JP2017152354A - 異方性導電フィルム - Google Patents

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Abstract

【課題】脂環式エポキシ化合物を使用するカチオン重合性の異方性導電フィルムに対し、今までと変わらない硬化温度と接続信頼性とを担保しながらも、今まで以上に優れた保管ライフ性を実現できるようにする。
【解決手段】成膜用成分とカチオン重合性成分とを含有するバインダ組成物と、カチオン重合開始剤と、導電粒子とを含有する異方性導電フィルムは、カチオン重合開始剤として、第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤を使用し、カチオン重合成分として、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物とを含有している。
【選択図】なし

Description

本発明は、異方性導電フィルムに関する。
従来より、ＩＣチップなどの電子部品を配線基板に実装する際に、重合性化合物を含有する絶縁性のバインダ組成物に導電粒子が分散している異方性導電フィルムが広く用いられている。このような異方性導電フィルムには、低温速硬化性を実現するために、重合性化合物として、汎用のグリシジルエーテル系化合物よりもカチオン重合反応性の高い脂環式エポキシ化合物を使用すると共に、酸素による重合阻害がなく、暗反応性を示す重合開始剤として、熱によりプロトンを発生するスルホニウム塩系熱酸発生剤を使用することが提案されている（特許文献1〜３）。このような、脂環式エポキシ化合物とスルホニウム塩系熱酸発生剤とを含有する従来の異方性導電フィルムは、比較的低温（例えば１００℃程度）の硬化温度を示している。
特開平９−１７６１１２号公報 特開２００８−３０８５９６号公報 国際公開２０１２／０１８１２３号
しかしながら、前述したような異方性導電フィルムについては、商取引の国際化等により製造から実使用までの時間が長くなるという問題や、また、空調が整備されていない倉庫で保管される場合があるといった問題があり、仮貼り性や圧痕等の観点からの保存安定性（保管ライフ性）の低下や、密着特性等の観点からの接続信頼性の低下が懸念されるようになっている。
本発明の課題は、脂環式エポキシ化合物を使用するカチオン重合性の異方性導電フィルムに対し、従前と変わらない硬化温度と接続信頼性とを担保しながらも、今まで以上に優れた保管ライフ性を実現できるようにすることである。
本発明者は、カチオン重合性化合物として、脂環式エポキシ化合物に加えて低極性オキセタン化合物を特定割合で併用し、且つカチオン重合開始剤として、スルホニウム塩系熱酸発生剤に代えて第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤を使用することにより、今までと変わらない硬化温度と接続信頼性とを担保しながらも、今まで以上に優れた保管ライフ性を実現できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、成膜用成分とカチオン重合性成分とを含有するバインダ組成物と、カチオン重合開始剤と、導電粒子とを含有する異方性導電フィルムであって、
カチオン重合開始剤が、第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤であり、カチオン重合性成分が、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物とを含有している異方性導電フィルムを提供する。
また、本発明は、上述の異方性導電フィルムで、第１電子部品と第２電子部品とが異方性導電接続されている接続構造体を提供する。
成膜用成分とカチオン重合性成分とを含有するバインダ組成物と、カチオン重合開始剤と、導電粒子とを含有する本発明の異方性導電フィルムは、カチオン重合開始剤として、第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤を使用し、カチオン重合性成分として、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物とを含有している。このため、今までと変わらない硬化温度と接続信頼性とを担保しながらも、今まで以上に優れた保管ライフ性を実現できる。
以下、本発明の一例を、詳細に説明する。
＜異方性導電フィルム＞
本発明の異方性導電フィルムは、成膜用成分とカチオン重合性成分とを含有するバインダ組成物と、カチオン重合開始剤と、導電粒子とを含有している。
（バインダ組成物）
本発明において、導電粒子を含有保持するバインダ組成物は、成膜用成分とカチオン重合性成分とを含有している。
（成膜用成分）
成膜用成分は、異方性導電フィルムをフィルム化するために使用される成分であり、膜形成能を有する成分である。このような成膜用成分としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。これらの中でも、製膜性、加工性、接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を好ましく使用することができる。
バインダ組成物中の成膜用成分の配合割合は、好ましくは１０〜７０質量％、より好ましくは２０〜５０質量％である。この範囲であれば、十分なフィルム形成能を発揮することができる。
（カチオン重合性成分）
カチオン重合性成分は、異方性導電フィルムを硬化させる成分であり、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物とを含有している。バインダ組成物中におけるカチオン重合性成分の配合量は、好ましくは１０〜８０質量％、より好ましくは２０〜６０質量％である。この範囲であれば、より高い硬化速度を有するバインダ組成物を与えることができる。
（脂環式エポキシ化合物）
脂環式エポキシ化合物を使用する理由は、汎用のグリシジルエーテル型エポキシ化合物よりも高いその反応性を利用して、異方性導電フィルムに良好な低温速硬化性を付与するためである。このような脂環式エポキシ化合物としては、分子内に２つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく挙げられる。これらは液状であっても、固体状であってもよい。具体的には、ジグリシジルヘキサヒドロビスフェノールＡ、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３′，４′−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ジエポキシビシクロヘキシル等を挙げることができる。中でも、硬化物の光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、ジグリシジルヘキサヒドロビスフェノールＡ、中でもジエポキシビシクロヘキシルを好ましく使用することができる。
（低極性オキセタン化合物）
本発明においては、脂環式エポキシ化合物に低極性オキセタン化合物を併用する。低極性オキセタン化合物は、双極子モーメントが３．０ｄ以下のオキセタン化合物であり、表面張力が比較的低く、異方性導電フィルムの膜に良好なレベリング性を付与することができ、結果的に異方性導電フィルムの保管ライフ性を向上させることが可能となる。他方、低極性オキセタン化合物は、脂環式エポキシ化合物に由来する異方性導電フィルムの示差走査熱量計（ＤＳＣ）で測定される反応開始温度と反応終了温度とを上昇させる作用を有する。このような低極性オキセタン化合物としては、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、ジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、４，４′−ビス[（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル]ビフェニル等が挙げられる。なかでも、表面張力が低く、濡れ性に優れることから、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、特に４，４′−ビス[（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル]ビフェニルが好ましい。
脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物との配合割合は、質量基準で好ましくは２５：７５〜６０：４０、より好ましくは４５：５５〜６０：４０、特に好ましくは５０：５０〜５５：４５である。この範囲よりも低極性オキセタン化合物の配合量が増加すると、反応開始温度と反応終了温度とを上昇させる傾向があり、逆に減少すると保管ライフが低下する傾向がある。従って、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物との配合割合を調整することにより、異方性導電フィルムの反応開始温度と反応終了温度とをコントロールすることが可能となり、更に、反応時の昇温速度等を調整することにより、反応時間をコントロールすることも可能となる。
バインダ組成物は、必要に応じ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂等の他のエポキシ樹脂、シランカップリング剤、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを含有することができる。また、必要に応じて、（メタ）アクリレート化合物とラジカル重合開始剤とを含有することができる。ここで、（メタ）アクリレート化合物としては、従来公知の（メタ）アクリレートモノマーを使用することができる。例えば、単官能（メタ）アクリレート系モノマー、二官能以上の多官能（メタ）アクリレート系モノマーを使用することができる。ここで、（メタ）アクリレートには、アクリレートとメタクリレートとが包含される。また、ラジカル重合開始剤としては、有機過酸化物、アゾビスブリトニトリル等の公知のラジカル重合開始剤を含有することができる。
（導電粒子）
本発明の異方性導電フィルムは、異方性導電接続を可能とするために、バインダ組成物中に導電粒子を含有する。導電粒子としては、従来公知の異方性導電フィルムに用いられているものの中から適宜選択して使用することができる。例えばニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、ハンダなどの合金粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。２種以上を併用することもできる。
導電粒子の平均粒径としては、配線高さのばらつきに対応できるようにし、また、導通抵抗の上昇を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは２．５μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上９μｍ以下である。導電粒子の粒径は、一般的な粒度分布測定装置により測定することができ、また、その平均粒径も粒度分布測定装置を用いて求めることができる。
なお、導電粒子が金属被覆樹脂粒子である場合、樹脂コア粒子の粒子硬さ（２０％Ｋ値；圧縮弾性変形特性Ｋ２０）は、良好な接続信頼性を得るために、好ましくは１００〜１０００ｋｇｆ／ｍｍ２、より好ましくは２００から５００ｋｇｆ／ｍｍ２である。圧縮弾性変形特性Ｋ２０は、例えば、微小圧縮試験機（ＭＣＴ−Ｗ２０１、（株）島津製作所製）を使用して測定温度２０℃で測定することができる。
導電粒子の異方性導電フィルム中の存在量は、導電粒子捕捉効率の低下を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは１平方ｍｍ当たり５０個以上１０００００個以下、より好ましくは２００個以上７００００個以下である。この存在量の測定は材料の薄膜を光学顕微鏡で観察することにより行うことができる。なお、異方性導電接続前において、異方性導電フィルム中の導電粒子がバインダ組成物中に存在しているために光学顕微鏡で観察し難い場合がある。そのような場合には、異方性導電接続後の異方性導電フィルムを観察してもよい。この場合には、接続前後のフィルム厚変化を考慮して存在量を割り出すことができる。
なお、導電粒子の異方性導電フィルム中の存在量は質量基準で表すこともができる。この場合、その存在量は、異方性導電フィルムの全質量を１００質量部としたときに、その１００質量部中に好ましくは１質量部以上３０質量部以下、より好ましくは３質量部以上１０質量部以下となる量である。
（カチオン重合開始剤）
本発明の異方性導電フィルムは、カチオン重合開始剤として、スルホニウム塩系熱酸発生剤ではなく第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤を含有する。保管ライフ性を向上させるためである。このような第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤としては、第４級アンモニウムカチオンと、６フッ化アンチモン酸アニオン、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン、ジノニルナフタレンスルホン酸アニオン、ジノニルナフタレンスルホン酸アニオン、ｐ−トルエンスルホン酸アニオン、ドデシルベンゼンスルホン酸アニオン、またはテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオンとの塩等を挙げることができる。また、第４級アンモニウムカチオンとしては、ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４＋で表されるカチオンを挙げることができる。ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、直鎖、分岐鎖または環状の炭素数１〜１２のアルキル基またはアリール基であり、それぞれ水酸基、ハロゲン、アルコキシル基、アミノ基、エステル基等を有していてもよい。
第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤の具体例としては、Ｋｉｎｇ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｉｎｃ．製造のＣＸＣ−１６１２、ＣＸＣ−１７３３、ＣＸＣ−１７３８、ＴＡＧ−２６７８、ＣＸＣ−１６１４、ＴＡＧ−２６８９、ＴＡＧ−２６９０、ＴＡＧ−２７００、ＣＸＣ−１８０２−６０、ＣＸＣ−１８２１等が挙げられる。これらは、楠本化成（株）から入手可能である。
本発明の異方性導電フィルムが、フィルムである場合、その層厚は、好ましくは３〜５０μｍ、より好ましくは５〜２０μｍである。
（異方性導電フィルムの製造）
本発明の異方性導電フィルムは、上述したバインダ組成物に導電粒子とカチオン重合開始剤とを、トルエン等の有機溶媒に溶解して塗料とし、その塗料を公知のフィルム化手法を利用してフィルム化することにより製造することができる。
なお、本発明の異方性導電フィルムは、単層であってもよいが、異方性導電接続時の粒子捕捉性を低下させることなく、導電粒子の使用量を減じて製造コストを減少させ、且つアンダーフィル充填操作を省くために、絶縁性樹脂層を積層させてもよい。その場合、本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子含有層／絶縁性樹脂層の２層構成となる。このような絶縁性樹脂層は、基本的には異方性導電フィルムで使用したバインダ組成物に、導電粒子を含有させることなくカチオン重合開始剤を配合させた組成物から形成することができる。
本発明の異方性導電フィルムは、反応速度コントロールとの観点から、示差走査熱量計で測定した反応ピークの反応開始温度を６０〜８０℃に調整し、また、反応終了温度を１５５〜１８５℃に調整することが好ましい。これらの調整は、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物との配合割合を調整すること等により行うことができる。
＜接続構造体＞
本発明の異方性導電フィルムは、ＩＣチップ、ＩＣモジュール、ＦＰＣなどの第１電子部品と、プラスチック基板、ガラス基板、リジッド基板、セラミック基板、ＦＰＣなどの第２電子部品とを異方性導電接続する際に好ましく適用することができる。このような本発明の異方性導電フィルムで、第１電子部品と第２電子部品とが異方性導電接続されている接続構造体も本発明の一部である。なお、異方性導電フィルムを用いた電子部品の接続方法としては、公知の手法を利用することができる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１
（導電粒子含有層の形成）
フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鉄住金化学（株））６０質量部、脂環式エポキシ化合物としてジエポキシビシクロヘキシル（セロキサイド８０００、（株）ダイセル）１０質量部、低極性オキセタン化合物（ＯＸＢＰ、宇部興産（株））２０質量部、熱カチオン重合開始剤（第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤、商品名ＣＸＣ−１６１２、楠本化成（株））２質量部、および平均粒径３μｍの導電性粒子（Ｎｉ／Ａｕメッキ樹脂粒子、ＡＵＬ７０４、積水化学工業（株））５０質量部を、トルエンに添加し、固形分が５０質量％となるよう混合液を調製した。
得られた混合液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート剥離フィルム（ＰＥＴ剥離フィルム）上に、乾燥厚が６μｍとなるよう塗布し、６０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、導電粒子含有層を形成した。
（絶縁性樹脂層の形成）
導電粒子を用いない以外は、導電粒子含有層の形成の際に使用した原材料と同じ原材料をトルエンに添加し、固形分が５０質量％となるよう混合液を調製した。
得られた混合液を、厚さ５０μｍのＰＥＴ剥離フィルム上に、乾燥厚が１２μｍとなるよう塗布し、６０℃のオーブン中で５分間乾燥することにより、絶縁性樹脂層を形成した。
（異方性導電フィルムの作成）
導電粒子含有層に絶縁性樹脂層を、６０℃、５ＭＰａでラミネー卜することにより、厚さ５０μｍの一対のＰＥＴ剥離フィルムで挟持された異方性導電フィルムを得た。
実施例２〜４
導電粒子含有層および絶縁性樹脂層における脂環式エポキシ化合物（セロキサイド８０００、（株）ダイセル）と低極性オキセタン化合物として４，４′−ビス[（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル]ビフェニル（０ＸＢＰ、宇部興産（株））との配合量（比率）を、表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルムを得た。
比較例１〜４
導電粒子含有層および絶縁性樹脂層における熱カチオン重合開始剤を、表１に示すようにスルホニウム塩系熱酸発生剤（ＳＩ−６０Ｌ、三新化学工業（株））に代えた以外は、実施例１〜４と同様に異方性導電フィルムを作成した。
実施例５〜１３、比較例５
導電粒子含有層及び絶縁性樹脂層における脂環式エポキシ化合物（セロキサイド８０００、（株）ダイセル）と低極性オキセタン化合物（０ＸＢＰ、宇部興産（株））との配合量（比率）を、表１に示すよう変更した以外は、実施例１と同様に異方性導電フィルムを作成した。
＜＜評価＞＞
各実施例及び比較例で得られた異方性導電フィルムについて、以下に説明するように「保管ライフ特性」、「硬化温度」、「密着特性」及び「反応時間」を試験もしくは測定し、評価した。
＜保管ライフ特性＞
一対のＰＥＴ剥離フィルムに挟持されている異方性導電フィルムを、湿度４０％、温度２５℃又は３０℃に設定されている恒温恒湿室に投入し、投入後２４時間毎にサンプリングを行い、以下の仮張り評価および圧着評価を実施し、それらの評価結果から総合的に保管ライフ特性を評価した。得られた結果を表１に示す。
（仮張り評価）
異方性導電フィルムの導電粒子含有層側のＰＥＴ剥離フィルムを剥離し、導電粒子含有層側から異方性導電フィルムを素ガラスに貼り付け、素ガラスと異方性導電フィルムとの積層体を作製した。この積層体をその素ガラス側が４５℃に設定したホットプレートに接触するように載置し、異方性導電フィルム側から手で圧力をかけ、その後、室温にまで冷却した。冷却後、積層体から絶縁性樹脂層側のＰＥＴ剥離フィルムを剥がし、素ガラスから異方性導電フィルムが剥がれることなく、ＰＥＴ剥離フィルムだけが剥がれるか否かを確認した。
（圧着評価）
テスト用ＩＣチップとテスト用基板との間に、ＩＣチップ側に絶縁性樹脂層が配置されるよう異方性導電フィルムを挟み、加熱加圧（１２０℃、６０ＭＰａ、５秒）し、評価用接続物を作成した。作成した接続物の圧痕状態を確認し、圧痕が薄くならず、消失せずに残存するかを確認した。
（保管ライフ特性評価）
仮張り評価において、素ガラスから異方性導電フィルムが剥がれた時点を保管ライフとした。また、仮張り評価において、素ガラスから異方性導電フィルムが剥がれなかった場合でも、圧着評価において、圧痕が薄くなった（消失した）時点を保管ライフとした。
＜硬化温度＞
テスト用ＩＣチップとテスト用基板との間に、ＩＣチップ側に絶縁性樹脂層が配置されるよう異方性導電フィルムを挟み、加熱加圧（８０℃、９０℃、１００℃、１１０℃、又は１２０℃、６０ＭＰａ、５秒）し、評価用接続物を得た。この接続物における異方性導電フィルムの反応率を以下に説明するように測定し、その測定結果から硬化温度を決定した。得られた結果を表１に示す。
（反応率測定）
評価用接続物のＩＣチップを手で摘まんで剥がし、硬化した異方性導電フィルムを露出させ、異方性導電フィルムをサンプリングした。得られたサンプルを、濃度０．１ｇ／ｍＬとなるようアセトニトリルに溶解した。別途、硬化前の異方性導電フィルムを同様の濃度となるようアセトニトリルに溶解し、ＨＰＬＣ−ＭＳ（ＷａｔｅｒＳ社製）を用いて、以下の条件にて各モノマーのピーク強度を確認した。硬化後のピーク強度の減少量より各温度での反応率を求め、反応率８０％以上となる温度を、硬化温度とした。
溶媒：水／アセ卜ニトリル混合溶液（９０／１０）６０質量部に、アセトニトリル４０質量部を混合した混合溶媒
流量：０．４ｍＬ／ｍｉｎ
カラム：１０ｃｍ、４０℃Ｃ
注入量：５μＬ
解析波：２１０−４１０ｎｍ
＜密着特性＞
テスト用ＩＣチップとテスト用基板との間に、ＩＣチップ側に絶縁性樹脂層が配置されるよう異方性導電フィルムを挟み、加熱加圧（１２０℃、６０ＭＰａ、５秒）し、評価用接続物を得た。この接続物に対して、エタック社製、型式ＥＨＳ−４１１Ｍを用いて、プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を実施した。具体的には、得られた評価用接続物を、１２１℃、２ａｔｍ、飽和水蒸気雰囲気という条件に設定された恒温恒湿槽に接続物を投入し、２４時間毎に以下の密着評価を行った。得られた結果を表１に示す。
（密着評価）
ＰＣＴ試験に投入した接続物の外観確認を行い、異方性導電フィルムとＩＣチップもしく基板との層間で剥離が生じているかを目視観察した。
ランク 基準
〇： ＩＣ圧着後、４８時間のＰＣＴでも剥離が観察されない場合
△： ＩＣ圧着後、２４時間のＰＣＴでは剥離が観察されないが、４８時間のＰＣＴ試験では剥離が観察された場合
×： ＩＣ圧着後、ＰＣＴを行う前にすでに剥離が観察されていたか、２４時間のＰＣＴで剥離が観察された場合
＜反応時間＞
得られた異方性導電フィルムから切り出した約５ｍｇのサンプルを、アルミＰＡＮ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．）に格納し、それをＤＳＣ測定装置（Ｑ２０００，ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．）にセットし、３０℃から２５０℃まで、１０℃／分の昇温速度で示差走査熱量計（ＤＳＣ）測定を行った。得られたＤＳＣチャートから、発熱ピークが立ち上がった時点の温度を反応開始温度として読み取り、発熱ピークがベースラインに変化した時点の温度を反応終了温度として読み取った。また、反応時間を以下の式に従って算出した。得られた結果を表１に示す。
Figure 2017152354
Figure 2017152354
＜＜評価結果の考察＞＞
表１の結果（実施例１と比較例１との対比、実施例２と比較例２との対比、実施例３と比較例３との対比、実施例４と比較例４との対比）から、スルホニウム塩系熱酸発生剤に代えて第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤を使用すると、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物との間の配合比に変動があっても、硬化温度や接続信頼性の評価指標となる密着特性を変化させずに保管ライフを大きく向上させ得ることがわかる。
また、実施例１、５〜７及び比較例５の対比から、脂環式エポキシ化合物に対して低極性オキセタン化合物の配合割合が増加するにつれ、保管ライフが向上する傾向があるが、相対的に脂環式エポキシ化合物の配合量が減少すると密着特性が低下する傾向があることがわかる。逆に、実施例８〜１３の対比から、脂環式エポキシ化合物に対して低極性オキセタン化合物の配合割合が減少するにつれ、保管ライフが低下する傾向があることがわかる。
なお、実施例１、実施例５〜１３、比較例５において行ったＤＳＣ測定結果の対比から、低極性オキセタン化合物の配合量が増加すると、反応開始温度と反応終了温度とを上昇させる傾向があることが分かる。
脂環式エポキシ化合物を使用するカチオン重合性の本発明の異方性導電フィルムは、スルホニウム塩系熱酸発生剤を使用した従来の異方性導電フィルムと同等の硬化温度と接続信頼性とを担保しながらも、今まで以上に優れた保管ライフ性を実現できるので、ＩＣチップなどの電子部品の配線基板への異方性導電接続に有用である。

Claims (9)

  1. 成膜用成分とカチオン重合性成分とを含有するバインダ組成物と、カチオン重合開始剤と、導電粒子とを含有する異方性導電フィルムであって、
    カチオン重合開始剤が、第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤であり、カチオン重合性成分が、脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物とを含有している異方性導電フィルム。
  2. 脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物との配合割合が、質量基準で２５：７５〜６０：４０である請求項１記載の異方性導電フィルム。
  3. 脂環式エポキシ化合物と低極性オキセタン化合物との配合割合が、質量基準で４５：５５〜６０：４０である請求項１記載の異方性導電フィルム。
  4. 第４級アンモニウム塩系熱酸発生剤が、第４級アンモニウムカチオンと、６フッ化アンチモン酸アニオン、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン、ジノニルナフタレンスルホン酸アニオン、ジノニルナフタレンスルホン酸アニオン、ｐ−トルエンスルホン酸アニオン、ドデシルベンゼンスルホン酸アニオン、またはテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオンとの塩である請求項１〜３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
  5. 第４級アンモニウムカチオンが、ＮＲ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４＋で表されるカチオンであり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、直鎖、分岐鎖または環状の炭素数１〜１２のアルキル基またはアリール基である請求項４記載の異方性導電フィルム。
  6. 脂環式エポキシ化合物が、ジグリシジルヘキサヒドロビスフェノールＡ又はジエポキシビシクロヘキシルであり、低極性オキセタン化合物が、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン又は４，４′−ビス[（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル]ビフェニルである請求項１〜５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
  7. 成膜用成分がフェノキシ樹脂である請求項１〜６のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
  8. 示差走査熱量計で測定した反応ピークの反応開始温度が６０〜８０℃であり、反応終了温度が１５５〜１８５℃である請求項１〜７のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
  9. 請求項１〜８のいずれかに記載の異方性導電フィルムで、第１電子部品と第２電子部品とが異方性導電接続されている接続構造体。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017214472A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 日立化成株式会社 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
WO2020054495A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物
WO2020166180A1 (ja) * 2019-02-13 2020-08-20 横浜ゴム株式会社 導電性組成物
WO2021117604A1 (ja) * 2019-12-13 2021-06-17 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物、接着フィルム及び接続構造体
JP7133746B1 (ja) * 2021-04-16 2022-09-08 昭和電工マテリアルズ株式会社 硬化剤、接着剤組成物、回路接続用接着剤フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法
WO2022220285A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 昭和電工マテリアルズ株式会社 硬化剤、接着剤組成物、回路接続用接着剤フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法
WO2022255012A1 (ja) * 2021-06-03 2022-12-08 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物、接着フィルム、接続構造体および接続構造体の製造方法
JP2023014078A (ja) * 2016-05-31 2023-01-26 株式会社レゾナック 接着剤組成物
JP2023017871A (ja) * 2016-05-31 2023-02-07 株式会社レゾナック 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
WO2023068277A1 (ja) * 2021-10-19 2023-04-27 株式会社レゾナック 回路接続用接着剤テープ、接続構造体及び接続構造体の製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI755470B (zh) * 2018-01-16 2022-02-21 優顯科技股份有限公司 導電薄膜、光電半導體裝置及其製造方法
US11332645B2 (en) * 2018-02-14 2022-05-17 Threebond Co., Ltd. Conductive adhesive and cured product thereof
US11227435B2 (en) 2018-08-13 2022-01-18 Magic Leap, Inc. Cross reality system
JP7445642B2 (ja) 2018-08-13 2024-03-07 マジック リープ， インコーポレイテッド クロスリアリティシステム
JP2022512600A (ja) 2018-10-05 2022-02-07 マジック リープ， インコーポレイテッド 任意の場所における場所特有の仮想コンテンツのレンダリング
CN114600064A (zh) 2019-10-15 2022-06-07 奇跃公司 具有定位服务的交叉现实系统
WO2021076757A1 (en) 2019-10-15 2021-04-22 Magic Leap, Inc. Cross reality system supporting multiple device types
CN114616534A (zh) 2019-10-15 2022-06-10 奇跃公司 具有无线指纹的交叉现实系统
JP2023504775A (ja) 2019-11-12 2023-02-07 マジック リープ， インコーポレイテッド 位置特定サービスおよび共有場所ベースのコンテンツを伴うクロスリアリティシステム
EP4073763A4 (en) 2019-12-09 2023-12-27 Magic Leap, Inc. CROSS-REALLY SYSTEM WITH SIMPLIFIED PROGRAMMING OF VIRTUAL CONTENT
US11562525B2 (en) 2020-02-13 2023-01-24 Magic Leap, Inc. Cross reality system with map processing using multi-resolution frame descriptors
US11410395B2 (en) 2020-02-13 2022-08-09 Magic Leap, Inc. Cross reality system with accurate shared maps
WO2021163295A1 (en) 2020-02-13 2021-08-19 Magic Leap, Inc. Cross reality system with prioritization of geolocation information for localization
CN115461787A (zh) 2020-02-26 2022-12-09 奇跃公司 具有快速定位的交叉现实系统
WO2021222371A1 (en) 2020-04-29 2021-11-04 Magic Leap, Inc. Cross reality system for large scale environments

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003346943A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電接着剤およびヒートシールコネクタ
JP2008179682A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Sony Chemical & Information Device Corp 異方導電性接着剤及び電気装置
JP2011171307A (ja) * 2011-04-06 2011-09-01 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電フィルム、接合体の製造方法、及び接合体
JP2012171980A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Hitachi Chemical Co Ltd 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及びその製造方法、並びに半導体装置
WO2014045931A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
WO2015122109A1 (ja) * 2014-02-13 2015-08-20 日産化学工業株式会社 樹脂組成物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3937466B2 (ja) 1995-12-28 2007-06-27 東洋インキ製造株式会社 感エネルギー線酸発生剤、感エネルギー線酸発生剤組成物および硬化性組成物
US20060110600A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 3M Innovative Properties Company Anisotropic conductive adhesive composition
EP2154169A4 (en) * 2007-05-24 2015-08-26 Sumitomo Bakelite Co TRANSPARENT COMPOSITE FILM
JP5190665B2 (ja) 2007-06-15 2013-04-24 デクセリアルズ株式会社 エポキシ系樹脂組成物
TWI373081B (en) * 2008-09-09 2012-09-21 Prime View Int Co Ltd Flexible display panel
JP5172903B2 (ja) 2010-07-09 2013-03-27 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 測位支援装置及び測位支援方法
KR101456396B1 (ko) 2010-08-06 2014-10-31 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 이방 도전성 접착 필름 및 경화제
JP6056700B2 (ja) * 2012-08-03 2017-01-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP6064607B2 (ja) 2013-01-16 2017-01-25 大日本印刷株式会社 体積型ホログラム記録用感光性組成物、体積型ホログラム記録体、及び体積型ホログラム記録体の製造方法
KR101568659B1 (ko) * 2013-03-29 2015-11-12 제일모직주식회사 도전성 접착층을 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치
CN105026493B (zh) 2013-06-10 2017-07-07 三井化学株式会社 热固性组合物、有机el元件用面密封剂及其固化物
KR101659128B1 (ko) * 2013-09-30 2016-09-22 제일모직주식회사 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치
KR101900544B1 (ko) 2015-12-07 2018-09-19 삼성에스디아이 주식회사 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름 및 이를 이용한 접속 구조체

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003346943A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電接着剤およびヒートシールコネクタ
JP2008179682A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Sony Chemical & Information Device Corp 異方導電性接着剤及び電気装置
JP2012171980A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Hitachi Chemical Co Ltd 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及びその製造方法、並びに半導体装置
JP2011171307A (ja) * 2011-04-06 2011-09-01 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電フィルム、接合体の製造方法、及び接合体
WO2014045931A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
WO2015122109A1 (ja) * 2014-02-13 2015-08-20 日産化学工業株式会社 樹脂組成物

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021185256A (ja) * 2016-05-31 2021-12-09 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
JP7302724B2 (ja) 2016-05-31 2023-07-04 株式会社レゾナック 接着剤組成物
JP7226636B2 (ja) 2016-05-31 2023-02-21 株式会社レゾナック 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
JP2023017871A (ja) * 2016-05-31 2023-02-07 株式会社レゾナック 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
JP2023014078A (ja) * 2016-05-31 2023-01-26 株式会社レゾナック 接着剤組成物
JP7173250B2 (ja) 2016-05-31 2022-11-16 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
JP2017214472A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 日立化成株式会社 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
JP7013638B2 (ja) 2016-05-31 2022-02-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物及びフィルム状接着剤組成物
CN112566995A (zh) * 2018-09-10 2021-03-26 迪睿合株式会社 粘接剂组合物
KR102552797B1 (ko) 2018-09-10 2023-07-06 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접착제 조성물
WO2020054495A1 (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物
KR20210033491A (ko) 2018-09-10 2021-03-26 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접착제 조성물
JP7273283B2 (ja) 2018-09-10 2023-05-15 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物
JP2020041045A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物
JP7264662B2 (ja) 2019-02-13 2023-04-25 シーカ・ハマタイト株式会社 導電性組成物
JP2020132665A (ja) * 2019-02-13 2020-08-31 横浜ゴム株式会社 導電性組成物
WO2020166180A1 (ja) * 2019-02-13 2020-08-20 横浜ゴム株式会社 導電性組成物
CN114729252A (zh) * 2019-12-13 2022-07-08 迪睿合株式会社 粘接剂组合物、粘接膜和连接结构体
JP7462408B2 (ja) 2019-12-13 2024-04-05 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物、接着フィルム及び接続構造体
WO2021117604A1 (ja) * 2019-12-13 2021-06-17 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物、接着フィルム及び接続構造体
JP7214912B2 (ja) 2021-04-16 2023-01-30 株式会社レゾナック 接着剤組成物、回路接続用接着剤フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP2022164657A (ja) * 2021-04-16 2022-10-27 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物、回路接続用接着剤フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法
WO2022220285A1 (ja) * 2021-04-16 2022-10-20 昭和電工マテリアルズ株式会社 硬化剤、接着剤組成物、回路接続用接着剤フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP7133746B1 (ja) * 2021-04-16 2022-09-08 昭和電工マテリアルズ株式会社 硬化剤、接着剤組成物、回路接続用接着剤フィルム、接続構造体及び接続構造体の製造方法
WO2022255012A1 (ja) * 2021-06-03 2022-12-08 デクセリアルズ株式会社 接着剤組成物、接着フィルム、接続構造体および接続構造体の製造方法
KR20230153475A (ko) 2021-06-03 2023-11-06 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 접착제 조성물, 접착 필름, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법
WO2023068277A1 (ja) * 2021-10-19 2023-04-27 株式会社レゾナック 回路接続用接着剤テープ、接続構造体及び接続構造体の製造方法

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Publication number Publication date
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