KR101659128B1 - 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 절연층, 도전층 및 제2 절연층이 순차적으로 적층된 3층 구조의 이방성 도전 필름으로써, 각 층의 유동성을 조절하여, 단자 간 절연층이 충분히 충진될 수 있고, 스페이스 부로의 도전입자 유출을 감소시켜 단자 간 쇼트를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 접속 신뢰성이 우수한 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치를 제공한다.

Description

이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEREOF}
본 발명은 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치에 관한 것이다.
이방성 도전 필름 (Anisotropic conductive film, ACF)이란 일반적으로 도전 입자를 에폭시 등의 수지에 분산시킨 필름 형상의 접착제를 말하는 것으로, 필름의 막 두께 방향으로는 도전성을 띠고 면 방향으로는 절연성을 띠는 전기 이방성 및 접착성을 갖는 고분자 막을 의미한다.
이방성 도전 필름을 접속시키고자 하는 회로 사이에 위치시킨 후 일정 조건 하에서 가열 압착 공정을 거치게 되면, 회로 단자들 사이는 도전입자에 의해 전기적으로 접속되고 인접하는 단자 사이에는 절연층이 충진되어 도전입자가 서로 독립하여 존재하게 됨으로써 높은 절연성을 부여하게 된다.
최근, 미세 피치화 및 집적회로(IC) 범프 면적의 최소화 경향에 따라, 도통 신뢰성을 향상시키기 위해 이방성 도전 필름 중에 함유되는 도전입자의 평균입경을 작게 하거나, 도전입자의 투입량을 증가시킬 필요성이 있었다. 그러나, 도전입자의 평균입경을 작게 하는 경우, 2차 응집에 의한 접속의 불균일이나 패턴간의 쇼트가 발생할 수 있으며, 투입량을 증가시키는 경우, 패턴간의 쇼트가 발생할 수 있는 문제점이 있다.
이에, 도전입자의 표면을 절연층으로 코팅하거나, 이방성 도전 필름을 복층화하여 스페이스로의 도전입자의 유출을 감소시키려는 시도가 이루어지고 있으나(일본 공개 특허 제2000-178511호), 각 층의 용융 점도의 차이가 크지 않아, 범프 상의 도전입자 포착율이 떨어지는 한계가 있고, 도전입자의 유출로 인한 접속저항의 증가 및 쇼트 발생의 방지를 위하여, 도전층을 초저유동성으로 설정할 경우, 기판과의 밀착력이 감소함에 따라 가압착 공정성이 떨어지게 되는 한계가 있다.
일본 공개 특허 제2000-178511호 (2000.06.27 공개)
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이방성 도전 필름에 적합한 절연성 및 통전성을 가짐과 동시에 접속 신뢰성이 개선된 이방성 도전 필름을 제공하고자 한다.
구체적으로, 도전층 및 절연층의 유동성을 상이하게 조절하여, 도전입자의 입자 포집율을 향상시킴으로써 충분한 절연성 및 통전성을 확보할 수 있고, 접속 신뢰성이 개선된 이방성 도전 필름을 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 절연성, 통전성 및 접속 신뢰성이 개선된 이방성 도전 필름에 의해 접속되어, 고온 고습조건에서도 장기간 사용할 수 있는 반도체 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 예에 따르면, 제1 절연층, 도전층 및 제2 절연층이 순차적으로 적층되며, 110 내지 200 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 3 내지 7 초, 1 내지 5 MPa (샘플 면적 기준)으로 압착한 후 측정한 하기의 식 1로 나타나는 퍼짐길이의 증가율이 상기 도전층의 폭방향에 대하여 20 % 이하이고, 상기 제2 절연층의 폭방향에 대하여 50 % 이상인, 이방성 도전 필름을 제공한다.
[식 1]
퍼짐길이의 증가율 (%) = [ (압착 후 해당 층의 폭방향 길이 - 압착 전 해당 층의 폭방향 길이) / 압착 전 해당 층의 폭방향 길이] ×100
또한, 본 발명의 다른 일 예에 따르면, 제1 절연층, 도전층 및 제2 절연층이 순차적으로 적층되며, 110 내지 200 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 3 내지 7 초, 1 내지 5 MPa (샘플 면적 기준)으로 압착한 후 측정한 도전층의 퍼짐길이에 대한 상기 제2 절연층의 퍼짐길이의 비가 3 내지 50인, 이방성 도전 필름을 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 예에 따르면, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름에 의해 접속된, 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름은 절연성 및 통전성이 개선되어 경화 후 접속 신뢰성이 개선될 수 있다.
또한, 구체적으로, 도전층 및 절연층의 유동성을 상이하게 조절하여, 도전입자의 증량 없이 도전층의 낮은 유동성으로 입자 포집율을 향상시키고, 절연층의 높은 유동성으로 이방성 도전 필름에 적합한 충분한 통전성 및 절연성을 확보할 수 있고, 접속 신뢰성이 개선된 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치를 제공하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름을 나타낸 것이다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 본 명세서에 기재되지 않은 내용은 본 발명의 기술 분야 또는 유사 분야에서 숙련된 자이면 충분히 인식하고 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 3층 구조의 이방성 도전 필름(4)의 단면도이다.
도전입자(5)를 함유한 도전층(2)의 일 면에는 제1 절연층(1)이 적층되어 있고, 도전층(2)의 다른 면에는 제2 절연층(3)이 적층되어 있는 구조일 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름(4)은 도전층(2)과 절연층(1, 3)을 별도로 포함하는 복층형 구조로서, 도전입자(5)를 포함하여 전기적으로 접속되도록 하는 도전층(2)의 양면에 도전입자(5)를 포함하지 않는 절연층들(1, 3)이 각각 형성되어 있어, 필름의 압착 공정시 도전입자(5)의 압착을 방해하지 않고 이방성 도전 필름(4)에 절연성을 부여할 수 있다.
상기 용어 '적층'은 임의의 층의 일면에 다른 층이 형성되는 것을 의미하며, 코팅 또는 라미네이션과 혼용하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 3층 구조를 통해 종래 2층 구조에서 도전층의 유동을 저하시키기 위해서 딱딱하게 제조할 경우, 가압착 시 접착력이 구현되지 못하거나, 절연층이 단일층으로 구성되어 단자 간에 절연층이 충분히 충진되지 못했던 점을 보완할 수 있는 이점이 있다.
상기 제1 절연층(1)의 두께는 2 ㎛ 이하일 수 있고, 도전층(2)의 두께는 2 내지 10 ㎛일 수 있으며. 제2 절연층(3)의 두께는 6 내지 18 ㎛ 일 수 있다.
구체적으로 제1 절연층(1)의 두께는 1 ㎛ 이하일 수 있고, 도전층(2)의 두께는 2 내지 8 ㎛일 수 있으며, 제2 절연층(3)의 두께는 8 내지 16 ㎛ 일 수 있다.
제1 절연층(1)의 두께가 2 ㎛ 이하인 경우, 구체적으로 0 ㎛초과의 두께를 가지는 범위에서 충분히 얇을수록 경화 후의 들뜸 현상을 감소시켜 접속 신뢰성을 개선할 수 있으며, 가압착이 용이하고, 기판과의 밀착성이 확보될 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 예에 따르면, 제1 절연층, 도전층 및 제2 절연층이 순차적으로 적층되며, 110 내지 200 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 3 내지 7 초, 1 내지 5 MPa (샘플 면적 기준)으로 압착한 후 측정한 하기의 식 1로 나타나는 퍼짐길이의 증가율이 상기 도전층의 폭방향에 대하여 20 % 이하이고, 상기 제2 절연층의 폭방향에 대하여 50 % 이상인, 이방성 도전 필름일 수 있다.
구체적으로, 상기 도전층의 퍼짐길이의 증가율은 0.1 내지 20 %, 제2 절연층의 퍼짐길이의 증가율은 50 내지 200 % 일 수 있으며, 보다 구체적으로, 상기 도전층의 퍼짐길이의 증가율은 1 내지 20 %, 제2 절연층의 퍼짐길이의 증가율은 50 내지 100 % 일 수 있다.
[식 1]
퍼짐길이의 증가율 (%) = [ (압착 후 해당 층의 폭방향 길이 - 압착 전 해당 층의 폭방향 길이) / 압착 전 해당 층의 폭방향 길이] ×100
이방성 도전 필름을 압착하는 경우, 도전입자는 단자 상에 위치하여 압착되게 되며, 이 때, 접속 과정에서 가해지는 열과 압에 의하여 각 층 조성물의 플로우가 발생하여 각 층의 유동 특성별로 퍼짐성에 차이가 나타나게 된다.
따라서 본 실시예의 조건에서 압착하는 경우, 각 층의 유동성에 따라 퍼짐성에 차이가 나게 된다. 상기 범위의 퍼짐길이 증가율을 나타내는 도전층은 초저유동성을 나타내는 것을 나타내며, 제2 절연층은 높은 유동성을 나타내어 도전입자의 유출 및 이로 인한 쇼트를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, 제2 절연층이 단자간에 충분히 충진될 수 있어 높은 절연성을 확보할 수 있다.
상기 퍼짐길이의 증가율을 측정하는 비제한적인 예는 다음과 같다 : 폭 방향 2 mm × 길이 방향 20 mm의 샘플을 제조하여 이방성 도전 필름의 상하에 유리기판을 대치 시킨 후 150 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 5 초, 3 MPa(샘플 면적 기준)의 조건에서 압착한다. 이 때, 해당 층의 압착 전 폭방향 길이에 대한 압착 후 해당 층의 폭방향 길이를 측정하여, 증가한 길이에 대하여 상기 식 1에 의한 퍼짐길이의 증가율(%)로 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름의 도전층의 퍼짐길이에 대한 상기 제2 절연층의 퍼짐길이의 비는 3 내지 50일 수 있으며, 구체적으로 4 내지 30일 수 있으며, 보다 구체적으로 4 내지 20일 수 있다.
제2 절연층/도전층의 퍼짐길이의 비가 커질수록 각 층의 흐름성의 차이, 즉 유동성의 차이가 큰 것을 의미하므로, 상기 값은 도전층이 저유동성을 나타낼수록, 제2 절연층이 고유동성을 나타낼수록 상기 값이 커지게 된다.
상기와 같이 도전층 및 제2 절연층의 유동성을 상이하게 조절하여, 도전입자의 증량 없이 도전층의 낮은 유동성으로 입자 포집율을 향상시켜 쇼트를 방지할 수 있고, 절연층의 높은 유동성으로 단자 간에 절연층이 용이하게 충진될 수 있어 충분한 통전성 및 절연성을 확보할 수 있다.
또한, 상기 범위에서 경화 후, 접속 신뢰성이 개선될 수 있는 이점이 있다.
상기 퍼짐길이의 비를 측정방법의 예는 다음과 같다 : 폭방향 2 mm × 길이방향 20 mm의 샘플을 제조하여 이방성 도전 필름의 상하에 유리기판을 대치 시킨 후 150 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 5 초, 3 MPa(샘플 면적 기준)의 조건에서 압착한다. 상기 조건에서 압착 후 각 층의 폭방향 길이를 측정하여, 제2 절연층의 퍼짐길이 / 도전층의 퍼짐길이의 비로 측정할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 이방성 도전 필름은 도전입자 포착이 용이하여, 상기 이방성 도전 필름을 110 내지 190 ℃, 1 내지 7초, 50 내지 90 Mpa 의 조건에서 본압착한 후 측정한 하기의 식 2로 나타나는 입자포착율이 30 내지 60 % 일 수 있고, 구체적으로 40 내지 60 %일 수 있다.
[식 2]
입자포착율 = (본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수 /가압착 전 이방성 도전 필름의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수) × 100
상기 범위에서 단자 상에 도전입자가 충분히 위치하여 스페이스부로의 유출이 감소되어 통전성이 개선되고 단자 간 쇼트를 방지할 수 있다.
입자포착율이란, 본압착 전후의 단자 상에 있는 도전입자의 수를 백분율로 나타낸 것이며, 이를 측정하는 비제한적인 예는 다음과 같다 : 가압착 전 단자 상에 있는 도전입자의 갯수(압착 전 입자수) 및 150 ℃, 70Mpa, 5초의 조건에서 본압착 후 단자 상에 있는 도전입자의 갯수 (압착 후 입자 수)를 금속 현미경으로 카운트하여 측정한 후, 상기 식 2에 의해 도전입자의 입자포착율을 산출한다.
예를 들어, 상기 가압착 조건은 50 내지 90 ℃, 1 내지 5초, 1.0 내지 5.0 MPa 에서 수행될 수 있다. 입자포착율 외에 후술할 본 발명의 실시예들의 물성을 확인하기 위해 상기 조건에서의 가압착 및 110 내지 190 ℃, 1 내지 7초, 50 내지 90 Mpa의 조건에서의 본압착 후 측정될 수 있다.
보다 구체적으로 상기 가압착 조건은 60 내지 80 ℃, 1 내지 3초, 1.0 내지 3.0 MPa 일 수 있으며, 상기 본압착 조건은 120 내지 180 ℃, 3 내지 7초, 60 내지 80 Mpa 일 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 이방성 도전 필름은 50 내지 90 ℃, 1 내지 5초, 1.0 내지 5.0 MPa 의 조건에서 가압착 후, 110 내지 190 ℃, 1 내지 7초, 50 내지 90 Mpa 의 조건에서 본압착 후 측정한 초기 접속 저항이 4 Ω 이하일 수 있다. 구체적으로, 3 Ω 이하일 수 있으며, 보다 구체적으로, 2 Ω 이하일 수 있다.
상기 범위에서 미세 피치 전극의 신호 간섭을 막을 수 있다.
초기 접속 저항을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며, 비제한적인 예는 다음과 같다 : 70 ℃에서 1초, 1.0 MPa의 가압착 조건과, 150 ℃, 5초, 70 MPa의 본압착 조건으로 접속하여 상기 각각의 시편을 10개씩 준비하고, 이들 각각을 4 단자 측정 방법으로 초기 접속 저항을 측정하여 평균값을 계산한다.
또한, 본 실시예에 따른 이방성 도전 필름은 가압착 및 본압착 후, 온도 85? 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 측정한 신뢰성 후 접속 저항이 10 Ω 이하일 수 있다. 구체적으로, 7 Ω 이하일 수 있으며, 보다 구체적으로 5 Ω 이하일 수 있으며, 예를 들어 3 Ω 이하 일 수 있다.
상기 범위에서 도전 필름은 고온 고습 조건 하에서도 낮은 접속 저항을 유지할 수 있어 접속 신뢰성을 개선시킬 수 있어, 신뢰성 저항을 안정적으로 유지시킬 수 있어 저장 안정성이 향상될 수 있다.
또한, 내열 및 내습성이 향상된 본 실시예의 상기 이방성 도전 필름에 접속된 반도체 장치는 고온 및/또는 고습 조건하에서도 장기간 사용할 수 있는 이점이 있다.
상기 신뢰성 후 접속 저항을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며 비제한적인 예는 다음과 같다 : 상기 초기 접속 저항 측정 조건에서 가압착 및 본압착 수행 후, 온도 85 ℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 고온ㆍ고습 신뢰성 평가를 진행한 후, 이들 각각의 신뢰성 접속 저항을 측정하여 평균값을 계산하였다.
이하에서, 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름의 각 층에 대하여 구체적으로 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름은 각 층에 바인더 수지, 에폭시 수지 및 경화제를 포함할 수 있고, 도전층은 무기입자 및 도전입자를 추가로 포함할 수 있다.
각 층에 공통적으로 포함하는 바인더 수지, 에폭시 수지 및 경화제에 대하여 상술한다.
바인더 수지
본 실시예에서 사용되는 바인더 수지는 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 수지를 사용할 수 있다.
상기 바인더 수지의 비제한적인 예로는 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리메타크릴레이트 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리 변성 우레탄 아크릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 스타이렌-부티렌-스타이렌(SBS) 수지 및 에폭시 변성체, 스타이렌-에틸렌-부틸렌-스타이렌(SEBS) 수지 및 그 변성체, 또는 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR) 및 그 수소화체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
구체적으로, 바인더가 동종이더라도 필요에 따라 중량 평균 분자량(Mw)이 상이할 수 있고, 2종 이상의 바인더가 포함되더라도 각 바인더의 중량 평균 분자량은 목적에 따라 동일할 수 있다.
예를 들어, 페녹시 수지를 사용할 수 있으며, 상기 페녹시 수지로 비스페놀계의 제1 바인더 수지 및/또는 플루오렌계의 제2 바인더 수지를 사용할 수 있다.
상기 바인더 수지는 제1 절연층 고형분 총 중량에 대하여, 20 중량% 내지 60 중량%로 함유될 수 있으며, 구체적으로 30 중량% 내지 50 중량%로 함유될 수 있다.
또한, 도전층 고형분 총 중량에 대하여, 바인더 수지는 20 중량% 내지 50 중량%로 함유될 수 있으며, 구체적으로 20 중량% 내지 40 중량%로 함유될 수 있다.
또한, 제2 절연층 고형분 총 중량에 대하여, 바인더 수지는 15 중량% 내지 50 중량%로 함유될 수 있으며, 구체적으로 20 중량% 내지 50 중량%로 함유될 수 있다.
보다 구체적으로 본 실시예의 제2 절연층에 포함되는 제1 바인더는 제2 절연층 고형분 총 중량에 대하여 1 내지 30 중량%를 포함할 수 있고, 제2 바인더는 1 내지 20 중량%를 포함할 수 있다.
상기 범위에서 해당 층의 흐름성이 향상됨과 동시에 이방성 도전 필름에 적합한 접착력이 발현될 수 있다.
에폭시 수지
에폭시 수지는 비스페놀형, 노볼락형, 글리시딜형, 지방족 및 지환족으로 이루어진 군으로부터 선택된 에폭시 모노머, 에폭시 올리고머 및 에폭시 폴리머를 하나 이상 포함할 수 있다. 이러한 에폭시 수지로는 종래 알려진 에폭시계 중 비스페놀형, 노볼락형, 글리시딜형, 지방족, 지환족 등의 분자구조 내에서 선택될 수 있는 1종 이상의 결합 구조를 포함하는 물질이면 특별한 제한없이 사용할 수 있다.
상온에서 고상인 에폭시 수지와 상온에서 액상인 에폭시 수지를 병용할 수 있으며, 추가적으로 가요성 에폭시 수지를 병용할 수 있다. 상온에서 고상인 에폭시 수지로서는 페놀 노볼락(phenol novolac)형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락(cresol novolac)형 에폭시 수지, 디사이클로 펜타디엔(dicyclo pentadiene)을 주골격으로 하는 에폭시 수지, 비스페놀(bisphenol) A형 혹은 F형의 고분자 또는 변성한 에폭시 수지 등을 들 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상온에서 액상의 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 혹은 F형 또는 혼합형 에폭시 수지 등을 들 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 가요성 에폭시 수지의 비제한적인 예로는 다이머산(dimer acid) 변성 에폭시 수지, 프로필렌 글리콜(propylene glycol)을 주골격으로 한 에폭시 수지, 우레탄(urethane) 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이외에도 방향족 에폭시 수지로 나프탈렌계, 안트라센계, 피렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 실시예에 사용되는 이방성 도전 필름에 사용되는 에폭시 수지는 수산기에 의해 치환되지 않은 제1 에폭시 수지 및 수산기로 치환된 제2 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 수산기로 치환된 제2 에폭시 수지는 하기 화학식 1의 수소화 비스페놀 A형 에폭시 모노머, 또는 하기 화학식 2의 수소화 비스페놀 A형 에폭시 올리고머일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112013088611710-pat00001
[화학식 2]
Figure 112013088611710-pat00002
예를 들어, 상기 화학식 2에서, n은 1 내지 50이다.
상기 에폭시 수지는 제1 절연층 고형분 총 중량에 대하여, 40 중량% 내지 80 중량%로 함유될 수 있으며, 구체적으로 40 중량% 내지 70 중량%로 함유될 수 있다.
구체적으로 제1 절연층 고형분 총 중량에 대하여 제1 에폭시 수지는 1 내지 30 중량%로 포함될 수 있고, 제2 에폭시 수지는 10 내지 50 중량%로 포함될 수 있으며, 보다 구체적으로 제1 에폭시 수지는 10 내지 30 중량%로 포함될 수 있고, 제2 에폭시 수지는 10 내지 40 중량%로 포함될 수 있다.
또한, 도전층 고형분 총 중량에 대하여, 에폭시 수지는 5 중량% 내지 20 중량%로 함유될 수 있으며, 구체적으로 10 중량% 내지 20 중량%로 함유될 수 있다.
구체적으로 도전층 고형분 총 중량에 대하여 제1 에폭시 수지는 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있고, 제2 에폭시 수지는 1 내지 30 중량%로 포함될 수 있으며, 보다 구체적으로 제1 에폭시 수지는 1 내지 10 중량%로 포함될 수 있고, 제2 에폭시 수지는 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다.
또한, 제2 절연층 고형분 총 중량에 대하여, 에폭시 수지는 40 중량% 내지 75 중량%로 함유될 수 있으며, 구체적으로 40 중량% 내지 70 중량%로 함유될 수 있다.
구체적으로 제1 에폭시 수지는 제2 절연층 고형분 총 중량에 대하여 1 내지 40 중량%로 포함될 수 있고, 제2 에폭시 수지는 20 내지 60 중량%로 포함될 수 있으며, 보다 구체적으로 제1 에폭시 수지는 10 내지 40 중량%로 포함될 수 있고, 제2 에폭시 수지는 30 내지 60 중량%로 포함될 수 있다.
상기 범위에서 글래스와의 충분히 점착할 수 있는 점착력을 가질 수 있고, 에폭시 수지의 고유한 분자 구조로 인한 절연성으로 쇼트 발생을 감소시킬 수 있어, 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 실시예의 이방성 도전 필름에 포함된 상기 제2 절연층에 함유된 바인더 수지/에폭시 수지의 비율은 2 내지 8일 수 있으며, 구체적으로 2.5 내지 7.5 일 수 있으며 4 내지 6일 수 있다.
상기 범위에서 단일 절연층의 충진의 한계점을 보완함과 동시에 절연 신뢰성을 개선할 수 있고, 우수한 필름 형성력 및 접착력을 확보할 수 있는 이점이 있다.
경화제
경화제는 종래 기술 분야에서 알려진 에폭시 경화용 타입의 경화제이면 특별한 제한없이 사용될 수 있으며, 비제한적인 예로는 산무수물계, 아민계, 이미다졸계, 이소시아네이트계, 아미드계, 히드라지드계, 페놀계, 양이온계 등이 사용될 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
본 실시예 따르면 상기 경화제는 양이온계일 수 있으며, 예를 들어 암모늄/안티몬 헥사플루오라이드 등을 들 수 있다.
상기 경화제는 상온에서 에폭시 수지와 혼합하여 사용되므로, 혼합 후 상온에서 에폭시 수지와 반응성을 갖지 않아야 하고, 일정 온도 이상에서 활성을 가져 에폭시 수지와 반응이 활발하게 이루어져 물성이 발현되어야 한다.
상기 경화제는 열적 활성화 에너지에 의해 양이온을 발생할 수 있는 화합물이라면 통상의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 양이온 잠재성 경화제를 사용할 수 있다.
구체적으로, 상기 양이온 잠재성 경화제로는 방향족 디아조늄염, 방향족 설포늄염, 지방족 설포늄염, 방향족 요오드 알루미늄염, 포스포늄염, 피리디늄염, 세레노니움염 등의 오늄염 화합물; 금속 아렌(arene) 착제, 실라놀/알루미늄 착제 등의 착제화합물; 벤조인토시레토(Benzoin tosylato-), o-니트로벤질토시레토(ortho-Nitrobenzyl tosylato-) 등의 토시레이토기가 포함되어 전자 capture 작용을 하는 화합물 등을 사용할 수 있다.
보다 구체적으로, 양이온 발생 효율이 높은 방향족 설포늄염 화합물 또는 지방족 설포늄염 화합물 등의 설포늄염 화합물을 사용할 수 있다.
또한 이러한 상기 양이온 잠재성 경화제가 염 구조를 이룰 경우에는, 반응성 측면염을 형성할 시에 카운터(counter) 이온으로서 헥사플루오르안티모네이트, 헥사플루오르포스페이트, 테트라 플루오르 보레이트, 펜타플루오르페닐 보레이트 등을 사용할 수 있다.
상기 경화제는 제1 절연층의 고형분 총 중량에 대하여 0.1 내지 10 중량%로 함유될 수 있으며 보다 구체적으로는 1 내지 10 중량%로 함유될 수 있다.
또한, 상기 경화제는 도전층의 고형분 총 중량에 대하여 0.5 내지 10 중량%로 함유될 수 있으며 보다 구체적으로는 1 내지 10 중량%로 함유될 수 있다.
또한, 상기 경화제는 제2 절연층의 고형분 총 중량에 대하여 0.5 내지 10 중량%로 함유될 수 있으며 보다 구체적으로는 1 내지 10 중량%로 함유될 수 있다.
상기 범위 내에서 전체 경화물이 에폭시 경화 구조를 충분히 형성할 수 있도록 해주며 경화물의 경도가 지나치게 높아지는 것을 방지하여 계면 박리력 및 접착력이 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 잔류 경화제에 의한 안정성 저하 및 신뢰성 저하 현상을 방지할 수 있다.
본 실시예의 도전층은 무기입자 및 도전입자를 추가로 포함할 수 있다.
무기입자
본 발명의 일 실시예에 따른 도전층의 유동성을 조절하기 위하여 도전층은 무기입자를 포함할 수 있다. 상기 무기입자의 비제한적인 예로, 실리카(silica, SiO2), Al2O3, TiO2, ZnO, MgO, ZrO2, PbO, Bi2O3, MoO3, V2O5, Nb2O5, Ta2O5, WO3 또는 In2O3 등을 들 수 있다.
구체적으로 실리카를 사용할 수 있다. 상기 실리카는 졸겔법, 침전법 등 액상법에 의한 실리카, 화염산화(flame oxidation)법 등 기상법에 의해 생성된 실리카일 수 있으며, 실리카겔을 미분쇄한 비분말 실리카를 사용할 수도 있고, 건식 실리카(fumed silica), 용융 실리카(fused silica)를 사용할 수도 있으며 그 형상은 구형, 파쇄형, 에지리스(edgeless)형 등일 수 있으며, 단독 또는 2종 이상 혼합되어 사용할 수 있다.
보다 구체적으로, 유기계 실란으로 표면 처리된 소수성 나노 실리카 입자를 포함함으로써 공정 조건에 따른 흐름성의 원활한 조절과 경화된 이방성 도전 필름의 경화구조를 매우 견고하도록 유도해 줌으로써 고온에서 팽창이 일어나지 않도록 해주며, 이에 따라 우수한 초기 접착력 및 낮은 접속 저항을 구현하는 이방성 도전 필름을 제조할 수도 있다.
유기계 실란으로 표면 처리된 소수성 나노 실리카 입자로는 Aerosil R-972, Aerosil R-202, Aerosil R-805, Aerosil R-812, Aerosil R-8200(이상 데구사) 등이 있고, 어느 종류의 것을 사용하여도 무방하며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 예에 따른 도전층은 실리카를 포함하고, 구체적으로, 도전층 고형분 총 중량에 대하여 상기 도전층에 포함된 실리카의 함량은 10 내지 40 중량%, 보다 구체적으로 15 내지 40 중량%일 수 있다.
또한, 상기 실리카는 도전입자보다 사이즈(평균 입경)가 크면 통전에 문제가 생길 수 있으므로, 각 층에 포함된 실리카의 평균 입경은 도전입자의 평균 입경의 1/20 내지 1/5 배일 수 있다. 구체적으로 도전층 포함된 실리카의 평균 입경은 5 내지 20 ㎚일 수 있다.
상기 함량 및 평균 입경의 실리카를 도전층에 함유함으로써 각 층의 유동성을 조절하여 접속 신뢰성 및 가압착성을 향상시킬 수 있고, 도전층의 유동성을 저하시켜 단자 간 쇼트를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 압착 후 신뢰성을 개선할 수 있다.
도전입자
도전입자는 단자 간의 통전성을 위하여 도전층에 함유될 수 있고, 본 실시예에서 사용되는 도전입자는 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 도전입자를 사용할 수 있다.
상기 도전입자의 비제한적인 예로는 Au, Ag, Ni, Cu, 땜납 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스타이렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 및 그 변성 수지를 입자로 하여 Au, Ag, Ni 등을 포함하는 금속으로 도금 코팅한 입자; 그 위에 절연입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 도전입자 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용되거나 2 종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
상기 도전입자의 평균 입경 크기는 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 다양할 수 있으며, 1 내지 20 ㎛ 범위에서 용도에 따라 선택하여 사용할 수 있으며, 구체적으로 1 내지 10 ㎛ 의 평균 입경을 가지는 도전입자를 사용할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름은 도전층 총 중량에 대하여 도전입자를 10 내지 40 중량%로 함유할 수 있으며, 보다 구체적으로는 15 내지 40 중량%를 포함할 수 있다.
상기 평균 입경 및 함량의 범위에서 도전입자가 단자 간에 용이하게 압착되어 안정적인 접속 신뢰성을 확보할 수 있으며, 통전성 향상으로 접속 저항을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도전층, 제1 절연층 및 제2 절연층은 이방성 도전 필름의 기본적인 물성들을 저해하지 않으면서 필름에 부가적인 물성을 추가로 부여하기 위하여, 기타 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
기타 첨가제
전술한 성분들 이외에 중합 방지제, 점착 부여제, 산화 방지제, 열안정제, 경화 촉진제, 커플링제 등의 기타 첨가제를 추가로 함유할 수 있다. 또한, 실리카 이외의 무기입자를 첨가할 수 있고, 상기 기타 첨가제의 첨가량은 필름의 용도나 목적하는 효과 등에 따라 다양할 수 있으며, 그 함량은 특별히 제한되지 아니하고 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 널리 알려져 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 필름을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며 당해 기술 분야에서 통상적으로 사용하는 방법을 사용할 수 있다.
이방성 도전 필름을 형성하는 방법은 특별한 장치나 설비가 필요하지 아니하며, 이방성 도전 필름을 형성하는 비제한적인 예는 다음과 같다: 바인더 수지를 유기 용제에 용해시켜 액상화한 후 나머지 성분을 첨가하여 일정 시간 교반하고, 이를 이형 필름 위에 적당한 두께, 예를 들어 10 내지 50 ㎛의 두께로 도포한 다음, 일정 시간 건조하여 유기 용제를 휘발시킴으로써 단층 구조를 가지는 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
이 때, 상기 유기용제로는 통상의 유기용제를 제한 없이 사용할 수 있으며, 본 실시예에서는 상기의 과정을 2회 이상 반복함으로써 2층 이상의 복층 구조를 갖는 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 본 발명의 일 예에 따른 이방성 도전 필름에 의해 접속된 반도체 장치일 수 있다.
본 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법은 특별히 제한되지 아니하며, 당해 기술 분야에서 알려진 방법으로 수행될 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예를 기술함으로써 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 다만, 하기의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명의 일 예시에 불과하며, 본 발명의 내용이 이에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
실시예 및 비교예
하기의 표 1과 같은 조성과 함량으로 제1 절연층, 도전층 및 제2 절연층을 제조하였다. 각 층에 포함된 성분들의 함량 단위는 중량%이다.
두께 및 함량(중량 %) 실시예 비교예
1 2 3 1 2 3
제
1 절연층		 바인더 수지 제1바인더 - - - - - -
제2바인더 40 40 40 40 40 40
에폭시
수지		 제1에폭시 23 23 23 23 23 23
제2에폭시 35 35 35 35 35 35
경화제 양이온경화제 2 2 2 2 2 2
두께(㎛) 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
도전층 바인더 수지 제1바인더 - - - - 25 -
제2바인더 25 25 25 55 - 15
에폭시
수지		 제1에폭시 5 5 5 5 5 3
제2에폭시 8 8 8 8 8 5
도전입자 30 30 30 30 30 30
경화제 양이온경화제 2 2 2 2 2 2
무기입자 나노실리카 30 30 30 - 30 45
두께(㎛) 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0
제2 절연층 바인더 수지 제1바인더 10 8 6 10 5 10
제2바인더 25 22 18 25 30 25
에폭시
수지		 제1에폭시 15 20 25 15 15 15
제2에폭시 45 45 45 45 45 45
경화제 양이온경화제 5 5 6 5 5 5
두께(㎛) 12 12 12 12 12 12
제1 바인더 수지 : 비스페놀A 페녹시 수지(제조원: 유니온 카바이드, 제품명: PKHH, 중량 평균 분자량 50,000)
제2 바인더 수지 : 플루오렌계 페녹시 수지 (제조원: OSAKA GAS, 제품명: EG200)
제1 에폭시 수지(제조원: 미쓰비시, 제품명: JER-8404)
제2 에폭시 수지 : 수산기 치환 에폭시 수지(화학식 1의 화합물)
경화제 : 양이온 경화제(제조원: 삼신화학, 제품명: SI-60L)
무기입자 : 7 nm 실리카(제조원:데구사, 제품명:R812)
도전입자 : 3 ㎛의 도전입자 (제조원:세키수이화학, 제품명: AUL704,)
실시예 1
제1 절연층 조성물의 제조
제2 바인더 수지(제조원: 오사카 가스(Osaka gas), 제품명: EG200) 40 중량%, 제1 에폭시 수지(제조원: 미쓰비시, 제품명: JER-8404) 23 중량%, 제2 에폭시 수지(본원 화학식 1) 35 중량%, 배합하여 C-믹서를 이용해 5 분간 교반하고, 이후 양이온 경화제(제조원: 삼신화학, 제품명: SI-60L)를 2 중량%로 투입한 후 C-믹서를 이용해 1 분간 교반하여(단, 교반액 내 온도가 60 ℃를 넘지 않도록 한다), 제1 절연층 조성물을 형성하였다
도전층 조성물의 제조
상기 제1 절연층의 제조에서, 바인더 수지, 에폭시 수지 및 경화제의 함량을 표 1과 같이 조정하고, 추가로 3 ㎛의 도전입자(AUL704, 세키수이화학) 및 7 nm의 실리카(R812, 데구사) 를 첨가하여 상기 제1 절연층의 제조와 동일한 조건 및 방법으로 도전층 조성물을 제조하였다.
제2 절연층 조성물의 제조
상기 제1 절연층의 제조에서, 바인더 수지, 에폭시 수지 및 경화제의 함량을 표 1과 같이 조정하고, 제2 절연층 조성물을 제조하여 상기 제1 절연층의 제조와 동일한 조건 및 방법으로 제2 절연층을 제조하였다.
이방성 도전 필름의 제조
이형 표면처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 일면을 제1 절연층 조성물로 코팅하고 70 ℃에서 5분 동안 열풍 건조시켜 두께 1.0 ㎛인 기재필름 상에 제1절연층을 형성하였다.
이어서, 상기 제1 절연층 상에 도전층 조성물을 이용하여 4 ㎛ 의 두께가 되도록 도전층을 형성하고, 상기 도전층 상에 제2 절연층 조성물을 이용하여 12 ㎛의 두께가 되도록 제2 절연층을 형성하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 2
실시예 1에 있어서, 제2 절연층의 각 성분의 함량을 표 1과 같이 조정하고, 실시예 1과 동일한 조건 및 방법을 사용하여, 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 제2 절연층의 각 성분의 함량을 표 1과 같이 조정하고, 실시예 1과 동일한 조건 및 방법을 사용하여, 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 1
실시예 1에 있어서, 도전층 조성물 중 무기입자를 첨가하지 않고, 제2 바인더 수지를 55 중량%를 사용한 것을 제외하고, 각 성분의 함량을 표 1과 같이 조정하여 실시예 1과 동일한 조건 및 방법을 사용하여, 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 2
실시예 1에 있어서, 도전층에 제2 바인더 수지 대신 제1 바인더 수지를 사용한 것을 제외하고는, 각 성분의 함량을 표 1과 같이 조정하여 실시예 1과 동일한 조건 및 방법을 사용하여, 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 3
실시예 1에 있어서, 도전층에 제2 바인더 수지 15 중량%, 제1 에폭시 수지 3 중량%, 제2 에폭시 수지 5 중량% 및 실리카를 45중량% 포함하는 것을 제외하고, 각 성분의 함량을 표 1과 같이 조정하여 실시예 1과 동일한 조건 및 방법을 사용하여, 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실험예 1
퍼짐길이 증가율 측정
상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방성 도전 필름의 퍼짐길이를 측정하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다.
폭방향 2 mm × 길이방향 20 mm의 샘플을 제조하여 이방성 도전 필름의 상하에 유리기판을 대치 시킨 후 150 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 5 초, 3 MPa(샘플 면적 기준)의 조건에서 압착한다.
이 때, 해당 층의 압착 전 폭방향 길이에 대한 압착 후 해당 층의 폭방향 길이를 측정하여, 증가한 길이에 대하여 하기의 식 1에 의한 퍼짐길이의 증가율(%)로 나타낼 수 있다.
[식 1]
퍼짐길이의 증가율 (%) = [ (압착 후 해당 층의 폭방향 길이 - 압착 전 해당 층의 폭방향 길이) / 압착 전 해당 층의 폭방향 길이] ×100
실험예 2
제2 절연층 / 도전층 퍼짐길이비 측정
상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방성 도전 필름의 제2 절연층/도전층 퍼짐길이비를 측정하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다.
폭방향 2 mm × 길이방향 20 mm의 샘플을 제조하여 이방성 도전 필름의 상하에 유리기판을 대치 시킨 후 150 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 5 초, 3 MPa(샘플 면적 기준)의 조건에서 압착한다.
상기 조건에서 압착 후 각 층의 폭방향 길이를 측정하여, 제2 절연층의 퍼짐길이 / 도전층의 퍼짐길이의 비로 측정할 수 있다.
실험예 3
입자포착율 측정
상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방성 도전 필름의 입자포착율을 측정하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다.
가압착 전 단자 상에 있는 도전입자의 갯수(압착 전 입자수) 및 본압착 후 단자 상에 있는 도전입자의 갯수 (압착 후 입자 수)를 금속 현미경으로 카운트하여 측정한 후, 하기의 식 2에 의해 도전입자의 입자포착율을 산출한다.
[식 2]
입자포착율 = (본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수 /가압착 전 이방성 도전 필름의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수) × 100
상기 가압착 및 본압착 조건은 하기와 같다.
1) 가압착 조건 : 70℃, 1초, 1MPa
2) 본압착 조건 : 150℃, 5초, 70 MPa
실험예 4
초기 접속 저항 및 신뢰성 후 접속 저항 측정
상기 실시예 및 비교예들에서 제조된 이방성 도전 필름의 초기 및 신뢰성 후 접속저항을 측정하기 위하여 하기의 방법을 수행하였다.
이방성 도전 필름 각각을 상온(25℃)에서 1 시간 동안 방치시킨 후, 0.5 t 글래스에 ITO층을 1000Å으로 피막한, 패턴 없는 글래스에 4 단자 측정 가능한 패턴을 형성한 COF(삼성전자)를 이용하여 실측 온도 70℃에서 1초, 1 MPa의 가압착 조건과, 150℃, 5초, 70 MPa의 본압착 조건으로 접속하여 상기 각각의 시편을 10개씩 준비하고, 이들 각각을 4 단자 측정 방법으로 초기 접속 저항을 측정(ASTM F43-64T 방법에 준함)하여 평균값을 계산하였다.
이후, 상기 각각의 10개씩의 시편을, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 고온ㆍ고습 신뢰성 평가를 진행한 후, 이들 각각의 신뢰성 후 접속 저항을 측정(ASTM D117에 준함)하여 평균값을 계산하였다.
상기 실험예 1 내지 4의 결과를 하기의 표 2에 나타내었다.
퍼짐길이의 증가율(%) 제 2 절연층/도전층의 퍼짐길이 비 입자포착율(%) 접속저항
제2 절연층 도전층 초기(Ω) 신뢰성(Ω)
실시예 1 130 10 13 58 0.44 1.32
실시예 2 155 16 9.7 52 0.46 1.41
실시예 3 160 18 8.9 50 0.43 1.25
비교예 1 180 40 4.5 15 0.45 10
비교예 2 45 45 1 23 0.87 25
비교예 3 120 5 24 48 4.5 1000
상기 표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 3의 경우, 도전층의 퍼짐길이의 증가율이 20 % 이하이고, 제2 절연층의 퍼짐길이의 증가율이 50 % 이상으로 나타남과 동시에 제2 절연층/도전층의 퍼짐길이 비가 3 내지 50로 나타났다.
상기 범위로 나타나는 경우, 도전층 및 제2 절연층의 유동성이 적절히 조절되어 보다 개선된 입자포착율, 초기 및 신뢰성 후 접속저항을 나타내어, 절연성 및 통전성이 향상된 이방성 도전 필름을 제공할 수 있음을 확인하였다.
그러나, 비교예 1의 경우, 도전층에 실리카를 첨가하지 않고 바인더 수지만으로 흐름성을 조절하였다. 이 경우, 흐름성은 향상될 수 있으나, 입자포착율이 30% 미만으로 나타나 목적하는 통전성을 확보하기 위해 도전입자 투입량을 늘려야 할 필요성이 있을 뿐만 아니라, 스페이스부로의 도전입자 유출을 감소시킬 수 없고, 신뢰성 접속 저항도 10 Ω을 초과함을 확인하였다.
또한, 비교예 2의 경우, 제2 바인더 수지를 사용하지 않고, 제1 바인더 수지만을 사용하였다. 이 경우, 흐름성이 향상될 수 있으나, 초기부터 저항이 높아질 뿐만 아니라, 신뢰성 접속 저항도 좋지 않음을 확인하였고, 비교예 3의 경우, 도전층에 실리카를 과량으로 함유할 경우, 유동성을 억제하여 입자포착율을 확보할 수 있었으나, 초기 및 신뢰성 저항을 개선할 수 없는 한계가 있음을 확인하였다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시예일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
1 제1 절연층
2 도전층
3 제2 절연층
4 이방성 도전 필름
5 도전입자

Claims (15)

  1. 제1 절연층, 도전층 및 제2 절연층이 순차적으로 적층되며,
    110 내지 200 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 3 내지 7 초, 1 내지 7 MPa (샘플 면적 기준)으로 압착한 후 측정한 하기의 식 1로 나타나는 퍼짐 길이의 증가율이 상기 도전층의 폭방향에 대하여 20 % 이하이고,
    상기 제2 절연층의 폭방향에 대하여 50 % 이상인, 이방성 도전 필름에 있어서,
    상기 이방성 도전 필름을 110 내지 190 ℃, 1 내지 7초, 50 내지 90 MPa 조건에서 본압착한 후 측정한 하기의 식 2로 나타나는 입자포착율이 30 내지 60 % 인, 이방성 도전 필름.
    [식 1]
    퍼짐 길이의 증가율 (%) = [ (압착 후 해당 층의 폭방향 길이 - 압착 전 해당 층의 폭방향 길이) / 압착 전 해당 층의 폭방향 길이] ×100
    [식 2]
    입자포착율 = (본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수 / 가압착 전 이방성 도전 필름의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수) × 100
  2. 제1 절연층, 도전층 및 제2 절연층이 순차적으로 적층되며,
    110 내지 200 ℃(이방성 도전 필름 감지 온도 기준), 3 내지 7 초, 1 내지 7 MPa (샘플 면적 기준)으로 압착한 후 측정한 도전층의 퍼짐길이에 대한 상기 제2 절연층의 퍼짐길이의 비가 3 내지 50인, 이방성 도전 필름에 있어서,
    상기 이방성 도전 필름을 110 내지 190 ℃, 1 내지 7초, 50 내지 90 MPa 조건에서 본압착한 후 측정한 하기의 식 2로 나타나는 입자포착율이 30 내지 60 % 인, 이방성 도전 필름.
    [식 2]
    입자포착율 = (본압착 후 접속 부위의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수 / 가압착 전 이방성 도전 필름의 단위면적당(mm2) 도전입자의 갯수) × 100
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전층의 퍼짐길이에 대한 상기 제2 절연층의 퍼짐길이의 비가 3 내지 50인, 이방성 도전 필름.
  4. 제2항에 있어서, 상기 압착 후, 측정한 하기의 식 1로 나타나는 퍼짐 길이의 증가율이 상기 도전층의 폭방향에 대하여 20 % 이하이고,
    상기 제2 절연층의 폭방향에 대하여 50 % 이상인, 이방성 도전 필름.
    [식 1]
    퍼짐 길이의 증가율 (%) = [ (압착 후 해당 층의 폭방향 길이 - 압착 전 해당 층의 폭방향 길이) / 압착 전 해당 층의 폭방향 길이] ×100
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 50 내지 90 ℃, 1 내지 5초, 1.0 내지 5.0 MPa 의 조건에서 가압착 후, 110 내지 190 ℃, 1 내지 7초, 50 내지 90 Mpa 의 조건에서 본압착 후 측정한 초기 접속 저항이 4 Ω 이하인, 이방성 도전 필름.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 50 내지 90 ℃, 1 내지 5초, 1.0 내지 5.0 MPa 의 조건에서 가압착 후, 110 내지 190 ℃, 1 내지 7초, 50 내지 90 Mpa 의 조건에서 본압착 후, 온도 85℃ 및 상대 습도 85%의 조건하에서 500 시간 동안 방치하여 측정한 신뢰성 후 접속 저항이 10 Ω 이하인, 이방성 도전 필름.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 절연층의 두께가 2 ㎛ 이하이고, 상기 도전층의 두께가 2 내지 10 ㎛이며, 제2 절연층의 두께가 6 내지 18 ㎛인, 이방성 도전 필름.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전층은 도전층 고형분 총 중량을 기준으로 무기입자를 10 내지 40 중량% 로 함유하는, 이방성 도전 필름.
  10. 제9항에 있어서, 상기 무기입자의 평균 입경은 5 내지 20 nm인, 이방성 도전 필름.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전층은 도전층 고형분 총 중량을 기준으로
    바인더 수지 20 내지 50 중량 %;
    에폭시 수지 5 내지 20 중량%;
    경화제 0.5 내지 10 중량%;
    무기입자 10 내지 40 중량%; 및
    도전입자 10 내지 40 중량%를 포함하는, 이방성 도전 필름.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 절연층에 함유된 바인더 수지/에폭시 수지의 비율이 2 내지 8인, 이방성 도전 필름.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2 절연층은 제2 절연층 고형분 총 중량을 기준으로
    상기 바인더 수지를 15 내지 50 중량%; 및
    상기 에폭시 수지를 40 내지 75 중량% ;를 포함하는, 이방성 도전 필름.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 절연층은 제1 절연층 고형분 총 중량을 기준으로
    바인더 수지 20 내지 59.9 중량 %;
    에폭시 수지 40 내지 79.9 중량%; 및
    경화제 0.1 내지 10 중량%;로 포함하는, 이방성 도전 필름.
  15. 삭제
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