JP4803634B2 - p型Ga2O3膜の製造方法およびpn接合型Ga2O3膜の製造方法 - Google Patents
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Description
β−Ga2O3基板は、FZ法により形成されたβ−Ga2O3単結晶を(100)面で劈開したものを用いる。
以下、p型β−Ga2O3膜の形成方法を説明する。
図2は、ゼーベック係数の測定装置を示す図である。ゼーベック係数の測定は、加熱部81により薄膜26Aが形成された基板26の一端を加熱し、冷却部82により基板26の他端を冷却して、薄膜26Aについての加熱部81および冷却部82間の起電力を測定することにより行う。ここで、薄膜26Aは、上述のように形成されたβ−Ga2O3膜である。
上記MBE装置50を用いて、アクセプタの代わりにドナーとしての金属を用いることにより、n型のβ−Ga2O3膜を形成する。この結果、p型のβ−Ga2O3膜とn型のβ−Ga2O3膜によるpn接合型のβ−Ga2O3膜を形成することができる。
この実施の形態によれば、p型導電性を示す高品質のβ−Ga2O3化合物半導体膜を形成することができた。このため、発光素子に使用する場合には、基板とp型β−Ga2O3膜とはβ−Ga2O3として一致するため、格子定数が一致する。したがって、β−Ga2O3膜の結晶品質の劣化を抑えることができ、発光光率の低下を抑えることができる。
Ga2O3系化合物半導体である上記β−Ga2O3は、Cu、Ag、Zn、Cd、Al、In、Si、GeおよびSnからなる群から選ばれる1種以上を添加したGaを主成分としたGa酸化物で構成してもよい。これらの添加元素の作用は、格子定数あるいはバンドギャップエネルギーを制御するためである。例えば、(AlxInyGa(1−x−y))2O3(ただし、0≦x<1、0≦y<1、0≦x+y<1)で表わされるGa酸化物を用いることができる。
26A 薄膜
50 装置
51 排気系
52 真空槽
53 マニピュレータ
54 基板ホルダ
55 セル
56 ヒータ
57 液体窒素シュラウド
58 4重極質量分析計
59 ラジカルガン
60 基板
70 電子銃
71 蛍光スクリーン
81 加熱部
82 冷却部
Claims (7)
- Ga2O3基板上に活性酸素と純度6N以上の金属Gaを供給するステップを含み、酸素欠陥を低減して絶縁性のGa2O3膜を形成する第1のステップと、
前記絶縁性のGa2O3膜にアクセプタをドープしてp型Ga2O3膜を形成する第2のステップを有し、
前記第1のステップと前記第2のステップは、MBE法により、同時に実行されることを特徴とするp型Ga2O3膜の製造方法。 - 前記第2のステップは、前記Ga2O3基板上に金属Mgを供給するステップを含むことを特徴とする請求項1記載のp型Ga2O3膜の製造方法。
- 前記活性酸素は、ラジカルガンにより供給されることを特徴とする請求項1記載のp型Ga2O3膜の製造方法。
- Ga2O3基板上に活性酸素と純度6N以上の金属Gaを供給するステップを含み、酸素欠陥を低減して絶縁性のGa2O3膜を形成する第1のステップと、
前記絶縁性のGa2O3膜にアクセプタをドープしてp型Ga2O3膜を形成する第2のステップと、
前記絶縁性のGa2O3膜にドナーをドープしてn型Ga2O3膜を形成する第3のステップを有し、
前記第1のステップと前記第2のステップは、MBE法により、所定の時限において同時に実行され、
前記第1のステップと前記第3のステップは、MBE法により、前記所定の時限とは異なった他の時限において同時に実行されることを特徴とするpn接合型Ga2O3膜の製造方法。 - 前記第2のステップは、前記Ga2O3基板上に金属Mgを供給するステップを含むことを特徴とする請求項4記載のpn接合型Ga2O3膜の製造方法。
- 前記第1、第2および第3のステップは、Ga2O3系化合物半導体からなる基板の所定の面上で行うことを特徴とする請求項4記載のpn接合型Ga2O3膜の製造方法。
- 前記所定の面は、(100)面であることを特徴とする請求項6記載のpn接合型Ga2O3膜の製造方法。
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