JP2016206680A5

JP2016206680A5 - レジスト潜像形成方法

Info

Publication number: JP2016206680A5
Application number: JP2016147432A
Authority: JP
Filing date: 2016-07-27
Publication date: 2017-03-23
Anticipated expiration: 2034-02-20

Claims

第１エネルギービームの吸収に伴って、レジスト層内の増感体前駆体から増感体を生成する増感体生成ステップと、
第２エネルギービームの吸収に伴って、前記レジスト層内の前記増感体が励起状態と励起前の状態に戻ることを繰り返すことにより、前記レジスト層に潜像を形成する潜像形成ステップと、
を含有する、レジスト潜像形成方法。
前記第１エネルギービームを吸収することなく前記第２エネルギービームを吸収しても前記増感体は生成されない、請求項１に記載のレジスト潜像形成方法。
前記第１エネルギービームを吸収することなく前記第２エネルギービームを吸収しても前記増感体が生成される、請求項１に記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体前駆体は、ビス（４−メトキシフェニル）メタノール（ＤＯＭｅＢｚＨ）、ジメトキシベンズヒドロール誘導体（ＤＯＢｚＭＭ）およびトリメトキシベンズヒドロール（ＴｒｉＯＭｅＢｚＨ）からなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記潜像形成ステップにおいて、前記第２エネルギービームの波長は、前記第１エネルギービームの波長よりも長い、請求項１から請求項４のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップにおいて、前記第１エネルギービームは、紫外線、深紫外線、極端紫外線又はＸ線を含む電磁波、電子線、又はイオンビームであり、
前記潜像形成ステップにおいて、前記第２エネルギービームは、可視光又は紫外光である、請求項１から請求項５のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップにおいて、前記第１エネルギービームの吸収に伴って前記増感体とともに酸を生成する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップにおいて、前記第１エネルギービームの吸収に伴って、前記増感体と酸とのうち前記増感体のみを生成する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記潜像形成ステップにおいて、前記第２エネルギービームの吸収に伴って酸を生成する、請求項１から請求項７のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記潜像形成ステップにおいて、前記第２エネルギービームの吸収に伴って酸とともに前記増感体を生成する、請求項１から請求項７のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記潜像形成ステップにおいて、前記第２エネルギービームの吸収に伴って前記増感体を生成することなく酸を生成する、請求項１から請求項７のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップは、前記レジスト層に活性種を生成するステップを含み、
前記レジスト潜像形成方法は、前記レジスト層に生成した活性種の減衰を抑制する減衰抑制ステップをさらに含有する、請求項１から請求項１１のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記潜像形成ステップは、前記レジスト層に活性種の生成された状態で、前記第２エネルギービームの吸収に伴って、前記レジスト層に潜像を形成する、請求項１から請求項１２のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップにおいて、前記増感体前駆体が酸発生剤として機能する、請求項１から請求項１３のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体前駆体が酸発生剤として機能し、
前記第１エネルギービームの吸収に伴って、電子が生成し、
前記増感体前駆体は前記生成した電子と反応して、前記増感体と酸とを生成する、請求項１から請求項７のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記レジスト層は、酸発生剤をさらに含有し、
前記第１エネルギービームの吸収に伴って、電子が生成し、
前記酸発生剤と前記生成した電子との反応で、中間活性種が生成し、
前記生成した中間活性種と前記増感体前駆体との反応で前記増感体が生成する、請求項１から請求項１４のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記レジスト層は、酸発生剤をさらに含有し、
前記第１エネルギービームの吸収に伴って、前記酸発生剤から酸が生成し、
前記生成した酸と前記増感体前駆体とが反応して、前記増感体が生成する、請求項１から請求項７のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップは、前記潜像形成ステップと同時に実行される、請求項１から請求項１７のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップにおいて前記第１エネルギービームを出射する第１エネルギー源は、前記潜像形成ステップにおいて前記第２エネルギービームを出射する第２エネルギー源と同一である、請求項１から請求項１８のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップにおいて前記第１エネルギービームを出射する第１エネルギー源は、前記潜像形成ステップにおいて前記第２エネルギービームを出射する第２エネルギー源と異なる、請求項１から請求項１８のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記増感体生成ステップにおいて前記増感体はラジカル、イオンまたはイオンラジカルを含む中間体を有する、請求項１から請求項２０のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記潜像形成ステップにおいて、前記潜像は前記増感体とは異なる物質によって形成される、請求項１から請求項２１のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記潜像形成ステップにおいて、前記増感体は前記第２エネルギービームによる前記潜像の形成を促進する、請求項１から請求項２２のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。
前記レジスト層は、酸発生剤をさらに含有し、
前記潜像形成ステップにおいて、前記増感体が前記第２エネルギービームの吸収によって励起し、前記励起した増感体から前記酸発生剤への電子移動により、前記増感体は励起前の状態に戻り前記酸発生剤から酸が生成する、請求項１から請求項２３のいずれかに記載のレジスト潜像形成方法。