JP2017076580A - 加熱部材、静電チャック、及びセラミックヒータ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、セラミック基板中の複数の導電層によって生ずる段差を小さくして、セラミック基板における剥離を抑制できる加熱部材、静電チャック、及びセラミックヒータを提供することにある。
本第4態様では、導電層に抜き穴があるので、導電層を挟むセラミック層同士の接合性が高いという効果がある。
(6)本発明の第6態様の静電チャックは、上述した加熱部材を備えるとともに、セラミック基板に埋設された吸着用電極を備えている。
本第7態様のセラミックヒータでは、加熱部材によって、被加工物を加熱することができる。また、高周波電極(RF電極:プラズマ発生用電極)と対向する電極とによって、被加工部のプラズマ加工を行うことができる。なお、高周波電極は加熱部材内に設けることができる。
・セラミック基板としては、セラミックを主成分とする基板を採用できる。
このセラミック基板は、複数のセラミック層が積層されている構造であるので、内部に導電層等の各種の構造を容易に形成できる。なお、加熱部材、静電チャック、セラミックヒータに用いられるセラミック基板は、電気絶縁性を有するセラミック絶縁板である。
・ビアは、セラミック基板内にてセラミック基板の厚み方向に延びて、厚み方向の一方又は両方の導電層等の導体部分に電気的に接続する導体部分である。
例えば、セラミック基板がいわゆる高温焼成セラミック(例えばアルミナ等)から構成される場合には、導体中の金属粉末として、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等やそれらの合金が選択可能である。セラミック基板がいわゆる低温焼成セラミック(例えばガラスセラミック等)から構成される場合には、導体中の金属粉末として、銅(Cu)または銀(Ag)等やそれらの合金が選択可能である。また、セラミック基板が高誘電率セラミック(例えばチタン酸バリウム等)から構成される場合には、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)等やそれらの合金が選択可能である。
[1.第1実施形態]
第1実施形態では、加熱部材を備えた静電チャックを例に挙げて説明する。
まず、静電チャックの全体構成について説明する。
図1に示す様に、第1実施形態の静電チャック1は、図1の上側にて被加工物である半導体ウェハ3を吸着する装置であり、加熱部材5と金属ベース(クーリングプレート)7とが積層されて接合されたものである。
このうち、加熱部材5は、半導体ウェハ3を加熱する円盤形状の部材である。この加熱部材5は、主として、後述する吸着用電極9、抵抗発熱体11、第1導電層X、第2導電層Y等を内部に有するセラミック基板13から構成されている。
次に、静電チャック1の各構成について詳細に説明する。
図2に示すように、加熱部材5のセラミック基板13は、例えばアルミナからなる焼結体であり、複数のセラミック層17が厚み方向(図2における上下方向)に積層された構造を有する部材である。なお、以下の説明では、図2における上側を上側とし、図2における下側を下側とする。
吸着用電極9は、WやMoから成る例えば円盤形状のメタライズ層である。この吸着用電極9は、加熱部材5の吸着面S1寄りの位置に、吸着面S1と平行となるように設けられている。吸着用電極9は、給電経路K0であるビア(スルービア)V0により、対応する端子T0に電気的に接続している。
抵抗発熱体11を構成するインナーヒータ19は、WやMoから成るメタライズ層であり、吸着用電極9よりも下側に位置する渦巻き型のヒータである。つまり、図3に示すように、上方から見たとき(即ち静電チャック1の厚み方向から見たとき:平面視)、インナーヒータ19の中心は加熱部材5の中心と一致し、インナーヒータ19は、加熱部材5の中心から中心と外周端(外縁)との中央部分(即ち中周)まで広がっている。
アウターヒータ21は、WやMoから成るメタライズ層であり、インナーヒータ19と同一平面上、且つインナーヒータ19よりも外側に位置する渦巻状のヒータである。図3に示すように、上方から見たとき、アウターヒータ21の中心は加熱部材5の中心と一致し、アウターヒータ21は、インナーヒータ19の最外周と加熱部材5の外周端との間に広がっている。
<第1導電層>
図2に示すように、第1導電層X1、X2、X3、X4は、それぞれインナーヒータ19及びアウターヒータ21よりも下側において、それらのヒータに隣接する、WやMoから成るメタライズ層である。
<第2導電層>
第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4は、それぞれ第1導電層X1、X2、X3、X4よりも下側において、第1導電層X1、X2、X3、X4に隣接する、WやMoから成るメタライズ層である。
なお、第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4は、隣り合うもの同士が接しないように、所定幅にて離れて形成されている。従って、離れている領域は、平面視で十字形状となっている。
同様に、第1導電層X2と第2導電層Y2とは、複数のビアV6により接続されている。
<端子>
図2に示すように、端子Tは、加熱部材5における下方の端部に設けられた、導電性の材料から成る棒状の端子であり、各端子T毎にそれぞれ各給電部23に接合されている。
上記の構成を有する静電チャック1においては、インナーヒータ19に関し、端子T1→ビアV9→第2導電層Y1→ビアV5→第1導電層X1→ビアV1→インナーヒータ19→ビアV2→第1導電層X2→ビアV6→第2導電層Y2→ビアV10→端子T2という電流の経路が形成されている。また、アウターヒータ21に関し、端子T3→ビアV11→第2導電層Y3→ビアV7→第1導電層X3→ビアV3→アウターヒータ21→ビアV4→第1導電層X4→ビアV8→第2導電層Y4→ビアV12→端子T4という電流の経路が形成されている。即ち、抵抗発熱体11は独立して制御可能な複数の発熱部から構成されている。
次に、静電チャック1の製造方法について説明する。
静電チャック1は、以下の(i)〜(ix)の手順により製造することができる。
(ii)グリーンシートを所望のサイズに切断する。
(iv)貫通孔に、WやMoを主成分とするメタライズを充填する。
(v)グリーンシートに、スクリーン印刷の手法を用いてWやMoを主成分とするメタライズを塗布し、吸着用電極9、インナーヒータ19、アウターヒータ21、第1、第2導電層X、Yとなる層を形成する。
(vii)グリーンシート同士を積層圧着し、積層体を作製する。なお、積層体表面の一部(端子Tの取付位置)に給電部23となるペーストを塗布する。
(ix)その後、加熱部材5に金属ベース7を接合して静電チャック1を完成する。
[1−4.静電チャックの作用効果]
次に、静電チャック1の作用効果について説明する。
例えば、第1実施形態の静電チャック1では、金属ベース7は加熱部材5よりも大径の円盤形状であったが、金属ベース7の形状や寸法は特に限定されるものではなく、例えば、金属ベース7が加熱部材5と同径であってもよい。
第1導電層Xの外縁Xaの位置と第2導電層Yの外縁Yaの位置とは、全部がずれているのではなく、一部がずれているようにしてもよい。
第1導電層Xの抜き穴25の位置と第2導電層の抜き穴27の位置とは、一部重なるように配置されていてもよい。
第1導電層Xの外縁Xaが第1導電層Xに対向する第2導電層Yの外縁Yaより内側に位置してもよい。つまり、第1導電層Xの面積が第2導電層Yの面積より小さくともよい。
吸着用電極9としては、その他周知の吸着用電極の構成を採用できる。例えば複数個の吸着用電極を用いてよい。
[2.第2実施形態]
次に、第2実施形態について説明するが、第1実施形態と同様な構成の説明は省略する。
図7に示すように、第2実施形態のセラミックヒータ31は、半導体製造装置用の装置である。
加熱部材33は、主として複数のセラミック層(不図示)が積層されたセラミック基板39から構成されている。
支持部材35は、上述したように、加熱部材33の下面側に同軸に接合されている円筒形状の部材である。なお、加熱部材33と支持部材35とは、例えば拡散接合によって接合されるが、それ以外に、例えばロウ付け等の方法によって接合されていてもよい。
第2実施形態のセラミックヒータ31は、通常のように、高周波電極41と高周波電極41に対向する電極(セラミックヒータ31外の対向電極:不図示)と間に、高周波(交流)を印加して、プラズマ加工等を行うことができる。また、第1実施形態と同様に、第1導電層X、第2導電層Y等の構成による効果を奏する。
次に、第3実施形態について説明するが、第1実施形態と同様な構成の説明は省略する。
図8に示すように、第3実施形態の加熱部材61は、例えば半導体製造装置用の加熱装置である。
具体的には、加熱部材61は、第1実施形態と同様に、セラミック基板13の内部に、インナーヒータ19及びアウターヒータ21からなる抵抗発熱体11、第1導電層X1、X2、X3、X4、第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4、給電部23、それらを接続するビアV1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12を備えている。また、給電部23、端子T1、T2、T3、T4も備えている。
尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
5、33、61…加熱部材
11…抵抗発熱体
13、39…セラミック基板
17…セラミック層
23…給電部
25、27…抜き穴
31…セラミックヒータ
41…高周波電極
K、K0、K1、K2、K3、K4…給電経路
T、T0、T1、T2、T3、T4…端子
V、V0、V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12…ビア
X、X1、X2、X3、X4…第1導電層
Y、Y1、Y2、Y3、Y4…第2導電層
Xa、Ya…外縁
Claims (7)
- 複数のセラミック層が積層された構造を有するセラミック基板と、
前記セラミック基板に埋設された抵抗発熱体と、
前記セラミック基板の表面に配置された給電部と、
前記セラミック基板に埋設されるとともに前記抵抗発熱体と前記給電部とを電気的に接続する給電経路と、
を備えた加熱部材において、
前記給電経路は、前記セラミック基板の厚み方向の異なる位置において前記セラミック層の平面方向に沿って配置された複数の導電層と、前記セラミック基板の厚み方向に沿って配置された複数のビアとを備えており、
前記複数の導電層を前記厚み方向から見た場合に、少なくとも一対の導電層の外縁の位置がずれていることを特徴とする加熱部材。 - 前記外縁の位置がずれている一対の導電層を前記厚み方向から見た場合に、一方の導電層の外縁により画定される範囲内に他方の導電層が包含されていることを特徴とする請求項1に記載の加熱部材。
- 前記外縁の位置がずれている一対の導電層を前記厚み方向から見た場合に、前記抵抗発熱体側の導電層の面積が前記給電部側の導電層の面積より大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の加熱部材。
- 前記複数の導電層のうち少なくとも1層に、前記導電層を厚み方向に貫く1又は複数の抜き穴を備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の加熱部材。
- 前記複数の導電層のうち少なくとも2層に、前記導電層を厚み方向に貫く1又は複数の抜き穴を備えるとともに、
前記抜き穴を備えた少なくとも2層の導電層を前記厚み方向から見た場合に、各導電層の抜き穴の位置がずれていることを特徴とする請求項4に記載の加熱部材。 - 前記請求項1〜5のいずれか1項に記載の加熱部材を備えるとともに、前記セラミック基板に埋設された吸着用電極を備えたことを特徴とする静電チャック。
- 前記請求項1〜5のいずれか1項に記載の加熱部材を備えるとともに、前記セラミック基板に埋設された高周波電極を備えたことを特徴とするセラミックヒータ。
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