TWI646617B - 加熱構件、靜電夾頭及陶瓷加熱器 - Google Patents

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Abstract

提供一種可減小因陶瓷基板中的複數個導電層而產生的高低差以抑制在陶瓷基板之剝離的加熱構件、靜電夾頭及陶瓷加熱器。
加熱構件5具備：具有積層著複數個陶瓷層17的構造之陶瓷基板13；埋設於陶瓷基板13的電阻發熱體11；配置在陶瓷基板13表面的供電部23；及埋設於陶瓷基板13並將電阻發熱體11與供電部23電連接之供電路徑K。供電路徑K具備：於陶瓷基板13的厚度方向不同位置沿陶瓷層7的平面方向配置之複數個導電層X、Y；及沿著陶瓷基板13的厚度方向配置的複數個通路孔V，在將複數個導電層X、Y從厚度方向觀看時，其外緣Xa、Ya的位置錯位。

Description

加熱構件、靜電夾頭及陶瓷加熱器
本發明係有關一種可加熱例如半導體晶圓等之被加工物的加熱構件及具備該加熱構件之靜電夾頭及陶瓷加熱器。
自以往，在半導體製造裝置中對半導體晶圓(例如矽晶圓)進行乾蝕刻(例如電漿蝕刻)等之處理。而為提高此乾蝕刻的精度，因為需要事先將半導體晶圓確實固定，所以在固定半導體晶圓的固定手段方面，提案有利用靜電引力來固定半導體晶圓之靜電夾頭。
具體言之，在靜電夾頭，例如在積層陶瓷層而成的陶瓷基板內部具有吸附用電極，形成使用在對吸附用電極施加電壓之際所產生的靜電引力使半導體晶圓吸附於陶瓷基板的一面(吸附面)。此外，靜電夾頭通常是在陶瓷基板的另一面(接合面)接合有金屬座。
且亦知悉一種具有調節(加熱或冷卻)被吸附於吸附面之半導體晶圓的溫度的機能之靜電夾頭。例如，亦知悉一種在陶瓷基板內配置發熱體(例如線狀的發熱 圖案)，利用此發熱體加熱陶瓷基板而加熱吸附面上的半導體晶圓之技術。且亦知悉一種在金屬座設置流通冷卻用流體的冷卻路徑，藉此冷卻用流體來冷卻陶瓷基板之技術。
而且，近年為將在吸附面的平面方向的溫度(即面內溫度)均一化，在作為對發熱體供電力的供電路徑方面，係揭示在陶瓷基板內部將屬焊盤圖案的導電層配置複數層(例如2層)之技術(參照專利文獻1)。
在此技術中，例如作為配置在厚度方向不同位置之2層的導電層方面，沿著陶瓷層使用了平面形狀(即在厚度方向的投影形狀)及外形尺寸同樣的導電層。且，以將兩導電層間電連接的方式沿著厚度方向形成有通路孔。
此外，如此在陶瓷基板中設置2層導電層的情況，例如，將形成有會成為導電層的圖案之陶瓷生胚薄片積層，之後進行燒結而製作陶瓷基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-75525號公報
然而，如上述般，在將例如2層的導電層以於厚度方向的投影形狀及外形尺寸成為相同的方式作配置的技術中，由於將2層的導電層重疊配置的部位及其周圍 的部位，因2層的導電層之厚度的份量而產生大的高低差，所以在高低差的附近會有陶瓷層間產生剝離之虞。
亦即，導電層係藉由陶瓷層包夾，但因為上述的高低差的影響，會有在陶瓷層間產生剝離之虞。
本發明係有鑑於前述課題而完成者，其目的在於提供一種可減小因陶瓷基板中的複數個導電層而產生的高低差以抑制在陶瓷基板之剝離的加熱構件、靜電夾頭及陶瓷加熱器。
(1)本發明第1態樣的加熱構件具備：具有積層了複數個陶瓷層的構造之陶瓷基板；埋設於前述陶瓷基板的電阻發熱體；配置於前述陶瓷基板的表面之供電部；及埋設於前述陶瓷基板並將前述電阻發熱體與前述供電部電連接之供電路徑；其中前述供電路徑具備：在前述陶瓷基板的厚度方向相異位置中沿著前述陶瓷層的平面方向配置之複數個導電層；及沿著前述陶瓷基板的厚度方向配置之複數個通路孔，從前述厚度方向觀看前述複數個導電層時，至少一對導電層的外緣的位置錯位。
本第1態樣中，在將複數個導電層從厚度方向觀看時，因為至少一對導電層的外緣的位置錯位，所以在厚度方向不易產生大的高低差。因此，在陶瓷層間等不易產生剝離。
亦即，因為在一對導電層中，其外緣的位置錯位，所以在錯位的部分，導電層未重疊。因此，可減小因導電層而產生的高低差。藉此，可抑制容易因高低 差而產生之陶瓷層彼此或陶瓷層與各導電層之間的剝離發生。
(2)本發明第2態樣的加熱構件為，在將前述外緣的位置是錯位的一對導電層從前述厚度方向觀看時，在藉由一導電層的外緣所劃定之範圍內包含有另一導電層。
本第2態樣中，由於在藉由一導電層的外緣所劃定的範圍內包含有另一導電層，故在另一導電層的平面方向之寬廣範圍中可容易設置和一導電層電連接的通路孔。亦即，由於通路孔的位置限制少，故具有設計自由度提升的優點。
(3)本發明第3態樣的加熱構件，在將前述外緣的位置是錯位的一對導電層從前述厚度方向觀看時，前述電阻發熱體側的導電層的面積是大於前述供電部側的導電層的面積。
本第3態樣中，由於電阻發熱體側的導電層的面積是大於供電部側的導電層的面積，所以在陶瓷基板之電阻發熱體側的表面中具有所謂可將平面方向之溫度分布均一化之效果。
(4)本發明第4態樣的加熱構件，在前述複數個導電層中至少1層具備貫通前述導電層的厚度方向之1或複數個沖壓孔。
本第4態樣中，因為在導電層具有沖壓孔，所以具有所謂包夾導電層的陶瓷層彼此之接合性高的效果。
(5)本發明第5態樣的加熱構件，係在前述複 數個導電層中至少2層具備貫通前述導電層的厚度方向之1或複數個沖壓孔，並且將具備前述沖壓孔的至少2層的導電層從前述厚度方向觀看時，各導電層的沖壓孔的位置錯位。
本第5態樣中，因為設置在2層的導電層上的各個沖壓孔的位置錯位，所以與未錯位時相比較，係具有陶瓷層彼此的接合性高之效果。
(6)本發明第6態樣的靜電夾頭，係具備上述的加熱構件，並具備埋設於陶瓷基板的吸附用電極。
本第6態樣的靜電夾頭中，藉由加熱構件可加熱被加工物。又，藉吸附用電極所產生的靜電引力可吸附被加工物。此外，吸附用電極可設於加熱構件內。
(7)本發明第7態樣的陶瓷加熱器，係具備上述的加熱構件，並具備埋設於陶瓷基板的高頻電極。
本第7態樣的陶瓷加熱器中，藉由加熱構件可加熱被加工物。又，藉由高頻電極(RF電極：電漿產生用電極)及對向的電極，可進行被加工部的電漿加工。此外，高頻電極可設於加熱構件內。
<以下，針對本發明各構成作說明>
‧作為陶瓷基板，可採用以陶瓷為主成分的基板。
此陶瓷基板因為是積層有複數個陶瓷層的構造，所以在內部可容易形成導電層等之各種構造。此外，用於加熱構件、靜電夾頭、陶瓷加熱器之陶瓷基板係具有電氣絶緣性的陶瓷絶緣板。
作為構成陶瓷基板(陶瓷層)的材料，可舉出 以氧化鋁、三氧化二釔(yttria)〔氧化釔；yttrium〕、氮化鋁、氮化硼、碳化矽、氮化矽等之類的高溫燒結陶瓷為主成分的燒結體等。又，因應用途，亦可選擇於硼矽酸系玻璃或硼矽酸鉛系玻璃添加了氧化鋁等之無機陶瓷填料的以玻璃陶瓷之類的低溫燒結陶瓷為主成分的燒結體，亦可選擇以鈦酸鋇、鈦酸鉛、鈦酸鍶等的介電體陶瓷為主成分的燒結體。
‧供電部，係為接受來自外部的供電之導體部分，可採用例如設於陶瓷基板的一面(例如與加熱被加工物之側相反的表面)之敷金屬(metalize)層等。
‧供電路徑係在陶瓷基板內將電阻發熱體與供電部電連接的導體部分，且可由導電層或通路孔等所構成。
‧通路孔，係為在陶瓷基板內延伸於陶瓷基板的厚度方向，與厚度方向的一方或雙方的導電層等之導體部分電連接的導體部分。
‧電阻發熱體，係藉由流通電流且因應其電阻而發熱之習知發熱體。作為此電阻發熱體的材料，可使用例如Ni-Cr系、Fe-Cr-Al系、鉬(Mo)、鎢(W)、白金(Pt)、二矽化鉬等之習知材料。
‧作為構成吸附用電極、高頻電極、導電層、供電部、通路孔之導體的材料，可利用習知的材料，例如可使用下述材料。
例如，在陶瓷基板是由所謂高溫燒結陶瓷(例如氧化鋁等)構成的情況，作為導體中的金屬粉末，可選擇鎳(Ni) 、鎢(W)、鉬(Mo)、錳(Mn)等或其等的合金。在陶瓷基板是由所謂低溫燒結陶瓷(例如玻璃陶瓷等)所構成的情況，作為導體中的金屬粉末，可選擇銅(Cu)或銀(Ag)等或其等的合金。又，在陶瓷基板是由高介電率陶瓷(例如鈦酸鋇等)所構成的情況，可選擇鎳(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)、鈀(Pd)、白金(Pt)等或其等的合金。
此外，電阻發熱體、吸附用電極、高頻電極、導電層係可透過使用含有金屬粉末的導體糊，藉由以往習知的手法，例如藉由印刷法等塗布後，進行燒結而形成。
1‧‧‧靜電夾頭
5、33、61‧‧‧加熱構件
11‧‧‧電阻發熱體
13、39‧‧‧陶瓷基板
17‧‧‧陶瓷層
23‧‧‧供電部
25、27‧‧‧沖壓孔
31‧‧‧陶瓷加熱器
41‧‧‧高頻電極
K、K0、K1、K2、K3、K4‧‧‧供電路徑
T、T0、T1、T2、T3、T4‧‧‧端子
V、V0、V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12‧‧‧通路孔
X、X1、X2、X3、X4‧‧‧第1導電層
Y、Y1、Y2、Y3、Y4‧‧‧第2導電層
Xa、Ya‧‧‧外緣
圖1係將第1實施形態的靜電夾頭一部份斷裂作顯示之立體圖。
圖2係將第1實施形態的靜電夾頭在厚度方向斷裂以顯示其斷面之剖面圖。
圖3係表示第1實施形態的靜電夾頭的加熱構件之構成的上視圖。
圖4(a)係顯示第1實施形態的第1導電層之平面圖，(b)係顯示其第2導電層之平面圖。
圖5係將圖2中之第1、第2導電層的一部份的外緣附近予以放大顯示之剖面圖。
圖6係表示在靜電夾頭的加熱構件中之一部份構成的上視圖。
圖7係將第2實施形態的陶瓷加熱器在厚度方向斷裂 以顯示其斷面之剖面圖。
圖8係將第3實施形態的加熱構件在厚度方向斷裂以顯示其斷面之剖面圖。
依據圖面說明本發明的實施形態。
〔1.第1實施形態〕
第1實施形態中，例舉具備加熱構件的靜電夾頭作說明。
〔1-1.靜電夾頭的整體構成〕
首先，就靜電夾頭的整體構成作說明。
如圖1所示般，第1實施形態的靜電夾頭1係於圖1的上側將被加工物即半導體晶圓3吸附的裝置，為加熱構件5與金屬座(冷卻板)7積層並接合者。
此外，加熱構件5的圖1上方的面是第1主面(吸附面)S1，下面是第2主面S2。
這當中，加熱構件5係為加熱半導體晶圓3的圓盤形狀之構件。此加熱構件5係主要由內部具有後述的吸附用電極9、電阻發熱體11、第1導電層X、第2導電層Y等之陶瓷基板13所構成。
金屬座7係比加熱構件5還大徑的圓盤形狀，且與加熱構件5同軸地接合。於此金屬座7，為冷卻加熱構件5(半導體晶圓3)而設有供冷卻用流體流通的冷卻路徑15。
〔1-2.靜電夾頭的各構成〕
其次，針對靜電夾頭1各構成作詳細說明。
如圖2所示，加熱構件5的陶瓷基板13係為例如由氧化鋁構成的燒結體，且為具有複數個陶瓷層17被積層於厚度方向(圖2中的上下方向)的構造之構件。此外，在以下的說明中，將圖2中的上側設為上側，圖2中的下側設為下側。
在此陶瓷基板13的內部，從圖2上方算起的吸附用電極9、由內部加熱器19及外部加熱器21構成之電阻發熱體11、第1導電層X(X1、X2、X3、X4)及第2導電層Y(Y1、Y2、Y3、Y4)，是被配置於厚度方向的相異位置。此吸附用電極9、電阻發熱體11、第1導電層X、第2導電層Y係沿著陶瓷層17的平面方向(相對於圖2的上下方向垂直的方向)擴展。
此外，於陶瓷基板13下面的一部份，按各端子T(T0、T1、T2、T3、T4)，形成有供各端子T安裝之各供電部23，各供電部23係敷金屬層。
又，在陶瓷基板13的內部，以既定的各供電路徑K(K0、K1、K2、K3、K4)將沿著厚度方向形成有複數個通路孔V以將吸附用電極9、電阻發熱體11、第1導電層X、第2導電層Y、供電部23等之可導通的層電連接。
<吸附用電極>
吸附用電極9係為由W或Mo構成的例如圓盤形狀的敷金屬層。此吸附用電極9係在加熱構件5的偏吸附面S1的位置，以和吸附面S1成為平行的方式設置。吸附用電極9係藉由屬供電路徑K0的通路孔(通孔；through-hole)V0而電連接於對應的端子T0。
<電阻發熱體>
構成電阻發熱體11的內部加熱器19，係由W或Mo所構成的敷金屬層，且為位在比吸附用電極9還下側的渦卷型的加熱器。亦即，如圖3所示，從上方觀看時(即從靜電夾頭1的厚度方向觀看時：俯視觀之)，內部加熱器19的中心係與加熱構件5的中心一致，內部加熱器19係從加熱構件5的中心擴展到中心與外周端(外緣)的中央部分(即中間位置)。
此外，內部加熱器19的內周側的端部19a係位在第1導電層X1上，外周側的端部19b係位在第1導電層X2上。
外部加熱器21係由W或Mo所構成的敷金屬層，且為和內部加熱器19同一平面上，且位在比內部加熱器19還外側的渦卷狀的加熱器。如圖3所示，從上方觀看時，外部加熱器21的中心係和加熱構件5的中心一致，外部加熱器21係在內部加熱器19的最外周與加熱構件5的外周端之間擴展。
此外，外部加熱器21的內周側的端部21a係位在第1導電層X3上，外周側的端部21b係位在第1導電層X4上。
<第1導電層>
如圖2所示，第1導電層X1、X2、X3、X4，係分別在比內部加熱器19及外部加熱器21還下側與其等的加熱器鄰接之由W或Mo構成的敷金屬層。
又，如圖4(a)所示，第1導電層X1、X2、X3 、X4，係分別藉由通過圓的中心之線段以成為相同中心角的方式被4等分的形狀(1/4圓：扇形)(參照圖4(a)的灰色部分)。
此外，第1導電層X1、X2、X3、X4，係以相鄰者彼此不相接的方式以既定寬度分離地形成。因此，分離的區域俯視觀之成為十字形狀。
再者，於第1導電層X1、X2、X3、X4上，以將第1導電層X1、X2、X3、X4分別貫通於厚度方向(圖2的上下方向)的方式各自複數(例如各7個部位)地形成有沖壓孔25。此沖壓孔25係於各第1導電層X1、X2、X3、X4以遍及全面且成為大致均等的方式分散地配置。
又，如圖2，3所示，第1導電層X1與內部加熱器19的端部19a係藉由通路孔V1而被連接。第1導電層X2與內部加熱器19的端部19b係藉由通路孔V2而被連接。第1導電層X3與外部加熱器21的端部21a係藉由通路孔V3而被連接。第1導電層X4與外部加熱器21的端部21b係藉由通路孔V4而被連接。
此外，通路孔V係為分別在形成於構成加熱構件5的陶瓷層17上的貫通孔填充有以W或Mo為主成分的敷金屬而成者。
<第2導電層>
第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4，係分別在比第1導電層X1、X2、X3、X4還下側與第1導電層X1、X2、X3、X4鄰接之由W或Mo構成的敷金屬層。
又，如圖4(b)所示，第2導電層Y1、Y2、Y3 、Y4，係分別具有比第1導電層X1、X2、X3、X4還小的相似形狀(1/4圓：扇形)。
此外，第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4係以相鄰者彼此不相接的方式以既定寬度分離地形成。因此，分離的區域經俯視觀之係成為十字形狀。
此處，第2導電層Y1係位在第1導電層X1的下側，第2導電層Y2係位在第1導電層X2的下側，第2導電層Y3係位在第1導電層X3的下側，第2導電層Y4係位在第1導電層X4的下側。
再者，如圖4(a)所示，俯視觀之，在藉由上側的第1導電層X1、X2、X3、X4的外緣Xa(參照圖5)所分別劃定之範圍內，下側的第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4以分別被包含的方式作配置。
因此，上側的第1導電層X1、X2、X3、X4的外緣Xa的位置與下側的第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4的外緣Ya(參照圖5)的位置係分別完全地錯位。亦即，所有的第1導電層X的外緣Xa的位置與所有的第2導電層Y的外緣Ya的位置錯位。又，上側的第1導電層X1、X2、X3、X4的面積分別大於下側的第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4的面積。
再者，如圖4(b)所示，於第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4上，以將各第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4貫通於厚度方向(圖2的上下方向)的方式，分別複數(例如各6個部位)地形成沖壓孔27。此沖壓孔27係於各第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4以遍及全面且大致成為均等的方式分散地 配置。
且，如圖4(a)所示，第1導電層X中的所有沖壓孔25的位置與第2導電層Y中的所有沖壓孔27的位置，係於俯視中以不重疊且完全地錯位之方式配置。
又，如圖2、圖4、圖6所示，第1導電層X1與第2導電層Y1係藉由複數個通路孔V5而被連接。
同樣地，第1導電層X2與第2導電層Y2係藉由複數個通路孔V6而被連接。
同樣地，第1導電層X4與第2導電層Y4係藉由複數個通路孔V8而被連接。
<端子>
如圖2所示，端子T係為設置在加熱構件5下方的端部之、由導電性材料構成之棒狀的端子且按各端子T分別與各供電部23接合。
這當中，端子T0經俯視觀之係配置在其他的端子T1、T2、T3、T4的中央(即加熱構件5的中心)，如上述，藉由供電路徑K0而被連接於吸附用電極9。
其他的端子T1、T2、T3、T4經俯視觀之係分別配置在第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4的下方(參照圖2，圖3)。具體言之，端子T1係藉由含有通路孔V9的供電路徑K1而與第2導電層Y1連接，端子T2係藉由含有通路孔V10的供電路徑K2而與第2導電層Y2連接，端子T3係藉由含有通路孔V11的供電路徑K3而與第2導電層Y3連接，端子T4係藉由含有通路孔V12的供電路徑K4而與第2導電層Y4連接。
此外，供電路徑K(K0~K4)係為由通路孔V(V0~V12)或各導電層X、Y所構成之習知的電氣路徑。
在具有上述構成的靜電夾頭1中，關於內部加熱器19，形成有端子T1→通路孔V9→第2導電層Y1→通路孔V5→第1導電層X1→通路孔V1→內部加熱器19→通路孔V2→第1導電層X2→通路孔V6→第2導電層Y2→通路孔V10→端子T2這樣的電流路徑。又，關於外部加熱器21，形成有端子T3→通路孔V11→第2導電層Y3→通路孔V7→第1導電層X3→通路孔V3→外部加熱器21→通路孔V4→第1導電層X4→通路孔V8→第2導電層Y4→通路孔V12→端子T4這樣的電流路徑。亦即，電阻發熱體11係由可獨立控制的複數個發熱部所構成。
〔1-3.靜電夾頭的製造方法〕
其次，就靜電夾頭1的製造方法作說明。
靜電夾頭1係能藉由以下(i)~(ix)的程序來製造。
(i)作成以陶瓷、助燒結劑、有機黏結劑等為原料之習知的組成的生胚薄片(陶瓷層17用的生胚薄片)。
(ii)將生胚薄片切斷成所期望的尺寸。
(iii)於生胚薄片，在之後要形成通路孔V的部分上穿設貫通孔。
(iv)在貫通孔填充以W或Mo為主成分的敷金屬。
(v)於生胚薄片上使用網版印刷手法塗布以W或Mo為主成分的敷金屬，形成作為吸附用電極9、內部加熱器19、外部加熱器21及第1、第2導電層X、Y的層。
(vi)於生胚薄片，藉由鑽孔加工以形成用以安 裝各端子T的孔等。且將生胚薄片的外徑因應於加熱構件5的形狀作修整。
(vii)將生胚薄片彼此積層壓固以製作積層體。此外，於積層體表面的一部份(端子T的安裝位置)上塗布會成為供電部23的糊。
(viii)將所獲得之積層體燒結，安裝各端子T以製作加熱構件5。
(ix)之後，於加熱構件5接合金屬座7以完成靜電夾頭1。
〔1-4.靜電夾頭的作用效果〕
其次，針對靜電夾頭1的作用效果作說明。
第1實施形態的靜電夾頭1中，俯視觀之，由於第1導電層X與第2導電層Y的外緣Xa、Ya的位置錯位，所以不易產生大的高低差，不易在陶瓷層17等產生剝離。亦即，在外緣Xa、Ya錯位的部分中第1導電層X與第2導電層Y未重疊，故可減低因兩導電層X、Y所產生的高低差。藉此，可抑制容易因高低差而產生之陶瓷層17彼此或陶瓷層17與各導電層X、Y之間的剝離發生。
第1實施形態中，俯視觀之，由於在藉由第1導電層X的外緣Xa所劃定的範圍內包含有第2導電層Y，所以在第2導電層Y的平面方向的寬廣範圍中，可容易地設置通路孔V。亦即，由於通路孔的位置限制少，故具有設計自由度提升的優點。
第1實施形態中，因為第1主面S1側(電阻發熱體11側)的第1導電層X的面積大於第2主面S2側的第2導 電層Y的面積，所以具有在陶瓷基板13的第1主面S1側的表面可將在平面方向之溫度分布均一化的效果。
第1實施形態中，因為在各導電層X、Y具有沖壓孔25、27，所以具有所謂包夾各導電層X、Y的陶瓷層17彼此的接合性高之效果。且俯視觀之，因為第1導電層X的沖壓孔25的位置與第2導電層Y的沖壓孔27的位置相互偏移，所以具有所謂陶瓷層17彼此的接合性更高的效果。
〔1-5.變形例〕
例如，第1實施形態的靜電夾頭1中，金屬座7雖為比加熱構件5還大徑的圓盤形狀，惟金屬座7的形狀或尺寸未特別限定，例如，金屬座7亦可為與加熱構件5同徑。
又，靜電夾頭1中可省略金屬座7。
第1導電層X的外緣Xa的位置與第2導電層Y的外緣Ya的位置亦可作成非全部錯位而是一部份錯位。
此處，第1導電層X與第2導電層Y的關係，係分別顯示在對向配置的第1導電層X1~X4與第2導電層Y1~Y4中之關係(以下同樣)。
第1導電層X的沖壓孔25的位置與第2導電層的沖壓孔27的位置係亦能以一部份重疊的方式配置。
第1導電層X及與第1導電層X對向的第2導電層Y係亦可不是相似形狀。
第1導電層X的外緣Xa亦可位在比與第1導電層X對向的第2導電層Y的外緣Ya還靠內側。亦即，第1導電層X的面積亦可小於第2導電層Y的面積。
電阻發熱體11係亦可被分割為3個以上。又，亦可與其對應地使各第1導電層X與各第2導電層Y分別被分割成4份以上。
作為吸附用電極9，可採用其他習知的吸附用電極的構成。例如亦可使用複數個吸附用電極。
端子T0可設置在加熱構件5的中心以外之任意的位置。
〔2.第2實施形態〕
其次，就第2實施形態作說明，惟省略與第1實施形態同樣的構成之說明。
此外，和第1實施形態同樣構成係設為相同編號。
如圖7所示，第2實施形態的陶瓷加熱器31係為半導體製造裝置用的裝置。
詳言之，陶瓷加熱器31，例如係在藉由電漿加工半導體晶圓3之際配置在收容有半導體晶圓3的腔室(未圖示)內者，係為載置(搭載)半導體晶圓3以進行加熱的裝置。
此陶瓷加熱器31係備有圓盤形狀的加熱構件33及圓筒形狀的支持構件35，支持構件35係在加熱構件33的後端側(圖7的下側)與加熱構件33同軸地接合。
此加熱構件33與支持構件35係由以氮化鋁為主成分的氮化鋁燒結體所形成。以下，針對各構成作說明。此外，以下將圖7的上側設為上側，圖7的下側設為下側。
<加熱構件>
加熱構件33係主要由積層有複數個陶瓷層(未圖示)的陶瓷基板39所構成。
於此陶瓷基板39，在上側(第1主面S1側)配置有會被施加高頻的圓盤形狀的高頻電極(習知的RF電極)41。此高頻電極41係經由通路孔V(V0)及供電部23而電連接於端子T(T0)。
又，於高頻電極41的下側，作為和第1實施形態同樣的加熱用構成，從上側起依序配置由內部加熱器19及外部加熱器21構成的電阻發熱體11、第1導電層X(X1、X2、X3、X4)、第2導電層Y(Y1、Y2、Y3、Y4)、供電部23。再者，於供電部23，與各第2導電層Y1、Y2、Y3、Y4對應地和第1實施形態同樣安裝有各端子T(T1、T2、T3、T4)。
上述的電阻發熱體11、第1導電層X、第2導電層Y、供電部23的在俯視觀察的形狀或配置係和第1實施形態相同。亦即，第1導電層X和第2導電層Y係相似形狀，且其外緣係錯位。又，在第1導電層X和第2導電層Y，與第1實施形態同樣地設有沖壓孔(未圖示)，各沖壓孔的位置係錯位。
又，在陶瓷基板39內，與第1實施形態同樣地，位在上下方向之、例如將阻發熱體11與第1導電層X電連接的通路孔V1、V2、V3、V4、或將各導電層X、Y彼此連接的通路孔V5、V6、V7、V8、或將第2導電層Y與供電部23連接的各通路孔V9、V10、V11、V12，是沿著 上下方向配置。
<支持構件>
支持構件35係如上述，為與加熱構件33的下面側同軸接合之圓筒形狀的構件。此外，加熱構件33與支持構件35，例如藉由擴散接合而被接合，但除此之外，例如亦可藉由硬焊(brazing)等之方法而被接合。
此外，在支持構件35的中心孔49，配置有用以將各端子T連接於外部機器之連接構件(未圖示)。
第2實施形態的陶瓷加熱器31為，如通常那樣，在高頻電極41與和高頻電極41對向的電極(陶瓷加熱器31外的對向電極：未圖示)之間施加高頻(交流)，可進行電漿加工等。又，與第1實施形態同樣地，可獲得基於第1導電層X、第2導電層Y等之構成的效果。
〔3.第3實施形態〕
其次，就第3實施形態作說明，惟省略與第1實施形態同樣的構成之說明。
此外，和第1實施形態同樣構成係設為相同編號。
如圖8所示，第3實施形態的加熱構件61係為例如半導體製造裝置用的加熱裝置。
加熱構件61之基本構成係為由第1實施形態的加熱構件扣除掉吸附用電極及與其供電相關的構成者。
具體言之，加熱構件61係和第1實施形態同樣，在陶瓷基板13的內部備有由內部加熱器19及外部加熱器21構成的電阻發熱體11、第1導電層X1、X2、X3、X4、第2 導電層Y1、Y2、Y3、Y4、供電部23、及將其等連接之通路孔V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12。且亦具備供電部23、端子T1、T2、T3、T4。
第3實施形態的加熱構件61可獲得和第1實施形態同樣的效果。
此外，本發明未受限於前述實施形態，當然可在不悖離本發明要旨之範圍下以各種態樣來實施。
例如，第1~第3實施形態中，第1導電層X1、X2、X3、X4雖然分別是藉由通過圓的中心之線段以成為相同中心角的方式被4等分的形狀，但作為第1導電層X1、X2、X3、X4的形狀，可採用任意的形狀。例如，亦可第1導電層X1、X2、X3、X4各自為互異的形狀。

Claims (8)

  1. 一種加熱構件，具備：陶瓷基板，具有積層了複數個陶瓷層的構造；電阻發熱體，埋設於前述陶瓷基板；供電部，配置於前述陶瓷基板的表面；及供電路徑，埋設於前述陶瓷基板並將前述電阻發熱體與前述供電部電連接，該加熱構件之特徵為：前述供電路徑具備：複數個導電層，在前述陶瓷基板的厚度方向相異位置中沿著前述陶瓷層的平面方向配置；及複數個通路孔，沿著前述陶瓷基板的厚度方向配置，從前述厚度方向觀看前述複數個導電層時，至少一對導電層的外緣的位置錯位。
  2. 如請求項1之加熱構件，其中在將前述外緣的位置錯位的一對導電層從前述厚度方向觀看時，在藉由一導電層的外緣所劃定之範圍內包含有另一導電層。
  3. 如請求項1之加熱構件，其中在將前述外緣的位置錯位的一對導電層從前述厚度方向觀看時，前述電阻發熱體側的導電層的面積是大於前述供電部側的導電層的面積。
  4. 如請求項2之加熱構件，其中在將前述外緣的位置錯位的一對導電層從前述厚度方向觀看時，前述電阻發熱體側的導電層的面積是大於前述供電部側的導電層的面積。
  5. 如請求項1至4中任一項之加熱構件，其中在前述複數個導電層中至少1層，具備將前述導電層貫通於厚度方向的1或複數個沖壓孔。
  6. 如請求項5之加熱構件，其中在前述複數個導電層中至少2層，具備將前述導電層貫通於厚度方向的1或複數個沖壓孔，且從前述厚度方向觀看具備前述沖壓孔的至少2層的導電層時，各導電層的沖壓孔的位置錯位。
  7. 一種靜電夾頭，其特徵為：具備如前述請求項1至4中任一項之加熱構件，且具備埋設於前述陶瓷基板之吸附用電極。
  8. 一種陶瓷加熱器，其特徵為：具備如前述請求項1至6中任一項之加熱構件，且具備埋設於前述陶瓷基板之高頻電極。
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