JP2016199463A5 - - Google Patents
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (10)
- 主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板上に、直接にまたは他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜が積層されている積層構造体であって、結晶基板の主面が、ａ面、ｍ面またはｒ面であることを特徴とする積層構造体。
- 結晶性酸化物半導体が、コランダム構造を有する請求項１記載の積層構造体。
- 結晶性酸化物半導体が、ガリウムまたはインジウムを少なくとも含む請求項１または２に記載の積層構造体。
- 結晶性酸化物半導体が、ガリウムを少なくとも含む請求項１〜３のいずれかに記載の積層構造体。
- 結晶性酸化物半導体膜が、ドーパントを含む請求項１〜４のいずれかに記載の積層構造体。
- ドーパントがスズである請求項５記載の積層構造体。
- 結晶基板の主面がａ面またはｍ面である請求項１〜６のいずれかに記載の積層構造体。
- 結晶基板の主面がａ面である請求項１〜７のいずれかに記載の積層構造体。
- 結晶基板が、サファイア基板である請求項１〜８のいずれかに記載の積層構造体。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の積層構造体と電極とを少なくとも含む半導体装置。
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