RU2008100283A - Способ создания маски на поверхности подложки - Google Patents
Способ создания маски на поверхности подложки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008100283A RU2008100283A RU2008100283/28A RU2008100283A RU2008100283A RU 2008100283 A RU2008100283 A RU 2008100283A RU 2008100283/28 A RU2008100283/28 A RU 2008100283/28A RU 2008100283 A RU2008100283 A RU 2008100283A RU 2008100283 A RU2008100283 A RU 2008100283A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resist
- polymer resist
- polymer
- exposure
- radiation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
1. Способ создания маски на поверхности подложки, включающий нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, экспонирование заданных участков поверхности резиста и последующее проявление созданной на резисте структуры, отличающийся тем, что после экспонирования и перед проявлением поверхность резиста дополнительно облучается светом с энергией кванта меньше порога фотодеструкции полимерного резиста. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится излучением с длиной волны не более 200 нм, предпочтительно лазерным излучением. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится пучком электронов и/или атомных частиц - протонов и/или ионов. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится рентгеновским излучением. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительное облучение полимерного резиста производится импульсно-периодическим светом с энергией кванта меньше порога фотодеструкции полимерного резиста. ! 6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится с дозой, составляющей не более 70% от величины, необходимой для последующего проявления создаваемой на полимерном резисте структуры.
Claims (6)
1. Способ создания маски на поверхности подложки, включающий нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, экспонирование заданных участков поверхности резиста и последующее проявление созданной на резисте структуры, отличающийся тем, что после экспонирования и перед проявлением поверхность резиста дополнительно облучается светом с энергией кванта меньше порога фотодеструкции полимерного резиста.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится излучением с длиной волны не более 200 нм, предпочтительно лазерным излучением.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится пучком электронов и/или атомных частиц - протонов и/или ионов.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится рентгеновским излучением.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительное облучение полимерного резиста производится импульсно-периодическим светом с энергией кванта меньше порога фотодеструкции полимерного резиста.
6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится с дозой, составляющей не более 70% от величины, необходимой для последующего проявления создаваемой на полимерном резисте структуры.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008100283/28A RU2008100283A (ru) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | Способ создания маски на поверхности подложки |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008100283/28A RU2008100283A (ru) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | Способ создания маски на поверхности подложки |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008100283A true RU2008100283A (ru) | 2009-07-20 |
Family
ID=41046558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008100283/28A RU2008100283A (ru) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | Способ создания маски на поверхности подложки |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2008100283A (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2450384C1 (ru) * | 2011-01-25 | 2012-05-10 | Мойше Самуилович Китай | Способ создания маски на поверхности подложки |
| RU2471263C1 (ru) * | 2011-07-12 | 2012-12-27 | Мойше Самуилович Китай | Способ создания маски на поверхности подложки |
-
2008
- 2008-01-15 RU RU2008100283/28A patent/RU2008100283A/ru not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2450384C1 (ru) * | 2011-01-25 | 2012-05-10 | Мойше Самуилович Китай | Способ создания маски на поверхности подложки |
| RU2471263C1 (ru) * | 2011-07-12 | 2012-12-27 | Мойше Самуилович Китай | Способ создания маски на поверхности подложки |
| WO2013009219A1 (ru) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Rudoy Igor Georgievich | Способ создания маски на поверхности подложки |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20180231892A1 (en) | Resist patterning method, latent resist image forming device, resist patterning device, and resist material | |
| Yamamoto et al. | Proton dynamics in chemically amplified electron beam resists | |
| JP2016206680A5 (ja) | レジスト潜像形成方法 | |
| JP6524388B2 (ja) | 光増感化学増幅レジストで酸ショットノイズとして複製されるｅｕｖショットノイズの軽減 | |
| CN103034048B (zh) | 光刻方法 | |
| WO2015178464A1 (ja) | レジストパターン形成方法、レジスト潜像形成装置およびレジスト材料 | |
| WO2017090745A1 (ja) | レジストパターン形成方法およびレジスト材料 | |
| US11061332B2 (en) | Methods for sensitizing photoresist using flood exposures | |
| JP2019053305A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| RU2008100283A (ru) | Способ создания маски на поверхности подложки | |
| TW200942968A (en) | Positive resist composition for use with electron beam, X-ray or EUV and pattern forming method using the same | |
| US9891524B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| KR910007315B1 (ko) | 레지스트 미세패턴 형성방법 | |
| RU2009133419A (ru) | Способ создания маски на поверхности подложки | |
| Kozawa et al. | Normalized image log slope with secondary electron migration effect in chemically amplified extreme ultraviolet resists | |
| KR102590254B1 (ko) | 레지스트패턴 형성방법 | |
| Kozawa et al. | High-absorption resist process for extreme ultraviolet lithography | |
| Sekiguchi et al. | Calculating development parameters for chemically amplified resists by the film-reducing method | |
| Oyama et al. | Prediction of resist sensitivity for 13.5-nm EUV and 6. x-nm EUV extension from sensitivity for EBL | |
| De Oteyza et al. | Sub-20 nm laser ablation for lithographic dry development | |
| Vutova et al. | Why light ions in future ion lithography? | |
| Kumar et al. | Effect of infrared laser on bulk etch rate and track etch rate in Makrofol-E polycarbonate plastic detectors | |
| JPS6142852B2 (ru) | ||
| Li et al. | Talbot interference lithography with Table-top extreme ultraviolet laser | |
| JPS63120421A (ja) | 荷電粒子ビ−ムを用いたレジストの露光方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20110209 |