JP6726558B2 - 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 - Google Patents
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Description
基板処理システム1は、基板に対し、被膜の形成、当該被膜の露光、及び当該被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。被膜は、例えば感光性のレジスト膜を含む。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1〜図3に示すように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、コントローラ100とを備える。
続いて、処理モジュール17の液処理ユニットU1について詳細に説明する。処理モジュール15の液処理ユニットU1は、図4に示す現像ユニット20を含む。現像ユニット20は、回転保持部30と、現像液供給部40(第一現像液供給部)と、現像液供給部50(第二現像液供給部)と、リンス液供給部60とを備える。
続いて、処理モジュール17の光照射ユニットU3について詳細に説明する。光照射ユニットU3は、図5に示すフラッド露光ユニット70を含む。フラッド露光ユニット70は、支持台71と光源72とを有する。
コントローラ100は、キャリアブロック4、処理ブロック5及びインタフェースブロック6を制御する。コントローラ100は、上記被膜をウェハWの表面Waに形成する被膜形成処理を実行するように処理モジュール14,15,16を制御することと、第一露光処理(露光装置3における露光処理)により発生した光増感剤から第二成分にエネルギーを供給して酸を発生させるように、光増感剤を励起するための光を被膜に照射する第二露光処理を実行するように処理モジュール17の光照射ユニットU3を制御することと、第二露光処理により発生した酸による触媒反応を促進するように被膜を加熱する第一加熱処理を実行するように処理モジュール17の熱処理ユニットU2を制御することと、第一現像液を被膜に供給する第一現像処理を実行するように処理モジュール17の液処理ユニットU1を制御することと、第一現像処理の後に、被膜内に残留した光増感剤から第二成分にエネルギーを供給して酸を発生させるように、光増感剤を励起するための光を被膜に照射する第三露光処理を実行するように処理モジュール17の光照射ユニットU3を制御することと、第三露光処理により発生した酸による触媒反応を促進するように被膜を加熱する第二加熱処理を実行するように処理モジュール17の熱処理ユニットU2を制御することと、第二現像液を被膜に供給する第二現像処理を実行するように処理モジュール17の液処理ユニットU1を制御することと、を実行するように構成されている。
続いて、基板処理方法の一例として、コントローラ100の制御に応じて塗布・現像装置2が実行する基板処理手順を説明する。図8は、基板処理手順を示すフローチャートである。図9及び図10は、基板処理手順におけるウェハWの状態を示す模式図である。図9及び図10では、被膜Fのうち下層膜及び上層膜の図示を省略し、レジスト膜のみを図示している。
本実施形態に係る基板処理方法は、第一露光処理によって光増感剤Cを発生させる第一成分と、光増感剤Cからのエネルギーの供給に応じて酸ACを発生させる第二成分とを含む被膜FをウェハWの表面Waに形成する被膜形成処理と、第一露光処理にて発生した光増感剤Cから第二成分にエネルギーを供給して酸ACを発生させるように、光増感剤Cを励起するための光を被膜Fに照射する第二露光処理と、第二露光処理にて発生した酸ACによる触媒反応を促進するように被膜Fを加熱する第一加熱処理と、第一加熱処理における触媒反応が生じた箇所を溶解させる第一現像液を被膜Fに供給する第一現像処理と、第一現像処理の後に、被膜F内に残留した光増感剤Cから第二成分にエネルギーを供給して酸ACを発生させるように、光増感剤Cを励起するための光を被膜Fに照射する第三露光処理と、第三露光処理にて発生した酸ACによる触媒反応を促進するように被膜Fを加熱する第二加熱処理と、第二加熱処理における触媒反応が生じていない箇所を溶解させる第二現像液を被膜Fに供給する第二現像処理と、を含む。
Claims (6)
- 第一露光処理によって光増感剤を発生させる第一成分と、前記光増感剤からのエネルギーの供給に応じて酸を発生させる第二成分とを含む被膜を基板の表面に形成する被膜形成処理と、
前記第一露光処理にて発生した前記光増感剤から前記第二成分に前記エネルギーを供給して酸を発生させるように、前記光増感剤を励起するための光を前記被膜に照射する第二露光処理と、
前記第二露光処理にて発生した酸による触媒反応を促進するように前記被膜を加熱する第一加熱処理と、
前記第一加熱処理における前記触媒反応が生じた箇所を溶解させる第一現像液を前記被膜に供給する第一現像処理と、
前記第一現像処理の後に、前記被膜内に残留した前記光増感剤から前記第二成分に前記エネルギーを供給して酸を発生させるように、前記光増感剤を励起するための光を前記被膜に照射する第三露光処理と、
前記第三露光処理にて発生した酸による前記触媒反応を促進するように前記被膜を加熱する第二加熱処理と、
前記第二加熱処理における前記触媒反応が生じていない箇所を溶解させる第二現像液を前記被膜に供給する第二現像処理と、を含む基板処理方法。 - 前記第二加熱処理では、前記第一加熱処理に比較して低い温度にて前記被膜を加熱する、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記第一現像液はアルカリ現像液であり、前記第二現像液は有機現像液である、請求項1又は2記載の基板処理方法。
- 前記光増感剤はカルボニル化合物を含有する、請求項1〜3のいずれか一項記載の基板処理方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項記載の基板処理方法を実行するための装置であって、
前記被膜を前記基板の表面に形成する被膜形成部と、
前記光増感剤を励起するための光を前記被膜に照射する光照射部と、
前記被膜を加熱する加熱部と、
前記被膜に前記第一現像液を供給する第一現像液供給部と、
前記被膜に前記第二現像液を供給する第二現像液供給部と、を備える基板処理装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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