁性を有する材料を用いることができる。ちなみに、第1耐湿層201として用いられるポリイミドとポリウレタン樹脂の物性について下記表1に示す。
Figure 2017157691
なお、第1耐湿層201は、有機化合物に限定されず、無機絶縁材料を用いるようにしてもよい。なお、無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン(SiO)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化タンタル(TaO)、酸化アルミニウム(AlO)及び酸化チタン(TiO)から選択される少なくとも一種が挙げられる。ただし、無機絶縁材料は、一般的に有機化合物に比べてヤング率が高いため、有機化合物に比べて圧電素子300の変位を阻害してしまう。したがって、第1耐湿層201の材料としては、有機化合物を用いるのが好ましい。本実施形態では、第1耐湿層201としてポリイミドを用いた。
第2耐湿層202は、第1耐湿層201よりも透湿性が低い材料からなる。ここで、第2耐湿層202は、第1耐湿層201よりも透湿性が低い材料とは、第2耐湿層202を通過する水蒸気の量が、第1耐湿層201を通過する水蒸気の量よりも少ないことを言う。ちなみに、膜を透過する気体の量は、膜の厚さに反比例し、気体の拡散係数に比例する。したがって、第2耐湿層202として、第1耐湿層201以下の厚さ(第2耐湿層202の厚さ≦第1耐湿層201の厚さ)を用いた場合には、第2耐湿層202は、第1耐湿層201よりも水蒸気の拡散がしづらい材料、すなわち、水蒸気の拡散係数の小さい(第2耐湿層202の拡散係数<第1耐湿層201の拡散係数)とする必要がある。また、第2耐湿層202として、第1耐湿層201よりも厚い(第2耐湿層202の厚さ>第1耐湿層201の厚さ)ものを用いた場合には、第2耐湿層202は、第1耐湿層201よりも水蒸気が拡散しやすい材料(第2耐湿層202の拡散係数>第1耐湿層201の拡散係数)を用いることも可能であるが、第1耐湿層201として第2耐湿層202よりもヤング率が低い材料を用いる場合には、第2耐湿層202の厚さが増すことで耐湿層201全体のヤング率が高くなり、圧電素子300の変位を阻害してしまうため好ましくない。したがって、第2耐湿層202は、第1耐湿層201よりも水蒸気が拡散しづらい材料を用いるのが好ましい。また、第1耐湿層201として、第2耐湿層202よりもヤング率が低い材料を用いた場合には、第2耐湿層202の厚さtは、第1耐湿層201の厚さtよりも薄くするのが好ましい(第2耐湿層202の厚さt<第1耐湿層201の厚さt)。これにより、耐湿層200全体のヤング率が高くなるのを抑制して、耐湿層200が圧電素子300の変位を阻害するのを抑制することができる。
このような第2耐湿層202としては、有機化合物や無機材料を用いることができる。有機化合物としては、例えば、上述した第1耐湿層201と同様の材料を用いることができる。また、無機材料としては、例えば、金属又は金属を含む化合物や、第1耐湿層201で例示したものと同様の無機絶縁材料を用いることができる。すなわち、第2耐湿層202に用いられる無機材料としては、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、銅(Cu)、酸化シリコン(SiO)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化タンタル(TaO)、酸化アルミニウム(AlO)及び酸化チタン(TiO)から選択される少なくとも一種が挙げられる。
すなわち、第2耐湿層202は、圧電素子300のリード電極90が接続される第2の方向Yの端部に設けられていないため、導電性を有する材料及び絶縁性を有する材料のどちらも用いることができる。ちなみに、第2耐湿層202として絶縁性を有する材料を用いた場合には、第2耐湿層202を第1耐湿層201の表面の全面に亘って形成することも可能である。
また、第2耐湿層202としては、水蒸気により酸化する材料を用いることができる。水蒸気により酸化する材料としては、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)等が挙げられる。このように第2耐湿層202として、水蒸気により酸化する材料を用いることで、第2耐湿層202が水分をトラップして、第2耐湿層202の内側に水分が透過するのを抑制することができる。本実施形態では、第2耐湿層202として、クロム(Cr)を用いた。
ここで、第2耐湿層202として用いられるニッケル(Ni)、クロム(Cr)、銅(Cu)、酸化ジルコニウム(ZrO)及び酸化アルミニウム(Al)の物性について下記表2に示す。
Figure 2017157691
このように、圧電体層70を保護する耐湿層200として、柔軟性が高い第1耐湿層201を設けることで、耐湿層200が圧電素子300の変位を阻害するのを抑制することができ、圧電素子300の所望の変位特性を得て、所望のインク(液体)の噴射特性を得ることができる。
また、耐湿層200として、第1耐湿層201よりも水蒸気の拡散しづらい材料からなる第2耐湿層202を設けることで、耐湿層200によって圧電体層70の大気中の水分等の外部環境から保護して、圧電体層70の表面に水分に起因するリーク電流の発生を抑制することができる。
ちなみに、圧電素子300上に第1耐湿層201のみを設けた場合、圧電素子300の変形の阻害をより低減できるものの、第1耐湿層201のみでは、圧電体層70を水分から十分に保護することができなくなってしまう。また、圧電素子300上に第2耐湿層202のみを設けた場合、圧電体層70を水分から保護することはできるものの、圧電素子300の変形が阻害されて、所望の変位特性を得ることができなくなってしまう。また、第2耐湿層202のみを設ける場合には、第2耐湿層202が第1電極60と第2電極80とを短絡しないように絶縁材料を用いる必要があり、材料が制限されてしまう。本実施形態では、耐湿層200として、柔軟性が高い第1耐湿層201と、水蒸気の拡散しづらい材料からなる第2耐湿層202とを積層することで、圧電体層70を水分から確実に保護することができると共に、耐湿層200全体の剛性が高くなるのを抑制して、耐湿層200が圧電素子300の変形を阻害するのを抑制することができる。また、第1耐湿層201として絶縁材料を用いることで、第2耐湿層202として導電材料を用いることができ、第2耐湿層202として水蒸気がより拡散しづらい材料を用いることが可能となる。
このような耐湿層200を構成する第1耐湿層201上には、例えば、金(Au)等からなるリード電極90が設けられている。リード電極90は、第1耐湿層201に設けられたコンタクトホール205を介して一端部が第2電極80に接続されると共に、他端部が流路形成基板10のインク供給路14側まで延設され、延設された先端部は、後述する圧電素子300を駆動する駆動回路120と接続配線121を介して接続されている。なお、第2耐湿層202は、上述したように、リード電極90が形成された領域には形成されていない。このため、リード電極90と第1電極60とが第2耐湿層202によって短絡するのを抑制することができる。
さらに、圧電素子300が形成された流路形成基板10上には、連通部13に対向する領域にマニホールド部31が設けられた保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、上述したように、流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通の液体室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材(例えば、振動板50)にマニホールドと各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。
また、保護基板30には、圧電素子300に対向する領域に、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。なお、圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
さらに、保護基板30の圧電素子保持部32とマニホールド部31との間の領域には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられ、この貫通孔33内に第1電極60の一部及びリード電極90の先端部が露出されている。
また、保護基板30上には、圧電素子300を駆動するための駆動回路120が実装されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路(IC)等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とはボンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。
保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料、酸化物等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同じシリコン単結晶基板を用いた。
また、保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料(例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム)からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料(例えば、厚さが30μmのステンレス鋼(SUS)等)で形成される。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、振動板50、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
なお、本実施形態では、耐湿層200として、第1耐湿層201と第2耐湿層202とを設けるようにしたが、特にこれに限定されず、耐湿層200は、3層以上が積層されたものであってもよい。
また、本実施形態では、耐湿層200を第2電極80の上面、すなわち、第3の方向Zにおいて流路形成基板10とは反対側の表面の略中心領域である主要部に設けるようにしたが、特にこれに限定されず、耐湿層200は、少なくとも活性部320において、圧電体層70の第2電極80によって覆われていない側面のみを覆っていればよい。ここで、耐湿層200の変形例を図5に示す。なお、図5は、本発明の実施形態1に係る耐湿層の変形例を示す記録ヘッドの要部断面図である。
図5に示すように、圧電素子300の第2電極80の上面、すなわち、第3の方向Zにおいて流路形成基板10とは反対側の表面の略中心領域である主要部は、耐湿層200が設けられておらず、耐湿層200には、第2電極80の上面の主要部を開口する開口部206が設けられている。開口部206は、耐湿層200を第3の方向Zに貫通して、圧電素子300の第2の方向Yに沿って矩形状に開口して設けられている。すなわち、本実施形態の耐湿層200は、圧電体層70の側面と、第2電極80の側面及び上面の周縁部を覆って設けられている。
このように、耐湿層200に開口部206を設けたとしても、圧電体層70の側面を耐湿層200で覆うことにより、圧電体層70の水分に起因する破壊を抑制することができると共に耐湿層200が圧電素子300の変形を阻害するのを抑制することができる。
また、開口部206を設けることで、さらに耐湿層200が圧電素子300(活性部320)の変形を阻害するのを抑制して、変位特性を向上することができる。
なお、図5に示す例では、耐湿層200は第1耐湿層201と第2耐湿層202とを積層したものであるが、特にこれに限定されず、耐湿層200は、3層以上が積層されたものであってもよい。
さらに、本実施形態では、耐湿層200は、第1の方向Xで隣り合う圧電素子300の間に連続して設けるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、耐湿層200は、第1の方向Xで隣り合う圧電素子300の間で不連続となるように設けられていてもよい。このような構成としても、圧電体層70の側面を耐湿層200で覆うことにより、圧電体層70の水分に起因する破壊を抑制することができると共に耐湿層200が圧電素子300の変形を阻害するのを抑制することができる。なお、開口部206が設けられていない上述した実施形態1の耐湿層200においても、第1の方向Xで隣り合う圧電素子300の間で不連続となるように設けられていてもよい。
また、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備するインクジェット式記録ヘッドユニットの一部を構成して、液体噴射装置の一例であるインクジェット式記録装置に搭載される。図6は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
図6に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、複数のインクジェット式記録ヘッドIを有するインクジェット式記録ヘッドユニット1(以下、ヘッドユニット1とも言う)は、インク供給手段を構成するインクカートリッジ2が着脱可能に設けられ、このヘッドユニット1を搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。
そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、ヘッドユニット1を搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4には搬送手段としての搬送ローラー8が設けられており、紙等の記録媒体である記録シートSが搬送ローラー8により搬送されるようになっている。なお、記録シートSを搬送する搬送手段は、搬送ローラーに限られずベルトやドラム等であってもよい。
(実施形態2)
以下、本発明の一実施形態である超音波センサーについて説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であることとは限らない。また、上述した実施形態1と同一の部材には同一の符号をつけて重複する説明は省略する。
本実施形態においては、超音波の発信と受信は圧電効果を利用する電気音響変更器を用いて行われる。係る電気音響変換器は、圧電素子であり、超音波発信時には電気エネルギーを機械エネルギーに変換(逆圧電効果)を利用し、圧電体層の収縮と伸長による変化は、振動板を振動させるように励起させることによって超音波を発信する。従ってこの場合は、圧電素子は発信用超音波トランスデューサーである。
更に被検出体から反射された超音波を受信するには機械エネルギーを電気エネルギーに変換(正圧電効果)を利用し、圧電体層の変形によって電気エネルギーが生成され、電気エネルギーの信号を検出する。従ってこの場合は、圧電素子は受信用超音波トランスデューサーである。
なお、本実施形態においては、圧電素子(超音波トランスデューサー)とは、振動板と、振動板上に設けられた第1電極と、第1電極上に設けられた圧電体層と、圧電体層上に設けられた第2電極と、を具備するものである。なお、第1電極を振動板として使用することも可能である。
図7は、本発明の実施形態2に係る超音波トランスデューサーを搭載する超音波デバイスの平面図であり、図8は、図7のC−C′線断面図である。
図7に示すように、複数の発信用超音波トランスデューサー301と受信用超音波トランスデューサー302とが基板開口部12を有する基板10上にアレイ状に設けられ、超音波デバイス400(アレイセンサー)を成している。複数の発信用超音波トランスデューサー301及び複数の受信用超音波トランスデューサー302を列ごとに交互に配置し、トランスデューサーの列ごとに通電は切り替えられる。こうした通電の切り替えに応じてラインスキャンやセクタースキャンは実現される。また、通電するトランスデューサーの個数と列数とに応じて超音波の出力と入力のレベルが決定される。図中では省略されて6行×6列が描かれる。配列の行数と列数はスキャンの範囲の広がりに応じて決定される。
なお、発信用超音波トランスデューサー301と受信用超音波トランスデューサー302とをトランスデューサーごとに交互に配置することも可能である。この場合は、発信側と受信側の中心軸を合わせた超音波発信・受信源とすることで発信・受信の指向角を合わせ易いものとする。
また、本実施形態は、デバイスの小型化のため、一枚の基板10上に発信用超音波トランスデューサー301と受信用超音波トランスデューサー302との両方を配置したが、超音波トランスデューサーの機能に応じて発信用超音波トランスデューサー301と受信用超音波トランスデューサー302とはそれぞれ独立の基板上に配置するか、或いは用途に応じて複数枚の基板を用いることも可能である。更に発信と受信の時間差を利用して一つの超音波トランスデューサーに発信と受信との機能を両方備えることも可能である。
図8において、超音波変換器として使用可能な実施例としては、例えば、基板10は(100)、(110)或いは(111)配向を有する単結晶シリコンによって構成される。または、シリコン材料以外にもZrOあるいはAlを代表とするセラミック材料、ガラスセラミック材料、MgO、LaAlOのような酸化物基板材料、SiC、SiO、多結晶シリコン、Siのような無機材料も使用できる。または、これらの材料の組合せによる積層材料でもよい。
基板10の上方(圧電体層70側)に振動板50が形成されている。振動板50は基板10の一部を薄化して用いることは可能であるが、圧電体層70或いは第1電極60を用いてもよい。更に別の材料を用いて製膜することも可能である。この場合は、例えば、SiO、SiC、Siのようなシリコン化合物、多結晶シリコン、ZrO、Alのようなセラミック材料、MgO、LaAlO、TiOのような酸化物にしてもよい。膜厚と材料の選定は、共振周波数に基づき決定する。なお、圧電体層70側の振動板50の表面層は、圧電体層材料の拡散を防止できる材料、例えばZrOなどを用いることが好ましい。この場合は、圧電体層の圧電特性が向上させることによってトランスデューサーの発信と受信特性の向上にも繋がる。
基板10には、開口である基板開口部12が形成されている。基板開口部12は、基板材料に応じてエッチング、研磨、レーザー加工などの加工方法を用いて形成することができる。
第1電極60、圧電体層70及び第2電極80については上述した実施形態1と同様のため、構成の説明は省略する。なお、実施形態1に対して、超音波デバイスはインクジェット式記録ヘッドIに代表される液体噴射ヘッドに比べてより高周波数領域で駆動する必要が有るため、圧電体層70、振動板50と各電極材料の厚み及びヤング率などの物性値を調整してもよい。
さらに、発信用超音波トランスデューサー301と受信用超音波トランスデューサー302とにそれぞれ配線(図示略)が接続され、各配線はフレキシブルプリント基板(図示略)等を介して制御基板(図示略)の端子部(図示略)に接続されている。制御基板には演算部、記憶部などからなる制御部(図示略)が設けられている。制御部は、発信用超音波トランスデューサー301に入力する入力信号を制御すると共に、受信用超音波トランスデューサー302から出力された出力信号を処理するように構成されている。
このように、本願の超音波デバイス400では、バルク型圧電体セラミックスなどを利用したセンサーに比べてMEMSの技術を用いて作成した圧電素子300を狭いピッチ(高分解能)で配置でき、且つ駆動電圧が低いため、デバイスと該デバイスを搭載する装置の小型化、薄型化と省エネルギー化に効果がある。また、圧電素子300間の製造ばらつきが少ないため、認識精度が高くなる効果もある。
また、圧電体層70の膜厚を薄くすることによって変位特性を向上させ、超音波の発信と受信の効率を向上できる効果が得られる。
さらに、本実施形態では、圧電素子300上には、耐湿層200が設けられている。耐湿層200は、上述した実施形態1と同様に第1耐湿層201と第2耐湿層202とを有する。耐湿層200の材料は、上述した実施形態1と同様であるため重複する説明は省略する。なお、耐湿層200は、上述した実施形態1と同様に、少なくとも圧電体層70の側面上のみに形成されていればよく、耐湿層200に開口部206を設けるようにしてもよい。
このように耐湿層200を設けることで、耐湿層200が超音波トランスデューサー301、302の高周波駆動を阻害するのを抑制すると共に水分に起因する破壊を抑制することができる。
(他の実施形態)
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。
上述した実施形態1及び2では、耐湿層200として、第1耐湿層201、第2耐湿層202を有するものを例示したが、特にこれに限定されず、耐湿層200は、3層以上が積層されたものであってもよい。
なお、上述した実施形態1では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED(電界放出ディスプレイ)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
また、本発明は、広くMEMSデバイスを対象としたものであり、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドや超音波センサー以外のMEMSデバイスに用いられる圧電デバイスにも適用することができる。MEMSデバイスの一例としては、超音波モーター、圧電トランス、赤外線センサー、圧力センサー、焦電センサー、感熱センサーなどが挙げられる。なお、本願発明の圧電デバイスとは、圧電体層70と第1耐湿層201と第2耐湿層202とがこの順で積層されたものを言う。
I…インクジェット式記録ヘッド(液体噴射ヘッド)、10…流路形成基板(基板)、12…圧力発生室(基板開口部)、13…連通部、14…インク供給路、15…連通路、20…ノズルプレート、21…ノズル開口、30…保護基板、31…マニホールド部、32…圧電素子保持部、40…コンプライアンス基板、50…振動板、60…第1電極、70…圧電体層、80…第2電極、90…リード電極、100…マニホールド、120…駆動回路、121…接続配線、200…耐湿層、201…第1耐湿層、202…第2耐湿層、205…コンタクトホール、206…開口部、300…圧電素子、301…発信用超音波トランスデューサー、302…受信用超音波トランスデューサー、320…活性部

Claims (11)

  1. 圧電体層と、第1耐湿層と、第2耐湿層とがこの順に積層された圧電デバイスであって、
    前記第1耐湿層は、前記第2耐湿層よりも柔軟性が高く、
    前記第2耐湿層は、前記第1耐湿層よりも透湿性が低い材料であることを特徴とする圧電デバイス。
  2. 前記第1耐湿層が、前記第2耐湿層よりもヤング率が低いことを特徴とする請求項1記載の圧電デバイス。
  3. 前記第2耐湿層が、前記第1耐湿層よりも膜厚が薄いことを特徴とする請求項1又は2記載の圧電デバイス。
  4. 前記第2耐湿層が金属であることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の圧電デバイス。
  5. 前記第1耐湿層が、有機化合物であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の圧電デバイス。
  6. 前記第1耐湿層がポリイミドであることを特徴とする請求項5に記載の圧電デバイス。
  7. 前記第2耐湿層がクロムであることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の圧電デバイス。
  8. 圧電体層と第1耐湿層と第2耐湿層とがこの順に積層された圧電デバイスであって、
    前記第1耐湿層は、前記第2耐湿層よりも柔軟性が高く、
    前記第2耐湿層が水蒸気により酸化する材料であることを特徴とする圧電デバイス。
  9. 請求項1〜8の何れか一項に記載の圧電デバイスを具備することを特徴とするMEMSデバイス。
  10. 請求項1〜8の何れか一項に記載の圧電デバイスを具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
  11. 請求項10に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
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