JP2016225538A - 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 - Google Patents

酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】支持ウェーハと酸化物単結晶薄膜との貼り合わせ界面に割れや剥がれがなく、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである酸化物単結晶の薄膜が転写された複合ウェーハを提供する。
【解決手段】表面から水素原子イオンまたは水素分子イオンを注入し、酸化物単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成する工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施す工程と、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と支持ウェーハの表面とを貼り合わせて接合体を得る工程と、接合体を９０℃以上であって割れを生じない温度で熱処理する工程と、熱処理した接合体のイオン注入層に機械的衝撃を与える工程であって、イオン注入層に沿って剥離し、支持ウェーハ上に転写された酸化物単結晶薄膜を得る、工程とを少なくとも含む複合ウェーハの製造方法である。
【選択図】図１

Description

本発明は、複合ウェーハの製造に関する。より詳しくは、支持ウェーハ上に酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法に関する。
近年、スマートフォンに代表される小型通信機器の分野において、通信量の急激な増大や多機能化は進行している。通信量の増大に対応してバンド数を増加させることが行われている一方、小型通信機器は、その形状をスケールアップさせることなく多機能化することが求められている。よって、小型通信機器に用いられる各種部品は、更なる小型化、高性能化が必須となっている。
タンタル酸リチウム(Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｔａｎｔａｌａｔｅ:ＬＴ)やニオブ酸リチウム(Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ:ＬＮ)等の酸化物単結晶は、一般的な圧電材料であり、表面弾性波(ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ：ＳＡＷ)デバイスの材料として広く用いられている。圧電材料に酸化物単結晶を用いた場合、電磁的エネルギーが力学的エネルギーに変換される効率を示す電気機械結合係数の値が大きいため広帯域化を可能とするが、温度安定性は低く、温度変化によって対応できる周波数がシフトしてしまう。温度に対する低い安定性は、酸化物単結晶の熱膨張係数に起因する。
電圧材料に酸化物単結晶を用いた場合の温度安定性を向上させる方法として、例えば、酸化物単結晶ウェーハに、酸化物単結晶より小さい熱膨張係数を有する材料、具体的にはサファイアウェーハを貼り合わせて、酸化物単結晶ウェーハ側を研削などで数μｍ〜数十μｍに薄化することで、酸化物単結晶の熱膨張の影響を抑えることが提案されている（非特許文献１）。しかし、この方法は、貼り合わせた後に酸化物単結晶ウェーハを削り込むため、酸化物単結晶ウェーハの大部分を捨て去ってしまうことになり、材料の使用効率が悪い。また、酸化物単結晶として用いられるタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムは高価な材料であるので、生産コストを抑えるためにも、製品への利用効率が高く、廃棄する量が少ない手法が望まれる。
ＳＯＩウェーハの製造手法、例えばＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ法は、端的に言えば、水素イオン層を形成したシリコンウェーハに支持ウェーハを貼り合わせた後に、５００℃前後の熱処理を加えることでイオン注入層を熱的に剥離させる方法である（特許文献１）。酸化物単結晶ウェーハの製品への利用効率を上げるために、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法のシリコンウェーハの代わりに酸化物単結晶ウェーハを適用して、支持ウェーハ上に酸化物単結晶の薄膜を形成することが試みられている（非特許文献２、３）。
非特許文献２は、イオン注入層を形成したタンタル酸リチウムウェーハの表面に厚さ１２１ｎｍのＣｒの金属層を形成し、金属層を介して厚さ数百ｎｍのＳｉＯ２基板と貼り合わせて、２００〜５００℃で熱処理してイオン注入層で剥離させ、金属層を介してＳｉＯ２基板上にタンタル酸リチウム薄膜を転写した後に、ＳｉＯ２基板のタンタル酸リチウム薄膜を転写した面の反対側にタンタル酸リチウムウェーハを貼り合わせて、ＬＴＭＯＩ（ｌｉｔｈｉｕｍ−ｔａｎｔａｌａｔｅ−ｍｅｔａｌ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造を作製することを報告している。また、非特許文献３は、イオン注入層を形成したタンタル酸リチウムウェーハにシリコンウェーハを貼り合わせて、２００℃で熱処理してイオン注入層で剥離させて、シリコンウェーハ上にタンタル酸リチウム薄膜を熱的に転写したことを報告している。
特許第３０４８２０１号公報
太陽誘電株式会社、"スマートフォンのＲＦフロントエンドに用いられるＳＡＷ−Ｄｕｐｌｅｘｅｒの温度補償技術"、［ｏｎｌｉｎｅ］、２０１２年１１月８日、電波新聞ハイテクノロジー、[平成２７年３月２０日検索]、インターネット（ＵＲＬ：http://www.yuden.co.jp/jp/product/tech/column/20121108.html） Ａ Ｔａｕｚｉｎら、"３−ｉｎｃｈ ｓｉｎｇｌｅ−ｃｒｙｓｔａｌ ＬｉＴａＯ３ ｆｉｌｍｓ ｏｎｔｏ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｕｓｉｎｇ Ｓｍａｒｔ ＣｕｔＴＭ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ"、Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ、１９ｔｈ Ｊｕｎｅ ２００８、Ｖｏｌ.４４、Ｎｏ.１３、ｐ.８２２ Ｗｅｉｌｌ Ｌｉｕら、"Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｎｇｌｅ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ＬｉＴａＯ３ ｆｉｌｍ ｏｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｕｓｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ"、Ｊ. Ｖａｃ. Ｓｃｉ. Ｔｅｃｈｎｏｌ. Ｂ２６（１）、Ｊａｎ／Ｆｅｂ ２００８、ｐ.２０６
タンタル酸リチウム（ＬＴ）やニオブ酸リチウム（ＬＮ）等の酸化物単結晶は、硬く且つ非常に脆いものであり、また、図６に示すように、シリコン、ガラスおよびサファイアと比べて熱膨張係数が極めて大きい。このため、酸化物単結晶は、シリコン、ガラスおよびサファイア等の異種のウェーハと貼り合わせた後に高温で熱処理すると、両ウェーハの熱膨張係数の差によって、貼り合わせたウェーハの間で剥がれや割れが発生してしまうという問題がある。例えば、タンタル酸リチウムと、一般的に支持ウェーハとして用いられる、特に熱膨張係数が大きいサファイアとの差は、図６から確認できるとおり、７×１０−６／Ｋ（＝７ｐｐｍ／Ｋ）以上もある。
非特許文献２は、タンタル酸リチウムのウェーハと薄膜の間に、金属層とＳｉＯ２基板を挟む構造とすることで、熱処理時に熱膨張の差によるウェーハの剥がれや割れを抑制し、タンタル酸リチウム薄膜の転写を可能とする報告である。しかし、この方法では、下地の基板を薄膜と同じタンタル酸リチウムとするため、上述した圧電材料としての課題である温度安定性は解決できない。また、熱処理を２００℃以上としないと、薄膜を転写することができない。さらに、金属層を挟み込む構造であるため、適用可能な用途は制限される。また、ウェーハの割れを抑制するために高価なタンタル酸リチウムを必要以上に使用しなければならなく、製造コストが高くなる。
非特許文献３は、熱処理を２００〜８００℃で試みたと記載しているが、具体的にＳｍａｒｔ−Ｃｕｔ法を用いてシリコンウェーハ上にタンタル酸リチウム薄膜を転写した例としては２００℃のみであり、また、この例において、シリコンウェーハの全面にタンタル酸リチウム薄膜を転写し得たか否かについては記載されていない。本発明者らは、非特許文献３と同様の手法を用いて、２００℃での熱処理による剥離についての検証実験を行ったところ、タンタル酸リチウム薄膜は、シリコンウェーハの全面には転写されず、ごく一部分においてのみ転写が認められた。特に、シリコンウェーハの外周部分においては、タンタル酸リチウム薄膜が全く転写されなかった。これは、熱処理中に両ウェーハの熱膨張の差に起因して貼り合わせウェーハの反りが生じ、シリコンウェーハの外周部分においてタンタル酸リチウムウェーハとの貼り合わせ界面から剥がれたものと思われる。また、熱処理温度を２００℃以上とした場合についても、上述したように、両ウェーハの熱膨張の差に起因した貼り合わせウェーハの反りを抑制できず、シリコンウェーハの全面にタンタル酸リチウム薄膜を安定的に転写することができないと推察する。
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、予想に反して、熱膨張係数の近い材料を組み合わせて応力の発生を抑える従来のアプローチとは異なり、敢えて酸化物単結晶と熱膨張係数が大きく異なる（具体的には酸化物単結晶よりも７ｐｐｍ／Ｋ以上熱膨張係数の小さい）材料を支持ウェーハとして選択することにより、低コスト、かつ、貼り合わせ界面で剥がれや割れが生じにくい、支持ウェーハ上に酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法を見出した。具体的には、所定の水素イオン注入量を用いてイオン注入層を形成した酸化物単結晶ウェーハと、酸化物単結晶より熱膨張係数の小さい支持ウェーハとを、表面活性化処理などでウェーハ間に結合力を付与した状態で貼り合わせ、熱剥離を生じさせない程度の低温で熱処理を加えた後に、イオン注入層に物理的な衝撃を与えることで、イオン注入層の脆化を一気に進めて剥離させることを見出した。
すなわち、本発明は、一態様によれば、
タンタル酸リチウムウェーハまたはニオブ酸リチウムウェーハである酸化物単結晶ウェーハの表面から水素原子イオンまたは水素分子イオンを注入し、前記酸化物単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成する工程と、
前記酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と、前記酸化物単結晶ウェーハと貼り合わせようとする支持ウェーハの表面の少なくとも一方に、表面活性化処理を施す工程と、
前記表面活性化処理を施した後、前記酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と、前記支持ウェーハの表面とを貼り合わせて接合体を得る工程と、
前記接合体を９０℃以上であって割れを生じない温度で熱処理する工程と、
前記熱処理した接合体の前記イオン注入層に機械的衝撃を与える工程であって、前記イオン注入層に沿って剥離し、前記支持ウェーハ上に転写された酸化物単結晶薄膜を得る、工程と
を少なくとも含み、
前記水素原子イオンの注入量が、５．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２〜２．７５×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ２であり、前記水素分子イオンの注入量が、２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２〜１．３７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２である、
支持ウェーハ上に酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法を提供することができる。
本発明の製造方法によれば、支持ウェーハと酸化物単結晶薄膜との貼り合わせ界面での密着性が高く、且つ、剥がれや割れが生じにくく、支持ウェーハ上の全面に均一の厚みの酸化物単結晶薄膜が転写された複合ウェーハを得ることができる。また、支持ウェーハ上に酸化物単結晶薄膜を転写して分離した後の酸化物単結晶ウェーハを、再度、複合ウェーハの製造に用いることができ、低コスト化することが可能となる。
本発明の一態様の複合ウェーハの製造方法の模式図である。 本発明の機械的衝撃を与える工程において補強治具を用いた場合の一態様の配置図である。 本発明の機械的衝撃を与える工程において補強治具を用いた場合の他の態様の配置図である。 本発明の機械的衝撃を与える工程において補強治具を用いた場合の他の態様の配置図である。 本発明の機械的衝撃を与える工程において補強治具を用いた場合の他の態様の配置図である。 各種材料の熱膨張係数を比較した図である。
以下、本発明を実施するための形態を詳細に説明するが、本発明の範囲は、この形態に限定されるものではない。
本発明は、一態様によれば、支持ウェーハ上に酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法に関する。
支持ウェーハは、例えば、貼り合わせる酸化物単結晶ウェーハの熱膨張係数よりも７ｐｐｍ／Ｋ以上小さい材料からなるウェーハであってもよい。支持ウェーハは、サファイアウェーハ、シリコンウェーハ、酸化膜付きシリコンウェーハおよびガラスウェーハ等が挙げられる。支持ウェーハの大きさは、特に限定されるものではないが、例えば直径７５〜１５０ｍｍ、厚さ０．２〜０．８ｍｍのウェーハであってもよい。支持ウェーハは、市販されているものを用いてもよいが、特に限定されるものではない。例えば、酸化膜付きシリコンウェーハは、少なくとも貼り合わせる表面に酸化膜を有するシリコンウェーハであり、シリコンウェーハを大気雰囲気下７００〜１２００℃で熱処理することで、シリコンウェーハの表面上に酸化膜を作製してもよい。酸化膜付きシリコンウェーハの酸化膜の厚さは、特に限定されるものではないが、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。
酸化物単結晶は、リチウムと、タンタルまたはニオブ等の金属元素と、酸素とからなる化合物であって、例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）が挙げられる。酸化物単結晶は、特にレーザー素子あるいは圧電素子、表面弾性波素子等の用途において、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶であることが好ましい。酸化物単結晶は、通常、ウェーハの形状で用いられる。酸化物単結晶ウェーハの大きさは、特に限定されるものではないが、例えば直径７５〜１５０ｍｍ、厚さ０．２〜０．８ｍｍのウェーハであってもよい。酸化物単結晶ウェーハは、市販されているものを用いてもよいが、チョクラルスキー法等を用いた既報の製造方法（例えば特開２００３−１６５７９５号、再公表２００４−０７９０６１号）をそのまま用いてまたはそれらに記載される工程を組み合わせて作製してもよい。
支持ウェーハおよび酸化物単結晶ウェーハは、貼り合わせる表面において、表面粗さＲＭＳが１．０ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲＭＳが１．０ｎｍより大きいと、貼り合わせ界面に空隙が生じ、剥がれの原因となる場合がある。このため、表面粗さＲＭＳが１．０ｎｍより大きい場合は、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）によって所望の表面粗さとしてもよい。なお、表面粗さＲＭＳは、例えば原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＦＭ）によって評価することができる。
酸化物単結晶ウェーハは、その表面から水素イオンを注入し、酸化物単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成する。イオン注入層は、酸化物単結晶ウェーハの表面から所望の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素原子イオン（Ｈ＋）または水素分子イオン（Ｈ２ ＋）を注入することにより形成される。このときの条件として、例えば注入エネルギーは５０〜２００ｋｅＶとすることができる。水素原子イオン（Ｈ＋）の場合、注入量は、５．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２〜２．７５×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ２である。５．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２未満だと、後の工程でイオン注入層の脆化が起こらない。２．７５×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ２を超えると、イオン注入時にイオン注入した面においてマイクロキャビティが生じ、ウェーハ表面に凹凸が形成され所望の表面粗さが得られなくなる。また、水素分子イオン（Ｈ２ ＋）の場合、注入量は、２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２〜１．３７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２である。２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満だと、後の工程でイオン注入層の脆化が起こらない。１．３７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２を超えると、イオン注入時にイオン注入した面においてマイクロキャビティが生じ、ウェーハ表面に凹凸が形成され所望の表面粗さが得られなくなる。水素原子イオンの注入量は、水素分子イオンの注入量の２倍であってもよい。
次に、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と、酸化物単結晶ウェーハと貼り合わせようとする支持ウェーハの表面の少なくとも一方に、表面活性化処理を施す。表面活性化処理を施す表面は、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と、酸化物単結晶ウェーハと貼り合わせようとする支持ウェーハの表面の両方であってもよく、少なくとも一方である。表面活性化処理を施すことで、貼り合わせた後に接合強度を高めるための高温での熱処理を用いなくてもよく、比較的低温でも所望の接合強度を得ることができる。とりわけ、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの硬くて脆い酸化物単結晶ウェーハと、酸化物単結晶ウェーハと比較して熱膨張係数が非常に小さい支持ウェーハとを用い、上述したように表面活性化処理を施して貼り合わせた場合、後の比較的低温での熱処理によって、酸化物単結晶ウェーハと支持ウェーハの熱膨張係数の差から、貼り合わせ界面と並行となる方向に発生した大きな剪断応力が、表面活性化処理によって剪断応力に対抗し得るのに十分な接合強度を付与した貼り合わせ界面ではなく、イオン注入層において剥離しない程度に破壊を促進されることができる。
表面活性化処理の方法としては、オゾン水処理、ＵＶオゾン処理、イオンビーム処理およびプラズマ処理等が挙げられる。オゾンで処理をする場合は、例えば、純水中にオゾンガスを導入してオゾン水とし、オゾン水中にウェーハを浸漬させることで、活性なオゾンで表面を活性化することができる。また、ＵＶオゾン処理をする場合は、例えば、大気もしくは酸素ガスに短波長のＵＶ光（例えば波長１９５ｎｍ程度）を照射して活性なオゾンを発生させた雰囲気中にウェーハを保持することで、表面を活性化することができる。イオンビーム処理をする場合は、例えば、高真空中（例えば１×１０−５Ｐａ未満）でＡｒ等のイオンビームをウェーハ表面に当て、活性度が高いダングリングボンドを露出させることで行うことができる。プラズマで処理をする場合、例えば、真空チャンバ中にウェーハを載置し、プラズマ用ガスを減圧（例えば０．２〜１．０ｍＴｏｒｒ）下で５〜６０秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、表面を酸化する場合には酸素ガス、酸化しない場合には水素ガス、窒素ガス、アルゴンガスまたはこれらの混合ガスを用いることができる。プラズマで処理することにより、ウェーハ表面の有機物が酸化して除去され、さらに表面のＯＨ基が増加し活性化する。
次に、表面活性化処理を施した後、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と、支持ウェーハの表面とを貼り合わせて接合体を得る。酸化物単結晶ウェーハと支持ウェーハを貼り合わせる時の温度は、室温近傍（室温を含む）の温度、例えば１０〜５０℃で行うことが好ましい。最終製品である複合ウェーハは室温前後で用いられることが多く、貼り合わせる時もこの温度域に準拠していることが望ましい。なお、貼り合わせる時の温度は、貼り合わせを行う場所の温度、つまり周囲または装置内の雰囲気温度であってもよい。貼り合わせる時の温度は、例えば貼り合わせ装置内の雰囲気温度を設定することで制御することができる。なお、室温は、対象物に加熱も冷却も行わない周囲温度であり、特に限定されないが、例えば１０〜３０℃、好ましくは２５℃前後である。
次に、接合体を９０℃以上であって、例えば貼り合わせ界面に割れを生じない温度で熱処理する。９０℃未満だと、酸化物単結晶ウェーハと支持ウェーハとの貼り合わせ界面での接合強度が不十分となり、貼り合わせ界面で剥がれが生じる場合がある。熱処理の温度は、用いる支持ウェーハに合わせて変化させてもよい。熱処理する工程における温度は、例えば、支持ウェーハがサファイアウェーハである場合は、好ましくは９０〜２２５℃であり、より好ましくは９０〜２００℃である。支持ウェーハがシリコンウェーハまたは酸化膜付きシリコンウェーハである場合は、好ましくは９０〜２００℃であり、より好ましくは９０〜１７５℃である。また、支持ウェーハがガラスウェーハである場合は、好ましくは９０〜１１０℃であり、より好ましくは９０〜１００℃である。接合体を９０℃以上であって割れを生じない温度で熱処理することによって、支持ウェーハと酸化物単結晶ウェーハとの貼り合わせ界面での接合力を向上させるだけでなく、後の工程においてイオン注入層を脆化しやすくすることも可能となる。熱処理手段としては、例えば熱処理炉やオーブン等が挙げられるが、特に限定されない。なお、接合体の温度は、例えば熱処理装置内に付随する熱電対などを用いて、炉やオーブン内の雰囲気温度を測定した温度であってもよい。上記温度での熱処理の時間は、割れや剥離を生じなければ特に限定されず、１０分から数十時間、例えば１００時間までとしてもよい。例えば、熱処理温度が９０℃以上１１０℃未満である場合、１０分間〜１００時間とすることが好ましく、熱処理温度が１１０℃以上１７５℃未満である場合、１０分間〜６０時間とすることが好ましく、熱処理温度が１７５℃以上２００℃未満である場合、１０分間〜２４時間とすることが好ましく、熱処理温度が２００℃以上２２５℃未満である場合、１０分間〜１２時間とすることが好ましい。本発明によれば、接合体に保護ウェーハを備えることなく、熱処理することができるため、工程をより簡易化することが可能である。
熱処理した接合体は、室温近傍（室温を含む）の温度、例えば１０〜５０℃となるように冷却することが好ましい。例えば、熱処理した接合体を、２５℃に調節した部屋で静置させて所望の温度としてもよい。接合体を貼り合わせ時と同様の室温近傍の温度とすることで、接合体の応力を低減でき、後の機械的衝撃を与える工程において、接合体の割れや欠陥を生じにくくさせることが可能となる。
次に、熱処理後の接合体のイオン注入層に機械的衝撃を与えてイオン注入層に沿って剥離し、支持ウェーハ上に酸化物単結晶薄膜を転写する。機械的衝撃を与える手段は、特に限定されるものではないが、鋭角な道具や楔状の鋭角な刃などの剥離器具を用いてもよいし、気体もしくは液体等の流体のジェットを用いてもよい。鋭角な道具や楔状の鋭角な刃などの剥離器具は、特に限定されないが、プラスチック（例えばポリエーテルエーテルケトン）や金属、ジルコニア、シリコン、ダイヤモンド等から作製してもよい。また、鋭角な道具としては、楔やハサミ等の刃を用いてもよい。気体もしくは液体等の流体のジェットとしては、特に限定されないが、例えば流速１０〜１０００Ｌ／ｍｉｎ程度の高圧エアや高圧水のジェットを用いてもよい。流体のジェットは、例えば、接合体のイオン注入層の端部から連続的または断続的に吹き付けてもよい。
機械的衝撃を、例えば、接合体の側面、例えばイオン注入層の端部に楔状の刃を接触させるまたは挿入することで与え、イオン注入層に沿って剥離してもよい。また、機械的衝撃を、例えば、接合体のイオン注入層の端部から気体もしくは液体の流体、例えば高圧エアや高圧水のジェットを連続的または断続的に吹き付けることで与え、イオン注入層に沿って剥離してもよい。さらに、例えば、接合体のイオン注入層の端部に楔状の刃を接触させた状態で、刃を接触させた同じ側面から気体もしくは液体の流体、例えば高圧エアや高圧水のジェットを連続的または断続的に吹き付けることで、イオン注入層に沿って剥離してもよい。剥離は、一端部から他端部に向かうへき開によるものが好ましい。
接合体のイオン注入層に機械的衝撃を与える前に、場合によって、接合体の片側または両側の表面に補強材を固定することが好ましい。例えば、補強材を、接合体の支持ウェーハ側の側面、または、接合体の酸化物単結晶ウェーハ側の側面、若しくは、接合体の支持ウェーハ側と酸化物単結晶ウェーハ側の両方の側面の表面に取り付けてもよい。補強材としては、好ましくは、真空チャック、静電チャック、補強板、または保護テープである。真空チャックは、特に限定されるものではなく、多孔質ポリエチレン、アルミナ等の真空チャックが挙げられる。静電チャックは、特に限定されるものではなく、炭化ケイ素や窒化アルミニウム等のセラミクス製の静電チャックが挙げられる。真空チャックおよび静電チャックの形状は、特に限定されるものではないが、接合体の直径よりも大きいことが好ましい。補強板は、特に限定されるものではないが、プラスチックや金属、セラミクス等から作製してもよい。補強板の形状は、特に限定されるものではないが、接合体の直径よりも大きいことが好ましい。補強板は、例えば両面テープによって接合体に固定されてもよい。保護テープは、特に材質、厚さ等に限定されず、半導体製造工程で用いられるダイシングテープやＢＧテープ等が使用できる。補強材を用いることで、接合体に機械的衝撃を与えた際にイオン注入層以外での剥離や接合体の割れをより防止し、確実に剥離を行うことができる。
機械的衝撃を与える工程において接合体のイオン注入層に機械的衝撃を与える際の具体的な態様を図２〜５に示す。図２に示すように、接合体２６の支持ウェーハ２４側の表面２４ｓを真空チャック３０ａで固定ステージ３１上に固定した状態で、接合体２６のイオン注入層２３の端部に楔状の刃２９を接触させることで、イオン注入層２３に沿って剥離してもよい。また、楔状の刃２９の代わりに高圧エアまたは高圧水を用い、接合体の側面、例えばイオン注入層の端部から吹き付けることで剥離してもよい。機械的衝撃を与えるものとして高圧エアまたは高圧水を用いる場合、先に、接合体のイオン注入層の端部に楔状の刃を接触させてイオン注入層の端部に隙間を確保してから行ってもよい。
図３に示すように、接合体２６の支持ウェーハ２４側の表面２４ｓを真空チャック３０ａで固定ステージ３１上に固定し、接合体２６の酸化物単結晶ウェーハ２１側の表面２１ｓに両面テープ３２を用いて補強板３０ｂを設置した状態で、接合体２６のイオン注入層２３の端部に楔状の刃２９を接触させることで、イオン注入層２３に沿って剥離してもよい。なお、接合体の酸化物単結晶ウェーハ側の表面に取り付けた補強板は、真空チャックのタイプであってもよい。
図４に示すように、接合体２６の支持ウェーハ２４側の表面２４ｓを真空チャック３０ａで固定ステージ３１上に固定し、接合体２６の酸化物単結晶ウェーハ２１側の表面２１ｓに真空パッド３０ｃを取り付けて上方に例えば２〜１０ｋｇの力で引っ張った状態で、接合体２６のイオン注入層２３の端部に楔状の刃２９を接触させることで、イオン注入層２３に沿って剥離してもよい。また、図５に示すように、接合体２６の支持ウェーハ２４側の表面２４ｓを真空チャック３０ａで固定ステージ３１上に固定し、接合体２６の酸化物単結晶ウェーハ２１側の表面２１ｓに両面テープ３２を用いて補強板３０ｂを設置し、更に、補強板３０ｂの表面に真空パッド３０ｃを取り付けて上方に例えば２〜１０ｋｇの力で引っ張った状態で、接合体２６のイオン注入層２３の端部に楔状の刃２９を接触させることで、イオン注入層２３に沿って剥離してもよい。なお、図４および５において用いた真空パッドは、ウェーハ表面に吸盤で取り付けられる治具であれば特に限定されることなく、代用してもよい。図２〜５においては、接合体の支持ウェーハ側を固定した態様を示しているが、接合体の上下を逆に置き、酸化物単結晶ウェーハ側を固定する態様としても同様の効果が得られる。
機械的衝撃を与える工程において、接合体に機械的衝撃を与える時の接合体の温度は、加熱や冷却を行うことなく、あるいは、加熱や冷却を行って、室温近傍（室温を含む）の温度、例えば１０〜５０℃とすることが好ましく、２５〜３０℃とすることがより好ましい。機械的衝撃を与える時の接合体の温度は、周囲の雰囲気温度、例えば熱処理装置内に付随する熱電対などを用いて、炉やオーブン内の雰囲気温度を測定した温度であってもよいし、作業場の室内の温度であってもよい。接合体に機械的衝撃を与える時の接合体の温度は、上述した接合体を得る工程における貼り合わせる時の温度との間に所定の好ましい温度範囲を有している。例えば、接合体を得るための貼り合わせ時の温度と、機械的衝撃を与える時の接合体の温度との差は、好ましくは０〜４０℃以内であり、差が０℃に近いほど望ましい。所定の好ましい温度範囲を超えると、接合体の貼り合わせ界面に剥がれや割れが生じる場合がある。貼り合わせる時と機械的衝撃を与える時の接合体の温度の差を所定の範囲とすることで、機械的衝撃を与える工程において熱膨張に起因する反りの応力を最小限とすることができ、欠陥等の発生が極力抑制され得る。なお、接合体を得る工程は、クリーンルーム等の環境下（２５〜３０℃）で行うことが一般的であり、この場合、機械的衝撃を与える工程についても同様の雰囲気温度、つまり２５〜３０℃程度で行うことが望ましい。
以上の手法を用いることで、支持ウェーハと、支持ウェーハ上のタンタル酸リチウム薄膜またはニオブ酸リチウム薄膜である酸化物単結晶薄膜とを備えた複合ウェーハが得られる。得られた複合ウェーハの酸化物単結晶薄膜の厚さは、水素イオン注入時の水素イオンの注入深さに対応し、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
本発明にかかる複合ウェーハの製造工程は、特に限定されるものではないが、その一態様を図１に示す。酸化物単結晶ウェーハ１１の表面から水素イオン１２を注入し、酸化物単結晶ウェーハ１１の内部にイオン注入層１３を形成する（工程ａ）。酸化物単結晶ウェーハ１１のイオン注入した表面１１ｓと、酸化物単結晶ウェーハと貼り合わせる支持ウェーハ１４の表面１４ｓの両方に、イオンビーム１５を照射して表面活性化処理を施す（工程ｂ）。表面活性化処理を施した後、酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面１１ｓと、酸化物単結晶ウェーハと貼り合わせる支持ウェーハの表面１４ｓとを貼り合わせて接合体１６を得る（工程ｃ）。得られた接合体１６を９０℃以上の温度で熱処理する（工程ｄ）。熱処理した接合体１６の側面、つまり、イオン注入層１３の端部に楔状の刃１９を接触させてイオン注入層１３に沿って酸化物単結晶ウェーハの一部１１ｂを剥離し、支持ウェーハ１４上に酸化物単結晶薄膜１１ａを転写することによって、複合ウェーハ１８を得ることができる（工程ｅ）。
＜実験１＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのサファイアウェーハを用いた。酸化物単結晶ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのタンタル酸リチウムウェーハを用いた。サファイアウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳを原子間力顕微鏡で評価したところ、１．０ｎｍ以下であった。
まず、サファイアウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面に、窒素雰囲気下でプラズマ活性化装置を用いてプラズマ処理を施し、表面活性化を行った。次に、表面活性化したサファイアウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの表面を室温（２５℃）で貼り合わせて接合体を得た。次に、接合体が７０、８０、９０、１００、１１０、１２５、１５０、１７５、２００、２２５、２５０、または２７５℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った。加熱手段には、熱処理オーブンを用い、熱電対でオーブン内の雰囲気温度を測定して接合体の温度とした。得られた接合体の外観検査の結果を表１に示す。なお、外観検査は目視で行い、割れや欠けがないものを○、微小なクラックが有るものを△、ウェーハが破損したものを×とした。支持ウェーハをサファイアとすると、熱処理温度を７０〜２２５℃としたサンプルについては、割れや欠けが発生せず、接合していることが確認できた。
＜実験２＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのシリコンウェーハを用いて、接合体が７０、８０、９０、１００、１１０、１２５、１５０、１７５、２００、または２２５℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った以外は実験１と同様に行った。なお、シリコンウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。得られた接合体の外観検査の結果を表１に示す。支持ウェーハをシリコンとすると、熱処理温度を７０〜２００℃としたサンプルについては、割れや欠けが発生せず、接合していることが確認できた。
＜実験３＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのシリコンウェーハ上に１００ｎｍの酸化膜を付したシリコンウェーハを用いて、接合体が７０、８０、９０、１００、１１０、１２５、１５０、１７５、２００、または２２５℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った以外は実験１と同様に行った。なお、酸化膜付きシリコンウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。得られた接合体の外観検査の結果を表１に示す。なお、酸化膜付きシリコンウェーハは、予めシリコンウェーハを１１００℃で１時間程度加熱することにより、シリコンウェーハ上に１００ｎｍの熱酸化膜を成長させたシリコンウェーハとした。支持ウェーハを酸化膜付きシリコンとすると、熱処理温度を７０〜２００℃としたサンプルについては、割れや欠けが発生せず、接合していることが確認できた。
＜実験４＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのガラスウェーハを用いて、接合体が７０、８０、９０、１００、１１０、または１２５℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った以外は実験１と同様に行った。なお、ガラスウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。得られた接合体の外観検査の結果を表１に示す。支持ウェーハをガラスとすると、熱処理温度を７０〜１１０℃としたサンプルについては、割れや欠けが発生せず、接合していることが確認できた。
Figure 2016225538
実験１〜４はタンタル酸リチウムウェーハを用いたが、酸化物単結晶ウェーハとしてニオブ酸リチウムウェーハを用いて実験１〜４と同様の実験を行っても、表１と同じ結果を得た。また、表面活性化処理をプラズマ処理の代わりに、オゾン水処理、ＵＶオゾン処理、真空イオンビーム処理とした場合でも、全く同一の結果が得られた。これらの結果から上記の活性化方法いずれの場合も有効であり、且つ、タンタル酸リチウムとニオブ酸リチウムとの間に差異は無いことが判明した。
＜実施例１＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのサファイアウェーハを用いた。酸化物単結晶ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのタンタル酸リチウムウェーハを用いた。サファイアウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。
まず、タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量７．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成した。次に、イオン注入したタンタル酸リチウムウェーハの表面と、タンタル酸リチウムウェーハと貼り合わせようとするサファイアウェーハの表面に、７×１０−６Ｐａ下で真空イオンビーム装置を用いてＡｒをイオン源とし、真空イオンビーム処理を施し、表面活性化を行った。次に、表面活性化したサファイアウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの表面を室温（２５℃）で貼り合わせて接合体を得た。次に、接合体が９０、１００、１１０、１２５、１５０、１７５、２００、または２２５℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った。なお、加熱手段として、熱処理オーブンを用い、熱電対でオーブン内の雰囲気温度を測定して接合体の温度とした。熱処理した接合体を室温に下がるまで静置し、その後、室温（２５℃）で、接合体のイオン注入層に楔状の刃を接触させてイオン注入層に沿って剥離し、サファイアウェーハ上にタンタル酸リチウム薄膜を転写した複合ウェーハを得た。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。なお、外観検査は、目視で行い、薄膜の転写がウェーハ全面において出来ているものを○、薄膜の転写が一部不良であるものを△、薄膜の転写ができなかったものを×とした。
＜比較例１＞
接合体を７０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例１と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜比較例２＞
接合体を８０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例１と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜実施例２＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのシリコンウェーハを用いて、接合体が９０、１００、１１０、１２５、１５０、１７５、または２００℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った以外は実施例１と同様に行った。なお、シリコンウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜比較例３＞
接合体を７０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例２と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜比較例４＞
接合体を８０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例２と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜実施例３＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのシリコンウェーハ上に１００ｎｍの酸化膜を付したシリコンウェーハを用いて、接合体が９０、１００、１１０、１２５、１５０、１７５、または２００℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った以外は実施例１と同様に行った。なお、酸化膜付きシリコンウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。なお、酸化膜付きシリコンウェーハは、予めシリコンウェーハを１１００℃で１時間加熱することにより、シリコンウェーハ上に１００ｎｍの熱酸化膜を成長させたシリコンウェーハとした。
＜比較例５＞
接合体を７０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例３と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜比較例６＞
接合体を８０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例３と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜実施例４＞
支持ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのガラスウェーハを用いて、接合体が９０、１００、または１１０℃となるように各々加熱し、各温度において２４時間加熱処理を行った以外は実施例１と同様に行った。なお、ガラスウェーハおよびタンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜比較例７＞
接合体を７０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例４と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
＜比較例８＞
接合体を８０℃で２４時間加熱処理した以外は実施例４と同様にして実施した。得られた複合ウェーハの外観検査の結果を表２に示す。
Figure 2016225538
表２に示すように、支持ウェーハをサファイアとし、熱処理温度を９０〜２２５℃としたサンプル、支持ウェーハをシリコンとし、熱処理温度を９０〜２００℃としたサンプル、支持ウェーハを酸化膜付きシリコンとし、熱処理温度を９０〜２００℃としたサンプル、および、支持ウェーハをガラスとし、熱処理温度を９０〜１１０℃としたサンプルについては、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。
いずれの支持ウェーハにおいても、熱処理温度を７０℃とした場合に、イオン注入層での剥離は生じず、貼り合わせた両ウェーハの界面で剥がれが生じた。また、熱処理温度を８０℃とした場合には、支持ウェーハ上にタンタル酸リチウム薄膜が転写できた部分と一部未転写の部分が発生した。７０℃および８０℃ではイオン注入界面での脆化が十分でなく、また、両ウェーハの貼り合わせの接合力が不足し、全面転写に至らなかったものと思われる。
また、酸化物単結晶ウェーハとしてニオブ酸リチウムウェーハを用いて実施例１〜４と同様の実験についても行ったが、表２と同じ結果を得た。また、表面活性化処理を真空イオンビーム処理の代わりに、オゾン水処理、ＵＶオゾン処理、プラズマ処理とした場合でも結果は全く同一であった。
＜実施例５＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を５．０×１０１６、７．５×１０１６、１０×１０１６、１２．５×１０１６、１５×１０１６、１７．５×１０１６、２０×１０１６、２２．５×１０１６、２５×１０１６、または２７．５×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件で各々イオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成したことと、接合体を９０℃で２４時間加熱処理を行った以外は実施例１と同様に実施した。
＜比較例９＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を４．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成した以外は実施例５と同様に実施した。
＜参考例１＞
酸化物単結晶ウェーハとして、直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのタンタル酸リチウムウェーハを用いた。タンタル酸リチウムウェーハの互いに貼り合わせに用いる面の表面粗さＲＭＳは、１．０ｎｍ以下であった。タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量３０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成した。結果、貼り合わせる前のタンタル酸リチウムウェーハの表面上に凹凸が観察され、貼り合わせ時の所望の表面粗さとならないため貼り合わせを行わなかった。タンタル酸リチウムウェーハの表面上の凹凸は、注入した水素が固溶しきれずに内部で発泡したため生じたと思われる。
＜実施例６＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を５．０×１０１６、７．５×１０１６、１０×１０１６、１２．５×１０１６、１５×１０１６、１７．５×１０１６、２０×１０１６、２２．５×１０１６、２５×１０１６、または２７．５×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件で各々イオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成したことと、接合体を９０℃で２４時間加熱処理を行った以外は実施例２と同様に実施した。
＜比較例１０＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を４．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成した以外は実施例６と同様に実施した。
＜実施例７＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を５．０×１０１６、７．５×１０１６、１０×１０１６、１２．５×１０１６、１５×１０１６、１７．５×１０１６、２０×１０１６、２２．５×１０１６、２５×１０１６、または２７．５×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件で各々イオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成したことと、接合体を９０℃で２４時間加熱処理を行った以外は実施例３と同様に実施した。
＜比較例１１＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を４．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成した以外は実施例７と同様に実施した。
＜実施例８＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を５．０×１０１６、７．５×１０１６、１０×１０１６、１２．５×１０１６、１５×１０１６、１７．５×１０１６、２０×１０１６、２２．５×１０１６、２５×１０１６、または２７．５×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件で各々イオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成したことと、接合体を９０℃で２４時間加熱処理を行った以外は実施例４と同様に実施した。
＜比較例１２＞
タンタル酸リチウムウェーハの表面から、水素原子イオンを用いて注入量を４．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイオン注入を行い、タンタル酸リチウムウェーハの内部にイオン注入層を形成した以外は実施例８と同様に実施した。
水素原子イオン注入量を５．０×１０１６〜２７．５×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２とした実施例５〜８の場合、いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。一方、水素原子イオン注入量を４．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２とした比較例９〜１２の場合、いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、タンタル酸リチウムウェーハのイオン注入層で剥離は生じなかった。これはイオン注入量が十分ではなく、後の工程で脆化に至らなかったためと思われる。
なお、実施例５〜８では水素原子イオンを用いたが、水素分子イオンを用いてその注入量を水素原子イオンの注入量の半分とすることでも、同様の結果を得ることができた。また、酸化物単結晶ウェーハとしてニオブ酸リチウムウェーハを用いても実施例５〜８と同じ結果を得ることができた。
＜実施例９〜１２＞
接合体を１１０℃で２４時間加熱処理を行い、熱処理した後に室温（２５℃）まで冷却した接合体の支持ウェーハ側の表面を真空チャックで固定ステージ上に固定した状態で、接合体のイオン注入層に楔状の刃を接触させてイオン注入層に沿って剥離した以外は、実施例１〜４と同様にして行った。いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。
＜実施例１３〜１６＞
接合体を１１０℃で２４時間加熱処理を行い、熱処理した後に室温（２５℃）まで冷却した接合体の支持ウェーハ側の表面を真空チャックで固定ステージ上に固定し、接合体のタンタル酸リチウムウェーハ側の表面に両面テープを用いて直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのガラス製の補強板を設置した状態で、接合体のイオン注入層に楔状の刃を接触させてイオン注入層に沿って剥離した以外は、実施例１〜４と同様にして行った。いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。
＜実施例１７〜２０＞
接合体を１１０℃で２４時間加熱処理を行い、熱処理した後に室温（２５℃）まで冷却した接合体の支持ウェーハ側の表面を真空チャックで固定ステージ上に固定し、接合体のタンタル酸リチウムウェーハ側の表面の端部から１０ｍｍの位置に直径１０ｍｍの真空パッドを取り付け、真空パッドを上方に５ｋｇの力で引っ張った状態で、接合体のイオン注入層に楔状の刃を接触させてイオン注入層に沿って剥離した以外は、実施例１〜４と同様にして行った。いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。
＜実施例２１〜２４＞
接合体を１１０℃で２４時間加熱処理を行い、熱処理した後に室温（２５℃）まで冷却した接合体の支持ウェーハ側の表面を真空チャックで固定ステージ上に固定し、接合体のタンタル酸リチウムウェーハ側の表面に両面テープを用いて直径１００ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍのガラス製の補強板を設置し、更に、補強板の表面の端部から１０ｍｍの位置に直径１０ｍｍの真空パッドを取り付け、真空パッドを上方に５ｋｇの力で引っ張った状態で、接合体のイオン注入層に楔状の刃を接触させてイオン注入層に沿って剥離した以外は、実施例１〜４と同様にして行った。いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。
＜実施例２５〜２８＞
接合体を１１０℃で２４時間加熱処理を行い、熱処理した後に室温（２５℃）まで冷却した接合体の支持ウェーハ側の表面を真空チャックで固定ステージ上に固定した状態で、接合体のイオン注入層に高圧エアを流速５０Ｌ／ｍｉｎで吹き付けながらイオン注入層に沿って剥離した以外は、実施例１〜４と同様にして行った。いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。
＜実施例２９〜３２＞
接合体を１１０℃で２４時間加熱処理を行い、熱処理した後に室温（２５℃）まで冷却した接合体の支持ウェーハ側の表面を真空チャックで固定ステージ上に固定した状態で、接合体のイオン注入層に高圧水を流速３０Ｌ／ｍｉｎで吹き付けながらイオン注入層に沿って剥離した以外は、実施例１〜４と同様にして行った。いずれの支持ウェーハを用いた場合でも、支持ウェーハ上の全面にタンタル酸リチウム薄膜が転写されたことを確認した。
１１ ：酸化物単結晶ウェーハ
１１ｓ ：酸化物単結晶ウェーハの表面
１１ａ ：酸化物単結晶ウェーハ薄膜
１１ｂ ：剥離した後の酸化物単結晶ウェーハ
１２ ：水素イオン
１３ ：イオン注入層
１４ ：支持ウェーハ
１４ｓ ：支持ウェーハの表面
１５ ：イオンビーム照射
１６ ：接合体
１８ ：複合ウェーハ
１９ ：楔状の刃
２１ ：接合体の酸化物単結晶ウェーハ
２１ｓ ：接合体の酸化物単結晶ウェーハ側の表面
２３ ：接合体のイオン注入層
２４ ：接合体の支持ウェーハ
２４ｓ ：接合体の支持ウェーハ側の表面
２６ ：接合体
２９ ：楔状の刃
３０ａ ：真空チャック
３０ｂ ：補強板
３０ｃ ：真空パッド
３１ ：固定ステージ
３２ ：両面テープ

Claims (11)

  1. タンタル酸リチウムウェーハまたはニオブ酸リチウムウェーハである酸化物単結晶ウェーハの表面から水素原子イオンまたは水素分子イオンを注入し、前記酸化物単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成する工程と、
    前記酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と、前記酸化物単結晶ウェーハと貼り合わせようとする支持ウェーハの表面の少なくとも一方に、表面活性化処理を施す工程と、
    前記表面活性化処理を施した後、前記酸化物単結晶ウェーハのイオン注入した表面と、前記支持ウェーハの表面とを貼り合わせて接合体を得る工程と、
    前記接合体を９０℃以上であって割れを生じない温度で熱処理する工程と、
    前記熱処理した接合体の前記イオン注入層に機械的衝撃を与える工程であって、前記イオン注入層に沿って剥離し、前記支持ウェーハ上に転写された酸化物単結晶薄膜を得る、工程と
    を少なくとも含み、
    前記水素原子イオンの注入量が、５．０×１０１６ａｔｏｍ／ｃｍ２〜２．７５×１０１７ａｔｏｍ／ｃｍ２であり、前記水素分子イオンの注入量が、２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２〜１．３７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２である、
    支持ウェーハ上に酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法。
  2. 前記支持ウェーハがサファイア、シリコン、酸化膜付きシリコン、およびガラスからなる群から選ばれるウェーハであり、
    前記熱処理する工程における前記温度が、前記支持ウェーハがサファイアウェーハであるときは９０〜２２５℃であり、前記支持ウェーハがシリコンウェーハまたは酸化膜付きシリコンウェーハであるときは９０〜２００℃であり、前記支持ウェーハがガラスウェーハであるときは９０〜１１０℃である、請求項１に記載の複合ウェーハの製造方法。
  3. 前記表面活性化処理が、オゾン水処理、ＵＶオゾン処理、イオンビーム処理、およびプラズマ処理から選ばれる、請求項１または２に記載の複合ウェーハの製造方法。
  4. 前記接合体を得るための前記貼り合わせ時の温度と、前記機械的衝撃を与える時の前記接合体の温度との差が、０〜４０℃以内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合ウェーハの製造方法。
  5. 前記機械的衝撃を与える工程が、前記接合体の片側または両側の表面に補強材を固定した後に、前記イオン注入層に前記機械的衝撃を与えることを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合ウェーハの製造方法。
  6. 前記補強材が、真空チャック、静電チャックまたは補強板である、請求項５に記載の複合ウェーハの製造方法。
  7. 前記補強板が、両面テープによって固定される、請求項６に記載の複合ウェーハの製造方法。
  8. 前記機械的衝撃が、前記イオン注入層に楔状の刃を接触させることで与えられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の複合ウェーハの製造方法。
  9. 前記機械的衝撃が、前記イオン注入層に気体もしくは液体の流体を吹き付けることで与えられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の複合ウェーハの製造方法。
  10. 前記機械的衝撃が、前記イオン注入層に楔状の刃を接触させることと、前記イオン注入層に気体もしくは液体の流体を吹き付けることで与えられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の複合ウェーハの製造方法。
  11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の複合ウェーハの製造方法によって得られる、支持ウェーハと、前記支持ウェーハ上のタンタル酸リチウム薄膜またはニオブ酸リチウム薄膜である酸化物単結晶薄膜とを備えた複合ウェーハ。
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KR1020177033743A KR102658526B1 (ko) 2015-06-02 2016-06-01 산화물 단결정 박막을 구비한 복합 웨이퍼의 제조 방법
EP16803410.6A EP3306643B1 (en) 2015-06-02 2016-06-01 Method for producing composite wafer provided with oxide single-crystal thin film
CN201680031978.1A CN107636801B (zh) 2015-06-02 2016-06-01 具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法
TW105117208A TWI694497B (zh) 2015-06-02 2016-06-01 具備氧化物單結晶薄膜之複合晶圓之製造方法
PCT/JP2016/066282 WO2016194976A1 (ja) 2015-06-02 2016-06-01 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
US15/577,683 US10971674B2 (en) 2015-06-02 2016-06-01 Method for producing composite wafer having oxide single-crystal film

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020027075A1 (ja) 2018-08-01 2020-02-06 京セラ株式会社 複合基板、圧電素子および複合基板の製造方法
JP2020526008A (ja) * 2017-06-30 2020-08-27 ソイテックＳｏｉｔｅｃ 異なる熱膨張係数を有する支持基板に薄層を移転する方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6563360B2 (ja) * 2016-04-05 2019-08-21 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
JP7050940B2 (ja) * 2017-10-13 2022-04-08 ジーナン ジンジョン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ナノレベルの単結晶薄膜
CN108707970B (zh) * 2018-08-07 2023-09-26 济南晶正电子科技有限公司 微米级单晶薄膜
FR3093858B1 (fr) * 2019-03-15 2021-03-05 Soitec Silicon On Insulator Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support
CN113053737B (zh) * 2019-12-26 2022-09-20 济南晶正电子科技有限公司 一种单晶薄膜剥离方法
CN113299576B (zh) * 2020-02-21 2022-11-22 济南晶正电子科技有限公司 一种薄膜机械分离装置
CN112259675B (zh) * 2020-10-19 2022-10-28 济南晶正电子科技有限公司 一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件
CN112259676B (zh) * 2020-10-19 2022-11-01 济南晶正电子科技有限公司 一种具有图案的薄膜键合体、制备方法及电子器件
CN112467024B (zh) * 2020-11-24 2023-04-07 上海新硅聚合半导体有限公司 一种异质结构薄膜衬底的制备方法
EP4297069A1 (en) 2021-02-19 2023-12-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composite wafer and manufacturing method therefor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109949A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Murata Mfg Co Ltd 電子デバイスの製造方法および圧電デバイスの製造方法
JP2011138932A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 応力を低減したｓｏｓ基板
WO2014017369A1 (ja) * 2012-07-25 2014-01-30 信越化学工業株式会社 ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板
JP2015046486A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 信越化学工業株式会社 窒化物半導体薄膜を備えた複合基板の製造方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS604599B2 (ja) * 1976-03-17 1985-02-05 株式会社東芝 タンタル酸リチウム単結晶の製造方法
US5668057A (en) * 1991-03-13 1997-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Methods of manufacture for electronic components having high-frequency elements
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
CA2133300C (en) * 1993-11-01 1999-04-27 Hirotoshi Nagata Optical waveguide device
EP0742598B1 (en) * 1995-05-08 2000-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a composite substrate and a piezoelectric device using the substrate
US6319430B1 (en) * 1997-07-25 2001-11-20 Crystal Technology, Inc. Preconditioned crystals of lithium niobate and lithium tantalate and method of preparing the same
JP3048201U (ja) 1997-10-17 1998-05-06 株式会社えねい建設 建築材料の支持台
JPH11163363A (ja) * 1997-11-22 1999-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6540827B1 (en) 1998-02-17 2003-04-01 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Slicing of single-crystal films using ion implantation
JP2000269779A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Shin Etsu Chem Co Ltd 弾性表面波又は疑似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハ及びその製造方法
JP4708577B2 (ja) 2001-01-31 2011-06-22 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
JP2002353082A (ja) 2001-05-28 2002-12-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2003095798A (ja) 2001-09-27 2003-04-03 Hoya Corp 単結晶基板の製造方法
US6803028B2 (en) * 2002-04-08 2004-10-12 Corning Incorporated Method of making stoichiometric lithium niobate
WO2004079061A1 (ja) * 2003-03-06 2004-09-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. タンタル酸リチウム結晶の製造方法
US7374612B2 (en) * 2003-09-26 2008-05-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of producing single-polarized lithium tantalate crystal and single-polarized lithium tantalate crystal
JP5064695B2 (ja) 2006-02-16 2012-10-31 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉ基板の製造方法
WO2008098404A2 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 ETH Zürich Method for manufacturing a single-crystal film, and integrated optical device comprising such a single-crystal film
US8088670B2 (en) 2007-04-18 2012-01-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing bonded substrate with sandblast treatment
JP5274859B2 (ja) 2007-04-18 2013-08-28 信越化学工業株式会社 貼り合わせ基板の製造方法
US7763502B2 (en) * 2007-06-22 2010-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor device, and electronic device
KR101484296B1 (ko) * 2007-06-26 2015-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기판의 제작방법
EP2009687B1 (en) * 2007-06-29 2016-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing an SOI substrate and method of manufacturing a semiconductor device
US7678668B2 (en) * 2007-07-04 2010-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device
US20100280355A1 (en) 2007-12-14 2010-11-04 Grimm Richard A System and method to characterize cardiac function
WO2009081651A1 (ja) * 2007-12-25 2009-07-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合圧電基板の製造方法
JP5496598B2 (ja) * 2008-10-31 2014-05-21 信越化学工業株式会社 シリコン薄膜転写絶縁性ウェーハの製造方法
JP5496608B2 (ja) 2008-11-12 2014-05-21 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉ基板の作製方法
JP5455595B2 (ja) 2008-12-11 2014-03-26 信越化学工業株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
JP5389627B2 (ja) * 2008-12-11 2014-01-15 信越化学工業株式会社 ワイドバンドギャップ半導体を積層した複合基板の製造方法
FR2961515B1 (fr) * 2010-06-22 2012-08-24 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de silicium monocristallin sur une couche de polymere
FR2961719B1 (fr) 2010-06-24 2013-09-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement d'une piece en un materiau compose
CN102443851B (zh) * 2010-10-13 2014-08-20 济南晶正电子科技有限公司 一种薄膜材料的剥离方法
FR2969664B1 (fr) * 2010-12-22 2013-06-14 Soitec Silicon On Insulator Procede de clivage d'un substrat
JP5703853B2 (ja) * 2011-03-04 2015-04-22 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
US20120247686A1 (en) 2011-03-28 2012-10-04 Memc Electronic Materials, Inc. Systems and Methods For Ultrasonically Cleaving A Bonded Wafer Pair
JP2013149853A (ja) 2012-01-20 2013-08-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 薄膜付き基板の製造方法
TWI538018B (zh) * 2013-03-27 2016-06-11 Ngk Insulators Ltd Semiconductor substrate for composite substrate
CN104078407B (zh) 2013-03-29 2018-12-04 济南晶正电子科技有限公司 薄膜和制造薄膜的方法
US10095057B2 (en) * 2013-10-23 2018-10-09 Honeywell International Inc. Treatment and/or stabilizing gases in an optical gyro based on an inorganic waveguide

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010109949A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Murata Mfg Co Ltd 電子デバイスの製造方法および圧電デバイスの製造方法
JP2011138932A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 応力を低減したｓｏｓ基板
WO2014017369A1 (ja) * 2012-07-25 2014-01-30 信越化学工業株式会社 ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板
JP2015046486A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 信越化学工業株式会社 窒化物半導体薄膜を備えた複合基板の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020526008A (ja) * 2017-06-30 2020-08-27 ソイテックＳｏｉｔｅｃ 異なる熱膨張係数を有する支持基板に薄層を移転する方法
US11742817B2 (en) 2017-06-30 2023-08-29 Soitec Process for transferring a thin layer to a support substrate that have different thermal expansion coefficients
WO2020027075A1 (ja) 2018-08-01 2020-02-06 京セラ株式会社 複合基板、圧電素子および複合基板の製造方法
US12003227B2 (en) 2018-08-01 2024-06-04 Kyocera Corporation Composite substrate, piezoelectric device, and method for manufacturing composite substrate

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