JP2015026808A - 酸化物半導体層の処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
酸化物半導体層内部、および酸化物半導体層と外部との界面近傍において、DOS(Density of State)が存在すると、酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、劣化などの要因となる。酸化物半導体層内部、およびその界面近傍のDOSは、酸素(O)、酸素欠損(Vo)および水素(H)の位置や結合関係によって説明することができる。以下、我々のモデルの概要を、特性を理解するために説明する。
次に、酸化物半導体層を有するトランジスタの劣化のメカニズムについて述べる。酸化物半導体層を有するトランジスタは、光が照射されている場合と、光が照射されていない場合とで、特性が劣化するときの挙動が異なる。光が照射されている場合は、酸化物半導体層内部の深い位置のDOS(bulk deep DOS)が大きく影響する可能性がある。光が照射されていない場合は、酸化物半導体層の表面近傍(絶縁膜(Insulator)との界面またはその近傍)の浅い位置のDOS(surface shallow DOS)が関係している可能性がある。
既に述べたように、酸化物半導体層を有するトランジスタの劣化については、光が照射された場合と、光が照射されていない場合とで、挙動が異なる。光が照射されていない場合については既に述べた。従って、ここでは、光が照射されている場合における劣化のメカニズムについて述べる。光が照射されている場合は、酸化物半導体層内部の深い位置のDOS(bulk deep DOS)が関係している。ここでは、酸化物半導体層内部の深い位置のDOS(bulk deep DOS)による電荷の捕獲、放出の関係から、光が照射されている場合(明状態)のトランジスタの劣化のメカニズムについて説明する。
トランジスタに安定した電気特性を付与するためには、酸化物半導体層内部、およびその界面近傍にDOSをより少なくすること(高純度真性化)が重要である。以下では、酸化物半導体層の高純度真性化のプロセスモデルについて説明する。そこで、まずは、酸化物半導体層の、脱水化および脱水素化について説明し、次に、酸素欠損(Vo)を酸素で埋めることによる加酸素化について説明する。
酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体層と絶縁膜との界面には、DOSが形成される場合がある。また、形成されたDOSに電荷が捕獲されると、トランジスタのしきい値電圧を変化させる要因となる。
以下では、酸化物半導体層を有するトランジスタについて説明する。
まず、トップゲートトップコンタクト型のトランジスタの一例について説明する。
以下では、トランジスタ構造(1)の作製方法の一例について説明する。
酸化物半導体層106bに含まれる不純物濃度が低く、欠陥密度が低いことによって(即ち、高純度真性であることによって)、トランジスタの電気特性は安定となる。また、酸化物半導体層106bが高い結晶性を有することで、酸化物半導体層106bが非晶質である場合と比べて、トランジスタの電気特性は安定となる。以下では、不純物濃度が低く、結晶性の高い酸化物半導体層106bを成膜するための成膜装置について説明する。なお、以下で説明する成膜装置は、トランジスタの他の構成を成膜する際に用いてもよい。以下で説明する成膜装置を用いることで、他の構成においても不純物濃度を低減することができる。
次に、トランジスタ構造(1)とは異なるトップゲートトップコンタクト型のトランジスタの一例について説明する。
以下では、トランジスタ構造(2)の作製方法の一例について説明する。
次に、ボトムゲートトップコンタクト型のトランジスタの一例について説明する。
以下では、トランジスタ構造(3)の作製方法の一例について説明する。
次に、トランジスタ構造(3)とは異なるボトムゲートトップコンタクト型のトランジスタの一例について説明する。
以下では、トランジスタ構造(4)の作製方法の一例について説明する。
以下では、上述したトランジスタを用いた応用製品について説明する。
上述したトランジスタは、さまざまな電子機器に搭載されるマイクロコンピュータに適用することができる。
図35は、上述したトランジスタを少なくとも一部に用いたCPUの具体的な構成を示すブロック図である。
本項では、上述したトランジスタを適用した表示装置について説明する。
まずはEL素子を用いた表示装置(EL表示装置ともいう。)について説明する。
次に、液晶素子を用いた表示装置(液晶表示装置ともいう。)について説明する。
図36(A)において、テレビジョン装置8000は、筐体8001に表示部8002が組み込まれており、表示部8002により映像を表示し、スピーカー部8003から音声を出力することが可能である。上述した表示装置を表示部8002に用いることが可能である。
70b 成膜室
71 大気側基板供給室
72a ロードロック室
72b アンロードロック室
73 搬送室
73a 搬送室
73b 搬送室
74 カセットポート
75 基板加熱室
76 基板搬送ロボット
80a 成膜室
80b 成膜室
80c 成膜室
80d 成膜室
81 大気側基板供給室
82 ロード/アンロードロック室
83 搬送室
84 カセットポート
85 基板加熱室
86 基板搬送ロボット
87 ターゲット
88 防着板
89 ガラス基板
90 基板ステージ
92 基板ステージ
93 加熱機構
94 精製機
95a クライオポンプ
95b クライオポンプ
95c ターボ分子ポンプ
95d クライオポンプ
95e クライオポンプ
95f クライオポンプ
96 真空ポンプ
96a 真空ポンプ
96b 真空ポンプ
96c 真空ポンプ
97 マスフローコントローラ
98 ガス加熱機構
99 クライオトラップ
100 基板
102 下地絶縁膜
104 ゲート電極
106a 酸化物層
106b 酸化物半導体層
106c 酸化物層
108 保護絶縁膜
112 ゲート絶縁膜
116 導電膜
116a ソース電極
116a1 導電層
116a2 導電層
116a3 導電層
116a4 導電層
116b ドレイン電極
116b1 導電層
116b2 導電層
116b3 導電層
116b4 導電層
118 保護絶縁膜
136a 酸化物層
136b 酸化物半導体層
136c 酸化物層
200 基板
202 下地絶縁膜
204 ゲート電極
206a 酸化物層
206b 酸化物半導体層
206c 酸化物層
208 保護絶縁膜
212 ゲート絶縁膜
216 導電膜
216a ソース電極
216b ドレイン電極
218 保護絶縁膜
234 導電膜
236a 酸化物層
236b 酸化物半導体層
236c 酸化物層
242 絶縁膜
300 基板
304 ゲート電極
306a 酸化物層
306b 酸化物半導体層
306c 酸化物層
312 ゲート絶縁膜
316a ソース電極
316b ドレイン電極
318 保護絶縁膜
318a 酸化シリコン層
318b 酸化シリコン層
318c 窒化シリコン層
336a 酸化物層
336b 酸化物半導体層
336c 酸化物層
400 基板
404 ゲート電極
406a 酸化物層
406b 酸化物半導体層
406c 酸化物層
412 ゲート絶縁膜
416a ソース電極
416b ドレイン電極
418 保護絶縁膜
436a 酸化物層
436b 酸化物半導体層
436c 酸化物層
445 絶縁膜
449 配線
451 半導体基板
453 素子分離領域
456 配線
457 ゲート絶縁膜
459 ゲート電極
460 半導体層
461a 不純物領域
461b 不純物領域
465 絶縁膜
466c 電極
467 絶縁膜
469a コンタクトプラグ
469b コンタクトプラグ
470 絶縁膜
471 絶縁膜
472 絶縁膜
473a 配線
473b 配線
474 電極
475 絶縁膜
500 マイクロコンピュータ
501 直流電源
502 バスライン
503 パワーゲートコントローラ
504 パワーゲート
505 CPU
506 揮発性記憶部
507 不揮発性記憶部
508 インターフェース
509 検出部
511 光センサ
512 アンプ
513 ADコンバータ
514 光電変換素子
516 トランジスタ
517 トランジスタ
518 トランジスタ
519 トランジスタ
530 発光素子
700 基板
719 発光素子
720 絶縁膜
721 絶縁膜
731 端子
732 FPC
733a 配線
734 シール材
735 駆動回路
736 駆動回路
737 画素
741 トランジスタ
742 キャパシタ
743 スイッチ素子
744 信号線
750 画素
751 トランジスタ
752 キャパシタ
753 液晶素子
754 走査線
755 信号線
781 電極
782 発光層
783 電極
784 隔壁
791 電極
792 絶縁膜
793 液晶層
794 絶縁膜
795 スペーサ
796 電極
797 基板
1000 ターゲット
1001 イオン
1002 スパッタ粒子
1003 酸化物層
1004 非晶質膜
1005 劈開面
1006 結合の弱い部分
1007 プラズマ
1141 スイッチング素子
1142 メモリセル
1143 メモリセル群
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
8000 テレビジョン装置
8001 筐体
8002 表示部
8003 スピーカー部
8100 警報装置
8101 マイクロコンピュータ
8200 室内機
8201 筐体
8202 送風口
8203 CPU
8204 室外機
8300 電気冷凍冷蔵庫
8301 筐体
8302 冷蔵室用扉
8303 冷凍室用扉
8304 CPU
9700 電気自動車
9701 二次電池
9702 制御回路
9703 駆動装置
9704 処理装置
Claims (2)
- インジウム、ガリウムおよび亜鉛を有する酸化物半導体層の処理方法であって、
前記酸化物半導体層は、第1のインジウムと近接の第1の水素が捕獲されている第1の酸素欠損と、第2のインジウムと近接の第2の水素が捕獲されている第2の酸素欠損と、を有し、
前記酸化物半導体層は、複数の過剰酸素を有し、
前記複数の過剰酸素の一と結合させることによって、前記第1の酸素欠損に捕獲されている前記第1の水素を水酸基とし、
前記水酸基と結合させることによって、前記第2の酸素欠損に捕獲されている前記第2の水素を水として脱離させた後、
前記複数の過剰酸素の一と前記第1のインジウムとを結合させ、前記複数の過剰酸素の一と前記第2のインジウムとを結合させることを特徴とする酸化物半導体層の処理方法。 - インジウム、ガリウムおよび亜鉛を有する酸化物半導体層の処理方法であって、
前記酸化物半導体層の近傍に絶縁膜が設けられており、前記絶縁膜は複数の過剰酸素を有し、
前記酸化物半導体層は、第1のインジウムと近接の第1の水素が捕獲されている第1の酸素欠損と、第2のインジウムと近接の第2の水素が捕獲されている第2の酸素欠損と、を有し、
前記絶縁膜から前記酸化物半導体層へ、前記複数の過剰酸素を移動させ、
前記複数の過剰酸素の一と結合させることによって、前記第1の酸素欠損に捕獲されている前記第1の水素を水酸基とし、
前記水酸基と結合させることによって、前記第2の酸素欠損に捕獲されている前記第2の水素を水として脱離させた後、
前記複数の過剰酸素の一と前記第1のインジウムとを結合させ、前記複数の過剰酸素の一と前記第2のインジウムとを結合させることを特徴とする酸化物半導体層の処理方法。
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