JP2017004007A - 基板処理システム及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2012年4月13日に出願された日本国特願2012−092132号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
以下、図面を参照して、本発明の第一実施形態を説明する。
図1は、本実施形態に係る基板処理装置(基板搬送装置)100の全体構成を示す斜視図である。 図1に示すように、基板処理装置100は、可撓性を有するシート状の基板(例えば、帯状のフィルム部材)Sに対して所定の処理を行う処理部(第一基板処理部、第二基板処理部)10と、基板Sを搬送する搬送部(カセット装置)20と、処理部10及びカセット装置20を統括的に制御する制御部CONTとを有する。基板処理装置100は、例えば製造工場の床面FL上に設けられている。
第一ユニット部21及び第二ユニット部22は、それぞれ複数用意されている。床面FLには、第一ユニット部21及び第二ユニット部22の少なくとも一方を待機させるバッファ部BFが設けられている。このバッファ部BFに、第一ユニット部21及び第二ユニット部22を待機させることが可能である。バッファ部BFは、ガイドレール30の一部を介して第一レール31、第二レール32又は第三レール33に接続されている。
カセット装置20は、第一ユニット部21を第二ユニット部22に対して、移動させる移動機構24を備える。移動機構24は、第一ユニット部21を移動させる移動部(第一移動部)42を備える。また、カセット装置20は、後述する移動部側通信部44及び接触抑制部47を有する。
図4に示すように、第二ユニット部22は、基板駆動部(第二基板駆動部)61、基板側通信部63、接触抑制部67、保護基板駆動部(第二補助部)68を有する。また、カセット装置20に設けられる移動機構24は、第二ユニット部22を移動させる移動部(第二移動部)62を有する。
図5に示すように、第一ユニット部21及び第二ユニット部22は、第一接続部23aと第二接続部23bとが対向した状態で接続可能である。第一接続部23aと第二接続部23bとの間は、電磁石の磁気力によって吸着されている。このように、カセット装置20は、第一接続部23a及び第二接続部23bにより、第一ユニット部21と第二ユニット部22とを接続する接続部23を備える。
図6に示すように、処理部10における基板Sの搬送方向に関し、上流側に第一ユニット部21を配置し、下流側に第二ユニット部22を配置する。そして、処理部10は、第一ユニット部21から供給され第二ユニット部22へと搬送される基板Sの移動経路上で、前記基板Sの被処理面Saに対して処理を行う。処理部10は、処理装置15、案内装置16及びアライメント計測装置17を有する。
まず、搬送機構24のうち軸部41aと軸部61aとの間に基板Sを掛け渡す動作を行う場合について説明する。以降の動作では、制御部CONTが例えば基板側通信部43及び基板側通信部63や、移動部側通信部44及び移動部側通信部64に対して通信することで各部を制御する場合を例に挙げて説明する。
次に、第二実施形態を説明する。
図13は、本実施形態に係る基板処理装置200の構成を模式的に示す図である。
図13に示すように、本実施形態では、基板処理装置200がZ軸方向に複数階層(図13では3階層)に形成されている。基板処理装置200は、各階に処理部10及びカセット装置20を有する。また、各階の床面FL1、床面FL2及び床面FL3には、それぞれ処理部10に沿ってガイドレール30が形成されている。
図14に示すように、基板処理装置200は、3つの処理室111〜113を有する。処理室111〜113は、仕切り部114によって仕切られている。仕切り部114は、処理室111の床面FL1を構成する仕切り部材114aと、処理室111の天井部及び処理室112の床面FL2を構成する仕切り部材114bと、処理室112の天井部及び処理室113の床面FL3を構成する仕切り部材114cと、処理室113の天井部を構成する仕切り部材114dとを備える。
図15は、リフト部160の概略構成を示す斜視図である。
図15に示すように、昇降機構160aは、第一ユニット部21の外部接続部40dや第二ユニット部22の接続部60dに接続される。昇降機構160aは、第一ユニット部21及び第二ユニット部22をZ軸方向に移動させる不図示の移動機構を有する。昇降機構160aは、一体化された状態の第一ユニット部21及び第二ユニット部22をZ軸方向に移動可能である。
制御部CONTは、第一ユニット部21及び第二ユニット部22を所定の入り口から処理室111に搬入させ、ガイドレール30に沿って塗布装置141へ移動させる。制御部CONTは、塗布装置141において、上記第一実施形態と同様の動作により、第一ユニット部21を塗布装置141の+Y軸側に配置させ、第二ユニット部22を塗布装置141の−Y軸側に配置させる。この状態で、制御部CONTは、第一ユニット部21から第二ユニット部22へ基板Sを搬送しつつ、基板Sの被処理面に対して感光剤の塗布処理を行わせる。
例えば、上記実施形態では、第一ユニット部21と第二ユニット部22との間が着脱可能に設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。
例えば制御部CONTは、図18(a)に示すように第一ユニット部21と第二ユニット部22とを引き離して基板Sを引き出し、図18(b)に示すように第一ユニット部21及び第二ユニット部22を+X軸方向に沿って処理部10に搬入させて処理を行わせる。その後、図18(c)に示すように、第一ユニット部21及び第二ユニット部22を−X軸方向に沿って戻すように移動させても良い。これにより、処理部10の構成上、基板SがX軸方向に通過することが困難な場合であっても、効率的に基板Sを搬送させることができる。
図21は、基板Sの構成を示す図である。
図21に示すように、基板Sの被処理面Saのうち、例えば配線や電極、素子などを形成するパターン形成領域Pを囲むように保護層90が形成された構成であっても良い。
上部構造体10aをZ軸方向の上方に移動させることによって、第1ユニット部21の軸部41cと第2ユニット部22の軸部61cとの間に掛け渡された基板Sを、X軸方向に並進移動させて処理装置10外に搬出することができる。
その後、図27のように、未処理の基板Sのロールを保持する第1ユニット部21-1(移動部42-1)が中心点TC1(第1レール31と第3レール33の交点部)に位置した状態で、処理済みの基板Sをロール状に巻き取る為の第2ユニット部22-1(移動部62-1)が、中心点TC2に向かって第3レール33に沿って移動する。
Claims (16)
- 可撓性を有する帯状の基板を処理装置に装填して、前記基板に所定の処理を施す基板処理システムであって、
前記処理装置に供給すべき前記基板が長尺方向に巻かれた供給ロールを有し、前記基板の長尺方向と短尺方向を含む所定の面内で並進運動と回転運動とが可能な第1のユニット部と、
前記処理装置で処理された前記基板が長尺方向に巻かれる回収ロールを有し、前記所定の面内で並進運動と回転運動とが可能な第2のユニット部と、
前記基板を前記処理装置に向けて搬送する際、前記供給ロールと前記回収ロールの間に前記基板を掛け渡した状態で、前記第1のユニット部と前記第2のユニット部との前記長尺方向の間隔を変えるように前記第1のユニット部と前記第2のユニット部の少なくとも一方を移動させ、前記所定の面内に設定される中心点の回りに前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とを旋回させるように、前記第1のユニット部と前記第2のユニット部の各々の並進運動と回転運動を制御する制御装置と、
を備える基板処理システム。 - 請求項1に記載の基板処理システムであって、
前記第1のユニット部は、前記供給ロールが装着される第1収容部と、前記処理装置が設置される床面に沿って並進運動と回転運動とを行う第1移動部とを有し、
前記第2のユニット部は、前記回収ロールが装着される第2収容部と、前記床面に沿って並進運動と回転運動とを行う第2移動部とを有する、
基板処理システム。 - 請求項2に記載の基板処理システムであって、
前記第1のユニット部は、前記第1収容部と前記第1移動部とを着脱可能に支持する第1の支持部を備え、
前記第2のユニット部は、前記第2収容部と前記第2移動部とを着脱可能に支持する第2の支持部を備える、
基板処理システム。 - 請求項2又は請求項3に記載の基板処理システムであって、
前記第1のユニット部と前記第2のユニット部の各々は、前記基板の長尺方向に関して前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とを接近させた状態で、前記第1収容部と前記第2収容部とを連結する為の接続部を有する、
基板処理システム。 - 請求項2〜請求項4のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記第1収容部は前記供給ロールを回転させる第1回転駆動部を有し、
前記第2収容部は前記回収ロールを回転させる第2回転駆動部を有し、
前記制御装置は、前記長尺方向に関する前記第1のユニット部と前記第2のユニット部との間隔が変わるとき、前記供給ロールと前記回収ロールとの間に掛け渡された前記基板がたるまないように、前記第1回転駆動部または前記第2回転駆動部を制御する、
基板処理システム。 - 請求項5に記載の基板処理システムであって、
前記第1のユニット部又は前記第1移動部に設けられ、前記制御装置との間で通信可能な第1通信部と、前記第2のユニット部又は前記第2移動部に設けられ、前記制御装置との間で通信可能な第2通信部とを備える、
基板処理システム。 - 請求項6に記載の基板処理システムであって、
前記制御装置は、
前記第1移動部による運動と、前記第1回転駆動部による前記基板の供給動作とを制御するための第1制御信号を前記第1通信部に送信し、前記第2移動部による運動と、前記第2回転駆動部による前記基板の回収動作とを制御するための第2制御信号を前記第2通信部に送信する、
基板処理システム。 - 可撓性を有する帯状の基板を処理装置に装填して、前記基板に所定の処理を施す基板処理システムであって、
前記処理装置に供給すべき前記基板が長尺方向に巻かれた供給ロールを有し、前記基板の長尺方向と短尺方向を含む所定の面内で並進運動と回転運動とが可能な第1のユニット部と、
前記処理装置で処理された前記基板が長尺方向に巻かれる回収ロールを有し、前記所定の面内で並進運動と回転運動とが可能な第2のユニット部と、
前記基板の長尺方向に関して前記供給ロールと前記回収ロールとの間隔を変えるように前記第1のユニット部と前記第2のユニット部の少なくとも一方が移動する第1の並進運動と、前記基板の短尺方向に関して前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とが共に移動する第2の並進運動と、前記所定の面内で前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とが共に旋回する回転運動とのうちの少なくとも2つの運動を伴って前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とが移動するように制御する制御装置と、
を備える基板処理システム。 - 請求項8に記載の基板処理システムであって、
前記第1のユニット部は、前記供給ロールが装着される第1収容部と、前記処理装置が設置される床面に沿って並進運動と回転運動とを行う第1移動部とを有し、
前記第2のユニット部は、前記回収ロールが装着される第2収容部と、前記床面に沿って並進運動と回転運動とを行う第2移動部とを有する、
基板処理システム。 - 請求項9に記載の基板処理システムであって、
前記第1収容部は前記供給ロールを回転させる第1回転駆動部を有し、
前記第2収容部は前記回収ロールを回転させる第2回転駆動部を有し、
前記制御装置は、前記長尺方向に関する前記第1のユニット部と前記第2のユニット部との間隔が変わるとき、前記供給ロールと前記回収ロールとの間に掛け渡された前記基板が巻き取られるように、前記第1回転駆動部または前記第2回転駆動部を制御する、
基板処理システム。 - 請求項10に記載の基板処理システムであって、
前記第1のユニット部又は前記第1移動部に設けられ、前記制御装置との間で通信可能な第1通信部と、前記第2のユニット部又は前記第2移動部に設けられ、前記制御装置との間で通信可能な第2通信部とを備える、
基板処理システム。 - 請求項11に記載の基板処理システムであって、
前記制御装置は、
前記第1移動部による運動と、前記第1回転駆動部による前記基板の供給動作とを制御するための第1制御信号を前記第1通信部に送信し、
前記第2移動部による運動と、前記第2回転駆動部による前記基板の回収動作とを制御するための第2制御信号を前記第2通信部に送信する、
基板処理システム。 - 請求項9〜請求項12のうちのいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記第1のユニット部と前記第2のユニット部の各々は、前記基板の長尺方向に関して前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とを接近させた状態で、前記第1収容部と前記第2収容部とを連結する為の接続部を有する、
基板処理システム。 - 可撓性を有する帯状の基板を処理装置に装填して、前記基板上にデバイスを形成するデバイス製造方法であって、
前記処理装置に供給すべき前記基板が長尺方向に巻かれた供給ロールを有し、前記基板の長尺方向と短尺方向を含む所定の面内で並進運動と回転運動とが可能な第1のユニット部と、前記処理装置で処理された前記基板が長尺方向に巻かれる回収ロールを有し、前記所定の面内で並進運動と回転運動とが可能な第2のユニット部とを、前記基板が前記供給ロールと前記回収ロールとの間に掛け渡れた状態で配置することと、
前記基板を前記処理装置に装填する際、前記長尺方向に関して前記供給ロールと前記回収ロールとの間隔を変えるように前記第1のユニット部と前記第2のユニット部の少なくとも一方が移動する第1の並進運動と、前記短尺方向に関して前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とが共に移動する第2の並進運動と、前記所定の面内で前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とが共に旋回する回転運動とのうちの少なくとも二つの運動を伴うように、前記第1のユニット部と前記第2のユニット部を移動させること、
を含むデバイス製造方法。 - 請求項14に記載のデバイス製造方法であって、
前記処理装置は、前記基板にデバイス形成の為の第1処理を施す第1処理部と、前記第1の処理を受けた前記基板にデバイス形成の為の第2処理を施す第2処理部とを有し、
前記第1処理の為に前記長尺方向に関して前記第1処理部を挟むように配置された前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とを、前記第2の並進運動によって前記第1処理部から退避した状態にした後、前記第1の並進運動によって前記第1のユニット部と前記第2のユニット部とを前記長尺方向に関して所定間隔で接近させた状態、又は連結させた状態で、前記第2処理部に向けて一緒に移動させる、
デバイス製造方法。 - 請求項15に記載のデバイス製造方法であって、
前記第1処理部と前記第2処理部の各々は、前記第1処理と前記第2処理との内容に応じて、前記基板に膜を形成する膜形成装置、前記基板を加熱する加熱装置、前記基板を洗浄する洗浄装置、前記基板を露光する露光装置、及び前記基板を検査する検査装置のいずれかである、
デバイス製造方法。
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