JP2017063192A - 半導体装置の作製方法、電子機器の作製方法、半導体装置、表示装置、記憶装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物層を形成し、酸化物層上に絶縁層および犠牲層を形成し、絶縁層および犠牲層上に導電層を成膜し、導電層を成膜した後に加熱処理を行うことにより、酸化物層において、導電層と接する領域に第1の混合層を形成し、犠牲層において、導電層と接する領域に第2の混合層を形成し、半導体装置を作製する。第1の混合層は、導電層の有する元素のうち一以上を有し、第2の混合層は、導電層の有する元素のうち一以上を有し、導電層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有し、第1の混合層の抵抗値は、酸化物層の抵抗値より小さい。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の構成について、図1乃至図21を用いて説明する。
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置の一例としてトランジスタ10の構成について説明する。
次に、本発明の一態様に係る半導体装置の別の例としてトランジスタ11の構成について説明する。
次に、本発明の一態様に係る半導体装置の別の例としてトランジスタ12の構成について説明する。
以下に本実施の形態のトランジスタの各構成について示す。
基板100には、例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムからなる化合物半導体基板、SOI(Silicon On Insulator)基板などを用いることも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを用いてもよい。また、基板100は、単なる支持材料に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。この場合、トランジスタのゲート、ソース、ドレインのいずれか一以上は、上記の他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。
絶縁層110は、シリコン(Si)、窒素(N)、酸素(O)、フッ素(F)、水素(H)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ハフニウム(Hf)およびタンタル(Ta)を一種以上含む絶縁膜を用いることができる。
以下に、酸化物層121を構成する酸化物について説明する。
犠牲層160は、酸化物層121と同様の材料、シリコン、シリコン酸化物、またはシリコン窒化物等を有する材料から形成することができる。また、これらの材料に金属原子を添加することにより、抵抗を下げてもよい。
絶縁層150には、酸素(O)、窒素(N)、フッ素(F)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、シリコン(Si)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)などを有することができる。例えば、酸化アルミニウム(AlOx)、酸化マグネシウム(MgOx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiOxNy)、窒化酸化シリコン(SiNxOy)、窒化シリコン(SiNx)、酸化ガリウム(GaOx)、酸化ゲルマニウム(GeOx)、酸化イットリウム(YOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化ランタン(LaOx)、酸化ネオジム(NdOx)、酸化ハフニウム(HfOx)および酸化タンタル(TaOx)を一種以上有することができる。また、絶縁層150は上記材料の積層であってもよい。なお、絶縁層150に、ランタン(La)、窒素、ジルコニウム(Zr)などを、不純物として含んでいてもよい。
絶縁層180は、絶縁層150と同様の材料を有することができる。
導電層170および導電層175には、例えば、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、銀(Ag)、タンタル(Ta)タングステン(W)、またはシリコンなどの材料を有することができる。また、導電層170および導電層175の積層として、電極層を形成する場合、いずれか一方に、例えば上記材料の窒化物など、窒素を含んだ材料を用いてもよい。
導電層190には、導電層170と同様の材料を用いることができる。
導電層195には、導電層170と同様の材料を用いることができる。
図1に示すトランジスタ10の変形例について図6乃至図15を用いて説明する。
酸化物絶縁層121a、酸化物半導体層121b、および酸化物絶縁層121cの積層構造に接する絶縁体のバンド図と、酸化物半導体層121bおよび酸化物絶縁層121cの積層構造に接する絶縁体のバンド図と、について、図12を用いて説明する。なお、図12および図12の説明において、酸化物絶縁層121aを構成する酸化物を酸化物S1と呼称し、酸化物半導体層121bを構成する酸化物を酸化物S2と呼称し、酸化物絶縁層121cを構成する酸化物を酸化物S3と呼称する。
導電層105には、導電層190と同様の材料を用いることができる。導電層105は、単層でもよいし、積層でもよい。
図2に示すトランジスタ11の変形例について図16乃至図19を用いて説明する。
図3に示すトランジスタ12の変形例について、図20乃至図22を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法について、図23乃至図36を用いて説明する。なお、先の実施の形態にて説明した部分と重複する部分については省略することがある。
先の実施の形態において、図1で示すトランジスタ10の作製方法について、図23乃至図25を用いて説明する。なお、図23(A)、図23(C)、図23(E)、図24(A)、図24(C)、図25(A)および図25(C)は、トランジスタのチャネル長方向における構造を示し、図23(B)、図23(D)、図23(F)、図24(B)、図24(D)、図25(B)および図25(D)は、トランジスタのチャネル幅方向における構造を示す。
先の実施の形態において、図2を用いて説明したトランジスタ11の作製方法について、図26乃至図28を用いて説明する。なお、図26(A)、図26(C)、図27(A)、図27(C)、図27(E)、図28(A)および図28(C)は、トランジスタのチャネル長方向における構造を示し、図26(B)、図26(D)、図27(B)、図27(D)、図27(F)、図28(B)および図28(D)は、トランジスタのチャネル幅方向における構造を示す。
先の実施の形態において、図3で示すトランジスタ12の作製方法について、図29乃至図31を用いて説明する。なお、図29(A)、図29(C)、図29(E)、図30(A)、図30(C)、図30(E)、図31(A)および図31(C)は、トランジスタのチャネル長方向における構造を示し、図29(B)、図29(D)、図29(F)、図30(B)、図30(D)、図30(F)、図31(B)および図31(D)は、トランジスタのチャネル幅方向における構造を示す。なお、上記した他のトランジスタの作製方法と同一の方法について、記載を省略することがある。
次に、トランジスタの作製方法の変形例について、図32乃至図36を用いて説明する。なお、図32(A)、図32(C)、図33(A)、図33(C)、図33(E)、図34(A)、図34(C)、図35(A)、図35(C)、図36(A)、図36(C)および図36(E)は、トランジスタのチャネル長方向における構造を示し、図32(B)、図32(D)、図33(B)、図33(D)、図33(F)、図34(B)、図34(D)、図35(B)、図35(D)、図36(B)、図36(D)および図36(F)は、トランジスタのチャネル幅方向における構造を示す。なお、上記のトランジスタ10、トランジスタ11およびトランジスタ12の作製方法と同様の作製方法については、説明を省略することがある。
図32および図33を用いて、絶縁層150および犠牲層160の側面に接する絶縁層176を有するトランジスタ10aを形成する方法について説明する。
次に、図34を用いて、酸化物層121において、低抵抗領域125を形成する方法について説明する。例えば、図7に示すトランジスタ10bおよび図17に示すトランジスタ11bを作製するときに、本方法を用いて低抵抗領域125を形成することができる。
図35を用いて、低抵抗領域126および酸化物導電体である犠牲層165を形成する方法について説明する。例えば、図9に示すトランジスタ10dまたは図10に示すトランジスタ10eを作製するときに、本方法を用いて低抵抗領域126および犠牲層165を形成することができる。
酸化物層121が、酸化物絶縁層121a、酸化物半導体層121bおよび酸化物絶縁層121cによって構成される場合の、酸化物絶縁層121a、酸化物半導体層121bおよび酸化物絶縁層121cの形成方法について示す。
本実施の形態では、上述の酸化物が取りうる構造について、図37乃至図41を用いて説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について図面を参照して説明する。
図42(A)に本発明の一態様の半導体装置の断面図を示す。図42(A)において、X1−X2方向はチャネル長方向、Y1−Y2方向はチャネル幅方向を示す。図42(A)に示す半導体装置は、下部に第1の半導体材料を用いたトランジスタ2200を有し、上部に第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100を有している。図42(A)では、第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100として、先の実施の形態で例示したトランジスタを適用した例を示している。なお、一点鎖線より左側がトランジスタのチャネル長方向の断面、右側がチャネル幅方向の断面である。
上記構成において、トランジスタ2100やトランジスタ2200の電極を適宜接続することにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図42(B)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、且つそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOSインバータの構成を示している。
また、図42(C)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるCMOSアナログスイッチとして機能させることができる。
<記憶装置の例>
本発明の一態様であるトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図43に示す。
以下では、本発明の一態様に係る撮像装置について説明する。
撮像装置200が有する1つの画素211を複数の副画素212で構成し、それぞれの副画素212に特定の波長帯域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で図15、図19および図22を用いて説明したトランジスタを適用可能な回路構成の一例について、図48乃至図51を用いて説明する。
<RFタグ>
本実施の形態では、先の実施の形態で説明したトランジスタ、または記憶装置を含むRFタグについて、図52を用いて説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した記憶装置を含むCPUについて説明する。
図53に示すCPUは、基板1190上に、ALU1191(ALU:Arithmetic logic unit、演算回路)、ALUコントローラ1192、インストラクションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、タイミングコントローラ1195、レジスタ1196、レジスタコントローラ1197、バスインターフェース1198、書き換え可能なROM1199、およびROMインターフェース1189を有している。基板1190は、半導体基板、SOI基板、ガラス基板などを用いる。ROM1199およびROMインターフェース1189は、別チップに設けてもよい。もちろん、図53に示すCPUは、その構成を簡略化して示した一例にすぎず、実際のCPUはその用途によって多種多様な構成を有している。例えば、図53に示すCPUまたは演算回路を含む構成を一つのコアとし、当該コアを複数含み、それぞれのコアが並列で動作するような構成としてもよい。また、CPUが内部演算回路やデータバスで扱えるビット数は、例えば8ビット、16ビット、32ビット、64ビットなどとすることができる。
図54は、レジスタ1196として用いることのできる記憶素子の回路図の一例である。記憶素子1200は、電源遮断で記憶データが揮発する回路1201と、電源遮断で記憶データが揮発しない回路1202と、スイッチ1203と、スイッチ1204と、論理素子1206と、容量素子1207と、選択機能を有する回路1220と、を有する。回路1202は、容量素子1208と、トランジスタ1209と、トランジスタ1210と、を有する。なお、記憶素子1200は、必要に応じて、ダイオード、抵抗素子、インダクタなどのその他の素子をさらに有していても良い。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した表示装置の構成例について説明する。
図55(A)は、本発明の一態様の表示装置の上面図であり、図55(B)は、本発明の一態様の表示装置の画素に液晶素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。また、図55(C)は、本発明の一態様の表示装置の画素に有機EL素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。
また、画素の回路構成の一例を図55(B)に示す。ここでは、一例としてVA型液晶表示装置の画素に適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図55(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を適用した表示モジュールについて、図58を用いて説明を行う。
図58に示す表示モジュール6000は、上部カバー6001と下部カバー6002との間に、FPC6003に接続されたタッチパネル6004、FPC6005に接続された表示パネル6006、バックライトユニット6007、フレーム6009、プリント基板6010、バッテリー6011を有する。なお、バックライトユニット6007、バッテリー6011、タッチパネル6004などは、設けられない場合もある。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の使用例について説明する。
図59(A)に、リードフレーム型のインターポーザを用いたパッケージの断面構造を表す斜視図を示す。図59(A)に示すパッケージは、本発明の一態様に係る半導体装置に相当するチップ1751が、ワイヤボンディング法により、インターポーザ1750上の端子1752と接続されている。端子1752は、インターポーザ1750のチップ1751がマウントされている面上に配置されている。そしてチップ1751はモールド樹脂1753によって封止されていてもよいが、各端子1752の一部が露出した状態で封止されるようにする。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
本発明の一態様の半導体装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の半導体装置を用いて、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また本発明の一態様の半導体装置を用いて、タッチセンサの検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置を用いたRFタグの使用例について図63を用いながら説明する。
RFタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図63(A)参照)、乗り物類(自転車等、図63(B)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図63(C)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図63(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図63(E)、図63(F)参照)等に設けて使用することができる。
10a トランジスタ
10b トランジスタ
10c トランジスタ
10d トランジスタ
10e トランジスタ
10f トランジスタ
10g トランジスタ
10h トランジスタ
11 トランジスタ
11a トランジスタ
11b トランジスタ
11c トランジスタ
11d トランジスタ
12 トランジスタ
12a トランジスタ
12b トランジスタ
20 表示装置
21 表示領域
22 周辺回路
24 表示装置
50 トランジスタ
52 トランジスタ
60 容量素子
62 容量素子
70 発光素子
80 液晶素子
100 基板
105 導電層
110 絶縁層
121 酸化物層
121a 酸化物絶縁層
121b 酸化物半導体層
121c 酸化物絶縁層
121d 酸化物層
122 酸化物絶縁層
123 酸化物絶縁層
125 低抵抗領域
126 低抵抗領域
127 混合層
127a 混合層
127b 混合層
127c 混合層
150 絶縁層
150a 絶縁層
151 絶縁層
151a 絶縁層
155 導電層
155a 導電層
160 犠牲層
160a 犠牲層
162 混合層
165 犠牲層
168 導電層
169 酸素
170 導電層
170a 導電層
175 導電層
175a 導電層
176 絶縁層
176a 絶縁層
177 絶縁層
178 イオン
180 絶縁層
180a 絶縁層
180b 絶縁層
181 絶縁層
190 導電層
195 導電層
200 撮像装置
201 スイッチ
202 スイッチ
203 スイッチ
210 画素部
211 画素
212 副画素
212B 副画素
212G 副画素
212R 副画素
220 光電変換素子
230 画素回路
231 配線
247 配線
248 配線
249 配線
250 配線
253 配線
254 フィルタ
254B フィルタ
254G フィルタ
254R フィルタ
255 レンズ
256 光
257 配線
260 周辺回路
270 周辺回路
280 周辺回路
290 周辺回路
300 シリコン基板
310 層
320 層
330 層
340 層
351 トランジスタ
353 トランジスタ
360 フォトダイオード
361 アノード
362 カソード
363 低抵抗領域
365 フォトダイオード
366 半導体
367 半導体
368 半導体
370 プラグ
371 配線
372 配線
373 配線
374 配線
380 絶縁層
400 基板
402 保護基板
403 偏光板
405 保護基板
410 導電層
415 導電層
418 遮光層
420 絶縁層
430 絶縁層
440 スペーサ
445 隔壁
450 EL層
460 着色層
465 導電層
470 接着層
473 接着層
474 接着層
475 接着層
476 接着層
480 導電層
490 液晶層
497 導電層
510 異方性導電層
530 光学調整層
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 走査線
713 走査線
714 信号線
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
1750 インターポーザ
1751 チップ
1752 端子
1753 モールド樹脂
1800 パネル
1801 プリント配線基板
1802 パッケージ
1803 FPC
1804 バッテリー
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
2201 絶縁体
2202 配線
2203 プラグ
2204 絶縁体
2205 配線
2207 絶縁体
2211 半導体基板
2212 絶縁体
2213 ゲート電極
2214 ゲート絶縁体
2215 ソース領域およびドレイン領域
2800 インバータ
2810 OSトランジスタ
2820 OSトランジスタ
2831 信号波形
2832 信号波形
2840 破線
2841 実線
2850 OSトランジスタ
2860 CMOSインバータ
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFタグ
6000 表示モジュール
6001 上部カバー
6002 下部カバー
6003 FPC
6004 タッチパネル
6005 FPC
6006 表示パネル
6007 バックライトユニット
6008 光源
6009 フレーム
6010 プリント基板
6011 バッテリー
7101 筐体
7102 筐体
7103 表示部
7104 表示部
7105 マイク
7106 スピーカー
7107 操作キー
7108 スタイラス
7302 筐体
7304 表示部
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
7501 筐体
7502 表示部
7503 操作ボタン
7504 外部接続ポート
7505 スピーカー
7506 マイク
7701 筐体
7702 筐体
7703 表示部
7704 操作キー
7705 レンズ
7706 接続部
7901 電柱
7902 表示部
8000 カメラ
8001 筐体
8002 表示部
8003 操作ボタン
8004 シャッターボタン
8005 結合部
8006 レンズ
8100 ファインダー
8101 筐体
8102 表示部
8103 ボタン
8121 筐体
8122 表示部
8123 キーボード
8124 ポインティングデバイス
8200 ヘッドマウントディスプレイ
8201 装着部
8202 レンズ
8203 本体
8204 表示部
8205 ケーブル
8206 バッテリー
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 ダッシュボード
9704 ライト
9710 表示部
9711 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
Claims (20)
- 第1の酸化物層を成膜し、
前記第1の酸化物層を選択的に加工して第2の酸化物層を形成し、
前記第2の酸化物層上に第1の絶縁層を成膜し、
前記第1の絶縁層上に第1の犠牲層を成膜し、
前記第1の絶縁層および前記第1の犠牲層を選択的に加工して第2の絶縁層および第2の犠牲層を形成し、
前記第2の酸化物層、前記第2の絶縁層および前記第2の犠牲層上に導電層を成膜し、
前記導電層を成膜した後に加熱処理を行うことにより、前記第2の酸化物層において、前記導電層と接する領域に第1の混合層を形成し、前記第2の犠牲層において、前記導電層と接する領域に第2の混合層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第1の混合層は、前記導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記第2の混合層は、前記導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記導電層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有し、
前記第1の混合層の抵抗値は、前記第2の酸化物層の抵抗値より小さく、
前記第2の犠牲層および前記第2の混合層は、ゲート電極として機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第2の混合層の抵抗値は、前記第2の犠牲層の抵抗値より小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または2において、
前記第1の混合層および前記第2の混合層を形成した後に、前記導電層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の酸化物層を成膜し、
前記第1の酸化物層を選択的に加工して第2の酸化物層を形成し、
前記第2の酸化物層上に第1の絶縁層を成膜し、
前記第1の絶縁層上に第1の犠牲層を成膜し、
前記第1の絶縁層および前記第1の犠牲層を選択的に加工して第2の絶縁層および第2の犠牲層を形成し、
前記第2の酸化物層、前記第2の絶縁層および前記第2の犠牲層上に第1の導電層を成膜し、
前記第1の導電層を成膜した後に加熱処理を行うことにより、前記第2の酸化物層において、前記第1の導電層と接する領域に混合層を形成し、
前記混合層および前記第2の犠牲層上に第3の絶縁層を成膜し、
前記第3の絶縁層の一部を除去して前記第2の犠牲層の上面を露出させ、
前記第2の犠牲層を除去し、
前記第2の絶縁層上に第2の導電層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記混合層は、前記第1の導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記第1の導電層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有し、
前記混合層の抵抗値は、前記第2の酸化物層の抵抗値より小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4において、
前記第2の絶縁層を介して、前記第2の半導体に酸素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記第1の犠牲層は、インジウム、ガリウムまたは亜鉛のいずれか一以上を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記第1の犠牲層は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記第2の絶縁層および前記第2の犠牲層を形成した後に、前記第2の酸化物層および前記第2の犠牲層上に第4の絶縁層を成膜し、
前記第4の絶縁層を加工して、前記第2の絶縁層および前記第2の犠牲層の側面に接する第5の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の酸化物層を成膜し、
前記第1の酸化物層を選択的に加工して第2の酸化物層を形成し、
前記第2の酸化物層上に第1の導電層を成膜し、
前記第1の導電層を成膜した後に加熱処理を行うことにより、前記第2の酸化物層において、前記第1の導電層と接する領域に混合層を形成し、
前記混合層上に第1の絶縁層を成膜し、
前記第1の絶縁層、前記混合層および前記第2の酸化物層の一部を除去して第3の酸化物層を形成し、
前記第3の酸化物層上に第2の絶縁層を成膜し、
前記第2の絶縁層上に第2の導電層を成膜する半導体装置の作製方法であって、
前記混合層は、前記第1の導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記第1の導電層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有し、
前記混合層の抵抗値は、前記第2の酸化物層の抵抗値より小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4乃至9のいずれか一において、
前記混合層を形成した後に、前記第1の導電層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至10のいずれか一において、
前記加熱処理は、200℃以上400℃以下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 電子機器の作製方法であって、
前記電子機器は、半導体装置と、筐体と、表示装置またはスピーカーと、を有し、
前記半導体装置は、請求項1乃至11のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製されていることを特徴とする電子機器の作製方法。 - 酸化物層と、
前記酸化物層上の第1の混合層と、
前記酸化物層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の第2の混合層と、を有し、
前記第1の混合層は、前記酸化物層が有する元素のうち一以上を有し、
前記酸化物層は、インジウム、ガリウムまたは亜鉛のいずれか一以上を有し、
前記第1の混合層または前記第2の混合層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項13において、
前記第1の混合層の抵抗値は、前記酸化物層の抵抗値より小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項13または14において、
前記第2の混合層の抵抗値は、前記導電層の抵抗値より小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項13乃至15のいずれか一において、
前記第2の混合層は、インジウム、ガリウムまたは亜鉛のいずれか一以上を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項13乃至15のいずれか一において、
前記第2の混合層は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項13乃至17のいずれか一に記載の半導体装置と、
表示素子と、を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項13乃至17のいずれか一に記載の半導体装置(第一の半導体装置)と、第二の半導体装置と、を有し、
前記第二の半導体装置は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、窒化ガリウムまたは有機半導体のいずれか一以上を有することを特徴とする記憶装置。 - 請求項12乃至17のいずれか一に記載の半導体装置と、
筐体と、
表示装置またはスピーカーと、を有することを特徴とする電子機器。
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