JP2016197597A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】簡便に外部接続部を接続することが可能な発光装置及びその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】発光装置が、下部支持体１１０と、下部支持体１１０上に設けられた貫通孔１３０を備える下地絶縁膜１１２と、下地絶縁膜１１２上に設けられた発光素子１２７と、発光素子１２７上に設けられた上部支持体１２２とを有する。さらに、貫通孔１３０には、電極１３１が設けられ、電極１３１と電気的に接続する外部接続端子１３２が下地絶縁膜１１２下に設けられる。なお、外部接続端子１３２は外部接続部１３３と電気的に接続し、発光装置に信号又は電源などを入力する端子として機能する。当該発光装置は、簡便に外部接続部を接続することが可能な発光装置である。【選択図】図１

Description

発光装置に関する。また、該発光装置を搭載した電子機器に関する。
近年、ディスプレイ分野の技術の発展はめざましく、特に高精細化、薄型化に関しては
市場のニーズも後押しし、著しい進歩を遂げている。
この分野における次のフェーズとしては、曲面の表示部を有するフレキシブルなディス
プレイの商品化が注目されており、ディスプレイのフレキシブル化に関しては様々な提案
がなされている（例えば特許文献１参照）。また、フレキシブルな基板を用いた発光装置
は通常用いられる厚さのガラスなどを用いた場合と比較して軽量化することも可能である
。
フレキシブルな基板を用いた発光装置を作製する為の方法としては、フレキシブルな基
板上に直接発光素子やその他の素子を形成する方法、通常の厚さのガラス基板を用いて発
光素子を作製した後基板に研磨処理などを施すことにより、基板を薄くしてフレキシブル
性を出すもしくは基板を除去してフレキシブル基板に貼り付ける方法、又は通常の厚さの
ガラス基板上に発光素子やその他の素子を作製した後、当該発光素子やその他の素子を有
する層を剥離しフレキシブルな基板上に転置する方法などが提案されている。
ただし、充分なフレキシブル性を有する基板上に発光素子やその他の素子を精度良く形
成することは困難である。そのため、半導体素子の作製どころか発光素子の塗り分けやカ
ラーフィルタの設置すら困難である。また、ガラス基板を薄くした発光装置では充分なフ
レキシブル性を有するとは言い難い。さらに、ガラス基板を除去するにしても生産性が悪
いという問題がある。これに対し、剥離、転置工程を利用した発光装置の作製方法は、比
較的簡便であり、且つ半導体素子の作製や発光素子の塗り分けも容易である。さらに、フ
レキシブル性も充分に確保できる非常に有望な発光装置の作製方法である。
特開２００１−２３７０６４号公報
しかし、このような作製方法を適用した発光装置の場合、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ
Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）に代表される外部接続部を接続することが困難であ
った。
そこで本発明の一態様は、簡便に外部接続部を設けることが可能な構造を有する発光装
置及びその作製方法を提供することを課題とする。
上記課題は、素子形成層を貫通する貫通孔が設けられた領域に外部接続端子を備えた発
光装置により解決することができる。
すなわち、本発明の一態様は、可撓性を有する下部支持体と、下部支持体上に設けられ
た、貫通孔を備える下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた発光素子と、発光素子上に
設けられた、可撓性を有する上部支持体と、貫通孔に設けられた電極と、下地絶縁膜下に
設けられ、電極と電気的に接続する外部接続端子と、外部接続端子と電気的に接続する外
部接続部と、を有する発光装置である。
また、本発明の一態様は、可撓性を有する下部支持体と、下部支持体上に設けられた、
貫通孔を備える下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた発光素子と、発光素子上に設け
られた可撓性を有する上部支持体と、貫通孔に設けられた外部接続端子と、下地絶縁膜下
に設けられ、外部接続端子と電気的に接続する外部接続部と、を有する発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光装置において、下部支持体が外部接続
端子と重ならない発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光装置において、下部支持体及び外部接
続部下に保護部材が設けられる発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光装置において、下部支持体は、外部接
続端子が形成された部分に切り欠き部を有する発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光装置において、下部支持体は、外部接
続端子が形成された部分に開口部を有する発光装置である。
また、本発明の一態様は、発光装置における外部接続端子が設けられた辺（第１の辺）
から、外部接続端子が設けられた辺と対向する辺（第２の辺）までの長さに対して、下部
支持体の外部接続端子に近接する辺（第３の辺）から、外部接続端子に近接する辺と対向
する辺（第４の辺）までの長さが短い発光装置である。
また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光装置において、下部支持体は、外部接
続部の少なくとも一部を覆って設けられていることを特徴とする発光装置である。
このような構成を有する発光装置は、簡便に外部接続部を設けることが可能な構造を有
する発光装置である。
実施の形態１に記載の発光装置の例示。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法の例示。 実施の形態１に記載の発光装置の作製方法の例示。 実施の形態１に記載の発光装置の例示。 実施の形態１に記載の発光装置の例示。 実施の形態１に記載の発光装置の例示。 実施の形態１に記載の発光装置の例示。 実施の形態２に記載の電子機器の例示。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態における発光装置は、可撓性を有する上部支持体と可撓性を有する下部支
持体の間に、発光素子及び薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）等を含む素子形成層
を有する発光装置であって、下部支持体側にＴＦＴが設けられ、上部支持体側に発光素子
が設けられている。
当該発光装置は、ガラスなどの耐熱性の高い基板上に剥離層を介してＴＦＴ及び発光素
子などを含む素子形成層、上部支持体まで設けた後、当該素子形成層及び当該上部支持体
を剥離層から剥離して、該剥離によって形成された剥離面に下部支持体を接着することに
よって作製される発光装置である。なお、素子形成層まで形成した後、上部支持体を設け
る前に当該素子形成層上に設けられた剥離用の基板により剥離して、さらに当該剥離用の
基板上に上部支持体を貼り付ける方法又は上部支持体と剥離用基板を張り替える方法など
により作製された発光装置であっても良い。このような作製方法によって作製された発光
装置は、下部支持体を後から貼り付ける構成となるため、ガラス基板上で作製する発光装
置と異なり、下部支持体上に予め接続端子を形成しておくことができない。そのため、剥
離の工程前にＦＰＣを接続するなど、煩雑でデリケートな作業が要求されていた。
本実施の形態で説明する発光装置は、外部接続端子が素子形成層の下部支持体側に設け
られている。外部接続端子はＴＦＴや発光素子の電極と電気的に接続されており、ＦＰＣ
等の外部接続部を介して電源又は外部で生成された信号を発光装置に供給する。また、外
部接続端子は、少なくとも下地絶縁膜に設けられた貫通孔に形成された電極を介して発光
素子又はＴＦＴの電極と電気的に接続している。
貫通孔は、下地絶縁膜を貫通し素子形成層表面を露出するように形成すればどのように
形成しても良く、ＴＦＴや発光素子の電極とは各々適宜コンタクトホールを介して接続す
る。
また、下部支持体を接着した後に外部接続部を外部接続端子に接続する場合には、当該
下部支持体は、外部接続端子に対応する部分には設けない。別言すると、当該下部支持体
と外部接続端子は重ならない。つまり、この場合の下部支持体には、外部接続端子に対応
する部分に切り欠きや開口部が設けられている。また、外部接続部の分だけ短い下部支持
体を用いて、外部接続端子を露出してもよい。この場合、外部接続部と下部支持体に渡っ
て外部接続部が破損しないよう、保護部材を設けることが好ましい。外部接続部を外部接
続端子に接続してから下部支持体を接着する場合には、下部支持体は外部接続部の少なく
とも一部を覆って設けられている。
以上のような構成を有する本実施の形態の発光装置は、剥離工程後に外部接続部を接続
することができる。そのため、本実施の形態の発光装置は、簡便に外部接続部を設けるこ
とが可能な発光装置である。
図１（Ａ）及び（Ｂ）に本実施の形態における発光装置の例を図示する。
図１（Ａ）は、駆動回路領域及び画素領域を設けた発光装置の一例を示す図である。な
お、駆動回路領域及び画素領域は、共にＴＦＴを有する。下部支持体１１０上に第１の接
着剤層１１１が設けられている。第１の接着剤層１１１は下地絶縁膜１１２と下部支持体
１１０とを接着している。下地絶縁膜１１２上には、画素ＴＦＴ１１４及び駆動回路部の
ＴＦＴ１１５、並びに画素ＴＦＴ１１４に電気的に接続する発光素子の第１の電極１１７
が設けられている。なお、それらは発光装置に複数設けられているが、図ではそれらの一
部が示されている。発光素子１２７は、隔壁１１８から露出した第１の電極１１７と、少
なくとも露出した第１の電極１１７を覆って設けられた有機化合物を含むＥＬ層１１９と
、ＥＬ層１１９を覆って設けられた第２の電極１２０とによって構成されている。第２の
電極１２０上には第２の接着剤層１２１によって上部支持体１２２が接着されている。ま
た、外部接続領域では、下地絶縁膜１１２下に外部接続端子１３２が設けられており、外
部接続端子１３２は貫通孔１３０に形成された電極１３１に電気的に接続している。また
、外部接続端子１３２には外部接続部１３３が接続されている。なお、下部支持体１１０
は外部接続端子１３２に対応する部分には設けられていない。また、駆動回路領域は設け
なくてもよい。さらに、発光装置がＣＰＵ部を有していても良い。また、ここでは、素子
形成層１１６は下地絶縁膜１１２から第２の電極１２０までを指すこととする。
図１（Ａ）においては、貫通孔１３０が、層間絶縁膜１３４から下地絶縁膜１１２を貫
通する例を示した。貫通孔１３０に設けられた電極１３１とＴＦＴ又は発光素子の電極は
配線１３５のような配線やコンタクトホールなどを介して接続される。なお、図１（Ａ）
中の電極１３９は、ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域に接続する配線電極である。
図１（Ｂ）に図１（Ａ）とは異なる発光装置の例について示す。図１（Ｂ）においては
、貫通孔１３０が、ゲート絶縁膜１３６及び下地絶縁膜を貫通する例を示した。このよう
な場合、貫通孔１３０に設けられた電極１３１は、コンタクトホール１３８に形成された
電極１３７を介して、電極１３９などの層間絶縁膜１３４上に設けられた配線や電極に接
続すればよい。
続いて、本実施の形態における発光装置の作製方法の一例を図２を参照しながら説明す
る。
まず、絶縁表面を有する作製基板２００上に剥離層２０１を介して下地絶縁膜１１２を
形成し、その上に半導体層２５０、ゲート絶縁膜２５１、ゲート電極２５２、保護絶縁膜
２５３、層間絶縁膜２５４を形成する（図２（Ａ）参照）。
剥離層２０１は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）
、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニ
ウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、
又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。なお、剥
離層がシリコンを含む場合、シリコンは、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの状態でもよ
い。なお、ここでは、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法、
ノズルプリンティング法、スロットダイコーティング法を含む。
剥離層２０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタ
ングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。また、タングステンの酸化物若し
くは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成することもでき
る。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデン
の合金に相当する。
剥離層２０１が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデ
ン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タング
ステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化
物若しくは窒化酸化物を含む層を形成する。
剥離層２０１として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングス
テンの酸化物を含む層を形成してもよい。また、プラズマ処理又は加熱処理は、酸素、窒
素、一酸化二窒素、一酸化二窒素単体、あるいはガスとその他のガスとの混合気体雰囲気
下で行ってもよい。なお、タングステンを含む層とタングステンの窒化物、酸化窒化物、
又は窒化酸化物を含む層の積層構造を形成する場合も上記と同様の方法を適用することが
できる。つまり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化シリコン層、酸化窒化
シリコン層、若しくは窒化酸化シリコン層を形成すること、又は窒化処理、酸化窒化処理
、若しくは窒化酸化処理を行うことで、タングステンの窒化シリコン層、酸化窒化シリコ
ン層、又は窒化酸化シリコン層を含む層を形成することができる。
続いて、下地絶縁膜１１２を形成する。下地絶縁膜１１２は単層構造でも積層構造でも
構わない。積層構造とする場合、下地絶縁膜１１２は、水分や金属などＴＦＴや発光素子
の劣化を促進する物質の侵入を抑制するための緻密でブロッキング性の高い膜と、ＴＦＴ
の特性安定化の為の膜との積層構造で構成することが好ましい。
ブロッキング性の高い膜としては窒化シリコンや酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン
など、窒素とシリコンを含む絶縁膜が挙げられる。ブロッキング性の高い膜の成膜方法の
一例としては、成膜温度を２５０℃〜４００℃とし、且つその他の条件を公知の条件にし
たプラズマＣＶＤ法を用いる方法が挙げられる。
ＴＦＴの特性安定化のための膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコ
ン膜、又は窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いて作製することができる。
ＴＦＴの活性層となる半導体層２５０を形成する材料は、シランやゲルマンに代表され
る半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタ法で作製される非晶質（アモルファスと
もいう）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた
多結晶半導体、又は微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタルとも呼ばれる
）半導体などを用いることができる。また、有機材料を主成分とする半導体などを用いる
ことができる。半導体層２５０はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等
により成膜することができる。
微結晶半導体は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安
定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半
導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対
して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマ
ンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている
。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ
−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダング
リングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上
含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含
ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体膜が得られ
る。
この微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、
または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができ
る。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、
ＳｉＦ４などの水素化シリコンを水素で希釈して形成することができる。また、水素化シ
リコン及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種また
は複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのとき
の水素化シリコンに対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上
１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体
としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）に
は、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所
謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料
として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シ
リコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結
晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
また、半導体層の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体の
ほかＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体
も用いることができる。また酸化物半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ
２）、酸化マグネシウム亜鉛、酸化ガリウム、インジウム酸化物、及び上記酸化物半導体
の複数より構成される酸化物半導体などを用いることができる。例えば、酸化亜鉛とイン
ジウム酸化物と酸化ガリウムとから構成される酸化物半導体なども用いることができる。
なお、酸化物半導体を半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔ
ｉＯ２、それらの積層などを用いるとよく、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極
層としては、ＩＴＯ、Ａｕ、Ｔｉなどを用いるとよい。また、ＺｎＯにＩｎやＧａなどを
添加することもできる。
半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体層の作製方法は、種々の
方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用い
た熱結晶化法等）を用いれば良い。また、微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶
性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質シリコン膜
にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質
シリコン膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで低下させる。こ
れは水素を多く含んだ非晶質シリコン膜にレーザ光を照射すると非晶質シリコン膜が破壊
されてしまうからである。
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体層の
表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶ
Ｄ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方
法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調
整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体層の表面の濡れ性を
改善し、非晶質半導体層の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ
光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等に
より、酸化膜を成膜することが望ましい。
また、非晶質半導体層を結晶化し、結晶性半導体層を形成する結晶化工程で、非晶質半
導体層に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５
０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）
する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒ
ｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ
）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いるこ
とができる。
結晶化を助長する元素を結晶性半導体層から除去、又は軽減するため、結晶性半導体層
に接して、不純物元素を含む半導体層を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。
不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元
素などを用いることができる。例えば、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチ
モン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、
アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数
種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体層に、希ガス元素を
含む半導体層を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性
半導体層中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体層中に移動し、
結晶性半導体層中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリン
グシンクとなった希ガス元素を含む半導体層を除去する。
非晶質半導体層の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく
、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
また、結晶性半導体層を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズ
マ法を用いて、結晶性半導体層を選択的に基板に形成してもよい。
有機材料を主成分とする半導体膜としては、他の元素と組み合わせて一定量の炭素また
は炭素の同素体（ダイヤモンドを除く）からなる物質を主成分とする半導体膜を用いるこ
とができる。具体的には、ペンタセン、テトラセン、チオフェンオリゴマ誘導体、フェニ
レン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シ
アニン色素等が挙げられる。
ゲート絶縁膜２５１、ゲート電極２５２は公知の構造、方法により作製すれば良い。例
えばゲート絶縁膜２５１は酸化シリコンの単層又は酸化シリコンと窒化シリコンとの積層
構造など、公知の構造で作製すればよいし、ゲート電極２５２は、ＣＶＤ法やスパッタ法
、液滴吐出法などを用い、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ
、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａから選ばれた元素、又
は元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。また、リン等の不
純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、ＡｇＰｄＣｕ合金
を用いてもよい。また、単層構造でも複数層の構造でもよい。
なお、図面においては、トップゲートのトランジスタの一例を示したが、もちろんその
他、ボトムゲートや公知の他の構造のトランジスタを用いても構わない。
続いて、無機絶縁材料からなる保護絶縁膜２５３を形成した後、有機絶縁材料もしくは
無機絶縁材料からなる層間絶縁膜２５４を形成する。無機絶縁材料としては酸化シリコン
や窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどを使用することができる。有
機絶縁材料としては、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシ
クロブテン等を使用することができる。
層間絶縁膜２５４を形成したら、パターニング及びエッチングを行うことによって、層
間絶縁膜２５４、保護絶縁膜２５３、ゲート絶縁膜２５１にＴＦＴの半導体層２５０に達
するコンタクトホール、並びに層間絶縁膜２５４、保護絶縁膜２５３、ゲート絶縁膜２５
１及び下地絶縁膜１１２に貫通孔を形成する。貫通孔は、コンタクトホールが半導体層２
５０に達した後もエッチングを続けることによって形成される。この際、エッチング方法
としては、半導体層２５０に対する層間絶縁膜２５４、保護絶縁膜２５３、ゲート絶縁膜
２５１及び下地絶縁膜１１２の選択比が充分に大きいエッチング方法及び条件を選択する
。
この後、貫通孔に電極１３１、コンタクトホールに電極１３９等の配線電極を形成する
。電極１３１、電極１３９は同じ工程で作製してもよいし、異なる工程によって異なる材
料で形成しても良い。
また、貫通孔とコンタクトホールは別工程で作製しても良い。この方法の場合、先に貫
通孔を形成し、露出した剥離層２０１の表面をＯ２アッシングなどにより酸化処理を行っ
てから電極１３１を形成することができるため、電極１３１と剥離層２０１との密着性を
低減させることができ、この後の剥離工程でよりスムーズに剥離を行うことができるよう
になる（図２（Ｂ）参照）。
つづいて、透明導電膜を用いて発光素子の第１の電極１１７を形成する。第１の電極１
１７が陽極である場合は、透明導電膜の材料は、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）や酸化イ
ンジウム酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２：ＩＴＯ）などをスパッタ法や真空蒸着法
などを用いて形成して用いることができる。酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―
ＺｎＯ）を用いても良い。また、酸化亜鉛（ＺｎＯ）も適した材料であり、さらに可視光
の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛などを用いること
ができる。第１の電極１１７を陰極とする場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材
料の極薄膜を用いるか、そのような物質の薄膜と上述のような透明導電膜との積層構造を
用いることによって作製することができる。
その後、層間絶縁膜２５４、第１の電極１１７を覆って有機絶縁材料又は無機絶縁材料
を用いて絶縁膜を形成し、当該絶縁膜を第１の電極１１７の表面が露出し且つ第１の電極
１１７の端部を覆うように加工して隔壁１１８を形成する。
続いてＥＬ層１１９を成膜する。ＥＬ層１１９の積層構造については特に限定されず、
電子輸送性の高い物質を含む層または正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い
物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の
高い物質）の物質を含む層、発光物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すればよい。例
えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて
構成することができる。本実施の形態では、ＥＬ層１１９が正孔注入層、正孔輸送層、発
光層及び電子輸送層を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以下に
具体的に示す。
正孔注入層は、陽極に接して設けられ、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブ
デン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化
物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシア
ニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニ
ルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−
ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−
Ｎ’−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或い
はポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等
の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
また、正孔注入層として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複
合材料を用いることもできる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有
させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶこと
ができる。つまり、第１の電極１１７として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数
の小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テ
トラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、
クロラニル等を挙げることができる。また、アクセプター性物質としては、遷移金属酸化
物を挙げることができ、さらに、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸
化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、
酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受
容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性
が低く、扱いやすいため好ましい。
複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール
誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など
、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正
孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以
上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高
い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることの
できる有機化合物を具体的に列挙する。
例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４
，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェ
ニル｝−Ｎ’−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス
［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰ
Ａ３Ｂ）等を挙げることができる。
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−
（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバ
ゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３
−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）
、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］
−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に４，４’−ジ
（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カ
ルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９
−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４
−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を挙げ
ることができる。
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ
−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，
５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９
，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１
０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラ
セン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎ
ｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）
、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセ
ン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−
テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメ
チル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１
０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニ
ル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフ
ェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、
ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。ま
た、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。なお、当該芳香族炭化水素
が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有することに加え、上記芳香族炭化水素
が蒸着法によって成膜される場合には、蒸着時の蒸着性や、成膜後の膜質の観点から、縮
合環を形成している炭素数が１４〜４２であることがより好ましい。
なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよ
い。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−
ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−
ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることも
できる。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては
、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（
略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１
，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリ
ス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，
４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミ
ン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−
２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化
合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正
孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これ
ら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけ
でなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
また、正孔輸送層として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（
４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることも
できる。
発光層は、発光性の物質を含む層である。発光層の種類としては、発光物質を主成分と
するいわゆる単膜の発光層であっても、ホスト材料中に発光材料を分散するいわゆるホス
ト−ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。
用いられる発光材料に制限は無く、公知の蛍光又は燐光を発する材料を用いることがで
きる。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９
−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：Ｙ
ＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−ア
ントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）等の他、発光波長が４５０ｎｍ以上
の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アント
リル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−
（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略
称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（
略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’
−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビ
ス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰ
Ａ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェ
ニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，
１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，
４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’
’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，
１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−
２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２Ｐ
ＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリ
ル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ
）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−
１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’
−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４
−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェ
ニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェ
ニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニル
アントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフ
ェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛
２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−
イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２
，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテ
ニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ
，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略
称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−
メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称
：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラ
メチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−
イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴ
Ｉ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，
３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニ
ル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（
２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４
−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（
８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，
５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン
｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光性材料と
しては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２
’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）の
他、発光波長が４７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある、ビス［２−（４’，６’−ジフル
オロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｆ
Ｉｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト
−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐ
ｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波長が５００
ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）
（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ
））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラ
ト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２
（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ）
）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチル
アセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，
５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナー
ト（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａ
ｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサ
リナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチル
アセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オク
タエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（
１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）
−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような材料又は他
の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば良い。
ホスト材料を用いる場合は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（
ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛
（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（
ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（
ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−
ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イ
ル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（
４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２
’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイ
ミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキ
ュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾー
ル−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物
、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられ
る。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体
、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。具体的に
は、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−
９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−
アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニル
アミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−
フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェ
ニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール
−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フ
ェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略
称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリ
ル）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ
−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ
’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミ
ン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９
Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１
０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−
ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−
ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（
略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略
称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称
：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（
略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々が分
散する発光物質のエネルギーギャップ（燐光発光の場合は三重項励起エネルギー）より大
きなエネルギーギャップ（三重項励起エネルギー）を有する物質を有し、且つ各々の層が
有すべき輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミ
ニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリ
ウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェ
ノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格
を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニ
ル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキ
シフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系
、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以
外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）
、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−
１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ
）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は
、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電
子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。
また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層した
ものとしてもよい。
また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。
これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加し
た層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節す
ることが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発
生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
また、陰極となる電極に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ
化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等の
ようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例
えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそ
れらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたも
の等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる
層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第２の
電極１２０からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。
第２の電極１２０を形成する物質としては、第２の電極１２０を陰極として用いる場合
には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、
およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては
、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム
（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロ
ンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ
）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む
合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けるこ
とにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、又はシリコン若しくは酸化
シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いるこ
とができる。これら導電性材料は、スパッタ法やインクジェット法、スピンコート法等を
用いて成膜することが可能である。
また、第２の電極１２０を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には
４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが
好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔ
ｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化ス
ズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化
タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これ
らの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタ法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応
用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）の膜は、酸化
インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタ法によ
り形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウ
ム（ＩＷＺＯ）の膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸
化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタ法により形成することが
できる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、
クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パ
ラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。ま
た、上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電
極の材料を選択することができる。
以上の工程により素子形成層１１６を形成することができる（図２（Ｃ）参照）。
続いて、素子形成層１１６と上部支持体１２２とを第２の接着剤層１２１を用いて接着
し、剥離層２０１において素子形成層１１６を作製基板２００より剥離する。これにより
、素子形成層１１６は可撓性を有する上部支持体１２２に支持された状態となり、貫通孔
に設けられた電極１３１は素子形成層１１６における上部支持体１２２と反対の表面に露
出した状態となる。（図２（Ｄ）参照）。
第２の接着剤層１２１の材料としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬
化型接着剤など光硬化型の接着剤や嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることがで
きる。
上部支持体１２２としては、アクリル樹脂や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、
ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、金属等からなる可撓性を有
するフィルムもしくは基板を用いることが出来る。
上部支持体１２２には予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素とシリコンを含む
膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護層を成
膜しておいても良い。
また、図２（Ｄ）の工程においては、上部支持体１２２の代わりに剥離用の支持体を用
いて剥離し、さらに接着剤を用いて上部支持体を接着してもよいし、剥離用の支持体を用
いて剥離したのち、剥離用支持体を除去し接着剤を用いて上部支持体を接着しても良い。
なお、剥離工程は、作製基板と被剥離層の間に剥離層を形成し、剥離層と被剥離層との
間に金属酸化膜を設け、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、当該金属酸化膜上に
設けられた被剥離層を剥離する方法、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に水素を含む
非晶質シリコン膜を設け、レーザ光の照射またはエッチングにより当該非晶質シリコン膜
を除去することで、当該被剥離層を剥離する方法、作製基板と被剥離層の間に剥離層を形
成し、剥離層と被剥離層との間に金属酸化膜を設け、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱
化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガス
によりエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離する方法、又は被
剥離層が形成された作製基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等の
フッ化ハロゲンガスによるエッチングで除去する方法等を適宜用いることができる。また
、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水
素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含
有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を
用いてもよい。
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に転置工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離する
又は剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離する方法によって剥離を行ってもよい
。
その他の剥離方法としては、剥離層２０１をタングステンで形成した場合は、アンモニ
ア水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うと良い。
つづいて、露出した素子形成層１１６の表面に第１の接着剤層１１１を用いて下部支持
体１１０を接着する。下部支持体１１０は外部接続端子が形成された部分には接着せず、
この段階では、電極１３１は露出した状態となっている。この後、電極１３１に電気的に
接続する外部接続端子１３２を形成し、外部接続端子１３２に外部接続部１３３を接続し
て、図１（Ａ）に示した本実施の形態における発光装置を作製することができる（図２（
Ｅ）参照）。なお、外部接続端子１３２を設けずに、電極１３１の露出部分を外部接続端
子として利用しても良い。
第１の接着剤層１１１の材料としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬
化型接着剤など光硬化型の接着剤や嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることがで
きる。
下部支持体１１０としては、アクリル樹脂や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、
ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、金属等からなる可撓性を有
するフィルムもしくは基板を用いることが出来る。
下部支持体１１０には予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素とシリコンを含む
膜や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護層を成
膜しておいても良い。
なお、上部支持体１２２、下部支持体１１０、第１の接着剤層１１１、第２の接着剤層
１２１には、これらの材料中に繊維体が含まれていても良い。繊維体は有機化合物または
無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング
率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステ
ル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレ
ンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維
としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる
。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹脂
を硬化させた構造体を上部支持体または下部支持体として用いても良い。上部支持体また
は下部支持体として繊維体と有機樹脂からなる構造体を用いると、曲げや局所的押圧に対
する素子の信頼性が向上するため、好ましい構成である。
なお、発光素子からの光を取り出す方向の基板又は接着剤層に上述のような繊維体が含
まれる場合、発光素子からの光が外部に出るのを妨げることを低減するために、当該繊維
体を直径１００ｎｍ以下のナノファイバーとする、又は繊維体と有機樹脂や接着剤の屈折
率を合わせることが好ましい。
また、第１の接着剤層１１１と下部支持体１１０、又は第２の接着剤層１２１と上部支
持体１２２の両方の役割を担うものとしても、繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹脂を硬
化させた構造体を用いることが出来る。この際、当該構造体の有機樹脂としては、反応硬
化型、熱硬化型、紫外線硬化型など追加処理を施すことによって硬化が進行するものを用
いると良い。
つづいて、本実施の形態における発光装置の作製方法の他の一例を図３を参照しながら
説明する。
作製基板２００上に剥離層２０１を介して下地絶縁膜１１２を形成し、その上に半導体
層２５０、ゲート絶縁膜２５１を形成するまでは上述の工程と同様に形成する。ゲート絶
縁膜２５１を形成したら、パターニング及びエッチングを行うことによって、ゲート絶縁
膜２５１及び下地絶縁膜１１２に貫通孔を形成する（図３（Ａ）参照）。
この後、貫通孔に電極１３１、ゲート電極２５２を形成する（図３（Ｂ）参照）。電極
１３１、ゲート電極２５２は同じ工程で作製してもよいし、異なる工程及び材料で形成し
ても良い。なお、貫通孔を形成する前にゲート電極２５２を形成しても良い。この際、ゲ
ート電極２５２上に保護絶縁膜２５３を形成してから、貫通孔を保護絶縁膜２５３、ゲー
ト絶縁膜２５１及び下地絶縁膜１１２に渡って形成しても良い。
また、露出した剥離層２０１の表面をＯ２アッシングなどにより酸化処理を行ってから
電極１３１を形成すると剥離層２０１との密着性を低減させることができ、この後の剥離
工程でよりスムーズに剥離を行うことができるようになる。
電極１３１、ゲート電極２５２を形成したら、保護絶縁膜２５３、層間絶縁膜２５４を
上述の工程と同様に形成し、その後パターニング及びエッチングを行うことによって、層
間絶縁膜２５４、保護絶縁膜２５３、ゲート絶縁膜２５１にＴＦＴの半導体層２５０に達
するコンタクトホール及び層間絶縁膜２５４、保護絶縁膜２５３に電極１３１に達するコ
ンタクトホール１３８を形成し、電極１３１に接続する電極１３７、ＴＦＴの配線電極で
ある電極１３９などを形成する（図３（Ｃ）参照）。
電極１３７や電極１３９を形成した後は、上述の工程と同様に形成することによって、
図１（Ｂ）に記載の発光装置を作製することができる。
なお、外部接続部１３３を補強するために、図４（Ａ）のように下部支持体１１０と外
部接続部１３３に渡って、保護部材４５０を設けることが好ましい。保護部材４５０はエ
ポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂等を用いて形成することができる。
また、外部接続部１３３を発光装置に接続してから下部支持体を接着する場合には、図
４（Ｂ）のように、下部支持体１１０を外部接続部１３３表面上にまで渡って接着するこ
とで、同様に外部接続部の保護を行うことができる。この際、下部支持体は外部接続部の
少なくとも一部を覆って設けられていればよい。
続いて、発光装置のモジュール（ＥＬモジュールとも呼ぶ）の下部支持体側から視た図
を図５に示す。図５においては、第１の接着剤層及び下部支持体４０１上に、画素部５０
２、ソース側駆動回路５０４、及びゲート側駆動回路５０３が形成されている。また、４
０２は素子形成層、第２の接着剤層及び上部支持体が設けられている部分であり、素子形
成層における下部支持体側かつ下部支持体に覆われていない部分に、外部接続端子１３２
及びそれに接続する外部接続部１３３が設けられている。これらの画素部や駆動回路は、
上記作製方法に従えば得ることができる。
なお、図５（Ａ）は下部支持体が発光装置の外部接続端子に近接する一辺から、外部接
続端子の発光装置の中心側に位置する一辺側までの長さ（図中５２０）分少なくとも短い
構成、図５（Ｂ）は下部支持体における外部接続端子に対応する部分に切り欠きを有する
構成、図５（Ｃ）は下部支持体における外部接続端子に対応する部分に開口部を有する構
成の一例を示した図である。
図６は本実施の形態で説明する発光装置を大型基板において多面取りする際、下部支持
体の貼り付けパターン例を例示したもので、複数の発光装置に相当する素子形成層が転置
された上部支持体５５０、分断することで一つの発光装置となる部分５５１、下部支持体
５５２が図示されている。なお、図６（Ａ）は図５（Ａ）に、図６（Ｂ）は図５（Ｂ）に
、図６（Ｃ）は図５（Ｃ）にそれぞれ対応する。下部支持体を予めパターン化してロール
に巻いておくなどすることによって、下部支持体の貼り付け工程を自動化することも容易
である。また、本実施の形態で説明した発光装置は、下部支持体を接着した後に外部接続
部の接続が可能であることから、このように下部支持体を貼り付けて、各発光装置に分断
した後、外部接続部の接続をすることができる。これは、発光装置に量産化を考えた場合
、非常に重要なプロセス要素となる。
なぜならば、中小型の発光装置である場合、コスト削減の為には大型基板での多面取り
は必要不可欠である。しかし、外部接続端子が素子形成層の下部支持体側に設けられてい
ない発光装置である場合、上部支持体を接着する前に外部接続部を接続しなければいけな
いため、多面取りをすることが非常に困難である。しかし、本実施の形態に記載の発光装
置は外部接続端子が素子形成層の下部支持体側に設けられているため、多面取りを行うこ
とが可能であり、量産化、コストダウンに貢献することができる。
また、下部支持体を接着した後に外部接続部を接続することが可能な図５に示したよう
な、素子形成層における下部支持体側かつ下部支持体に覆われていない部分に、外部接続
端子が形成されている発光装置は、多面取りした場合、個々の発光装置に分断してから外
部接続部を接続することができるため、外部接続部が付いた状態で個々の発光装置に分断
する場合と比較し、非常に簡便に分断を行うことが可能であるため、量産化、自動化に適
した好ましい構成である。
図７（Ａ）、（Ｂ）は図５（Ｂ）に示した発光装置の一例をＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’に相当
する部分の一部を示す断面図であり、発光装置及び外部接続部を保護する保護部材につい
て例示したものである。
図７（Ａ）に示す発光装置は、外部接続部まで接続した後、流動性及び可視光の透過性
を有する有機樹脂で表面を覆い、その後乾燥させることによって保護部材７０１が形成さ
れている。保護部材７０１は外部接続部の保護だけでなく、上部支持体及び下部支持体が
キズつくのを保護する役割を担わせることもできる。保護部材７０１に用いることができ
る材料としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂等や各種ハードコート剤
などが挙げられる。
図７（Ｂ）は、保護部材を兼ねた下部支持体７０２の接着方法の一例を示した図である
。外部接続部を形成した後、接着剤を外部接続部表面まで設け下部支持体を接着すること
によって作製する。外部接続部からはみ出した下部支持体には外部接続部に沿って切り込
みを入れて、Ｂ−Ｂ’断面に示したように発光装置の側面から上部支持体側に巻き込むよ
うにすることによって、より強固に外部接続部を保護することができる。なお、外部接続
部を接続する前に、外部接続端子を露出させて下部支持体を接着してから、さらに図７（
Ｂ）で示した下部支持体７０２のように保護部材を設けても良い。
以上に説明した発光装置は、簡便に外部接続部を設けることができる発光装置である。
このことから、当該発光装置は、量産化にも適した発光装置である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示す発光装置をその一部に含む電子機器について説
明する。
実施の形態１に示した発光素子を有する電子機器の一例として、ビデオカメラ、デジタ
ルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装
置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末
（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備
えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ
）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられ
る。これらの電子機器の具体例を図８に示す。
図８（Ａ）にはテレビジョン受像機を図示する。図８（Ａ）に示したテレビジョン受像
機は、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ
入力端子９１０５等を含む。このテレビジョン受像機の表示部９１０３は、実施の形態１
に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作
製できる実施の形態１に記載の発光装置を搭載したテレビジョン受像機は、表示部９１０
３において、曲面の表示部を有することが可能かつ軽量化を実現しながら価格の比較的安
価な商品とすることが可能となる。
図８（Ｂ）にはコンピュータを図示する。図８（Ｂ）に示したコンピュータは、本体９
２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５
、ポインティングデバイス９２０６等を含む。このコンピュータの表示部９２０３は、実
施の形態１に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ長寿命
で簡便に作製できる実施の形態１に記載の発光装置を搭載したコンピュータは、表示部９
２０３において、曲面の表示部を有することが可能かつ軽量化を実現しながら価格の比較
的安価な商品とすることが可能となる。
図８（Ｃ）には携帯電話を図示する。図８（Ｃ）に示した携帯電話は、本体９４０１、
筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９
４０６、外部接続ポート９４０７等を含む。この携帯電話の表示部９４０３は、実施の形
態１に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便
に作製できる実施の形態１に記載の発光装置を搭載した携帯電話は、表示部９４０３にお
いて、曲面の表示部を有することが可能かつ軽量化を実現しながら価格の比較的安価な商
品とすることが可能となる。また軽量化が図られた実施の形態における携帯電話には、様
々な付加価値を備えても携帯に適した、重量に止めることができ、当該携帯電話は高機能
な携帯電話としても適した構成となっている。
図８（Ｄ）にはカメラを図示する。図８（Ｄ）に示したカメラは、本体９５０１、表示
部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部
９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１
０等を含む。このカメラの表示部９５０２は、実施の形態１に示した発光装置を用いるこ
とによって作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態１に記載
の発光装置を搭載したカメラは、表示部９５０２において、曲面の表示部を有することが
可能かつ軽量化を実現しながら価格の比較的安価な商品とすることが可能となる。
図８（Ｅ）にはディスプレイを図示する。図８（Ｅ）に示したディスプレイは、本体９
６０１、表示部９６０２、外部メモリ挿入部９６０３、スピーカー部９６０４、操作キー
９６０５等を含む。本体９６０１には他にテレビ受像アンテナや外部入力端子、外部出力
端子、バッテリーなどが搭載されていても良い。このディスプレイの表示部９６０２は実
施の形態１に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブルな表示部９
６０２は本体９６０１内に巻き取ることで収納することが可能であり、携帯に好適である
。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態１に記載の発光装置を搭載した
ディスプレイは、表示部９６０２において、携帯好適性かつ軽量化を実現しながら価格の
比較的安価な商品とすることが可能となる。
以上の様に、実施の形態１に示した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置を
あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
１１０ 下部支持体
１１１ 接着剤層
１１２ 下地絶縁膜
１１４ 画素ＴＦＴ
１１５ ＴＦＴ
１１６ 素子形成層
１１７ 電極
１１８ 隔壁
１１９ ＥＬ層
１２０ 電極
１２１ 接着剤層
１２２ 上部支持体
１２７ 発光素子
１３０ 貫通孔
１３１ 電極
１３２ 外部接続端子
１３３ 外部接続部
１３４ 層間絶縁膜
１３５ 配線
１３６ ゲート絶縁膜
１３７ 電極
１３８ コンタクトホール
１３９ 電極
２００ 作製基板
２０１ 剥離層
２５０ 半導体層
２５１ ゲート絶縁膜
２５２ ゲート電極
２５３ 保護絶縁膜
２５４ 層間絶縁膜
４０１ 下部支持体
４５０ 保護部材
５０２ 画素部
５０３ ゲート側駆動回路
５０４ ソース側駆動回路
５５０ 上部支持体
５５２ 下部支持体
７０１ 保護部材
７０２ 下部支持体
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９４０１ 本体
９４０２ 筐体
９４０３ 表示部
９４０４ 音声入力部
９４０５ 音声出力部
９４０６ 操作キー
９４０７ 外部接続ポート
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
９６０１ 本体
９６０２ 表示部
９６０３ 外部メモリ挿入部
９６０４ スピーカー部
９６０５ 操作キー

Claims (5)

  1. 第１のフレキシブル支持体と、
    前記第１のフレキシブル支持体上の、下地膜と、
    前記下地膜上の、トランジスタと、
    前記トランジスタ上の、発光素子と、
    前記発光素子上の、第２のフレキシブル支持体と、
    外部接続端子と、を有し、
    前記トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
    前記外部接続端子は、前記下地膜の貫通孔に設けられた電極を有し、
    前記貫通電極は、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と共通した導電性材料を有することを特徴とする表示装置。
  2. 第１のフレキシブル支持体と、
    前記第１のフレキシブル支持体上の、下地膜と、
    前記下地膜上の、トランジスタと、
    前記トランジスタ上の、発光素子と、
    前記発光素子上の、第２のフレキシブル支持体と、
    外部接続端子と、を有し、
    前記トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
    前記外部接続端子は、前記下地膜の貫通孔に設けられた電極を有し、
    前記貫通電極は、前記ゲート電極と共通した導電性材料を有することを特徴とする表示装置。
  3. 第１のフレキシブル支持体と、
    前記第１のフレキシブル支持体上の、下地膜と、
    前記下地膜上の、トランジスタと、
    前記トランジスタ上の、発光素子と、
    前記発光素子上の、第２のフレキシブル支持体と、
    外部接続端子と、を有し、
    前記トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
    前記外部接続端子は、前記下地膜の貫通孔に設けられた電極を有し、
    前記貫通電極は、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と異なる導電性材料を有することを特徴とする表示装置。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記半導体層は、化合物半導体又は酸化物半導体を有することを特徴とする表示装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    前記外部接続端子は、外部接続部と電気的に接続され、
    前記外部接続部は、接着層と、前記トランジスタが設けられた素子形成層との間に配置されていることを特徴とする表示装置。
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