TWI755208B - 電容式觸控感測電路及利用其之觸控晶片、觸控顯示器和資訊處理裝置 - Google Patents

電容式觸控感測電路及利用其之觸控晶片、觸控顯示器和資訊處理裝置 Download PDF

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Abstract

一種電容式觸控感測電路，具有一電荷轉電壓電路及一電阻式補償電路，其特徵在於：該電阻式補償電路係在一激勵脈衝之上升期間使一充電電阻與一供應電壓耦接以提供一基礎電容之注入電荷，及於該激勵脈衝之下降期間使一放電電阻與一參考地耦接以引導該基礎電容之流出電荷，從而避免該基礎電容的注入電荷和流出電荷流經該電荷轉電壓電路之一負回授電容而致使該電荷轉電壓電路之一放大器的輸出發生飽和，從而提高觸控感測的靈敏度和可靠度。

Description

電容式觸控感測電路及利用其之觸控晶片、觸控顯示器和資訊處理裝置
本發明係有關一種電容式觸控感測電路，尤指一種具有基礎電容補償電路之電容式觸控感測電路。
在一般的自電容式觸控式螢幕中，由於螢幕的對地電容很大，因此其觸控晶片中一般會設置補償電容，MIM(metal insulator metal；金屬-絕緣層-金屬)電容或者MOM(metal oxide metal；金屬-氧化層-金屬)電容，來消除螢幕固有的基礎電容，以有效檢測手指或其他導電體對螢幕進行觸控操作時所產生的電容增量。
然而，MIM電容或者MOM電容有個很大的問題就是很佔面積，如果遇到基礎電容很大的螢幕，觸控晶片就需要大幅增加面積來設置補償用的MIM電容或者MOM電容，而這會提高晶片成本。
為解決上述問題，本領域亟須一種新穎的電容式觸控感測電路。
本發明之主要目的在於提供一種電容式觸控感測電路，其可在一觸控操作之感測過程中，利用一電阻式補償電路補償一電容式觸控面板之基礎電容，以在節省晶片面積的情況下有效提高觸控感測的靈敏度和可靠度。
本發明之另一目的在於提供一種觸控晶片，其可在一觸控操作之感測過程中，利用一電阻式補償電路補償一電容式觸控面板之基礎電容，以在節省晶片面積的情況下有效提高觸控感測的靈敏度和可靠度。
本發明之又一目的在於提供一種觸控顯示器，其可藉由在一觸控晶片中設置一電阻式補償電路，以在一觸控操作之感測過程中，利用該電阻式補償電路補償一電容式觸控面板之基礎電容，從而有效提高觸控感測的靈敏度和可靠度。
為達到前述之目的，一種電容式觸控感測電路乃被提出，其包括：
一第一電阻，其一端耦接一感測點，而其另一端則經由一第一開關連接至一供應電壓，其中，該感測點係與一觸控面板上之一基礎電容耦接，且該第一開關係由一第一開關信號控制；
一第二電阻，其一端耦接該感測點，而其另一端則經由一第二開關連接至一參考地，其中，該第二開關係由一第二開關信號控制；以及
一電荷轉電壓電路，具有一電荷輸入端、一激勵信號輸入端及一電壓輸出端，該電荷輸入端係與該感測點耦接，該激勵信號輸入端係與一激勵信號耦接，且該電壓輸出端係用以提供一輸出電壓。
在一實施例中，該電荷轉電壓電路具有：
一取值開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第三開關信號耦接，而該通道則連接於該電荷輸入端與一輸入端之間；
一放大器，具有一負輸入端、一正輸入端及一輸出端，其中，該負輸入端係與該輸入端連接，該正輸入端係與該激勵信號輸入端耦接，且該輸出端係充作該電壓輸出端，其中，該激勵信號係一脈衝信號，其具有一電壓上升期間、一高電位期間及一電壓下降期間；以及
一重置開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第四開關信號耦接，而該通道則連接於該輸出端與該負輸入端之間；以及 一回授電容，連接於該輸出端與該負輸入端之間。
在一實施例中，該取值開關係用以在該第三開關信號為高電位時導通以使該感測點耦接該輸入端。
在一實施例中，該重置開關係用以在該第四開關信號為高電位時導通以清除該回授電容的電荷。
在一實施例中，該第一開關信號係在該脈衝信號的該電壓上升期間為高電位以導通該第一開關，以使該供應電壓經由該第一電阻輸出一電流至該感測點上之該基礎電容。
在一實施例中，該第二開關信號係在該脈衝信號的該電壓下降期間為高電位以導通該第二開關，以使該感測點經由該第二電阻連接至該參考地。
為達到前述之目的，本發明進一步提出一種電容式觸控感測電路，其具有：
一PMOS電晶體，具有一閘極、一源極和一汲極，該閘極耦接一第一開關信號，該源極耦接一供應電壓，該汲極耦接一感測點，且該感測點係與一觸控面板上之一基礎電容耦接；
一NMOS電晶體，具有一閘極、一汲極和一源極，該閘極耦接一第二開關信號，該汲極耦接該感測點，且該源極耦接一參考地；以及
一電荷轉電壓電路，具有一電荷輸入端、一激勵信號輸入端及一電壓輸出端，該電荷輸入端係與該感測點耦接，該激勵信號輸入端係與一激勵信號耦接，且該電壓輸出端係用以提供一輸出電壓。
在一實施例中，該電荷轉電壓電路具有：
一取值開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第三開關信號耦接，而該通道則連接於該電荷輸入端與一輸入端之間；
一放大器，具有一負輸入端、一正輸入端及一輸出端，其中，該負輸入端係與該輸入端連接，該正輸入端係與該激勵信號輸入端耦接，且該輸出端係充作該電壓輸出端，其中，該激勵信號係一脈衝信號，其具有一電壓上升期間、一高電位期間及一電壓下降期間；以及
一重置開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第四開關信號耦接，而該通道則連接於該輸出端與該負輸入端之間；以及
一回授電容，連接於該輸出端與該負輸入端之間。
在一實施例中，該取值開關係用以在該第三開關信號為高電位時導通以使該感測點耦接該輸入端。
在一實施例中，該取值開關係用以在該第三開關信號為高電位時導通以使該感測點耦接該輸入端。
在一實施例中，該重置開關係用以在該第四開關信號為高電位時導通以清除該回授電容的電荷。
在一實施例中，該第一開關信號係在該脈衝信號的該電壓上升期間為高電位以導通該第一開關，以使該供應電壓經由該第一電阻輸出一電流至該感測點上之該基礎電容。
在一實施例中，該第二開關信號係在該脈衝信號的該電壓下降期間為高電位以導通該第二開關，以使該感測點經由該第二電阻連接至該參考地。
為達到前述之目的，本發明進一步提出一種觸控晶片，其具有一控制單元及一驅動電路，其中，該驅動電路具有至少一個如前述之電容式觸控感測電路，且該控制單元係用以控制該驅動電路。
為達到前述之目的，本發明進一步提出一種觸控顯示器，其具有一電容式觸控螢幕及一個如前述之觸控晶片，其中，該觸控晶片係用以驅動該電容式觸控螢幕。
在可能的實施例中，該電容式觸控螢幕可包含一液晶顯示屏、一有機發光二極體顯示屏、一量子點發光二極體顯示屏、一迷你發光二極體顯示屏或一微發光二極體顯示屏。
為達到前述之目的，本發明進一步提出一種資訊處理裝置，其具有一中央處理單元及如前述之觸控顯示器，其中，該中央處理單元係用以與該觸控顯示器通信。
在可能的實施例中，該資訊處理裝置可為一智慧型手機或一可攜式電腦。
本發明的原理在於：
在一觸控操作之感測過程中，於一激勵脈衝之上升期間使一充電電阻與一供應電壓耦接以提供一基礎電容之注入電荷，及於該激勵脈衝之下降期間使一放電電阻與一參考地耦接以引導該基礎電容之流出電荷，從而避免該基礎電容的注入電荷或流出電荷不致流經一電荷轉電壓電路之一負回授電容而使一放大器的輸出發生飽和。依此，本發明即可有效提高觸控感測的靈敏度和可靠度。
另外，由於電流與電阻值是呈反比的，當需要補償的基礎電容越大時，需要的電阻反而越小，因此，對於基礎電容較大的電容性面板的觸控晶片而言，其晶片面積反而會更小而可大幅降低晶片成本。
請參照圖1，其繪示本發明之電容式觸控感測電路之一實施例之電路圖。如圖1所示，一電容式觸控感測電路100具有一第一電阻101、一第一開關101a、一第二電阻102、一第二開關102a、一取值開關103、一放大器104、一重置開關105及一回授電容106，其中，取值開關103、放大器104、重置開關105及回授電容106形成一電荷轉電壓電路，且該電荷轉電壓電路具有一電荷輸入端、一激勵信號輸入端及一電壓輸出端，該電荷輸入端係與一感測點A耦接，該激勵信號輸入端係與一激勵信號V STM耦接，且該電壓輸出端係用以提供一輸出電壓V OUT。
第一電阻101之一端耦接感測點A，而其另一端則經由第一開關101a連接至一供應電壓V DD，其中，感測點A係與一觸控面板上之一基礎電容110耦接，且當感測點A上有觸控事件發生時，該觸控事件會使該基礎電容110併上一變化電容110a。
第一開關101a具有一控制端及一通道，該控制端係與一第一開關信號S 1耦接，而該通道則耦接於供應電壓V DD與第一電阻101之間。
第二電阻102之一端耦接感測點A，而其另一端則經由第二開關102a連接至一參考地。
第二開關102a具有一控制端及一通道，該控制端係與一第二開關信號S 2耦接，而該通道則耦接於供應電壓V DD與第一電阻101之間。
取值開關103具有一控制端及一通道，該控制端係與一第三開關信號S 3耦接，而該通道則連接於該電荷輸入端(亦即感測點A)與一輸入端B之間。
放大器104具有一負輸入端、一正輸入端及一輸出端，其中，該負輸入端係與輸入端B連接，該正輸入端係與(亦即激勵信號V STM)耦接，且該輸出端係該電壓輸出端，用以提供輸出電壓V OUT，其中，激勵信號V STM係一脈衝信號，其具有一電壓上升期間、一高電位期間及一電壓下降期間。
重置開關105具有一控制端及一通道，該控制端係與一第四開關信號S 4耦接，而該通道則連接於該輸出端與該負輸入端之間。
回授電容106係連接於該輸出端與該負輸入端之間。
於操作時，當激勵信號V STM處於該電壓上升期間時，電容式觸控感測電路100分兩階段操作：
第一階段：S 3,S 4為高電位，S 1和S 2為低電位，放大器104接成一個單位增益緩衝器，並且對基礎電容110進行重置； 第二階段：S 3,S 4為低電位，S 1為高電位，S 2為低電位，基礎電容110同時耦接放大器104的負輸入端，此時感測點A經由第一電阻101連接至供應電壓V DD。
當激勵信號V STM處於該電壓下降期間時，電容式觸控感測電路100分另兩階段操作：
第三階段：S 3,S 4為高電位，S 1和S 2為低電位，放大器104接成一個單位增益緩衝器，並且對基礎電容110進行重置；
第四階段：S 3,S 4為低電位，S 1為低電位，S 2為高電位，基礎電容110耦接放大器104的負輸入端，此時感測點A經由第二電阻102連接至參考地。
鑒於基礎電容110的數值一般都高達十幾pF甚至幾十pF，如果沒有補償電路的話，其釋出的電荷在流經回授電容106時會在回授電容106上建立過高的電壓而使放大器104的輸出飽和，從而無法分辨出感測點A的變化電容110a。依上述的本發明的補償機制，基礎電容110的電荷可以被抵消掉，只有變化電容110a上面的電荷轉移到回授電容106上。
另外，在激勵信號V STM的該電壓上升期間，假設上升斜率為k，那麼在t時刻流過第一電阻101的電流為：
Figure 02_image001
，R 1為第一電阻101的電阻值。如果激勵信號V STM在t1時刻上升到供應電壓V DD，那麼流過第一電阻101的電荷為：
Figure 02_image003
。假設R 1=100Kohm，激勵信號V STM在1us內上升到供應電壓V DD=5.5V，那麼經由第一電阻101提供的電荷即為：
Figure 02_image005
。
再由電容與電荷的關係：
Figure 02_image009
，在U=5.5V的情況下：
Figure 02_image013
，即這個電荷可以把5.5pF的電容的電位從0抬升到5.5V。
另外，圖1中的第一電阻101和第二電阻102並不限於多晶矽電阻，其亦可為占用更小面積的MOS電阻。請參照圖2，其繪示本發明之電容式觸控感測電路之另一實施例之電路圖。如圖2所示，一電容式觸控感測電路200具有一PMOS電晶體201、一NMOS電晶體202、一取值開關203、一放大器204、一重置開關205及一回授電容206。
電容式觸控感測電路200與電容式觸控感測電路100的差異在於電容式觸控感測電路200係以PMOS電晶體201取代第一電阻101及第一開關101a，及以NMOS電晶體202取代第二電阻102及第二開關102a，其中，PMOS電晶體201具有一閘極、一源極和一汲極，該閘極耦接一第一開關信號S 1，該源極耦接一供應電壓V DD，該汲極耦接一感測點A；以及NMOS電晶體202具有一閘極、一汲極和一源極，該閘極耦接一第二開關信號S 2，該汲極耦接感測點A，且該源極耦接一參考地。
依上述的說明，本發明進一步提出一種觸控晶片。請參照圖3，其繪示本發明之觸控晶片之一實施例之方塊圖。如圖3所示，一觸控晶片300具有一控制單元310及一驅動電路320，其中，驅動電路320具有至少一電容式觸控感測電路100或一電容式觸控感測電路200，且控制單元310係用以控制驅動電路320。
依上述的說明，本發明進一步提出一種觸控顯示器。請參照圖4，其繪示本發明之觸控顯示器之一實施例之方塊圖。如圖4所示，一觸控顯示器400具有一觸控晶片410及一電容式觸控螢幕420，其中，觸控晶片410係由觸控晶片300實現以驅動電容式觸控螢幕420。
另外，電容式觸控螢幕420可包含一液晶顯示屏、一有機發光二極體(OLED)顯示屏、一量子點發光二極體(QLED)顯示屏、一迷你發光二極體(Mini LED)顯示屏或一微發光二極體(Micro LED)顯示屏。
另外，依上述的說明，本發明進一步提出一種資訊處理裝置。請參照圖5，其繪示本發明之資訊處理裝置之一實施例之方塊圖。如圖5所示，一資訊處理裝置500具有一中央處理單元510及一觸控顯示器520，其中，觸控顯示器520係由觸控顯示器400實現，且中央處理單元510係用以與觸控顯示器520通信。另外，資訊處理裝置500可為一智慧型手機或一可攜式電腦。
依上述的說明可知，本發明可提供以下的優點：
1.本發明的電容式觸控感測電路可在一觸控操作之感測過程中，利用一電阻式補償電路補償一電容式觸控面板之基礎電容，以在節省晶片面積的情況下有效提高觸控感測的靈敏度和可靠度。
2.本發明的觸控晶片可在一觸控操作之感測過程中，利用一電阻式補償電路補償一電容式觸控面板之基礎電容，以在節省晶片面積的情況下有效提高觸控感測的靈敏度和可靠度。
3.本發明的觸控顯示器可藉由在一觸控晶片中設置一電阻式補償電路，以在一觸控操作之感測過程中，利用該電阻式補償電路補償一電容式觸控面板之基礎電容，從而有效提高觸控感測的靈敏度和可靠度。
本發明所揭示者，乃較佳實施例之一種，舉凡局部之變更或修飾而源於本發明之技術思想而為熟習該項技藝知人所易於推知者，俱不脫本發明之專利權範疇。
綜上所陳，本案無論目的、手段與功效，皆顯示其迥異於習知技術，且其首先發明合於實用，確實符合發明之專利要件，懇請　貴審查委員明察，並早日賜予專利俾嘉惠社會，是為至禱。
100:電容式觸控感測電路 101:第一電阻 101a:第一開關 102:第二電阻 102a:第二開關 103:取值開關 104:放大器 105:重置開關 106:回授電容 110:基礎電容 110a:變化電容 200:電容式觸控感測電路 201:PMOS電晶體 202:NMOS電晶體 203:取值開關 204:放大器 205:重置開關 206:回授電容 300:觸控晶片 310:控制單元 320:驅動電路 400:觸控顯示器 410:觸控晶片 420:電容式觸控螢幕 500:資訊處理裝置 510:中央處理單元 520:觸控顯示器
為進一步揭示本發明之具體技術內容，首先請參閱圖式，其中： 圖1繪示本發明之電容式觸控感測電路之一實施例之電路圖。 圖2繪示本發明之電容式觸控感測電路之另一實施例之電路圖。 圖3繪示本發明之觸控晶片之一實施例之方塊圖。 圖4繪示本發明之觸控顯示器之一實施例之方塊圖。 圖5繪示本發明之資訊處理裝置之一實施例之方塊圖。
100:電容式觸控感測電路
101:第一電阻
101a:第一開關
102:第二電阻
102a:第二開關
103:取值開關
104:放大器
105:重置開關
106:回授電容
110:基礎電容
110a:變化電容

Claims (16)

  1. 一種電容式觸控感測電路，其具有： 一第一電阻，其一端耦接一感測點，而其另一端則經由一第一開關連接至一供應電壓，其中，該感測點係與一觸控面板上之一基礎電容耦接，且該第一開關係由一第一開關信號控制； 一第二電阻，其一端耦接該感測點，而其另一端則經由一第二開關連接至一參考地，其中，該第二開關係由一第二開關信號控制；以及 一電荷轉電壓電路，具有一電荷輸入端、一激勵信號輸入端及一電壓輸出端，該電荷輸入端係與該感測點耦接，該激勵信號輸入端係與一激勵信號耦接，且該電壓輸出端係用以提供一輸出電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控感測電路，其中，該電荷轉電壓電路具有： 一取值開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第三開關信號耦接，而該通道則連接於該電荷輸入端與一輸入端之間； 一放大器，具有一負輸入端、一正輸入端及一輸出端，其中，該負輸入端係與該輸入端連接，該正輸入端係與該激勵信號輸入端耦接，且該輸出端係充作該電壓輸出端，其中，該激勵信號係一脈衝信號，其具有一電壓上升期間、一高電位期間及一電壓下降期間；以及 一重置開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第四開關信號耦接，而該通道則連接於該輸出端與該負輸入端之間；以及 一回授電容，連接於該輸出端與該負輸入端之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電容式觸控感測電路，其中，該取值開關係用以在該第三開關信號為高電位時導通以使該感測點耦接該輸入端。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電容式觸控感測電路，其中，該重置開關係用以在該第四開關信號為高電位時導通以清除該回授電容的電荷。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電容式觸控感測電路，其中，該第一開關信號係在該脈衝信號的該電壓上升期間為高電位以導通該第一開關，以使該供應電壓經由該第一電阻輸出一電流至該感測點上之該基礎電容。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電容式觸控感測電路，其中，該第二開關信號係在該脈衝信號的該電壓下降期間為高電位以導通該第二開關，以使該感測點經由該第二電阻連接至該參考地。
  7. 一種電容式觸控感測電路，其具有： 一PMOS電晶體，具有一閘極、一源極和一汲極，該閘極耦接一第一開關信號，該源極耦接一供應電壓，該汲極耦接一感測點，且該感測點係與一觸控面板上之一基礎電容耦接； 一NMOS電晶體，具有一閘極、一汲極和一源極，該閘極耦接一第二開關信號，該汲極耦接該感測點，且該源極耦接一參考地；以及 一電荷轉電壓電路，具有一電荷輸入端、一激勵信號輸入端及一電壓輸出端，該電荷輸入端係與該感測點耦接，該激勵信號輸入端係與一激勵信號耦接，且該電壓輸出端係用以提供一輸出電壓。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電容式觸控感測電路，其中，該電荷轉電壓電路具有： 一取值開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第三開關信號耦接，而該通道則連接於該電荷輸入端與一輸入端之間； 一放大器，具有一負輸入端、一正輸入端及一輸出端，其中，該負輸入端係與該輸入端連接，該正輸入端係與該激勵信號輸入端耦接，且該輸出端係充作該電壓輸出端，其中，該激勵信號係一脈衝信號，其具有一電壓上升期間、一高電位期間及一電壓下降期間；以及 一重置開關，具有一控制端及一通道，該控制端係與一第四開關信號耦接，而該通道則連接於該輸出端與該負輸入端之間；以及 一回授電容，連接於該輸出端與該負輸入端之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電容式觸控感測電路，其中，該取值開關係用以在該第三開關信號為高電位時導通以使該感測點耦接該輸入端。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電容式觸控感測電路，其中，該重置開關係用以在該第四開關信號為高電位時導通以清除該回授電容的電荷。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電容式觸控感測電路，其中，該第一開關信號係在該脈衝信號的該電壓上升期間為高電位以導通該第一開關，以使該供應電壓經由該第一電阻輸出一電流至該感測點上之該基礎電容。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電容式觸控感測電路，其中，該第二開關信號係在該脈衝信號的該電壓下降期間為高電位以導通該第二開關，以使該感測點經由該第二電阻連接至該參考地。
  13. 一種觸控晶片，具有一控制單元及一驅動電路，其中，該驅動電路具有至少一個如申請專利範圍第1至12項中任一項所述之電容式觸控感測電路，且該控制單元係用以控制該驅動電路。
  14. 一種觸控顯示器，具有一電容式觸控螢幕及一個如申請專利範圍第13項所述之觸控晶片，其中，該觸控晶片係用以驅動該電容式觸控螢幕。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之觸控顯示器，其中，該電容式觸控螢幕包含由一液晶顯示屏、一有機發光二極體顯示屏、一量子點發光二極體顯示屏、一迷你發光二極體顯示屏和一微發光二極體顯示屏所組成群組所選擇的一種顯示屏。
  16. 一種資訊處理裝置，其具有一中央處理單元及如申請專利範圍第14至15項中任一項所述之觸控顯示器，其中，該中央處理單元係用以與該觸控顯示器通信，且該資訊處理裝置係一智慧型手機或一可攜式電腦。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201633099A (zh) * 2015-03-05 2016-09-16 Ｇ２觸控股份有限公司 電容式觸碰訊號偵測裝置及方法
TWI692712B (zh) * 2018-10-11 2020-05-01 義隆電子股份有限公司 電容感應取樣電路及其感應取樣方法
US20200266761A1 (en) * 2015-10-30 2020-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201633099A (zh) * 2015-03-05 2016-09-16 Ｇ２觸控股份有限公司 電容式觸碰訊號偵測裝置及方法
US20200266761A1 (en) * 2015-10-30 2020-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
TWI692712B (zh) * 2018-10-11 2020-05-01 義隆電子股份有限公司 電容感應取樣電路及其感應取樣方法

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