CN110196653A - 触摸检测电路、触控显示装置以及触摸检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种触摸检测电路,包括:运算放大器,补偿电容,以及与补偿电容相连接的多个开关,所述多个开关连通或断开所述补偿电容与所述反相输入端、第一偏置端、第二偏置端及第三偏置端的电连接,以提高电容感应信号的变化灵敏度,其中,所述补偿电容包括金属氧化物半导体电容。本发明还公开了一种触控显示装置以及触摸检测方法。本发明可以提高触摸检测电路的灵敏度,同时实现芯片的小型化,降低芯片成本。
Description
技术领域
本发明涉及触控技术领域,具体涉及一种触摸检测电路、触控显示装置以及触摸检测方法。
背景技术
现有电容式触控装置检测方法,有基于自电容检测和互电容检测两种基本方案,两种基本方案都是通过检测有导体(如人的手指)靠近容性触摸装置所引起的微小电容变化来实现识别操作的。而一般情况下,由导体靠近装置所引起的电容变化量远小于装置具有的被测电容的大小,这些被测电容包括屏幕自身所具有的电容以及屏幕寄生电容。由于被测电容的存在,限制了检测电路的有效检测范围,从而限制了对微小电容变化检测灵敏度的提高。
为解决这一技术问题,现有技术中常采用在原有触摸检测电路中增加补偿电容的方法,通过控制补偿电容的充电、放电过程,将被测电容的电量降低一预定电量,使得被测电容上的电容变化量相对于无补偿电容时的电容变化量增大,进而提高检测电路的灵敏度。
而现有技术中补偿电容大多采用MIM(Metal-Insulator-Metal,金属-绝缘层-金属)电容或者MOM(Metal-Oxide-Metal,金属-氧化物-金属)电容来对屏幕的基础电容进行补偿。但是MIM电容或者MOM电容有个很大的问题就是它们的单位面积容值很小,如果遇到基础电容很大的屏幕,就会需要非常多的MIM电容或者MOM电容,这样占用的芯片面积较大,不利于芯片的小型化,且增加了芯片的制造成本。因而,在实现提高检测电路的灵敏度的基础上,实现芯片的小型化就成了本领域的技术人员需要解决的问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种触摸检测电路、触控显示装置以及触摸检测方法,可以减小芯片面积,降低芯片成本。
根据本发明提供的一种触摸检测电路,其特征在于,包括:运算放大器,包括接收电容感应信号的反相输入端,接收共模电压的同相输入端,以及提供检测信号的输出端;补偿电容,对所述电容感应信号进行补偿以调高信号灵敏度;以及多个开关,与补偿电容相连接,以连通或断开所述补偿电容与所述反相输入端、第一偏置端、第二偏置端及第三偏置端的电连接,其中,所述多个开关包括连接在所述反相输入端和所述补偿电容第一端之间的第九开关,所述多个开关用于在所述第九开关关断时实现对所述补偿电容上下极板的充电/放电,平衡所述补偿电容的上下极板压差。
优选地,所述补偿电容包括金属氧化物半导体电容。
优选地,所述触摸检测电路还包括:基础电容,所述基础电容的第一端通过第二开关连接所述运算放大器的反相输入端,第二端接地;电压源,所述电压源经由第一开关连接至所述基础电容的第一端,用于为所述基础电容充电;第三开关,所述第三开关串联在所述运算放大器的反向输入端和所述运算放大器的输出端之间;第一电容,所述第一电容与所述第三开关并联连接。
优选地,所述多个开关还包括:第四开关,所述第四开关连接于所述补偿电容的第一端与所述第一偏置端之间;第五开关,所述第五开关连接于所述补偿电容的第一端与所述第三偏置端之间;第六开关,所述第六开关连接于所述补偿电容的第二端与所述第一偏置端之间;第七开关,所述第七开关连接于所述补偿电容的第二端与所述第三偏置端之间;第八开关,所述第八开关连接于所述补偿电容的第二端与所述第二偏置端之间。
优选地,所述第一偏置端为正电压源偏置端,所述第二偏置端为负电压源偏置端,和所述第三偏置端为模拟地偏置端。
优选地,在激励信号的上升沿触发前的第一时间段,闭合第四开关和第七开关,将所述补偿电容充电至第一电压,在所述激励信号的上升沿触发后的第一时间段,闭合第六开关和第九开关,所述补偿电容上的电荷向基础电容上转移,在所述激励信号的下降沿触发前的第一时间段,闭合第五开关和第七开关,对所述补偿电容的上下极板进行放电,以及在所述激励信号的下降沿触发后的第一时间段,闭合第八开关和第九开关,将所述补偿电容充电至第二电压,同时所述基础电容上的电荷向所述补偿电容上转移。
优选地,所述正电压源偏置端的输出电压与所述负电压源偏置端的输出电压的电压大小相等,电压极性相反。
优选地,所述第一电压与所述第二电压的绝对值相等。
优选地,所述电压源输出电压可在正电压和负电压间切换。
根据本发明提供的一种触控显示装置,其特征在于,包括:显示面板,以及权利要求1至9中任一项所述的触摸检测电路,所述触摸检测电路用于提供检测信号。
优选地,所述显示面板包括:阴极射线管显示面板、数字光处理显示面板、液晶显示面板、发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板、量子点显示面板、Mirco-LED显示面板、Mini-LED显示面板、场发射显示面板、电浆显示面板、电泳显示面板或电润湿显示面板。
根据本发明提供的一种触摸检测方法,其特征在于,包括:在激励信号的上升沿或下降沿触发前的第一时间段,由电压源根据所述激励信号对基础电容充电;在激励信号的上升沿或下降沿触发后的第一时间段,由补偿电容对所述基础电容进行补偿,其中,所述补偿电容对所述基础电容补偿时,由多个偏置端根据所述激励信号对所述补偿电容的上下极板进行充电/放电。
优选地,所述多个偏置端包括:正电压源偏置端、负电压源偏置端以及模拟地偏置端。
优选地,所述补偿电容包括金属氧化物半导体电容。
优选地,所述激励信号为高电平时,所述电压源输出电压为正电压,所述激励信号为低电平时,所述电压源输出电压为负电压。
优选地,所述触摸检测方法还包括:所述补偿电容对所述基础电容进行补偿时,由运算放大器对所述基础电容的变化量进行检测输出。
优选地,对所述基础电容的补偿方法包括:在所述激励信号的上升沿触发前的第一时间段,将所述补偿电容充电至第一电压;在所述激励信号的上升沿触发后的第一时间段,所述补偿电容上的电荷向所述基础电容上转移;在所述激励信号的下降沿触发前的第一时间段,对所述补偿电容的上下极板进行放电;在所述激励信号的下降沿触发后的第一时间段,将所述补偿电容充电至第二电压,同时所述基础电容上的电荷向所述补偿电容上转移。
优选地,所述电荷为正电荷。
优选地,所述第一电压与所述第二电压的绝对值相等。
本发明的有益效果是:本发明提供了一种触摸检测电路、触控显示装置以及触摸检测方法,通过采样金属氧化物半导体电容作为基础电容来对触摸检测电路中的基础电容进行补偿,有效地减小了芯片面积,又由于金属氧化物半导体电容的单位面积容值是MIM电容的两倍,也在一定程度上减小了补偿电容的面积,极大的降低了芯片成本。
通过设置相应的开关电路将NCAP电容的两端连接至多个偏置源,并通过该多个偏置源对NCAP电容的上下极板进行充电/放电,有效地消除了NCAP上下极板压差不一样时容值存在的差异。
本发明在基础电容Cb正/负电压充电转换期间,将补偿电容Cc的上极板和下极同时接模拟地,这样可以释放补偿电容Cc的上极板和下极板上的残存电荷,进一步提高补偿电容Cc对基础电容Cb的补偿效果。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述,本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
图1示出根据现有技术的触摸检测电路的结构示意图;
图2示出本发明实施例提供的触摸检测电路的结构示意图;
图3示出本发明实施例提供的触摸检测电路的控制时序图;
图4示出本发明实施例提供的触摸检测方法的流程图;
图5示出本发明实施例提供的基础电容补偿方法的流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以通过不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反的,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。
下面,参照附图对本发明进行详细说明。
图1示出根据现有技术的触摸检测电路的结构示意图。
如图1所示,触摸检测电路包括:基础电容Cb、第一电容Cf、补偿电容Cc、运算放大器AMP、第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4以及第五开关S5,其中,基础电容Cb对应为每个像素点的对地电容。
基础电容Cb的第一端同时连接至第一开关S1的第一端和第二开关S2的第一端,基础电容Cb的第二端接地;第一开关S1的第二端连接至电压源;第二开关S2的第二端连接至运算放大器AMP的反相输入端;第三开关S3连接至运算放大器AMP的输出端和反相输入端之间;第一电容Cf与第三开关S3并联连接;运算放大器AMP的同相输入端接收共模电压VCM,运算放大器AMP的输出端用于输出检测信号Vo;补偿电容Cc的第一端连接至运算放大器AMP反相输入端,补偿电容Cc的第二端分别与第四开关S4的第一端和第五开关S5的第一端连接,第四开关S4的第二端和第五开关S5的第二端分别连接至第一补偿电压源和第二补偿电压源。
图1所示触摸检测电路的结构图中,由于触摸引起的基础电容Cb变化量等效为与基础电容Cb并联连接的触摸电容△C。其中,电压源、第一补偿电压源以及第二补偿电压源包括选自正电压源VDD和负电压源VSS中的任一种。
图1所示的触摸检测电路包括ψ1和ψ2两个时期,其中在ψ1期间主要对基础电容Cb进行充电,在ψ2期间主要对基础电容Cb进行补偿。同时,图1的电路图中标号ψ1和ψ2表示:在ψ1期间,ψ1所对应的开关闭合,ψ2所对应的开关断开;和在ψ2期间,ψ1所对应的开关断开,ψ2所对应的开关闭合。
在第一期间ψ1内,第一开关S1、第三开关S3以及第四开关S4均闭合,第二开关S2以及第五开关S5均断开。基础电容Cb经由第一开关S1开始充电,补偿电容Cc经由第四开关S4开始充电,电压源例如为正电压源VDD,对应地,第一补偿电压源例如为负电压源VSS。充电完成后,基础电容Cb两端电压对应为VCC,补偿电容Cc两端电压对应为VSS。此时运算放大器AMP接成一个单位增益缓冲器,由单位增益缓冲器的相关特性可知,运算放大器AMP的输出端电压等于同相输入端电压,均对应为共模电压VCM。
在第二期间ψ2内,第一开关S1、第三开关S3以及第四开关S4均关断,第二开关S2和第五开关S5闭合,使得运算放大器AMP工作在线性区,此时把运算放大器AMP的同相输入端和反相输入端视为等电位,这一特性称为虚假短路,简称为虚短。由于运算放大器AMP的这一特性,此时,运算放大器AMP的同相输入端和反相输入端电压均对应为共模电压VCM。
触摸检测电路中若无第四开关S4、第五开关S5以及补偿电容Cc,在此阶段,基础电容Cb和第一电容Cf之间发生电荷的转移,直到使得运算放大器AMP的同相输入端和反相输入端等电位。在此过程中,造成运算放大器AMP输出检测信号Vo的变化,若第一期间ψ1内检测信号Vo对应为Voψ1,第二期间ψ2内检测信号Vo对应为Voψ2,则检测信号Vo变化量△Vo对应为:
根据电荷守恒定律,可得:
运算放大器AMP的输出端连接至模数转换电路,该模数转换电路用于根据检测信号Vo变化量得到触摸电容△C。
由于基础电容Cb电容值太大(最大可达上百pF),而在实际应用时只希望获得的触摸电容△C电容值(通常只有1pF左右),这就会造成检测信号Vo变化量△Vo太小,降低检测灵敏度。
现有技术中的检测电路由于增加了第四开关S4、第五开关S5以及补偿电容Cc,第二补偿电压源例如为VDD,第五开关S5闭合,使得补偿电容Cc两端电压对应为VDD-VSS,基础电容Cb和补偿电容Cc之间发生电荷的转移,基础电容Cb的电量降低,使得基础电容Cb的电容变化量(即触摸电容△C)相对于无补偿电容Cc时增大,进而提高检测电路的灵敏度。
现有技术中,虽然可以提高检测电路的灵敏度,但是其补偿电容大多采用MIM电容或者MOM电容来对屏幕的基础电容进行补偿。但是MIM电容或者MOM电容有个很大的问题就是它们的单位面积容值很小,如果遇到基础电容很大的屏幕,就会需要非常多的MIM电容或者MOM电容,这样占用的芯片面积较大,不利于芯片的小型化,且增加了芯片的制造成本。
图2示出本发明实施例提供的触摸检测电路的结构示意图。
如图2所示,本实施例中,触摸检测电路包括:基础电容Cb、第一电容Cf、补偿电容Cc、多个开关、运算放大器AMP、第一开关S1、第二开关S2以及第三开关S3。
运算放大器AMP,包括接收电容感应信号的反相输入端,接收共模电压VCM的同相输入端,以及提供检测信号的输出端Vo。
本实施例中,运算放大器AMP的输出端连接至模数转换电路,该模数转换电路用于根据检测信号Vo变化量得到触摸电容△C。
本实施例中,第三开关S3连接在运算放大器AMP的输出端和反相输入端之间;第一电容Cf与第三开关S3并联连接。
补偿电容Cc,对电容感应信号进行补偿以提高信号的灵敏度。
本实施例中,补偿电容Cc的第一端经由第二开关S2连接至基础电容Cb的第一端,补偿电容Cc用于对基础电容Cb进行补偿。
优选地,本实施例中,补偿电容Cc采用NCAP电容(即N阱电容器或金属氧化物半导体电容),该N阱电容器的单位面积容值是传统金属绝缘层金属电容器的两倍,它包含有:根据基本掺杂类型掺杂的基本掺杂区;至少一个掺杂连接区,其优选邻接基本掺杂区并且根据基本掺杂类型掺杂,并且其最大掺杂剂浓度比基本掺杂区中的最大掺杂剂浓度高;以及离基本掺杂区一定距离布置的电极区,该电极区根据MOS晶体管(金属氧化物半导体)的结构还称作为栅极区,以及布置在电极区和基本掺杂区之间的电介质。
进一步地,补偿电容Cc还可包括具有较高的单位面积容值的其它电容器。
多个开关,与补偿电容Cc相连接,该多个开关用于连通或断开补偿电容Cc与运算放大器AMP的反相输入端、第一偏置端、第二偏置端及第三偏置端的电连接。
本实施例中,该多个开关包括连接于补偿电容Cc的第一端与运算放大器AMP的反相输入端之间的第九开关S9。第九开关S9可作为转向开关,用于在该第九开关S9导通时连通补偿电容Cc与运算放大器AMP的反相输入端,并实现补偿电容Cc对基础电容Cb的双向(电荷转移方向)补偿;以及该多个开关用于在第九开关S9关断时,实现对补偿电容Cc上下极板的充电/放电,平衡所述补偿电容Cc的上下极板压差。
进一步地,多个开关还包括第四开关S4、第五开关S5、第六开关S6、第七开关S7以及第八开关S8,该多个开关用于在导通时将补偿电容Cc的第一端和第二端分别连接至多个偏置端,以平衡补偿电容Cc的上下极板压差,进一步消除采用金属氧化物半导体电容为补偿电容时,补偿电容Cc的容值差异。
进一步地,该多个开关的导通受控于激励信号。
其中,第四开关S4连接于补偿电容Cc的第一端与第一偏置端(正电压源)VDP之间;第五开关S5连接于补偿电容Cc的第一端与第三偏置端(模拟地)VSS之间;第六开关S6连接于补偿电容Cc的第二端与第一偏置端之间(正电压源)VDP;第七开关S7连接于补偿电容Cc的第二端与第三偏置端(模拟地)VSS之间;第八开关S8连接于补偿电容Cc的第二端与第二偏置端(负电压源)VDN之间。
本实施例中,补偿电容Cc、多个开关以及多个偏置端可组成补偿模块100,该补偿模块100主要用于实现对外接信号的补偿。可以理解的是,该补偿模块100也可适用于其它电路。
基础电容Cb,对应为每个像素点的对地电容。其第一端通过第二开关S2连接至运算放大器AMP的反相输入端,第二端接地。
电压源通过第一开关S1连接至基础电容Cb的第二端,该电压源包括选自正电压源VDP和负电压源VDN中的任一种。
优选地,本实施例中,电压源输出电压可根据激励信号在正电压和负电压间切换,如当激励信号为高电平时,电压源输出正电压VDP,当激励信号为低电平时,电压源输出负电压VDN。
图2所示触摸检测电路的结构图中,由于触摸引起的基础电容Cb变化量等效为与基础电容Cb并联连接的触摸电容△C,对应电容感应信号。
优选地,本实施例中,正电压源VDP与负电压源VDN的电压绝对值相等,即正电压源VDP与负电压源VDN的电压大小相等,电压极性相反。
下面请参考图3对本实施例触摸检测电路工作原理做进一步说明。图3示出本发明实施例提供的触摸检测电路的控制时序图。
需要说明的是,本实施例中,如图3所示,触摸检测电路的工作时序分为第一时间段t1、第二时间段t2、第三时间段t3以及第四时间段t4。其中,t1和t3时间段对应基础电容的充电时间段,t2和t4时间段对应对基础电容进行电荷补偿的时间段。
参照图3,本实施例中,以激励信号的上升沿触发前的第一时间段表示第一时间段t1;以激励信号的上升沿触发后的第一时间段表示第二时间段t2;以激励信号的下降沿触发前的第一时间段表示第三时间段t3;及以激励信号的下降沿触发后的第一时间段表示第四时间段t4。进一步地,在第一时间段t1与第二时间段t2过渡的时间点,激励信号上升沿触发,在第三时间段t3与及第四时间段t4过渡的时间点,激励信号下降沿触发。
在每个阶段所对应的时序图中,针对开关S4到S9对应的控制信号,其中,高电平信号对应其相应开关的闭合状态,低电平信号对应其相应开关的断开状态。
结合图2,触摸检测电路的工作原理具体如下:
在激励信号的上升沿触发前的第一时间段t1内,激励信号为低电平,电压源切换为负电压源VDN。此时第一开关S1和第三开关S3闭合,第二开关S2断开,基础电容Cb经由第一开关S1开始负压充电,充电完成后,其两端的第一电压对应为VDN。
同时,第四开关S4和第七开关S7闭合,第五开关S5、第六开关S6和第八开关S8断开,补偿电容Cc的上极板经由第四开关S4接正电压源VDP,下极板经由第七开关S7接模拟地VSS,正电压源VDP对补偿电容Cc的上极板开始充电,充电完成后,其两端电压对应为VDP,且此时补偿电容Cc上的电荷为Cc*(VDP-VSS)。
在激励信号的上升沿触发后的第一时间段t2内,激励信号为高电平,和电压源切换为正电压源VDP。此时第二开关S2闭合,第一开关S1和第三开关S3断开,基础电容Cb不再充电,和基础电容Cb的第一端通过第二开关S2连接节点VIN。
同时,第六开关S6和第九开关S9闭合,第四开关S4、第五开关S5、第七开关S7和第八开关S8断开。补偿电容Cc的上极板经由第九开关S9连接节点VIN(节点VIN的电压也是VDP),和补偿电容Cc的下极板经由第六开关S6接正电压源VDP。此时补偿电容Cc上的电荷全部转移到节点VIN上,并通过节点VIN向基础电容Cb转移。因此,转移的电荷为:Q1=VDP*Cc。
在激励信号的下降沿触发前的第一时间段t3内,激励信号为高电平不变,电压源为正电压源VDP。此时第一开关S1和第三开关S3闭合,第二开关S2断开,基础电容Cb经由第一开关S1开始正压充电,和充电完成后,其两端的第二电压对应为VDP。
同时,第五开关S5和第七开关S7闭合,第四开关S4、第六开关S6、第八开关S8和第九开关S9断开,补偿电容Cc的上极板和下极板分别经由第五开关S5和第七开关S7接模拟地VSS,故此时补偿电容Cc上的电荷为零,可以释放补偿电容Cc的上极板和下极板上残存的电荷,进一步提高补偿电容Cc对基础电容Cb的补偿效果。
在激励信号的下降沿触发后的第一时间段t4内,激励信号为低电平,电压源切换为负电压源VDN。此时第二开关S2闭合,第一开关S1和第三开关S3断开,基础电容Cb不再充电,和基础电容Cb的第一端通过第二开关S2连接节点VIN。
同时,第八开关S8和第九开关S9闭合,第四开关S4、第五开关S5、第六开关S6和第七开关S7断开,补偿电容Cc的上极板经由第九开关S9接节点VIN(此时节点VIN的电压也是VSS),并通过第二开关S2连接基础电容Cb的第一端,和补偿电容Cc的下极板经由第八开关S8接负电压源VDN。此时VDN对补偿电容Cc的下极板开始充电,补偿电容Cc上的电荷为Cc*(VSS-VDN)。由于补偿电容Cc上的电荷是由基础电容Cb经由节点VIN上转移而来,因此,此时转移到补偿电容Cc上的电荷为:Q2=(-VDN*Cc)。
在本发明实施例中,正电压源VDP与负电压源VDN的绝对值相等,故VDP=(-VDN)。所以,在激励信号的上升沿触发后的第一时间段内从补偿电容Cc转移到节点VIN上的电荷与在激励信号的下降沿触发后的第一时间段内从节点VIN转移到补偿电容Cc上的电荷是相等的,这样可以控制补偿电容Cc上下极板的压差相同,消除容值差异。
优选地,第一电压VDN与第二电压VDP的绝对值相等,电压极性相反。
本实施中,上述转移的电荷均为正电荷。
在本实施例中,一方面,基础电容Cb和补偿电容Cc之间发生的电荷的转移,可以使得基础电容Cb的电量降低,再由公式(1.2)可知,基础电容Cb的电容变化量(即触摸电容△C)相对于无补偿电容Cc时增大,提高了检测电路的灵敏度。同时,本发明在基础电容Cb正/负电压充电转换期间,可以释放补偿电容Cc的上极板和下极板上残存的电荷,进一步提高补偿电容Cc对基础电容Cb的补偿效果。
另一方面,本发明实施例在触摸检测电路中采用NCAP电容(N阱电容器或金属氧化物半导体电容)作为补偿电容Cc,有效地减小了芯片的面积,降低了芯片成本。
图4示出本发明实施例提供的触摸检测方法的流程图。图5示出本发明实施例提供的基础电容补偿方法的流程图。
如图4所示,可参照图2进行理解,本实施例中,触摸检测方法主要对触摸检测电路执行步骤S100至步骤S300。
在步骤S100中,在激励信号的上升沿或下降沿触发前的第一时间段内,由电压源根据激励信号对基础电容充电。
本实施例中,在激励信号的上升沿或下降沿触发前的第一时间段内,第一开关S1闭合,电压源通过第一开关S1给基础电容Cb充电。同时第二开关S2断开,补偿电容Cc不对基础电容Cb进行电荷补偿,和第三开关S3闭合,运算放大器AMP不工作。
进一步地,电压源的电压极性由激励信号决定:如当激励信号为高电平时,电压源对基础电容Cb进行正电压VDP充电,当激励信号为低电平时,电压源对基础电容Cb进行负电压VDN充电。
在步骤S200中,在激励信号的上升沿或下降沿触发后的第一时间段内,由补偿电容对基础电容进行补偿。
本实施例中,在激励信号的上升沿或下降沿触发后的第一时间段内,当基础电容Cb充电完成后,会并断开第一开关S1和第三开关S3,同时闭合第二开关S2,并执行步骤S210至步骤S240,由补偿电容Cc对基础电容Cb进行补偿。
进一步地,在补偿电容对基础电容补偿时,由多个偏置端根据激励信号对补偿电容的上下极板进行充电/放电。其中,多个偏置端包括:正电压源偏置端、负电压源偏置端以及模拟地偏置端。
如图5所示,本实施例中,补偿电容对基础电容的补偿方法包括:
在步骤S210中,在激励信号的上升沿触发前的第一时间段内,将补偿电容充电至第一电压。
本实施例中,在激励信号的上升沿触发前的第一时间段内,激励信号为低电平,电压源对基础电容Cb进行负电压VDN充电,同时闭合第四开关S4和第七开关S7,对补偿电容Cc进行正电压充电,以使得补偿电容Cc两端的电压差为第一电压VDP。
在步骤S220中,在激励信号的上升沿触发后的第一时间段内,补偿电容上的电荷向基础电容上转移。
本实施例中,在激励信号的上升沿触发后的第一时间段内,基础电容Cb充电完成,其上极板电压为VDN。此时激励信号的上升沿触发,并断开第一开关S1和第三开关S3,同时闭合第二开关S2,由补偿电容Cc对基础电容Cb进行补偿。
进一步地,补偿电容Cc充电完成后,其上极板电压为VDP,此时断开第四开关S4和第七开关S7,同时闭合第六开关S6和第九开关S9,使得补偿电容Cc上极板的电荷通过第九开关S9和第二开关S2转移到基础电容Cb上,完成对基础电容Cb的补偿。
在步骤S230中,在激励信号的下降沿触发前的第一时间段内,对补偿电容的上下极板进行放电。
本实施例中,在激励信号的下降沿触发前的第一时间段内,激励信号为高电平,此时断开第二开关S2,闭合第一开关S1和第三开关S3,由电压源通过第一开关S1对基础电容Cb进行正电压充电。与此同时,会断开第六开关S6和第九开关S9,并闭合第五开关S5和第七开关S7,将补偿电容Cc的上下极板均连接模拟地VSS,释放补偿电容Cc的上下极板上的残存电荷。
在步骤S240中,在激励信号的下降沿触发后的第一时间段内,将补偿电容充电至第二电压,同时基础电容上的电荷向补偿电容上转移。
本实施例中,在激励信号的下降沿触发后的第一时间段内,基础电容Cb充电完成,其上极板电压为VDP。此时激励信号的下降沿触发,断开第一开关S1和第三开关S3,同时闭合第二开关S2,由补偿电容Cc对基础电容Cb进行补偿。
进一步地,在第二开关S2闭合时,补偿电容Cc充电荷释放结束,其上极板电压为零,此时断开第五开关S5和第七开关S7,并闭合第八开关S8和第九开关S9,对补偿电容Cc进行负电压充电。补偿电容Cc上极板上电荷为基础电容Cb上极板的电荷通过第二开关S2和第九开关S9转移而来,因此,在对补偿电容Cc进行充电时,补偿电容Cc也同时在对基础电容Cb进行补偿。
补偿电容Cc充电完成后,其上下极板两端的电压差为第二电压VDN。
优选地,本实施例中,补偿电容Cc对基础电容Cb进行补偿时,电荷存在两个方向的转移,因为本实施例中正电压源VDP与负电压源VDN的电压大小相等,极性相反,所以在进行电荷转移时,从基础电容Cb转移到补偿电容Cc上的电荷与补偿电容Cc转移到基础电容Cb上的电荷时相等的,这样可以控制补偿电容Cc上下极板的电压压差相同,从而消除采用金属氧化物半导体电容作为补偿电容时的容值差异。
优选地,第一电压与第二电压的绝对值相等。
优选地,上述描述中,所涉及的电荷均为正电荷。
在步骤S300中,补偿电容对基础电容进行补偿时,由运算放大器对基础电容的变化量进行检测输出。
本实施例中,当补偿电容Cc对基础电容Cb进行补偿时,会断开第三开关S3,此时运算放大器AMP启动,通过运算放大器AMP的虚短特性,可以对基础电容的变化量Cb进行检测,同时输出检测信号Vo。
优选地,补偿电容Cc为金属氧化物半导体电容。进一步地,补偿电容Cc还可包括具有较高的单位面积容值的其它电容器。
本发明实施例提供的触摸检测电路相对于现有技术而言,由于使用了NCAP做补偿电容,使得芯片的面积大大减少(如约为50%),在实现提高触摸检测电路灵敏度的基础上实现了芯片的小型化,节省了制造成本。
本发明还公开了一种触控显示装置,该触控显示装置包括显示面板,以及如图2和图3所描述的触摸检测电路。在该触控显示装置中,由触摸检测电路根据基础电容Cc的变化量输出检测信号Vo,从而实现识别操作。
优选地,本实施例中,显示面板包括:阴极射线管显示面板、数字光处理显示面板、液晶显示面板、发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板、量子点显示面板、Mirco-LED显示面板、Mini-LED显示面板、场发射显示面板、电浆显示面板、电泳显示面板或电润湿显示面板
本实施例中,采用上述触摸检测电路制成的触控显示装置,具有体积小,成本低,而且检测灵敏度高等的优点。
应当说明的是,在本文中,所含术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
最后应说明的是:显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (19)
1.一种触摸检测电路,其特征在于,包括:
运算放大器,包括接收电容感应信号的反相输入端,接收共模电压的同相输入端,以及提供检测信号的输出端;
补偿电容,对所述电容感应信号进行补偿以调高信号灵敏度;以及
多个开关,与补偿电容相连接,以连通或断开所述补偿电容与所述反相输入端、第一偏置端、第二偏置端及第三偏置端的电连接,
其中,所述多个开关包括连接在所述反相输入端和所述补偿电容第一端之间的第九开关,所述多个开关用于在所述第九开关关断时实现对所述补偿电容上下极板的充电/放电,平衡所述补偿电容的上下极板压差。
2.根据权利要求1所述的触摸检测电路,其特征在于,所述补偿电容包括金属氧化物半导体电容。
3.根据权利要求1所述的触摸检测电路,其特征在于,所述触摸检测电路还包括:
基础电容,所述基础电容的第一端通过第二开关连接所述运算放大器的反相输入端,第二端接地;
电压源,所述电压源经由第一开关连接至所述基础电容的第一端,用于为所述基础电容充电;
第三开关,所述第三开关串联在所述运算放大器的反向输入端和所述运算放大器的输出端之间;
第一电容,所述第一电容与所述第三开关并联连接。
4.根据权利要求1所述的触摸检测电路,其特征在于,所述多个开关还包括:
第四开关,所述第四开关连接于所述补偿电容的第一端与所述第一偏置端之间;
第五开关,所述第五开关连接于所述补偿电容的第一端与所述第三偏置端之间;
第六开关,所述第六开关连接于所述补偿电容的第二端与所述第一偏置端之间;
第七开关,所述第七开关连接于所述补偿电容的第二端与所述第三偏置端之间;
第八开关,所述第八开关连接于所述补偿电容的第二端与所述第二偏置端之间。
5.根据权利要求1或4所述的触摸检测电路,其特征在于,所述第一偏置端为正电压源偏置端,所述第二偏置端为负电压源偏置端,和所述第三偏置端为模拟地偏置端。
6.根据权利要求4所述的触摸检测电路,其特征在于,
在激励信号的上升沿触发前的第一时间段,闭合第四开关和第七开关,将所述补偿电容充电至第一电压,
在所述激励信号的上升沿触发后的第一时间段,闭合第六开关和第九开关,所述补偿电容上的电荷向基础电容上转移,
在所述激励信号的下降沿触发前的第一时间段,闭合第五开关和第七开关,对所述补偿电容的上下极板进行放电,以及
在所述激励信号的下降沿触发后的第一时间段,闭合第八开关和第九开关,将所述补偿电容充电至第二电压,同时所述基础电容上的电荷向所述补偿电容上转移。
7.根据权利要求5所述的触摸检测电路,其特征在于,所述正电压源偏置端的输出电压与所述负电压源偏置端的输出电压的电压大小相等,电压极性相反。
8.根据权利要求6所述的触摸检测电路,其特征在于,所述第一电压与所述第二电压的绝对值相等。
9.根据权利要求3所述的触摸检测电路,其特征在于,所述电压源输出电压可在正电压和负电压间切换。
10.一种触控显示装置,其特征在于,包括:
显示面板,以及
权利要求1至9中任一项所述的触摸检测电路,所述触摸检测电路用于提供检测信号。
11.根据权利要求10所述的触控显示装置,其特征在于,所述显示面板包括:阴极射线管显示面板、数字光处理显示面板、液晶显示面板、发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板、量子点显示面板、Mirco-LED显示面板、Mini-LED显示面板、场发射显示面板、电浆显示面板、电泳显示面板或电润湿显示面板。
12.一种触摸检测方法,其特征在于,包括:
在激励信号的上升沿或下降沿触发前的第一时间段,由电压源根据所述激励信号对基础电容充电;
在激励信号的上升沿或下降沿触发后的第一时间段,由补偿电容对所述基础电容进行补偿,
其中,所述补偿电容对所述基础电容补偿时,由多个偏置端根据所述激励信号对所述补偿电容的上下极板进行充电/放电。
13.根据权利要求12所述的触摸检测方法,其特征在于,所述多个偏置端包括:正电压源偏置端、负电压源偏置端以及模拟地偏置端。
14.根据权利要求12所述的触摸检测方法,其特征在于,所述补偿电容包括金属氧化物半导体电容。
15.根据权利要求12所述的触摸检测方法,其特征在于,所述激励信号为高电平时,所述电压源输出电压为正电压,所述激励信号为低电平时,所述电压源输出电压为负电压。
16.根据权利要求12所述的触摸检测方法,其特征在于,所述触摸检测方法还包括:所述补偿电容对所述基础电容进行补偿时,由运算放大器对所述基础电容的变化量进行检测输出。
17.根据权利要求12所述的触摸检测方法,其特征在于,对所述基础电容的补偿方法包括:
在所述激励信号的上升沿触发前的第一时间段,将所述补偿电容充电至第一电压;
在所述激励信号的上升沿触发后的第一时间段,所述补偿电容上的电荷向所述基础电容上转移;
在所述激励信号的下降沿触发前的第一时间段,对所述补偿电容的上下极板进行放电;
在所述激励信号的下降沿触发后的第一时间段,将所述补偿电容充电至第二电压,同时所述基础电容上的电荷向所述补偿电容上转移。
18.根据权利要求17所述的触摸检测方法,其特征在于,所述电荷为正电荷。
19.根据权利要求17所述的触摸检测方法,其特征在于,所述第一电压与所述第二电压的绝对值相等。
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