TWI587433B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

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TWI587433B TW105103023A TW105103023A TWI587433B TW I587433 B TWI587433 B TW I587433B TW 105103023 A TW105103023 A TW 105103023A TW 105103023 A TW105103023 A TW 105103023A TW I587433 B TWI587433 B TW I587433B
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置。本申請係根據2010年4月9日申請之美國臨時申請61/322347號及2010年4月9日申請之美國臨時申請61/322417號主張優先權，並將其內容援引於此。
作為構成顯示器裝置等顯示裝置之顯示元件，例如有液晶顯示元件、有機電致發光(有機EL)元件、用於電子紙之電泳元件等。目前，此等顯示元件係以在基板表面形成被稱為薄膜電晶體(Thin Film Transistor：TFT)之開關元件或增幅元件或電流驅動元件等之後，於其上形成各自之顯示元件的主動顯示元件(Active display device)漸為主流。
近年來，提出了一種在片狀之基板(例如薄膜構件等)上形成顯示元件之技術。作為此種技術，例如有一種被稱為捲軸對捲軸(roll to roll)方式(以下，簡記為「捲軸方式」)者廣為人知(例如，參照專利文獻1)。捲軸方式，係將捲繞在基板供應側之供應用滾筒之基板(例如，帶狀之薄膜構件)送出、並一邊將送出之基板以基板回收側之回收用滾筒加以捲繞來搬送基板。
在基板送出至被捲繞為止之期間，例如一邊使用複數個搬送滾筒等搬送基板、一邊使用複數個處理裝置來形成構成TFT之閘極電極、閘極絕緣膜、半導體膜、源極-汲極電極等，在基板之被處理面上依序形 成顯示元件之構成要件。例如，在形成有機EL元件之情形時，係於基板上依序形成發光層、陽極、陰極、電路等。
專利文獻1：國際公開第2006/100868號小冊子
然而，上述方法中，由於必須沿著基板之搬送路徑配置處理裝置，因此會依例如基板之搬送形態使裝置整體大型化。
本發明之形態之目的在於提供一種能省空間化之基板處理裝置。
一形態之基板處理裝置，係處理具有可撓性之長帶之片狀基板，具備：第1處理裝置，對被搬送於該長帶方向的該片狀基板施予第1處理；第2處理裝置，以相對該第1處理裝置於與該片狀基板之搬送方向交叉之方向錯開的方式配置，且對該片狀基板施予第2處理；第3處理裝置，具備可使二行該片狀基板以隔有間隔之方式一起通過之搬入排出部，且對該第1處理後之片狀基板、或該第2處理後之片狀基板施予第3處理；以及搬送裝置，包含：第1搬送部，以該片狀基板通過該第1處理裝置朝向該第3處理裝置的方式，將該片狀基板搬送於長帶方向；第2搬送部，以該片狀基板在經該第3處理裝置之後朝向該第2處理裝置的方式，將該片狀基板搬送於長帶方向；以及，第3搬送部，以該片狀基板在經該第2處理裝置之後朝向該第3處理裝置的方式，將該片狀基板搬送於長帶方向。
一形態之基板處理方法，係一邊搬送具有可撓性之長帶之片狀基板往長帶方向、一邊對該片狀基板施予複數個處理，包含：第1步驟，將該片狀基板搬送至第1處理裝置，且對該片狀基板之被處理面施予第1 處理；第2步驟，將該片狀基板搬送至第2處理裝置，且對已經該第1處理之該片狀基板之被處理面施予第2處理；第3步驟，將該第1處理後之該片狀基板、及該第2處理後之該片狀基板，搬送至具備可使二行該片狀基板一起通過之搬入排出部的第3處理裝置，且對該片狀基板之被處理面施予第3處理；以及搬送步驟，藉由以該第1處理裝置、該第3處理裝置、該第2處理裝置、及該第3處理裝置之順序將該片狀基板搬送於長帶方向之搬送裝置，搬送該片狀基板。
根據本發明之形態，可提供能省空間化之基板處理裝置。
FB‧‧‧片狀基板
SU‧‧‧基板供應部
PR‧‧‧基板處理部
CB‧‧‧腔室
CL‧‧‧基板回收部
CONT‧‧‧控制部
Fp‧‧‧被處理面
DRM‧‧‧桶機構
CYL‧‧‧圓筒構件
CY1‧‧‧第一圓筒部
CY2‧‧‧第二圓筒部
ACT‧‧‧旋轉驅動機構
C1‧‧‧第一圓筒構件
C2‧‧‧第二圓筒構件
DRM~DRM5‧‧‧桶機構
42A1,42A2,42B1,42B2,42C1,42C2‧‧‧處理部
43‧‧‧乾燥裝置
FPA,FPA4,FPA2,FPA3‧‧‧基板處理裝置
R101~R106,R111~R114‧‧‧導引滾筒
10‧‧‧供應埠
11,13,21,111,121‧‧‧軸構件
12,14,22,112,122‧‧‧支承部
20‧‧‧回收埠
30,130,230‧‧‧搬送裝置
31,32‧‧‧處理滾筒
40,140,241~244‧‧‧處理裝置
131,231~233‧‧‧處理搬送滾筒
圖1係顯示第一實施形態之基板處理裝置之構成的立體圖。
圖2係顯示本實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖3係顯示第二實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖4係顯示第三實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖5係顯示第四實施形態之基板處理裝置之構成的立體圖。
圖6係顯示本實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖7係顯示本實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖8係顯示本實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖9係顯示第五實施形態之基板處理裝置之構成的立體圖。
圖10係顯示第六實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖11係顯示第七實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
圖12係顯示另一實施形態之基板處理裝置之構成的俯視圖。
(第一實施形態)
接著，說明第一實施形態之基板處理裝置。圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置FPA4之構成的立體圖。圖2係顯示基板處理裝置FPA4之構成的俯視圖。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置FPA具有供應片狀基板(例如，帶狀之膜構件)FB之基板供應部SU、對片狀基板FB之表面(被處理面)Fp進行處理之基板處理部PR、收容該基板處理部PR之腔室CB(圖1中省略圖示)、回收片狀基板FB之基板回收部CL、及控制該等各部之控制部CONT。基板處理裝置FPA係設置在例如工廠等。本實施形態中，片狀基板FB係在豎立狀態下被供應、處理、回收。本實施形態中，該豎立狀態包含使片狀基板FB之被處理面Fp相對於水平面(XY平面)以既定角度交叉之狀態，例如傾斜狀態或配置成大致垂直之狀態。亦即，使該片狀基板FB之基板處理面Fp豎立之狀態亦包含基板FB之短邊方向為非水平姿勢之狀態。
以下之說明中，設定XYZ正交座標系統，一邊參照此XYZ正交座標系統一邊說明各構件之位置關係。具體而言，設水平面上之既定方向為X軸方向、在該水平面上與X軸方向正交之方向為Y軸方向、鉛垂方向為Z軸方向。又，設繞X軸、Y軸、Z軸之旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY、θZ方向。
又，實施形態中，以片狀基板FB之基板處理面Fp相對於水平面為大致垂直之狀態為例進行說明。
基板處理裝置FPA，係在從基板供應部SU送出捲繞成捲軸 狀之片狀基板FB後至以基板回收部CL將片狀基板FB回收成捲軸狀之期間對片狀基板FB之表面進行各種處理之捲軸對捲軸方式(以下，簡記為「捲軸方式」)之裝置。基板處理裝置FPA，可使用於在片狀基板FB上形成例如有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子元件)之情形。當然，在形成此等元件以外之元件之情形使用基板處理裝置FPA亦可。
作為在基板處理裝置FPA成為處理對象之片狀基板FB，可使用例如樹脂膜或不鏽鋼等之箔(foil)。樹脂膜可使用例如聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯乙烯基共聚物(Ethylene vinyl copolymer)樹脂、聚氯乙烯基樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、乙酸乙烯基樹脂等材料。
片狀基板FB之短邊方向之尺寸係形成為例如50cm~2m程度、長邊方向之尺寸則形成為例如10m以上。當然，此尺寸僅為一例，並不限於此例。例如片狀基板FB之短邊方向之尺寸為50cm以下亦可、亦可為2m以上。又，片狀基板FB之長邊方向之尺寸亦可在10m以下。
片狀基板FB係形成為例如具有1mm以下之厚度且具有可撓性。此處，所謂可撓性，係指例如對基板施以至少自重程度之既定力亦不會斷裂或破裂、而能將該基板加以彎折之性質。此外，例如因上述既定力而彎折之性質亦包含於所指之可撓性。又，上述可撓性會隨著該基板材質、大小、厚度、以及温度等之環境等而改變。再者，片狀基板FB可使用一片帶狀之基板、亦可使用將複數個單位基板加以連接而形成為帶狀之構成。
片狀基板FB，以承受例如200℃程度之熱其尺寸亦實質上 無變化之熱膨脹係數較小者較佳。例如可將無機填料混於樹脂膜以降低熱膨脹係數。作為無機填料，例如有氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等。
基板供應部SU具有供應埠10(圖1中省略圖示)與配置在該供應埠10內之軸構件11及支承部12。軸構件11係形成為例如圓柱狀，中心軸配置成例如與Z方向大致平行。因此，在軸構件11，以豎立狀態捲繞有片狀基板FB。軸構件11係設成可相對支承部12拆裝。支承部12將該軸構件11可旋轉地支承在周方向(例如θZ方向)。基板供應部SU，將捲繞成例如捲軸狀之片狀基板FB在該片狀基板FB之短邊方向豎立之狀態下、亦即在與Z方向一致之狀態下(亦即，該片狀基板FB為非水平姿勢)送出並供應至基板處理部PR。
在供應埠10內設有捲繞有保護片狀基板FB之被處理面Fp之保護基板PB之軸構件13。此外，將設在供應埠10內之軸構件13稱為保護基板供應部亦可。保護基板PB，係在基板處理部PR之處理完成後、藉由基板回收部CL回收前黏貼於片狀基板FB之基板。保護基板PB，與片狀基板FB相同，係形成為例如帶狀且具有可撓性之構成。軸構件13係形成為例如圓筒狀，中心軸配置成例如與Z方向大致平行。因此，在軸構件13，以豎立狀態捲繞有保護基板PB。軸構件13係藉由支承部14可旋轉地支承在周方向(例如θZ方向)。軸構件13係設成可相對支承部14拆裝。基板供應部SU，將保護基板PB在豎立狀態下送出並供應至基板處理部PR。
基板回收部CL將在黏貼有保護基板PB之狀態下從基板處理部PR搬送來之片狀基板FB，在該片狀基板FB及保護基板PB之短邊方向豎立之狀態下捲繞回收。在基板回收部CL之回收埠20(圖1中省略圖示)， 與基板供應部SU同樣地，設有用以捲繞片狀基板FB及保護基板PB之軸構件21與將該軸構件21支承成可旋轉之支承部22。軸構件21係設成可相對支承部22拆裝。
基板供應部SU之供應埠10與基板回收部CL之回收埠20係配置在例如收容基板處理部PR之腔室CB之外部。供應埠10及回收埠20係配置在腔室CB之例如-Y側之面，相對於基板處理部PR例如在X方向並排配置。如上述，由於供應埠10與回收埠20共同配置在一個部位，因此能對該供應埠10及回收埠20高效率進行存取。
基板處理部PR將從基板供應部SU供應之片狀基板FB在豎立狀態下搬送向基板回收部CL，且在搬送過程中對豎立狀態之片狀基板FB之被處理面Fp進行處理。基板處理部PR具有例如搬送機構等之搬送裝置30、處理裝置40及對準裝置(未圖示)等。基板處理部PR係收容於經空調管理之真空腔室CB內，管理成環境溫度與環境溼度一定且保護上述各裝置不受塵埃等影響。
如圖1及圖2所示，搬送裝置30具有複數個(例如6個)導引滾筒R101~R106與2個處理滾筒31及32。導引滾筒R101~R104將片狀基板FB從基板供應部SU導引至基板回收部CL。導引滾筒R105及R106以與片狀基板FB不同之路徑將保護基板PB從基板供應部SU導引至基板回收部CL。
導引滾筒R101~R106係配置成例如旋轉軸與Z軸方向大致平行。因此，在導引滾筒R101~R104，片狀基板FB係以豎立狀態(如上述，基板FB之短邊方向實質上非水平之姿勢)懸掛。又，在導引滾筒R105及 R106，保護基板PB係以豎立狀態懸掛。導引滾筒R101~R106為例如設有驅動機構之構成亦可。由於導引滾筒R101~R104捲繞有片狀基板FB之被處理面Fp，因此為例如在各導引滾筒R101~R104之圓筒面設有形成氣體層之未圖示之氣體層形成裝置之構成亦可。藉由上述構成，片狀基板FB係保持既定張力被搬送於至少導引滾筒R101~R104之間。
處理滾筒31及32係配置在例如導引滾筒R101~R104之片狀基板FB之導引路徑。處理滾筒31及32係配置成在腔室CB內例如於Y方向上之位置相同。本實施形態中，例如處理滾筒31及32皆配置在腔室CB內於Y方向之大致中央部。
處理滾筒31及32係分別形成為圓筒狀(作為一例，直徑1~數m程度之桶狀)。處理滾筒31及32係配置成例如中心軸與Z方向大致平行，以豎立狀態懸掛有片狀基板FB。處理滾筒31及32係形成為例如較導引滾筒R101~R104大徑。
處理滾筒31及32係分別設在夾連接於基板供應部SU之供應口SUa與連接於基板回收部CL之回收口CLa之位置。更具體而言，處理滾筒31係配置在供應口SUa之-X側，處理滾筒32係配置在回收口CLa之+X側。
作為基板處理部PR內中片狀基板FB之搬送方向，首先，例如從供應口SUa往+Y方向搬送，藉由導引滾筒R101往-X方向(其中往-Y側傾斜45°之方向)轉換搬送方向。經過導引滾筒R101之片狀基板FB係藉由處理滾筒31折返，搬送方向轉換成+X方向。從處理滾筒31往+X方向折返後之片狀基板FB，藉由導引滾筒R102往+Y方向轉換搬送方向， 藉由處理裝置40之一部分(預備加工裝置44)搬送方向轉換成-Y方向。經過預備加工裝置44之片狀基板FB，藉由導引滾筒R103往+X方向轉換搬送方向，藉由處理滾筒32折返，往-X方向(其中往+Y側傾斜45°之方向)轉換搬送方向。經過處理滾筒32之片狀基板FB，藉由導引滾筒R104往-Y方向轉換搬送方向，搬送至回收口CLa。以上述方式，搬送裝置30，在腔室CB內於X方向及Y方向頻繁切換搬送方向並同時搬送片狀基板FB。
處理裝置40係用以對片狀基板FB之被處理面Fp形成例如有機EL元件之裝置。本實施形態中，作為例如處理裝置40，使用例如洗淨裝置41、TFT層形成裝置42、乾燥裝置(乾燥部)43、預備加工裝置44、發光層形成裝置45、層壓裝置46等。此外，設置例如用以在被處理面Fp上形成分隔壁之分隔壁形成裝置(未圖示)等其他裝置亦可。
作為此種處理裝置40之種類，使用例如液滴塗布裝置(例如噴墨型塗布裝置、網版印刷型塗布裝置等)、蒸鍍裝置、濺鍍裝置等成膜裝置、或曝光裝置、顯影裝置、表面改質裝置、洗淨裝置等各種裝置。此等各裝置係適當設在例如片狀基板FB之搬送路徑上。
洗淨裝置41具有洗淨片狀基板FB之第一洗淨裝置41A與洗淨保護基板PB之第二洗淨裝置41B。第一洗淨裝置41A係設在片狀基板FB之搬送路徑例如供應口SUa(參照圖2)與處理滾筒31之間。又，第二洗淨裝置41B係設在保護基板PB之搬送路徑例如供應口SUb與層壓裝置46之間。洗淨裝置41將從腔室CB之外部往內部供應之片狀基板FB或保護基板PB潔淨化。
TFT層形成裝置42係形成用以驅動有機EL元件之TFT元 件或電極之裝置。TFT層形成裝置42具有例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C。第一形成裝置42A係配置在處理滾筒31之-Y側。第二形成裝置42B係配置在處理滾筒31之-X側。第三形成裝置42C係配置在處理滾筒31之+Y側。處理滾筒31之+X側為空的狀態，配置有例如導引滾筒R101。
此等第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C係設在例如處理滾筒31之周圍。形成TFT元件及電極之一連串步驟係藉由例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分擔進行。
第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分別朝向處理滾筒31，可對以豎立狀態捲繞於處理滾筒31之片狀基板FB進行處理。處理滾筒31成為在進行TFT層形成裝置42之處理時支承片狀基板FB之支承部。
乾燥裝置43係藉由例如加熱片狀基板FB以使形成在該片狀基板FB之TFT元件或電極等穩定化之裝置。乾燥裝置43係配置在片狀基板FB之搬送路徑處理滾筒31與處理滾筒32之間。乾燥裝置43係配置成例如從Y方向觀察時與處理滾筒31及處理滾筒32一部分重疊。
如圖1及圖2所示，預備加工裝置44係進行在片狀基板FB形成發光層時之預備步驟(例如，絕緣層形成步驟等)之裝置。預備加工裝置44係與乾燥裝置43一起配置在例如片狀基板FB之搬送路徑處理滾筒31與處理滾筒32之間。預備加工裝置44具有例如第一加工裝置44A、第二加工裝置44B及第三加工裝置44C，一連串預備加工步驟係分擔進行。
發光層形成裝置45係形成構成有機EL元件之發光層之裝置。發光層形成裝置45具有例如第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C。該第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C係設在例如處理滾筒32之周圍。形成發光層之一連串步驟係藉由例如第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C分擔進行。
第一形成裝置45A係配置在處理滾筒32之+Y側。第二形成裝置45B係配置在處理滾筒32之+X側。第三形成裝置45C係配置在處理滾筒32之-Y側。處理滾筒32之-X側為空的狀態，配置有例如導引滾筒R104。
層壓裝置46係將片狀基板FB與保護基板(保護材)PB加以貼合之裝置。層壓裝置46係配置在片狀基板FB之搬送路徑例如處理滾筒32與回收口CLa之間。層壓裝置46之構成，係使保護基板PB對向配置在例如片狀基板FB之被處理面Fp側，在片狀基板FB與保護基板PB之間進行對準，之後，將片狀基板FB與保護基板PB加以貼合。
上述處理裝置40之中，例如TFT層形成裝置42之第一形成裝置42A、第一洗淨裝置41A、第二洗淨裝置41B、發光層形成裝置45之第三形成裝置45C係配置成從X方向觀察時重疊。又，TFT層形成裝置42之第二形成裝置42B、處理滾筒31、處理滾筒32、發光層形成裝置45之第二形成裝置45B係配置成從X方向觀察時重疊。再者，TFT層形成裝置42之第三形成裝置42C、乾燥裝置43、發光層形成裝置45之第一形成裝置45A係配置成從X方向觀察時重疊。
又，例如TFT層形成裝置42之第一形成裝置42A、處理滾 筒31、第三形成裝置42C係配置成從Y方向觀察時重疊。又，例如洗淨裝置41A及41B與乾燥裝置43係配置成從Y方向觀察時重疊。又，預備加工裝置44與層壓裝置46係配置成從Y方向觀察時重疊。再者，發光層形成裝置45之第一形成裝置45A、處理滾筒32、第三形成裝置45C係配置成從Y方向觀察時重疊。如上述，搬送裝置30及處理裝置40係密集配置成從X方向及Y方向觀察時重疊部分變多。
以上述方式構成之基板處理裝置FPA係藉由控制部CONT之控制以捲軸方式製造有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子元件)。以下，說明使用上述構成之基板處理裝置FPA製造顯示元件之步驟。
首先，將在軸構件11捲繞成捲軸狀之帶狀之片狀基板FB安裝於基板供應部SU之供應埠10內之支承部12。又，將捲繞在軸構件13之帶狀之保護基板PB安裝於基板供應部SU之供應埠10內之支承部14。再者，將回收用之軸構件21安裝於基板回收部CL之回收埠20內之支承部22。
控制部CONT在此狀態下透過支承部12使軸構件11旋轉，從基板供應部SU送出該片狀基板FB。從基板供應部SU送出之片狀基板FB，係從基板處理部PR之供應口SUa供應至腔室CB內。控制部CONT將供應至腔室CB內之片狀基板FB搬送至搬送裝置30並同時藉由各處理裝置40對該片狀基板FB進行處理。本實施形態中，控制部CONT以藉由適當設在加工用滾筒31,32及各滾筒R101~R106之旋轉驅動用馬達對片狀基板FB賦予既定張力之方式逐一控制各馬達。
藉由此動作，供應至基板處理部PR之片狀基板FB係藉由 第一洗淨裝置41A洗淨，藉由導引滾筒R101導引至處理滾筒31。片狀基板FB，係以被處理面Fp分別朝向TFT層形成裝置42之第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C之方式，以豎立狀態捲繞纏掛在處理滾筒31。在捲繞纏掛在處理滾筒31之片狀基板FB之被處理面Fp，藉由該TFT層形成裝置42形成TFT元件或配線等。
經過處理滾筒31之片狀基板FB係供應至乾燥裝置43，例如施加加熱處理等乾燥處理。乾燥處理後之片狀基板FB係透過例如導引滾筒R102供應至預備加工裝置44。預備加工裝置44，在例如第一加工裝置44A~第三加工裝置44C，在片狀基板FB形成絕緣膜或電洞注入層或電子注入層等。
預備加工後之片狀基板FB係透過例如導引滾筒R103導引至處理滾筒32。片狀基板FB，係以被處理面Fp分別朝向發光層形成裝置45之第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C之方式，以豎立狀態捲繞纏掛在處理滾筒32。在捲繞纏掛在處理滾筒32之片狀基板FB之被處理面Fp，藉由該發光層形成裝置45形成發光層等。
經過處理滾筒32之片狀基板FB係供應至層壓裝置46，在被處理面Fp黏貼保護基板PB。黏貼保護基板(保護材)PB後之片狀基板FB係從例如回收口CLa回收至基板回收部CL。回收至基板回收部CL之片狀基板FB係在回收埠20內之軸構件21捲繞成捲軸狀。在軸構件21捲繞有既定量之片狀基板FB後，將片狀基板FB例如切斷，將捲繞有片狀基板FB之軸構件21從支承部22移除。在該支承部22安裝例如未捲繞片狀基板FB之新的軸構件21。
控制部CONT係藉由進行上述處理，對片狀基板FB之被處理面Fp形成元件。
如上述，根據本實施形態，由於具備將形成為帶狀之片狀基板FB之短邊方向在豎立狀態下供應該片狀基板FB之基板供應部SU、具有將從該基板供應部SU供應之片狀基板FB在豎立狀態下搬送之搬送裝置30及沿著該搬送裝置30之片狀基板FB之搬送路徑配置且對豎立狀態之片狀基板FB之被處理面Fp進行處理之複數個處理裝置40之基板處理部PR、將在該基板處理部PR進行處理後之片狀基板FB在豎立狀態下回收之基板回收部CL，因此成為易於將片狀基板FB之搬送方向在水平方向(X方向及Y方向)轉換之構成。
因此，可增加處理裝置40在X方向及Y方向之佈置之選擇寬度，例如亦能以極力縮小基板處理裝置FPA4之裝置面積之方式選擇配置處理裝置40之佈置。藉此，可謀求基板處理裝置FPA4之省空間化。
(第二實施形態)
接著，說明本發明第二實施形態之基板處理裝置。
圖3係顯示基板處理裝置FPA2之構成的俯視圖。在基板處理裝置FPA2，基板處理部PR之構成與第一實施形態不同。其他構成能與例如第一實施形態為相同構成。本實施形態中，以該不同點為中心進行說明。
如圖3所示，基板處理裝置FPA2具有基板供應部SU、基板處理部PR、基板回收部CL、腔室CB及控制部CONT。基板處理部PR係收容在腔室CB內。基板供應部SU具有形成為圓筒狀且中心軸配置成與Z方向平行之軸構件111、及將該軸構件111支承成可旋轉之支承部112。 在軸構件111，片狀基板FB係以豎立狀態捲繞。此外，為了簡化說明，圖3中，在基板供應部SU省略供應保護基板之構成之圖示。基板回收部CL具有形成為圓筒狀且中心軸配置成與Z方向平行之軸構件121、及將該軸構件121支承成可旋轉之支承部122。
基板處理部PR之搬送裝置130，在腔室CB內之俯視時中央部具有處理搬送滾筒131。處理搬送滾筒131係形成為例如圓筒狀，配置成中心軸與Z方向平行。處理搬送滾筒131係設成例如可在θZ方向旋轉。片狀基板FB係以豎立狀態懸掛在該處理搬送滾筒131。如上述，在基板處理部PR，片狀基板FB係以豎立狀態被搬送。
處理搬送滾筒131具有例如未圖示之旋轉驅動機構。該旋轉驅動機構係藉由例如控制部CONT控制。從供應口SUa供應之片狀基板FB係懸掛在該處理搬送滾筒131並搬送至回收口CLa。在處理搬送滾筒131，以例如被處理面Fp朝向外側之方式懸掛片狀基板FB。
基板處理部PR，在處理搬送滾筒131之周圍以沿著該處理搬送滾筒131之圓筒面之方式配置有複數個處理裝置140。作為該處理裝置140，係使用例如在第一實施形態說明之各種處理裝置。在圖3所示之例，作為複數個處理裝置140，將進行TFT層形成步驟之各處理裝置、發光層形成步驟之前置處理(預備步驟)各處理裝置、進行發光層形成步驟之各處理裝置沿著處理搬送滾筒131之周方向一列並排。複數個處理裝置140係分別朝向處理搬送滾筒131。
在上述基板處理裝置FPA2，從基板供應部SU對基板處理部PR以豎立狀態供應片狀基板FB。片狀基板FB，係在基板處理部PR以 豎立狀態懸掛在處理搬送滾筒131被搬送至基板回收部CL。又，藉由複數個處理裝置140，對例如以豎立狀態懸掛在處理搬送滾筒131之片狀基板FB依序進行處理。
如上述，根據本實施形態，處理搬送滾筒131兼具支承以豎立狀態捲繞之片狀基板FB之功能、及將該片狀基板FB以豎立狀態搬送之功能。藉此，可謀求基板處理裝置FPA2之省空間化。又，由於在一個處理搬送滾筒131之周圍進行所有步驟，因此能使基板處理部PR內之裝置之佈置簡單化。
(第三實施形態)
接著，說明本發明第三實施形態之基板處理裝置。
圖4係顯示基板處理裝置FPA3之構成的俯視圖。在基板處理裝置FPA3，基板處理部PR之構成與第一實施形態不同。其他構成能與例如第一實施形態為相同構成。本實施形態中，以該不同點為中心進行說明。
如圖4所示，基板處理裝置FPA3之構成，係在基板處理部PR設置複數個在第二實施形態說明之處理搬送滾筒。本實施形態中，基板處理部PR之搬送裝置230具有導引滾筒R111~R114與處理搬送滾筒231~233。
導引滾筒R111~R114及處理搬送滾筒231~233係分別形成為圓筒狀，配置成中心軸分別與Z方向平行。處理搬送滾筒231~233係形成為較導引滾筒R111~R114大徑。片狀基板FB係以豎立狀態懸掛在該處理搬送滾筒231~233及導引滾筒R111~R114。如上述，在基板處理部PR，片狀基板FB係以豎立狀態被搬送。
作為搬送裝置230之配置，例如導引滾筒R111~R114係以縱橫各並排二列之狀態配置在腔室CB之大致中央部。又，處理搬送滾筒231~233係配置成從三方向(-X方向、+Y方向、-X方向)圍繞該四個導引滾筒R111~R114。
基板處理部PR，在處理搬送滾筒231~233之周圍以沿著該處理搬送滾筒231~233之圓筒面之方式分別配置有複數個處理裝置241~243。作為該處理裝置241~243，係使用例如在第一實施形態說明之各種處理裝置。例如，作為處理裝置241係使用進行TFT層形成步驟之各處理裝置，作為處理裝置242係使用進行發光層形成步驟之前置處理(預備步驟)之各處理裝置，作為處理裝置243係使用進行發光層形成步驟之各處理裝置亦可。各處理裝置241~243係朝向例如處理搬送滾筒231~233。
基板處理部PR，複數個處理搬送滾筒231~233係形成為例如圓筒狀，配置成中心軸與Z方向平行。處理搬送滾筒231係設成可在例如θZ方向旋轉。
處理搬送滾筒231~233具有例如未圖示之旋轉驅動機構。該旋轉驅動機構係藉由例如控制部CONT控制。從供應口SUa供應之片狀基板FB係懸掛在該處理搬送滾筒231~233並搬送至回收口CLa。在處理搬送滾筒231~233，以例如被處理面Fp朝向外側之方式懸掛片狀基板FB。另一方面，在導引滾筒R111~R114，以被處理面Fp朝向內側之方式懸掛片狀基板FB。
在上述基板處理裝置FPA3，從基板供應部SU對基板處理部PR以豎立狀態供應片狀基板FB。片狀基板FB，係在基板處理部PR以 豎立狀態懸掛在處理搬送滾筒231~233被搬送至基板回收部CL。又，藉由複數個處理裝置241~243，對例如以豎立狀態懸掛在處理搬送滾筒231~233之片狀基板FB分別依序進行處理。
如上述，根據本實施形態，藉由使用複數個處理搬送滾筒231~233，能在例如複數個區域分別使連續之處理分擔進行。藉此，能增加佈置之選擇寬度。又，根據本實施形態，由於為導引滾筒R111~R114集中在例如腔室CB之中央部之構成，因此藉由例如使乾燥裝置等處理裝置244配置在該腔室CB之中央部，能使在各處理搬送滾筒231~233處理後之片狀基板FB之乾燥處理等之處理共通化。藉此，可謀求省空間化。
(第四實施形態)
以下，參照圖式說明本發明第四實施形態。以下，適當省略關於賦予與上述實施形態相同符號之構成品之說明。
圖5係顯示基板處理裝置FPA之構成的立體圖。圖6係顯示基板處理裝置FPA之構成的俯視圖。
在第四實施形態，搬送裝置30具有複數個(例如10個)導引滾筒R1~R10、桶機構DRM、處理滾筒32。導引滾筒R1~R8將片狀基板FB從基板供應部SU導引至基板回收部CL。導引滾筒R9及R10將保護基板PB以與片狀基板FB不同之路徑從基板供應部SU導引至基板回收部CL。此外，設桶機構DRM為第一桶機構、處理滾筒32為第二桶機構亦可。
導引滾筒R1~R3,R6~R10係配置成例如旋轉軸與Z軸方向大致平行。因此，在導引滾筒R1~R3,R6~R8，片狀基板FB係以豎立狀態懸掛。又，在導引滾筒R9及R10，保護基板PB係以豎立狀態懸掛。導引 滾筒R1~R10為設有例如驅動機構之構成亦可。關於捲繞有例如片狀基板FB之被處理面Fp之導引滾筒R1,R4,R7,R8，為在圓筒面設有形成氣體層(空氣軸承)之未圖示之氣體層形成裝置之構成亦可。不論如何，本實施形態之情形，片狀基板FB係保持既定張力被搬送於至少導引滾筒R1~R9之間。
圖7係顯示基板處理部PR之中桶機構DRM之附近之構成的立體圖。
如圖7所示，桶機構DRM具有配置成旋轉中心軸與Z方向大致平行之圓筒構件CYL、及將該圓筒構件CYL支承成可在圓周方向旋轉之旋轉驅動機構(驅動部)ACT。圓筒構件CYL具有第一圓筒部(第1滾筒)CY1、第二圓筒部(第2滾筒)CY2、及導引部G。
第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2係分別為該圓筒構件CYL之圓筒面之一部分。由於第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2皆為一個圓筒構件CYL之一部分，因此若圓筒構件CYL旋轉則第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2會一體旋轉。
第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2係藉由例如導引部G在Z方向分割。亦即，第二圓筒部CY2，相對於第一圓筒部CY1在Z方向之位置、亦即在相對於水平方向交叉之方向之位置不同。第一圓筒部CY1係配置在導引部G之+Z側(上方)，第二圓筒部CY2係配置在導引部G之-Z側(下方)。第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2係形成為例如彼此具有相等之徑。第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2係形成為較例如導引滾筒R1~R10大徑(例如直徑1m以上)。導引部G係以片狀基板FB之中捲繞於第一圓筒部CY1之部分及捲繞於第二圓筒部CY2之部分沿著與XY平面平行之 面搬送之方式進行導引。
在片狀基板FB之搬送路徑，在第一圓筒部CY1與第二圓筒部CY2之間配置有導引滾筒R2~R5。導引滾筒R2將被第一圓筒部CY1以半周程折返成U字狀並往+X方向搬送之片狀基板FB往-Y方向折返。導引滾筒R3將往-Y方向折返後之片狀基板FB往-X方向折返。
導引滾筒R4及R5，係以例如+Z側之端部往+X側傾斜之狀態配置。導引滾筒R4將透過導引滾筒R3導引至-X方向之片狀基板FB往斜下方向(+X方向且往-Z側傾斜之方向)折返。導引滾筒R5係配置在導引滾筒R4之斜下方向(+X方向且往-Z側傾斜之方向)上。導引滾筒R5將從導引滾筒R4往斜下方向搬送之片狀基板FB往-X方向折返，使其朝向第二圓筒部CY2。
導引滾筒R4及R5，在圖7之構成之情形，設定成其旋轉軸線保持彼此大致平行且在XZ平面內傾斜既定量。
又，在導引滾筒R4及R5設有可調整例如旋轉軸之傾斜(傾斜量或傾斜方向)之致動器。藉由調整導引滾筒R4及R5之至少一個之該旋轉軸之傾斜狀態，能使從導引滾筒R5往-X方向送出之片狀基板FB之搬送方向成為水平(與X軸平行)並同時將片狀基板之Z方向之位置維持成大致一定。導引滾筒R4及R5之至少一個之旋轉軸之傾斜狀態之調整，可藉由接收來自精密監測從導引滾筒R5往-X方向送出之片狀基板FB之姿勢或位置之變化之感測器之測量訊號之控制部CONT驅動傾斜調整用之致動器來控制。
如上述，導引滾筒R2~R5係以捲繞在第一圓筒部CY1之外周面後之片狀基板FB之搬送方向朝向第二圓筒部CY2之方向之方式轉換 片狀基板FB之搬送方向。尤其是，能藉由導引滾筒R4,R5之對，不改變片狀基板FB之搬送方向(-X方向)而僅使Z方向之高度位置偏移既定量(本實施形態中為片狀基板FB之Z方向之寬度量以上)。此外，如本實施形態般，使片狀基板折返往Z方向平行偏移之情形，在導引滾筒R4及R5之間片狀基板FB在XZ面內被傾斜搬送，但此傾斜量係根據片狀基板之寬度量、導引滾筒R4,R5之X方向之間隔、導引滾筒R4,R5之旋轉中心軸之傾斜角度或傾斜方向等以幾何學方式決定。是以，本實施形態之情形，若使導引滾筒R4,R5以各旋轉中心軸在XZ面內皆傾斜45度之方式在Z方向之上下並置，則使在導引滾筒R4及R5之間行進之片狀基板垂直(傾斜量90度)亦可。
又，藉由導引滾筒R2~R5，片狀基板FB係導引至例如在導引滾筒R1之位置被導引之片狀基板FB之-Z側(下側)之空間。如上述，本實施形態中，相對於片狀基板FB往第一圓筒部CY1之捲繞方向，片狀基板FB往第二圓筒部CY2之捲繞方向相同，以片狀基板FB之表面背面不反轉之方式，藉由導引滾筒R2~R5導引片狀基板FB。
如圖5及圖6所示，處理滾筒32係配置在例如導引滾筒R1~R4之片狀基板FB之導引路徑。處理滾筒32係形成為例如圓筒狀。處理滾筒32係配置成例如中心軸與Z方向大致平行，片狀基板FB以豎立狀態懸掛。處理滾筒32係形成為較例如導引滾筒R1~R10大徑。該處理滾筒32之徑構成為與上述第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2大致等徑亦可。
洗淨裝置41係用以使從腔室CB之外部往內部供應之片狀基板FB或保護基板PB潔淨化而設，具有洗淨片狀基板FB之第一洗淨裝置41A及洗淨保護基板PB之第二洗淨裝置41B。第一洗淨裝置41A係設在 片狀基板FB之搬送路徑例如供應口SUa(參照圖6)與圓筒構件CYL之間。又，第二洗淨裝置41B係設在保護基板PB之搬送路徑例如供應口SUb與層壓裝置46之間。
配置在桶機構DRM之周圍之TFT層形成裝置42係形成用以驅動有機EL元件之TFT元件或電極、配線層等之裝置。TFT層形成裝置42具有例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C。第一形成裝置42A係配置在圓筒構件CYL之-Y側。第二形成裝置42B係配置在圓筒構件CYL之-X側。第三形成裝置42C係配置在圓筒構件CYL之+Y側。
如上述，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C係設在圓筒構件CYL之周圍，形成TFT元件及電極、配線層等之一連串步驟係藉由例如第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分擔進行。
圖8係顯示第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C與桶機構DRM之圓筒構件CYL之關係的圖。
如圖8所示，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C分別具有二個處理部42A1及42A2、處理部42B1及42B2、處理部42C1及42C2。處理部42A1,42B1,42C1係分別與第一圓筒部CY1對向設置，可對懸掛在該第一圓筒部CY1之片狀基板FB進行處理。處理部42A2,42B2,42C2係分別與第二圓筒部CY2對向設置，可對懸掛在該第二圓筒部CY2之片狀基板FB進行處理。如上述，第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C可對以豎立狀態捲繞之片狀基板FB進行處理。此外， 第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2，在進行TFT層形成裝置42之處理時，成為支承片狀基板FB之支承部。
又，第一圓筒部CY1及第二圓筒部CY2成為支承片狀基板FB之支承部之情形，將桶機構稱為支承機構亦可。
如圖5~圖7所示，乾燥裝置43係藉由例如加熱片狀基板FB以使形成在該片狀基板FB之TFT元件或電極等穩定化之裝置。在乾燥裝置43之-X側之面，如圖7所示設有二個插入口43a及43b。插入口43a係配置在+Z側，插入有經過第一圓筒部CY1後之片狀基板FB。插入口43b係配置在-Z側，插入有經過第二圓筒部CY2後之片狀基板FB。
在乾燥裝置43之+X側之面，設有二個排出口43c及43d。排出口43c係配置在+Z側，供從插入口43a插入並進行乾燥處理後之片狀基板FB排出。排出口43d係配置在-Z側，供從插入口43b插入並進行乾燥處理後之片狀基板FB排出。
如圖5及圖6所示，預備加工裝置44係進行在片狀基板FB形成發光層時之預備步驟(例如，絕緣層形成步驟等)之裝置。預備加工裝置44係與乾燥裝置43一起配置在例如片狀基板FB之搬送路徑桶機構DRM之圓筒構件CYL與處理滾筒32之間。預備加工裝置44具有例如第一加工裝置44A、第二加工裝置44B及第三加工裝置44C，一連串預備加工步驟係分擔進行。
上述處理裝置40之中，例如TFT層形成裝置42之第一形成裝置42A、第一洗淨裝置41A、第二洗淨裝置41B、發光層形成裝置45之第三形成裝置45C係沿著第1方向(本實施形態中第1方向為X方向)配 置。又，TFT層形成裝置42之第二形成裝置42B、圓筒構件CYL、處理滾筒32、發光層形成裝置45之第二形成裝置45B係沿著X方向配置。再者，TFT層形成裝置42之第三形成裝置42C、乾燥裝置43、發光層形成裝置45之第一形成裝置45A係沿著X方向配置。
又，例如TFT層形成裝置42之第一形成裝置42A、圓筒構件CYL、第三形成裝置42C係沿著第2方向(本實施形態中為與X方向交叉之Y方向)配置。又，例如洗淨裝置41A及41B與乾燥裝置43係沿著Y方向配置。又，預備加工裝置44與層壓裝置46係沿著Y方向配置。再者，發光層形成裝置45之第一形成裝置45A、處理滾筒32、第三形成裝置45C係沿著Y方向配置。如上述，搬送裝置30及處理裝置40係沿著X方向及Y方向配置，因此密集配置成從X方向及Y方向觀察時各裝置彼此重疊部分變多。
以上述方式構成之基板處理裝置FPA係藉由控制部CONT之控制以捲軸方式製造有機EL元件、液晶顯示元件等顯示元件(電子元件)。以下，說明使用上述構成之基板處理裝置FPA製造顯示元件之步驟。
首先，將在軸構件11捲繞成捲軸狀之帶狀之片狀基板FB安裝於基板供應部SU之供應埠10內之支承部12。又，將捲繞在軸構件13之帶狀之保護基板PB安裝於基板供應部SU之供應埠10內之支承部14。再者，將回收用之軸構件21安裝於基板回收部CL之回收埠20內之支承部22。
控制部CONT在此狀態下透過支承部12使軸構件11旋轉，從基板供應部SU送出該片狀基板FB。從基板供應部SU送出之片狀基板 FB，係從基板處理部PR之供應口SUa供應至腔室CB內。控制部CONT將供應至腔室CB內之片狀基板FB搬送至搬送裝置30並同時藉由各處理裝置40對該片狀基板FB進行處理。此外，預先於在軸構件11捲繞成捲軸狀之片狀基板FB之前端部及終端部，黏貼用以使片狀基板FB往處理裝置FPA之自動裝載變容易之導頭片亦可。
藉由此動作，供應至基板處理部PR之片狀基板FB係藉由第一洗淨裝置41A洗淨，藉由導引滾筒R1導引至桶機構DRM之第一圓筒部CY1。片狀基板FB，係以被處理面Fp分別朝向TFT層形成裝置42之第一形成裝置42A、第二形成裝置42B及第三形成裝置42C之方式，以豎立狀態捲繞纏掛在第一圓筒部CY1。在捲繞纏掛在第一圓筒部CY1之片狀基板FB之被處理面Fp，藉由該TFT層形成裝置42(例如，處理部A1,B1及C1)形成TFT元件或配線等。
經過第一圓筒部CY1之片狀基板FB係從乾燥裝置43之+Z側之插入口43a供應至乾燥裝置43之內部，例如施加加熱處理等乾燥處理。乾燥處理後之片狀基板FB係從乾燥裝置43之+Z側之排出口43c搬出。搬出之片狀基板FB係藉由例如導引滾筒R2往-Y方向導引，藉由導引滾筒R3往-X方向導引。經過導引滾筒R3之片狀基板FB係藉由導引滾筒R4往斜下方向(+X方向且往-Z側傾斜之方向)導引，藉由導引滾筒R5往-X方向導引。
經過導引滾筒R5之片狀基板FB係以豎立狀態捲繞纏掛在桶機構DRM之第二圓筒部CY2。在捲繞纏掛在第二圓筒部CY2之片狀基板FB之被處理面Fp，藉由該TFT層形成裝置42(例如，處理部A2,B2及 C2)重疊形成必要層之TFT元件或配線等。
經過第二圓筒部CY2之片狀基板FB係從乾燥裝置43之-Z側之插入口43b供應至乾燥裝置43之內部，例如再次施加加熱處理等乾燥處理。乾燥處理後之片狀基板FB係從乾燥裝置43之-Z側之排出口43d搬出。搬出之片狀基板FB係藉由例如導引滾筒R6供應至預備加工裝置44。預備加工裝置44，在例如第一加工裝置44A~第三加工裝置44C，在片狀基板FB形成絕緣膜或電洞注入層或電子注入層等。
預備加工後之片狀基板FB係透過例如導引滾筒R7導引至處理滾筒32。片狀基板FB，係以被處理面Fp分別朝向發光層形成裝置45之第一形成裝置45A、第二形成裝置45B及第三形成裝置45C之方式，以豎立狀態捲繞纏掛在處理滾筒32。在捲繞纏掛在處理滾筒32之片狀基板FB之被處理面Fp，藉由該發光層形成裝置45形成發光層等。
經過處理滾筒32之片狀基板FB係供應至層壓裝置46，在被處理面Fp黏貼保護基板PB。黏貼保護基板PB後之片狀基板FB係從例如回收口CLa回收至基板回收部CL。回收至基板回收部CL之片狀基板FB係在回收埠20內之軸構件21捲繞成捲軸狀。在軸構件21捲繞有既定量之片狀基板FB後，將片狀基板FB例如切斷，將捲繞有片狀基板FB之軸構件21從支承部22移除。在該支承部22安裝例如未捲繞片狀基板FB之新的軸構件21。
控制部CONT係藉由進行上述處理，對片狀基板FB之被處理面Fp形成元件。
如上述，根據本實施形態，在片狀基板FB捲繞在桶機構 DRM之第一圓筒部CY1之外周面之一部分後，該片狀基板FB之搬送方向轉換向第二圓筒部CY2，該片狀基板FB捲繞在第二圓筒部CY2，對捲繞在第一圓筒部CY1之一部分之被處理面Fp進行第一處理且對捲繞在第二圓筒部CY2之一部分之被處理面Fp進行第二處理，因此可對片狀基板FB高密度進行處理。藉此，可謀求基板處理裝置FPA之省空間化。
此外，在圖5及圖6所示之基板處理裝置FPA，在處理滾筒32，片狀基板FB僅捲繞一次，但與桶機構DRM之圓筒構件CYL同樣地，以具備第1圓筒部與第2圓筒部之二段圓筒部構成，在各圓筒部捲繞片狀基板FB亦可。再者，此構成中，將發光層形成裝置45配置在第1圓筒部與第2圓筒部亦可。此外，以二段圓筒部構成處理滾筒32之情形，如圖7所示之導引滾筒R4,R5，使用各旋轉中心軸傾斜之二個導引滾筒使片狀基板FB折返亦可。
(第五實施形態)
接著，說明本發明第五實施形態。本實施形態中，桶機構之構成與第四實施形態不同，因此以桶機構之構成為中心進行說明。圖9係顯示本實施形態之桶機構DRM2之構成的立體圖。
上述實施形態中，係以第一圓筒部CY1與第二圓筒部CY2形成為單一之圓筒構件CYL之構成為例進行說明，但第五實施形態中，如圖9所示，係顯示第一圓筒部CY1與第二圓筒部CY2形成為不同之圓筒構件(例如，第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2)之構成。
如圖9所示，第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2係以在Z方向分離之狀態配置。第一圓筒構件C1之+Z側之端面C1a與第二圓筒構 件C2之-Z側之端面C2a彼此對向。旋轉軸SF之中心線係設成在第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2之間共通(在XY面內相同位置)。
圖9所示之構成中，在例如第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2之間，徑不同。具體而言，第一圓筒構件C1之徑D1大於第二圓筒構件C2之徑D2。如上述，藉由第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2具有不同之徑，可調整搬送路徑之路徑長度。
旋轉驅動機構ACT2為能使第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2分別獨立旋轉之構成亦可。又，旋轉驅動機構ACT2為僅使第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2中之一個旋轉之構成亦可。
根據圖9所示之構成，經過例如導引滾筒R21之片狀基板FB捲繞懸掛在第一圓筒部CY1，透過導引滾筒(轉換部)R22及R23導引至第二圓筒部CY2。捲繞懸掛在第二圓筒部CY2後之片狀基板FB係透過導引滾筒R24導引。
第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2之直徑之差異，可取決於配置在各圓筒構件C1,C2之周圍之各種處理裝置之加工形態或加工條件、加工部(加工頭部等)之設置尺寸等產生。
本實施形態中，由於連續之片狀基板FB從第一圓筒構件C1搬送至第二圓筒構件C2，因此各圓筒構件C1,C2之直徑不同之情形，必須與該直徑之差異量對應使旋轉速度(rpm)亦產生差異。
又，在第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2分別、或任一個圓筒構件設置旋轉驅動用之馬達之情形，在從片狀基板FB之與第一圓筒構件C1接觸之部分至與第二圓筒構件C2接觸之部分之間，可賦予既定張 力。
此外，圖9所示之構成中，第一圓筒構件C1配置在-Z側，第二圓筒構件C2配置在+Z側，但並不限於此，第一圓筒構件C1配置在+Z側，第二圓筒構件C2配置在-Z側亦可。
(第六實施形態)
接著，說明本發明第六實施形態。本實施形態中，桶機構之構成與上述實施形態不同，因此以桶機構之構成為中心進行說明。圖10係顯示本實施形態之桶機構DRM3之構成的立體圖。
如圖10所示，本實施形態之桶機構DRM3之構成係相對第一圓筒部(加工用基準面)CY1配置有分離之複數個第二圓筒部(加工用基準面)。具體而言，桶機構DRM3之構成係相對第一圓筒部CY1配置有二個第二圓筒部CY21,CY22。本實施形態中，第一圓筒部CY1與第二圓筒部CY21,CY22係形成為不同之圓筒構件(例如，第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C21,C22)。
桶機構DRM3之構成係在第一圓筒構件C1之+Z側配置有二個第二圓筒構件C21及C22。二個第二圓筒構件C21及C22係形成為例如相同之徑D4及D5。第一圓筒構件C1之徑D3係形成為大於此等徑D4及D5。
如圖10所示，第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C21及C22係以在Z方向分離之狀態配置。第一圓筒構件C1之+Z側之端面C1a與第二圓筒構件C21及C22之-Z側之端面C21a及C22a彼此對向。第一圓筒構件C1及第二圓筒構件C21,C22分別具有個別之旋轉軸SF1及SF21, SF22。旋轉軸SF1、旋轉軸SF21及旋轉軸SF22係配置成彼此平行。旋轉驅動機構ACT3能控制第一圓筒構件C1、第二圓筒構件C21及C22分別獨立旋轉。
根據圖10所示之構成，經過例如導引滾筒R31之片狀基板FB捲繞懸掛在第一圓筒部CY1，透過作為轉換部之導引滾筒R32及R33(必要時設置追加之導引滾筒)導引至Z方向之上段之第二圓筒部CY2。捲繞懸掛在第二圓筒部CY2後之片狀基板FB係透過導引滾筒R34捲繞懸掛在第二圓筒部CY22，之後，係透過導引滾筒R35導引。圖10所示之構成中，第一圓筒構件C1配置在-Z側，第二圓筒構件C21及C22配置在+Z側，但並不限於此，第一圓筒構件C1配置在+Z側，第二圓筒構件C21及C22配置在-Z側亦可。
(第七實施形態)
接著，說明本發明第七實施形態。本實施形態中，桶機構之構成與上述實施形態不同，因此以桶機構之構成為中心進行說明。圖11係顯示本實施形態之桶機構DRM4之構成的立體圖。
如圖11所示，本實施形態之桶機構DRM4，設有第一圓筒構件C1、第二圓筒構件C2及第三圓筒構件C3。此等第一圓筒構件C1、第二圓筒構件C2及第三圓筒構件C3係在Z方向三段配置。本實施形態中，片狀基板FB係掛架在第一圓筒構件C1之外周面即第一圓筒部CY1、第二圓筒構件C2之外周面即第二圓筒部CY2、及第三圓筒構件C3之外周面即第三圓筒部CY3，被施加一連串加工處理。
第一圓筒構件C1、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3係 以在Z方向分離之狀態配置。第一圓筒構件C1、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3之相鄰之端面彼此對向。旋轉軸SF係設成在第一圓筒構件C1、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3之間共軸(在XY面內之位置相同)。
第一圓筒構件C1、第二圓筒構件C2、第三圓筒構件C3係形成為例如徑相等。桶機構DRM4具有旋轉驅動機構ACT4。旋轉驅動機構ACT4為使例如三個圓筒構件C1,C2,C3一體旋轉之構成、或驅動使其等個別旋轉之構成亦可，為使第一圓筒構件C1與第二圓筒構件C2分別獨立旋轉之構成亦可。又，旋轉驅動機構ACT4為以馬達等僅使三個圓筒構件C1,C2,C3中之任一個強制旋轉之構成亦可。
根據圖11所示之構成，經過例如導引滾筒R41之片狀基板FB捲繞懸掛在第一圓筒部CY1，透過導引滾筒(轉換部)R42~R45導引至第二圓筒部CY2。捲繞懸掛在第二圓筒部CY2後之片狀基板FB係透過導引滾筒(轉換部)R46~R49導引至第三圓筒部CY3。捲繞懸掛在第三圓筒部CY3後之片狀基板FB係透過導引滾筒R50導引。如上述，本實施形態中，使在第一圓筒部CY1與第二圓筒部CY2之間之片狀基板FB之迴繞之構成在第二圓筒部CY2與第三圓筒部CY3之間亦同樣地反覆構成，因此能使使用桶機構DRM4之處理步驟進一步高密度化(處理裝置之設置底面積之減少)。
本發明之技術範圍並不限於上述實施形態，在不脫離本發明之趣旨之範圍內可施加適當變更。
例如，上述實施形態中，假設在三個圓筒部CY1,CY2,CY3分別之位置進行對片狀基板之處理、加工，但例如在從第一圓筒部CY1至第二圓筒部CY2之間對片狀基板FB不進行處理亦可。又，在具有作為方向轉換部之功 能之導引滾筒之處進行對片狀基板之處理亦可。
如圖12所示，藉由導引滾筒R51導引至桶機構DRM5之片狀基板FB捲繞懸掛在第一圓筒部CY1，透過導引滾筒R52導引後，在至第二圓筒部CY2之路徑上，捲繞懸掛在例如旋轉軸配置成水平(與XY平面平行)之導引滾筒R53。此處，可在例如導引滾筒R53設置加熱該片狀基板FB之加熱裝置(加熱乾燥用之桶)。亦即，能將導引滾筒R53構成為加熱桶。此情形，片狀基板FB之中捲繞懸掛在導引滾筒R53之部分被加熱。如圖12所示，導引滾筒R53，為了將從導引滾筒R52以豎立狀態送來之片狀基板FB以豎立狀態送入導引滾筒R54，係成為賦予扭曲之配置。
例如，在使用塗布裝置等作為桶機構DRM5中處理裝置40之情形，較佳為，對塗布處理後之片狀基板FB進行乾燥處理等，但在此種情形，可在導引滾筒(加熱處理用之旋轉桶)R53繞繞懸掛塗布步驟後一刻之片狀基板並利用於乾燥步驟。乾燥處理後之片狀基板FB，係透過例如導引滾筒R54導引至第二圓筒部CY2，捲繞在第二圓筒部CY2之後，藉由導引滾筒R55導引。
又，上述各說明中，以將例如片狀基板FB以豎立狀態搬送之構成為例進行說明，但並不限於此。例如，在桶機構DRM及處理滾筒32之至少一個，將片狀基板FB之被處理面Fp以相對於水平面垂直或傾斜之狀態搬送，在搬送至桶機構DRM及處理滾筒32之至少一個之搬送路徑上，將片狀基板FB之被處理面Fp配置成相對於水平面實質上平行亦可。又，在片狀基板FB之搬送路徑，組合使片狀基板FB豎立之狀態與橫向之狀態亦可。
此外，在將片狀基板FB以非水平姿勢、例如將片狀基板FB之被處理面Fp以相對於水平面(XY平面)傾斜既定角度之狀態搬送或處理之情形，使桶機構DRM之圓筒構件CYL、處理滾筒32、導引滾筒R1,R2,R6,R7,R8等之旋轉中心軸相對於Z方向傾斜即可。
本發明之技術範圍並不限於上述實施形態，在不脫離本發明之趣旨之範圍內可施加適當變更。
例如，除了上述實施形態之構成之外，圖1、圖2、圖5、圖6所示之搬送裝置30，除了導引滾筒R101~R106、處理滾筒31及32之外，具有調整片狀基板FB之姿勢之姿勢調整滾筒亦可。
此姿勢調整滾筒，可配置在例如片狀基板FB之搬送路徑處理裝置40之上游側。又，在例如緊鄰處理裝置40之前方配置姿勢調整滾筒亦可。姿勢調整滾筒係配置成例如中心軸與Z方向平行，設成可在X方向、Y方向及Z方向移動。又，姿勢調整滾筒係配置成例如中心軸相對於Z軸方向傾斜。此情形，藉由使例如姿勢調整滾筒之傾斜或位置變化，可調整片狀基板FB之姿勢。又，上述導引滾筒或處理滾筒、處理搬送滾筒兼用姿勢調整滾筒之構成亦可。
又，上述實施形態中，以處理滾筒31、處理滾筒32形成為圓筒狀為例進行說明，但並不限於圓筒狀。例如，使處理滾筒31之形狀為橢圓或多角柱、或在處理滾筒31之表面之一部分形成曲率面亦可。此情形，較佳為，固定處理滾筒31、處理滾筒32，使片狀基板FB以接觸或非接觸方式在處理滾筒31,32之表面滑動。
又，桶機構DRM之圓筒構件CYL亦同樣地，並不限於圓筒構件。例 如，替代圓筒構件CYL，在各處理裝置40對片狀基板之被處理面進行處理時，使用形成有能以曲率面導引被處理面之導引面之導引構件、或形成有能平坦地導引被處理面之導引面之導引構件亦可。此外，使用導引構件之情形，較佳為，使片狀基板FB以接觸或非接觸方式滑動。
又，在設置於基板供應部SU之捲軸狀之片狀基板FB之前端，以既定長度黏貼具有與片狀基板FB相同程度之厚度且剛性較片狀基板高之導頭片亦可。如此，在將新的片狀基板FB之捲軸安裝於基板供應部SU時，亦可將片狀基板自動裝填於處理裝置FPA4內。
又，上述各說明中，以將例如片狀基板FB以豎立狀態搬送之構成為例進行說明，但並不限於此。例如，在處理滾筒31及處理滾筒32之至少一個，將片狀基板FB之被處理面Fp以相對於水平面垂直或傾斜之狀態搬送，在搬送至處理滾筒31及處理滾筒32之至少一個之搬送路徑上，將片狀基板FB之被處理面Fp配置成相對於水平面實質上平行亦可。又，在片狀基板FB之搬送路徑，組合使片狀基板FB豎立之狀態與橫向之狀態亦可。
此外，在將片狀基板FB以非水平姿勢、例如將片狀基板FB之被處理面Fp以相對於水平面(XY平面)傾斜既定角度之狀態搬送或處理之情形，使處理滾筒31、處理滾筒32、導引滾筒R101,R102,R103,R104,R8等之旋轉中心軸相對於Z方向傾斜即可。
FB‧‧‧片狀基板
SU‧‧‧基板供應部
PB‧‧‧保護基板
PR‧‧‧基板處理部
CL‧‧‧基板回收部
CONT‧‧‧控制部
Fp‧‧‧被處理面
41‧‧‧洗淨裝置
41A‧‧‧第一洗淨裝置
41B‧‧‧第二洗淨裝置
42‧‧‧TFT層形成裝置
42A‧‧‧第一形成裝置
42B‧‧‧第二形成裝置
42C‧‧‧第三形成裝置
43‧‧‧乾燥裝置
44‧‧‧預備加工裝置
44A‧‧‧第一加工裝置
44B‧‧‧第二加工裝置
44C‧‧‧第三加工裝置
45‧‧‧發光層形成裝置
45A‧‧‧第一形成裝置
45B‧‧‧第二形成裝置
45C‧‧‧第三形成裝置
46‧‧‧層壓裝置
FPA4‧‧‧基板處理裝置
R101~R106‧‧‧導引滾筒
11,13,21‧‧‧軸構件
12,14,22‧‧‧支承部
30‧‧‧搬送裝置
31,32‧‧‧處理滾筒

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，係處理具有可撓性之長帶之片狀基板，具備：第1處理裝置，對被搬送於長帶方向的該片狀基板施予第1處理；第2處理裝置，以相對該第1處理裝置於與該片狀基板之搬送方向交叉之方向錯開的方式配置，且對該片狀基板施予第2處理；第3處理裝置，具備以使二行該片狀基板分別通過之方式設置之插入部與排出部，且對該第1處理後之片狀基板、或該第2處理後之片狀基板施予第3處理；第1搬送部，將通過該第1處理裝置後之該片狀基板，以從該插入部供應至該第3處理裝置、從該排出部搬出之方式進行導引，並且將通過該第3處理裝置後之該片狀基板以朝向該第2處理裝置之方式進行導引；以及第2搬送部，將通過該第2處理裝置後之該片狀基板，以從該插入部供應至該第3處理裝置、從該排出部搬出之方式進行導引。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該第1處理裝置與該第2處理裝置，以於與該片狀基板之搬送方向交叉之上下方向錯開的方式配置。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該第3處理裝置之插入部與排出部，具有搬入該第1處理後之該片狀基板的第1插入口與排出該片狀基板的第1排出口、搬入該第2處理後之該片狀基板的第2插入口與排出該片狀基板的第2排出口；將該第1插入口與該第2插入口配置於上下方向，將該第1排出口與 該第2排出口配置於上下方向。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該第1處理裝置，具備將該片狀基板之被處理面一邊呈圓筒面狀地支承且一邊使其可於該長帶方向移動的第1圓筒構件、及配置於該第1圓筒構件周圍並進行該第1處理的第1處理部；該第2處理裝置，具備將該片狀基板之被處理面一邊呈圓筒面狀地支承且一邊使其可於該長帶方向移動的第2圓筒構件、及配置於該第2圓筒構件周圍並進行該第2處理的第2處理部。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，該第1圓筒構件與該第2圓筒構件，於上下方向排列配置，並且以可繞中心軸旋轉之旋轉桶構成。
  6. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，在藉由各個該第1搬送部與該第2搬送部所形成之該片狀基板之該長帶方向之搬送路徑，設置用於轉換該片狀基板之搬送方向的複數個導引滾筒；該複數個導引滾筒中至少二個導引滾筒，因應該第1處理裝置與該第2處理裝置於上下方向之錯開配置，以該片狀基板之搬送路徑於上下方向移位之方式配置。
  7. 如申請專利範圍第1至3、6項中任一項之基板處理裝置，其中，該第3處理裝置所進行之該第3處理，係使該片狀基板乾燥之處理、或加熱至既定溫度之處理。
  8. 一種基板處理方法，係一邊搬送具有可撓性之長帶之片狀基板往長帶方向、一邊對該片狀基板施予複數個處理，包含： 第1步驟，將該片狀基板搬送至第1處理裝置，且對該片狀基板之被處理面施予第1處理；第2步驟，將該片狀基板搬送至第2處理裝置，且對已經該第1處理之該片狀基板之被處理面施予第2處理；第3步驟，將該第1處理後之該片狀基板、及該第2處理後之該片狀基板，搬送至具備以使二行該片狀基板分別通過之方式設置之插入部與排出部的第3處理裝置，且對該片狀基板之被處理面施予第3處理；以及搬送步驟，藉由以該第1處理裝置、該第3處理裝置、該第2處理裝置、及該第3處理裝置之順序將該片狀基板搬送於長帶方向之搬送裝置，搬送該片狀基板。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中，該第3處理裝置所進行之該第3處理，係使該片狀基板乾燥之處理、或加熱至既定溫度之處理。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，該第1處理裝置與該第2處理裝置，以於與該片狀基板之搬送方向交叉之上下方向錯開的方式配置。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，在藉由該搬送裝置所形成之該片狀基板之長帶方向之搬送路徑，設置用於轉換該片狀基板之搬送方向的複數個導引滾筒；藉由該複數個導引滾筒中至少二個導引滾筒，以因應該第1處理裝置與該第2處理裝置於上下方向之錯開配置的方式，使該片狀基板之搬送路徑於上下方向移位。
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