JP2017085571A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは前記第２のトランジスタと異なる極性を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項１において、
前記第３のトランジスタおよび前記第４のトランジスタは、チャネルが形成される領域に酸化物半導体を有する半導体装置。 - 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記第１のトランジスタは前記第２のトランジスタと異なる極性を有し、
前記第５のトランジスタは前記第２のトランジスタと同じ極性を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項３において、
前記第３のトランジスタ、前記第４のトランジスタおよび前記第５のトランジスタは、チャネルが形成される領域に酸化物半導体を有する半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４いずれか一項において、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は高電位電源線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は低電位電源線と電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタは、チャネルが形成される領域に酸化物半導体を有する半導体装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎ）と、を有する半導体装置。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタはｐチャネル型であり、
前記第２のトランジスタはｎチャネル型である半導体装置。 - 請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置と、表示装置と、を有する電子機器。
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