JP2016187005A - 積層コモンモードフィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】信号波形が鈍るのを抑制しつつ、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピーク（減衰極）の深さが大きく、かつ、インダクタンスの低下を抑制することが可能な積層コモンモードフィルタを提供する。
【解決手段】第一コイルＣ１と第二コイルＣ２とは、第一コイル導体２１と第三コイル導体２３とが複数の絶縁体層が積層されている方向で互いに隣り合うと共に第二コイル導体２２と第四コイル導体２４とが複数の絶縁体層が積層されている方向で互いに隣り合い、かつ、複数の絶縁体層が積層されている方向で第三コイル導体２３が第一コイル導体２１と第二コイル導体２２との間に位置するように、素体１内に配置されている。グラウンドに接続される導体層２５，２６は、複数の絶縁体層が積層されている方向で第三コイル導体２３と第二コイル導体２２との間に位置するように配置されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、積層コモンモードフィルタに関する。

複数の絶縁体層が積層されている素体と、渦巻き状の第一及び第二コイル導体を有し、第一コイル導体と第二コイル導体とが電気的に接続されることにより構成される第一コイルと、渦巻き状の第三及び第四コイル導体を有し、第三コイル導体と第四コイル導体が電気的に接続されることにより構成される第二コイルと、を備えている積層コモンモードフィルタが知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された積層コモンモードフィルタでは、第一コイル導体と第三コイル導体とが複数の絶縁体層が積層されている方向で互いに隣り合うと共に第二コイル導体と第四コイル導体とが複数の絶縁体層が積層されている方向で互いに隣り合い、かつ、複数の絶縁体層が積層されている方向で第三コイル導体が第一コイル導体と第二コイル導体との間に位置している。

特開２０１３−０９８２７９号公報

本発明は、信号波形が鈍るのを抑制しつつ、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピーク（減衰極）の深さが大きく、かつ、インダクタンスの低下を抑制することが可能な積層コモンモードフィルタを提供することを目的とする。

本発明に係る積層コモンモードフィルタは、複数の絶縁体層が積層されている素体と、渦巻き状の第一及び第二コイル導体を有し、第一コイル導体と第二コイル導体とが電気的に接続されることにより構成される第一コイルと、渦巻き状の第三及び第四コイル導体を有し、第三コイル導体と第四コイル導体が電気的に接続されることにより構成される第二コイルと、グラウンドに接続される導体層と、を備え、素体は、非磁性材料からなる非磁性体部と、磁性材料からなり、かつ、複数の絶縁体層が積層されている方向で非磁性体部を挟むように配置されている一対の磁性体部と、を含み、第一コイルと第二コイルとは、第一コイル導体と第三コイル導体とが複数の絶縁体層が積層されている方向で互いに隣り合うと共に第二コイル導体と第四コイル導体とが複数の絶縁体層が積層されている方向で互いに隣り合い、かつ、複数の絶縁体層が積層されている方向で第三コイル導体が第一コイル導体と第二コイル導体との間に位置するように、非磁性体部に配置され、導体層は、複数の絶縁体層が積層されている方向で第三コイル導体と第二コイル導体との間に位置し、かつ、複数の絶縁体層が積層されている方向から見たときに第三コイル導体及び第二コイル導体の一部と重なるように、配置され、導体層の厚みは、第一コイル導体、第二コイル導体、第三コイル導体、及び第四コイル導体の各厚みよりも小さい。

本発明に係る積層コモンモードフィルタでは、グラウンドに接続される導体層が、複数の絶縁体層が積層されている方向で第三コイル導体と第二コイル導体との間に位置するように、配置されている。これにより、導体層が配置されている箇所にて、第一コイルと第二コイルとの磁気結合が切断されるため、当該磁気結合が部分的に弱められる。この結果、本発明では、上記導体層を備えない積層コモンモードフィルタに比して、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークの深さが大きい。

特許文献１に記載の積層コモンモードフィルタでは、金属層が、複数の絶縁体層が積層されている方向で第三コイル導体と第二コイル導体との間に位置するように、配置されている。しかしながら、金属層は、いずれの端子電極にも接続されておらず、グラウンドに接続されることはない。したがって、特許文献１に記載の積層コモンモードフィルタでは、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークの深さが大きくなることはない。

本発明では、導体層が、複数の絶縁体層が積層されている方向から見たときに第三コイル導体及び第二コイル導体の一部と重なるように配置されている。導体層は、第三コイル導体との間、及び、第二コイル導体との間に、浮遊容量を形成する。浮遊容量は、積層コモンモードフィルタを通過する信号の波形を鈍らせるように作用し、浮遊容量が大きいほど、信号波形は大きく鈍る傾向にある。導体層が、第三コイル導体の一部、及び、第二コイル導体の一部と重なるように配置されているので、導体層が第三及び第二コイル導体の全体と重なるように配置されている構成に比して、形成される浮遊容量が小さい。これにより、上記減衰ピークの深さを大きくしつつ、信号波形が鈍るのを抑制することができる。

本発明では、導体層の厚みが、第一コイル導体、第二コイル導体、第三コイル導体、及び第四コイル導体の各厚みよりも小さい。複数の絶縁体層が積層されている方向での一対の磁性体部の間隔が大きくなると、積層コモンモードフィルタに発生した磁束は、一方の磁性体部から他方の磁性体部に至り難くなる。このため、第一コイルと第二コイルとの磁気結合が低下し、積層コモンモードフィルタのインダクタンスが低下するおそれがある。導体層の厚みが、第一〜第四コイル導体の各厚みよりも小さい場合、導体層の厚みが、第一〜第四コイル導体の各厚み以上である場合に比して、複数の絶縁体層が積層されている方向での一対の磁性体部の間隔が小さい。これにより、積層コモンモードフィルタのインダクタンスが低下するのを抑制することができる。

複数の絶縁体層が積層されている方向から見て互いに離間して配置されている複数の導体層を備えていてもよい。導体層が配置されている箇所と、導体層が配置されてない箇所とでは、第三コイル導体と第二コイル導体との層間厚みが異なるおそれがある。複数の導体層を備えていることにより、導体層が配置されている箇所が分散されるため、層間厚みが異なる箇所が生じ難くなる。

互いに離間するように素体内に配置されている第一及び第二放電電極を更に備え、第一及び第二放電電極のいずれか一方と導体層とが電気的に接続されていてもよい。この場合、積層コモンモードフィルタは、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）を吸収するＥＳＤ吸収機能を有する。静電気を逃がすグラウンドと、導体層が接続されるグラウンドとの共通化が図られ、積層コモンモードフィルタの構成が複雑化するのを防ぐことができる。

本発明によれば、信号波形が鈍るのを抑制しつつ、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークの深さが大きく、かつ、インダクタンスの低下を抑制することが可能な積層コモンモードフィルタを提供することができる。

本発明の実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す斜視図である。 素体の構成を示す分解斜視図である。 素体の、グラウンド用端子電極を含む断面構成を説明するための図である。 素体の、第一及び第三ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。 素体の、第二及び第四ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。 第一コイル導体と第二コイル導体とを示す平面図である。 第三コイル導体と第四コイル導体とを示す平面図である。 導体層を示す平面図である。 第一、第二、第三、及び第四ギャップ部を含む部分の構成を示す分解斜視図である。 コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性を示す図表である。 導体層の変形例を説明するための図である。 導体層の変形例を説明するための図である。 導体層の変形例を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

図１〜図５を参照して、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタＣＦの構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す斜視図である。図２は、素体の構成を示す分解斜視図である。図３は、素体の、グラウンド用端子電極を含む断面構成を説明するための図である。図４は、素体の、第一及び第三ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。図５は、素体の、第二及び第四ギャップ部を含む断面構成を説明するための図である。

積層コモンモードフィルタＣＦは、図１〜図５に示されるように、素体１と、素体１の外表面に配置される第一端子電極１１、第二端子電極１２、第三端子電極１３、及び第四端子電極１４と、一対のグラウンド用端子電極１５，１６と、を備えている。積層コモンモードフィルタＣＦは、第一端子電極１１、第二端子電極１２、第三端子電極１３、及び第四端子電極１４がそれぞれ信号ラインに接続されると共に、グラウンド用端子電極１５，１６がグラウンドに接続されるように、電子機器（たとえば、回路基板又は電子部品など）に実装される。

素体１は、直方体形状を呈している。素体１は、その外表面として、互いに対向する長方形状の第一及び第二主面１ａ，１ｂと、互いに対向する第一及び第二側面１ｃ，１ｄと、互いに対向する第三及び第四側面１ｅ，１ｆと、を有している。素体１の長手方向は、第三側面１ｅと第四側面１ｆとが対向している方向である。素体１の幅方向は、第一側面１ｃと第二側面１ｄとが対向している方向である。素体１の高さ方向は、第一主面１ａと第二主面１ｂとが対向している方向である。直方体形状には、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状が含まれる。

第一及び第二側面１ｃ，１ｄは、第一主面１ａと第二主面１ｂとを連結するように素体１の高さ方向に延びている。第一及び第二側面１ｃ，１ｄは、素体１の高さ方向（第一及び第二主面１ａ，１ｂの長辺方向）にも延びている。第三及び第四側面１ｅ，１ｆは、第一主面１ａと第二主面１ｂとを連結するように素体１の高さ方向に延びている。第三及び第四側面１ｅ，１ｆは、素体１の幅方向（第一及び第二主面１ａ，１ｂの短辺方向）にも延びている。

素体１は、三つの非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、素体１の高さ方向で各非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃを挟むように配置された四つの磁性体部５と、を有している。すなわち、三つの非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃと四つの磁性体部５とは、素体１の高さ方向で、磁性体部５、非磁性体部３Ｂ、磁性体部５、非磁性体部３Ａ、磁性体部５、非磁性体部３Ｃ、磁性体部５の順に配置されている。素体１は、積層されている複数の絶縁体層により構成されている。

各非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃでは、絶縁体層として、複数の非磁性体層４が積層されている。すなわち、各非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、積層された複数の非磁性体層４により構成されている。各磁性体部５では、絶縁体層として、複数の磁性体層６が積層されている。磁性体部５は、積層された複数の磁性体層６により構成されている。複数の絶縁体層は、それぞれ複数の非磁性体層４及び磁性体層６を含んでいる。図２では、構造の明確化のため、複数の非磁性体層４のうちいくつかの非磁性体層４の図示を省略し、複数の磁性体層６のうちいくつかの磁性体層６の図示を省略している。

各非磁性体層４は、たとえば非磁性材料（Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料、誘電体材料、又はガラスセラミック材料など）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。各磁性体層６は、たとえば磁性材料（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト材料、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト材料など）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。

実際の素体１では、各非磁性体層４及び各磁性体層６は、層間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体１の高さ方向、すなわち第一主面１ａと第二主面１ｂとが対抗している方向は、複数の絶縁体層、すなわち、それぞれ複数の非磁性体層４及び磁性体層６が積層されている方向（以下、単に「積層方向」と称する。）と一致する。

第一端子電極１１及び第三端子電極１３は、素体１の第一側面１ｃ側に配置されている。第一端子電極１１及び第三端子電極１３は、第一側面１ｃの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。第一端子電極１１は、第三側面１ｅ側に位置し、第三端子電極１３は、第四側面１ｆ側に位置している。

第二端子電極１２及び第四端子電極１４は、素体１の第二側面１ｄ側に配置されている。第二端子電極１２及び第四端子電極１４は、第二側面１ｄの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。第二端子電極１２は、第三側面１ｅ側に位置し、第四端子電極１４は、第四側面１ｆ側に位置している。

グラウンド用端子電極１５は、素体１の第三側面１ｅ側に配置されている。グラウンド用端子電極１５は、第三側面１ｅの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。グラウンド用端子電極１６は、素体１の第四側面１ｆ側に配置されている。グラウンド用端子電極１６は、第四側面１ｆの一部を素体１の高さ方向に沿って覆うように形成されていると共に、第一主面１ａの一部と第二主面１ｂの一部とに形成されている。

各端子電極１１〜１６は、導電材（たとえば、Ａｇ又はＰｄなど）を含んでいる。各端子電極１１〜１６は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。各端子電極１１〜１６の表面にはめっき層が形成されている。めっき層は、たとえば電気めっきにより形成される。めっき層は、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層からなる層構造、又は、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層からなる層構造などを有する。

積層コモンモードフィルタＣＦは、図２〜図５に示されるように、第一コイル導体２１、第二コイル導体２２、第三コイル導体２３、第四コイル導体２４、第一接続導体３１、第二接続導体３２、第三接続導体３３、第四接続導体３４、及び複数の導体層２５，２６を、非磁性体部３Ａに備えている。各導体２１〜２４，３１〜３４及び各導体層２５，２６は、導電材（たとえば、Ａｇ又はＰｄなど）を含んでいる。各導体２１〜２４，３１〜３４及び各導体層２５，２６は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

第一コイル導体２１は、図６の（ａ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第一コイル導体２１の一端部（外側端部）２１ａは、第一コイル導体２１と同じ層に位置する第一接続導体３１に接続されている。第一接続導体３１は、端部が第一側面１ｃに露出している。第一接続導体３１は、第一側面１ｃに露出している端部で第一端子電極１１に接続されている。第一コイル導体２１の他端部（内側端部）２１ｂは、第一コイル導体２１と同じ層に位置するパッド導体４１に接続されている。本実施形態では、第一コイル導体２１、第一接続導体３１、及びパッド導体４１は、一体的に形成されている。

第二コイル導体２２は、図６の（ｂ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第二コイル導体２２の一端部（外側端部）２２ａは、第二コイル導体２２と同じ層に位置する第二接続導体３２に接続されている。第二接続導体３２は、端部が第二側面１ｄに露出している。第二接続導体３２は、第二側面１ｄに露出している端部で第二端子電極１２に接続されている。第二コイル導体２２の他端部（内側端部）２２ｂは、第二コイル導体２２と同じ層に位置するパッド導体４２に接続されている。本実施形態では、第二コイル導体２２、第二接続導体３２、及びパッド導体４２は、一体的に形成されている。

第三コイル導体２３は、図７の（ａ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第三コイル導体２３の一端部（外側端部）２３ａは、第三コイル導体２３と同じ層に位置する第三接続導体３３に接続されている。第三接続導体３３は、端部が第一側面１ｃに露出している。第三接続導体３３は、第一側面１ｃに露出している端部で第三端子電極１３に接続されている。第三コイル導体２３の他端部（内側端部）２３ｂは、第三コイル導体２３と同じ層に位置するパッド導体４３に接続されている。本実施形態では、第三コイル導体２３、第三接続導体３３、及びパッド導体４３は、一体的に形成されている。

第四コイル導体２４は、図７の（ｂ）にも示されるように、渦巻き状であり、積層方向に隣り合う一対の非磁性体層４の間に配置されている。第四コイル導体２４の一端部（外側端部）２４ａは、第四コイル導体２４と同じ層に位置する第四接続導体３４に接続されている。第四接続導体３４は、端部が第二側面１ｄに露出している。第四接続導体３４は、第二側面１ｄに露出している端部で第四端子電極１４に接続されている。第四コイル導体２４の他端部（内側端部）２４ｂは、第四コイル導体２４と同じ層に位置するパッド導体４４に接続されている。本実施形態では、第四コイル導体２４、第四接続導体３４、及びパッド導体４４は、一体的に形成されている。

第一コイル導体２１と第三コイル導体２３とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、第二コイル導体２２と第四コイル導体２４とが非磁性体層４を介して積層方向で互いに隣り合っている。積層方向で第三コイル導体２３が第一コイル導体２１と第二コイル導体２２との間に位置している。すなわち、第一〜第四コイル導体２１〜２４は、積層方向において、第一コイル導体２１、第三コイル導体２３、第二コイル導体２２、第四コイル導体２４の順に配置されている。第一〜第四コイル導体２１〜２４は、積層方向から見て、同じ方向に巻き回されていると共に互いに重なり合うように位置している。

複数の導体層２５，２６は、積層方向で第三コイル導体２３と第二コイル導体２２との間に位置するように配置されている。本実施形態では、導体層２５と導体層２６とは、同じ層に位置している。すなわち、導体層２５と導体層２６とは、積層方向で隣り合う一対の非磁性体層４の間に位置している。導体層２５と導体層２６とは、積層方向から見て互いに離間して配置されている。本実施形態では、導体層２５と導体層２６とは、積層方向から見て、素体１の長手方向に離間している。

導体層２５は、図８に示されるように、第一導体部分２５ａと第二導体部分２５ｂとを有している。第一導体部分２５ａは、積層方向から見たときに第三コイル導体２３及び第二コイル導体２２の一部と重なるように位置している。第二導体部分２５ｂは、第一導体部分２５ａに接続されている一端と、第三側面１ｅに露出している他端とを含んでいる。第二導体部分２５ｂの他端は、グラウンド用端子電極１５に接続されている。すなわち、導体層２５は、グラウンド用端子電極１５に接続されている。第一導体部分２５ａと第二導体部分２５ｂとは、一体的に形成されている。

導体層２６は、第一導体部分２６ａと第二導体部分２６ｂとを有している。第一導体部分２６ａは、積層方向から見たときに第三コイル導体２３及び第二コイル導体２２の一部と重なるように位置している。第二導体部分２６ｂは、第一導体部分２６ａに接続されている一端と、第四側面１ｆに露出している他端とを含んでいる。第二導体部分２６ｂの他端は、グラウンド用端子電極１６に接続されている。すなわち、導体層２６は、グラウンド用端子電極１６に接続されている。第一導体部分２６ａと第二導体部分２６ｂとは、一体的に形成されている。

各導体層２５，２６の厚みＴＨ１は、第一コイル導体２１、第二コイル導体２２、第三コイル導体２３、及び第四コイル導体２４の各厚みＴＨ２よりも小さい。第一コイル導体２１、第二コイル導体２２、第三コイル導体２３、及び第四コイル導体２４の各厚みＴＨ２は、たとえば、９〜１１μｍである。各導体層２５，２６の厚みＴＨ１は、４〜６μｍである。

パッド導体４１とパッド導体４２とは、積層方向から見て、互いに重なり合うように位置している。パッド導体４１とパッド導体４２との間には、第三コイル導体２３と同じ層に位置するパッド導体４５と、導体層２５，２６と同じ層に位置するパッド導体４７とが配置されている。パッド導体４５とパッド導体４７とは、積層方向から見て、第一及びパッド導体４１，４２と互いに重なり合うように位置している。すなわち、パッド導体４１とパッド導体４５とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、パッド導体４５とパッド導体４７とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、パッド導体４７とパッド導体４２とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合っている。

パッド導体４１とパッド導体４５とパッド導体４７とパッド導体４２とは、それぞれスルーホール導体５１を通して接続されている。スルーホール導体５１は、パッド導体４１とパッド導体４５との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４５とパッド導体４７との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４７とパッド導体４２との間に位置する非磁性体層４と、を貫通している。

パッド導体４３とパッド導体４４とは、積層方向から見て、互いに重なり合うように位置している。パッド導体４３とパッド導体４４との間には、導体層２５，２６と同じ層に位置するパッド導体４８と、第二コイル導体２２と同じ層に位置するパッド導体４６とが配置されている。パッド導体４８とパッド導体４６とは、積層方向から見て、第三及びパッド導体４３，４４と互いに重なり合うように位置している。すなわち、パッド導体４３とパッド導体４８とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、パッド導体４８とパッド導体４６とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合い、パッド導体４６とパッド導体４４とが積層方向で非磁性体層４を介して互いに隣り合っている。

パッド導体４３とパッド導体４８とパッド導体４６とパッド導体４４とは、それぞれスルーホール導体５２を通して接続されている。スルーホール導体５２は、パッド導体４３とパッド導体４８との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４８とパッド導体４６との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４６とパッド導体４４との間に位置する非磁性体層４と、を貫通している。

第一コイル導体２１と第二コイル導体２２とは、パッド導体４１、パッド導体４５、パッド導体４７、パッド導体４２、及びスルーホール導体５１を通して、電気的に接続されており、第一コイルＣ１を構成している。第三コイル導体２３と第四コイル導体２４とは、パッド導体４３、パッド導体４８、パッド導体４６、パッド導体４４、及びスルーホール導体５２を通して、電気的に接続されており、第二コイルＣ２を構成している。すなわち、積層コモンモードフィルタＣＦは、素体１内に、第一コイルＣ１と第二コイルＣ２を備える。第一コイルＣ１と第二コイルＣ２とは、第一コイル導体２１と第三コイル導体２３とが積層方向で互いに隣り合うと共に第二コイル導体２２と第四コイル導体２４とが積層方向で互いに隣り合い、かつ、積層方向で第三コイル導体２３が第一コイル導体２１と第二コイル導体２２との間に位置するように、非磁性体部３Ａに配置されている。

パッド導体４５，４６，４７，４８及びスルーホール導体５１，５２は、導電材（たとえば、Ａｇ又はＰｄなど）を含んでいる。パッド導体４５，４６，４７，４８及びスルーホール導体５１，５２は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。スルーホール導体５１，５２は、対応する非磁性体層４を構成することとなるセラミックグリーンシートに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが焼結することにより形成される。

積層コモンモードフィルタＣＦは、図４、図５、及び図９にも示されるように、放電電極６０，６２，６４，６６，６８、及び放電誘発部７０〜７３を備えている。一対の放電電極６０，６８と放電誘発部７０とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。一対の放電電極６２，６８と放電誘発部７１とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。一対の放電電極６４，６８と放電誘発部７２とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。一対の放電電極６６，６８と放電誘発部７３とは、ＥＳＤ吸収性能を有するＥＳＤサプレッサとして機能する。各ＥＳＤサプレッサは、非磁性体部３Ｂに配置されている。

放電電極６０は、素体１の長手方向における、第四側面１ｆよりも第三側面１ｅに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第二側面１ｄよりも第一側面１ｃに近い位置に配置されている。放電電極６０は、第一接続部６０ａ及び第一対向部６０ｂを有している。第一接続部６０ａと第一対向部６０ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６０ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６０ａの一端６０ｃは、素体１の第一側面１ｃに露出しており、第一端子電極１１に接続されている。第一対向部６０ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６０ｂの一端６０ｄは、スルーホール導体６１を通して第一接続部６０ａの他端６０ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６０ｂは、スルーホール導体６１及び第一接続部６０ａを通して、第一端子電極１１に電気的に接続される。

放電電極６２は、素体１の長手方向における、第三側面１ｅよりも第四側面１ｆに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第二側面１ｄよりも第一側面１ｃに近い位置に配置されている。放電電極６２は、第一接続部６２ａ及び第一対向部６２ｂを有している。第一接続部６２ａは、第一接続部６０ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第一対向部６２ｂは、第一対向部６０ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第一接続部６２ａと第一対向部６２ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６２ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６２ａの一端６２ｃは、素体１の第一側面１ｃに露出しており、第三端子電極１３に接続されている。第一対向部６２ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６２ｂの一端６２ｄは、スルーホール導体６３を通して第一接続部６２ａの他端６２ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６２ｂは、スルーホール導体６３及び第一接続部６２ａを通して、第三端子電極１３に電気的に接続される。

放電電極６４は、素体１の長手方向における、第四側面１ｆよりも第三側面１ｅに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第一側面１ｃよりも第二側面１ｄに近い位置に配置されている。放電電極６４は、第一接続部６４ａ及び第一対向部６４ｂを有している。第一接続部６４ａは、第一接続部６０ａ，６２ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第一対向部６４ｂは、第一対向部６０ｂ，６２ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第一接続部６４ａと第一対向部６４ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６４ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６４ａの一端６４ｃは、素体１の第二側面１ｄに露出しており、第二端子電極１２に接続されている。第一対向部６４ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６４ｂの一端６４ｄは、スルーホール導体６５を通して第一接続部６４ａの他端６４ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６４ｂは、スルーホール導体６５及び第一接続部６４ａを通して、第二端子電極１２に電気的に接続される。

放電電極６６は、素体１の長手方向における、第三側面１ｅよりも第四側面１ｆに近い位置で、かつ、素体１の幅方向における、第一側面１ｃよりも第二側面１ｄに近い位置に配置されている。放電電極６６は、第一接続部６６ａ及び第一対向部６６ｂを有している。第一接続部６６ａは、第一接続部６０ａ，６２ａ，６４ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第一対向部６６ｂは、第一対向部６０ｂ，６２ｂ，６４ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第一接続部６６ａと第一対向部６６ｂとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第一接続部６６ａは、素体１の幅方向に沿って延在している。第一接続部６６ａの一端６６ｃは、素体１の第二側面１ｄに露出しており、第四端子電極１４に接続されている。第一対向部６６ｂは、素体１の長手方向に沿って延在している。第一対向部６６ｂの一端６６ｄは、スルーホール導体６７を通して第一接続部６６ａの他端６６ｅに電気的に接続されている。これにより、第一対向部６６ｂは、スルーホール導体６７及び第一接続部６６ａを通して、第四端子電極１４に電気的に接続される。

放電電極６８は、第二接続部６８ａ、第二対向部６８ｂ、及び第二対向部６８ｃを有している。第二接続部６８ａは、第一接続部６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａが配置されている非磁性体層４に配置されている。第二対向部６８ｂ，６８ｃは、第一対向部６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂが配置されている非磁性体層４に配置されている。すなわち、第二接続部６８ａと第二対向部６８ｂ，６８ｃとは、互いに異なる非磁性体層４に配置されている。

第二接続部６８ａは、素体１の幅方向における、略中央の位置に配置されている。第二接続部６８ａは、素体１の長手方向に延在している。第二接続部６８ａの一端６８ｅは、素体１の第三側面１ｅ側に露出しており、グラウンド用端子電極１５に接続されている。第二接続部６８ａの他端６８ｆは、素体１の第四側面１ｆ側に露出しており、グラウンド用端子電極１６に接続されている。

第二対向部６８ｂと第二対向部６８ｃとは、積層方向から見て、素体１の幅方向に離間している。第二対向部６８ｂ，６８ｃは、素体１の長手方向に延在している。第二対向部６８ｂと第二対向部６８ｃとは、接続部６８ｄを通して電気的に接続されている。接続部６８ｄの一端は、第二対向部６８ｂにおける素体１の長手方向での略中央に接続されている。接続部６８ｄの他端は、第二対向部６８ｃにおける素体１の長手方向での略中央に接続されている。第二対向部６８ｂ，６８ｃと接続部６８ｄとは、一体に形成されている。接続部６８ｄは、素体１の幅方向に延在している。

接続部６８ｄは、スルーホール導体６９を通して第二接続部６８ａに電気的に接続される。これにより、第二対向部６８ｂ，６８ｃは、接続部６８ｄ、スルーホール導体６９、及び第二接続部６８ａを通して、グラウンド用端子電極１５，１６に電気的に接続される。

第二対向部６８ｂは、第一対向部６０ｂ，６２ｂと素体１の幅方向で対向配置されている。すなわち、第二対向部６８ｂと第一対向部６０ｂ，６２ｂとは、素体１の幅方向で離間している。第一対向部６０ｂ，６２ｂと第二対向部６８ｂとは、厚みを有している。このため、第一対向部６０ｂ，６２ｂの側面と第二対向部６８ｂの側面とが対向する。

第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとの間に、第一ギャップ部ＧＰ１が形成されている（図４参照）。第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとの間に、第二ギャップ部ＧＰ２が形成されている（図５参照）。第一端子電極１１とグラウンド用端子電極１５，１６との間に所定以上の電圧が印加されると、第一ギャップ部ＧＰ１で放電が生じる。第三端子電極１３とグラウンド用端子電極１５，１６との間に所定以上の電圧が印加されると、第二ギャップ部ＧＰ２で放電が生じる。各ギャップ部ＧＰ１，ＧＰ２の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

第二対向部６８ｃは、第一対向部６４ｂ，６６ｂと素体１の幅方向で対向配置されている。すなわち、第二対向部６８ｃと第一対向部６４ｂ，６６ｂとは、素体１の幅方向で離間している。第一対向部６４ｂ，６６ｂと第二対向部６８ｃとは、厚みを有している。このため、第一対向部６４ｂ，６６ｂの側面と第二対向部６８ｃの側面とが対向する。

第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとの間に、第三ギャップ部ＧＰ３が形成されている（図４参照）。第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとの間に、第四ギャップ部ＧＰ４が形成される（図５参照）。第二端子電極１２とグラウンド用端子電極１５，１６との間に所定以上の電圧が印加されると、第三ギャップ部ＧＰ３で放電が生じる。第四端子電極１４とグラウンド用端子電極１５，１６との間に所定以上の電圧が印加されると、第四ギャップ部ＧＰ４で放電が生じる。各ギャップ部ＧＰ３，ＧＰ４の幅は、所望の放電特性が得られるように、所定の値に設定されている。

放電電極６０，６２，６４，６６，６８、及びスルーホール導体６１，６３，６５，６７，６９は、導電材（たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、又はＷなど）を含んでいる。各放電電極６０，６２，６４，６６，６８及び各スルーホール導体６１，６３，６５，６７，６９は、導電性材料（たとえば、Ａｇ粉末、Ｐｄ粉末、Ａｕ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、Ａｌ粉末、Ｍｏ粉末、又はＷ粉末など）を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。スルーホール導体６１，６３，６５，６７，６９は、対応する非磁性体層４を構成することとなるセラミックグリーンシートに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが焼結することにより形成される。

放電誘発部７０は、第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように、第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとに接している。放電誘発部７０は、第一対向部６０ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように形成され、第一ギャップ部ＧＰ１での放電を発生し易くする機能を有する。放電誘発部７１は、第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように、第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとに接している。放電誘発部７１は、第一対向部６２ｂと第二対向部６８ｂとを接続するように形成され、第二ギャップ部ＧＰ２での放電を発生し易くする機能を有する。

放電誘発部７２は、第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように、第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとに接している。放電誘発部７２は、第一対向部６４ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように形成され、第三ギャップ部ＧＰ３での放電を発生し易くする機能を有する。放電誘発部７３は、第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように、第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとに接している。放電誘発部７３は、第一対向部６６ｂと第二対向部６８ｃとを接続するように形成され、第四ギャップ部ＧＰ４での放電を発生し易くする機能を有する。

放電誘発部７０〜７３は、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｎＯ_２、Ｋ_２О、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、及びＢ_２Ｏ_３からなる群より選ばれる少なくとも一種の材料を含んで構成される。放電誘発部７０〜７３は、上記群より選ばれる二種類以上の材料を含んで構成されてもよい。放電誘発部７０〜７３には、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ合金、Ａｇ／Ｃｕ合金、Ａｇ／Ａｕ合金、又はＡｇ／Ｐｔ合金などの金属粒子が含有されている。放電誘発部７０〜７３には、ＲｕＯ_２などの半導体粒子が含有されていてもよい。放電誘発部７０〜７３には、ガラス又は酸化錫（ＳｎＯ又はＳｎＯ_２）が含有されていてもよい。

素体１は、空洞部７４〜７７を有している（図４及び図５参照）。

空洞部７４を画成する面は、第一対向部６０ｂ及び第二対向部６８ｂ、並びに、放電誘発部７０（第一及び第二対向部６０ｂ，６８ｂから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７４は、第一及び第二対向部６０ｂ，６８ｂと、放電誘発部７０（第一及び第二対向部６０ｂ，６８ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部７４は、放電時における第一対向部６０ｂ、第二対向部６８ｂ、非磁性体層４及び放電誘発部７０の熱膨張を吸収する機能を有する。

空洞部７５を画成する面は、第一対向部６２ｂ及び第二対向部６８ｂ、並びに、放電誘発部７１（第一及び第二対向部６２ｂ，６８ｂから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７５は、第一及び第二対向部６２ｂ，６８ｂと、放電誘発部７１（第一及び第二対向部６０ｂ，６８ｂから露出する部分）と、に接している。空洞部７５は、放電時における第一対向部６２ｂ、第二対向部６８ｂ、非磁性体層４及び放電誘発部７１の熱膨張を吸収する機能を有する。

空洞部７６を画成する面は、第一対向部６４ｂ及び第二対向部６８ｃ、並びに、放電誘発部７２（第一及び第二対向部６４ｂ，６８ｃから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７６は、第一及び第二対向部６４ｂ，６８ｃと、放電誘発部７２（第一及び第二対向部６４ｂ，６８ｃから露出する部分）と、に接している。空洞部７６は、放電時における第一対向部６４ｂ、第二対向部６８ｃ、非磁性体層４及び放電誘発部７２の熱膨張を吸収する機能を有する。

空洞部７７を画成する面は、第一対向部６６ｂ及び第二対向部６８ｃ、並びに、放電誘発部７３（第一及び第二対向部６６ｂ，６８ｃから露出する部分）の表面と、当該表面に対向する面と、を含んでいる。空洞部７７は、第一及び第二対向部６６ｂ，６８ｃと、放電誘発部７３（第一及び第二対向部６６ｂ，６８ｃから露出する部分）と、に接している。空洞部７７は、放電時における第一対向部６６ｂ、第二対向部６８ｃ、非磁性体層４及び放電誘発部７３の熱膨張を吸収する機能を有する。

非磁性体部３Ｃには、第一コイルＣ１と第二コイルＣ２とが配置されている非磁性体部３Ａ及びＥＳＤサプレッサが配置されている非磁性体部３Ｂと異なり、導体などが配置されていない。非磁性体部３Ｃは、三つの非磁性体部３Ａ，３Ｂ，３Ｃの関係において、非磁性体部３Ａを挟んで非磁性体部３Ｂとは反対側に位置している。非磁性体部３Ｃは、焼成の際に素体１に発生する内部応力を緩和する。

以上のように、本実施形態では、導体層２５，２６が、グラウンド用端子電極１５，１６に接続されている。すなわち、導体層２５，２６は、グラウンド用端子電極１５，１６を通してグラウンドに接続される。

グラウンドに接続される導体層２５，２６が、積層方向で第三コイル導体２３と第二コイル導体２２との間に位置するように、配置されている。これにより、導体層２５，２６が配置されている箇所にて、第一コイルＣ１と第二コイルＣ２との磁気結合が切断されるため、当該磁気結合が部分的に弱められる。この結果、積層コモンモードフィルタＣＦは、導体層２５，２６を備えない積層コモンモードフィルタに比して、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークの深さが大きい。導体層２５，２６がグラウンド用端子電極１５，１６に接続されていない、すなわち導体層２５，２６がグラウンドに接続されない積層コモンモードフィルタでは、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークの深さが大きくなることはない。

導体層２５，２６は、第三コイル導体２３及び第二コイル導体２２の一部と重なるように配置されている。導体層２５，２６は、第三コイル導体２３との間、及び、第二コイル導体２２との間に、浮遊容量を形成する。浮遊容量は、積層コモンモードフィルタＣＦを通過する信号の波形を鈍らせるように作用し、浮遊容量が大きいほど、信号波形は大きく鈍る傾向にある。

導体層２５，２６は、積層方向から見たときに、第三コイル導体２３の一部、及び、第二コイル導体２２の一部と重なるように配置されているので、導体層２５，２６が第三及び第二コイル導体２３，２２の全体と重なるように配置されている積層コモンモードフィルタに比して、形成される浮遊容量が小さい。これにより、積層コモンモードフィルタＣＦでは、上記減衰ピークの深さを大きくしつつ、信号波形が鈍るのを抑制することができる。

第一コイルＣ１と第二コイルＣ２とを挟むように位置している一対の磁性体部５の積層方向の間隔が大きくなると、積層コモンモードフィルタＣＦに発生した磁束は、一方の磁性体部５から他方の磁性体部５に至り難くなる。このため、第一コイルＣ１と第二コイルＣ２との磁気結合が低下し、積層コモンモードフィルタＣＦのインダクタンスが低下するおそれがある。

積層コモンモードフィルタＣＦでは、各導体層２５，２６の厚みＴＨ１が、各第一〜第四コイル導体２１，２２，２３，２４の厚みＴＨ２よりも小さいので、厚みＴＨ１が厚みＴＨ２以上である積層コモンモードフィルタに比して、積層方向での一対の磁性体部５の間隔が小さい。これにより、積層コモンモードフィルタＣＦのインダクタンスが低下するのを抑制することができる。

積層コモンモードフィルタＣＦは、複数の導体層２５，２６を備えている。導体層２５，２６が配置されている箇所と、導体層２５，２６が配置されてない箇所とでは、第三コイル導体２３と第二コイル導体２２との層間厚みが異なるおそれがある。積層コモンモードフィルタＣＦが複数の導体層２５，２６を備えていることにより、導体層２５，２６が配置されている箇所が分散されるため、上記層間厚みが異なる箇所が生じ難くなる。

積層コモンモードフィルタＣＦでは、放電電極６０，６２，６４，６６（第一対向部６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ）と放電電極６８（第二対向部６８ｂ）とが、互いに離間するように素体１内に配置されている。放電電極６８が、グラウンド用端子電極１５，１６に接続されている。すなわち、放電電極６８は、グラウンド用端子電極１５，１６を通してグラウンドに接続される。これにより、積層コモンモードフィルタＣＦは、ＥＳＤ吸収機能を有する。静電気を逃がすグラウンドと、導体層２５，２６が接続されるグラウンドとの共通化が図られ、積層コモンモードフィルタＣＦの構成が複雑化するのを防ぐことができる。

ここで、本実施形態の積層コモンモードフィルタＣＦと、従来の積層コモンモードフィルタとの、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性を比較する試験を行った。試験結果を図１０に示す。図１０では、積層コモンモードフィルタＣＦの周波数特性が実線で示され、従来の積層コモンモードフィルタの周波数特性が破線で示されている。積層コモンモードフィルタＣＦと従来の積層コモンモードフィルタとでは、導体層２５，２６の有無に関してのみ相違しており、導体層２５，２６以外の構成に関しては同じである。

図１０に示された試験結果からわかるように、積層コモンモードフィルタＣＦは、従来の積層コモンモードフィルタに比して、コモンモードノイズに対する減衰量の周波数特性における減衰ピークの深さが大きい。

積層コモンモードフィルタＣＦでは、減衰ピークの位置が高周波数側にシフトしている。減衰ピークの位置が高周波数側にシフトする理由は、以下のように推測される。導体層２５，２６により第一コイルＣ１と第二コイルＣ２との磁気結合が部分的に弱められることにより、積層コモンモードフィルタＣＦが、回路構成上、第一コイル導体２１と第三コイル導体２３とにより構成されるコモンモードフィルタと、第二コイル導体２２と第四コイル導体２４とにより構成されるコモンモードフィルタとが直列接続されている構成となる。第一及び第三コイル導体２１，２３により構成されるコモンモードフィルタ、及び、第二及び第四コイル導体２２，２４により構成されるコモンモードフィルタは、第一〜第四コイル導体２１〜２４により構成されるコモンモードフィルタよりもインピーダンスが低く、減衰ピークの位置が高周波数側にシフトする。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。

本実施形態では、積層コモンモードフィルタＣＦが複数の導体層２５，２６を備えているが、これに限られない。導体層の数は、「１」でもよい。たとえば、図１１に示されるように、積層コモンモードフィルタＣＦは、一つの導体層２５を備えていてもよい。

導体層２５，２６の形状も、図８に示された形状に限られない。たとえば、図１２に示されるように、導体層２５，２６は、第二コイル導体２２又は第三コイル導体２３の形状に沿って湾曲している形状を呈していてもよい。この場合、第一導体部分２５ａ，２６ａの形状は、Ｕ字状を呈する。

図１３に示されるように、積層コモンモードフィルタＣＦは、一つの導体層２７を備えていてもよい、導体層２７は、第一導体部分２７ａと、一対の第二導体部分２７ｂ，２７ｃとを有している。第一導体部分２７ａは、積層方向から見て環状を呈している。第一導体部分２７ａは、積層方向から見たときに、たとえば、第二コイル導体２２及び第三コイル導体２３の１ターン部分と重なるように位置している。

第二導体部分２７ｂは、第一導体部分２７ａに接続されている一端と、第三側面１ｅに露出している他端とを含んでいる。第二導体部分２７ｂの他端は、グラウンド用端子電極１５に接続されている。第二導体部分２７ｃは、第一導体部分２７ａに接続されている一端と、第四側面１ｆに露出している他端とを含んでいる。第二導体部分２７ｃの他端は、グラウンド用端子電極１６に接続されている。すなわち、導体層２７は、グラウンド用端子電極１５，１６に接続されている。第一導体部分２７ａと第二導体部分２７ｂ，２７ｃとは、一体的に形成されている。

積層コモンモードフィルタＣＦは、放電電極６０，６２，６４，６６，６８、及び放電誘発部７０〜７３を備えていなくてもよい。すなわち、積層コモンモードフィルタＣＦは、ＥＳＤ吸収性能を有していなくてもよい。

１…素体、３Ａ，３Ｂ…非磁性体部、５…磁性体部、１１…第一端子電極、１２…第二端子電極、１３…第三端子電極、１４…第四端子電極、１５，１６…グラウンド用端子電極、２１…第一コイル導体、２２…第二コイル導体、２３…第三コイル導体、２４…第四コイル導体、２５，２６，２７…導体層、６０，６２，６４，６６，６８…放電電極、Ｃ１…第一コイル、Ｃ２…第二コイル、ＣＦ…積層コモンモードフィルタ、ＴＨ１…導体層の厚み、ＴＨ２…第一〜第四コイル導体の厚み。

Claims (3)

1. 複数の絶縁体層が積層されている素体と、
   渦巻き状の第一及び第二コイル導体を有し、前記第一コイル導体と前記第二コイル導体とが電気的に接続されることにより構成される第一コイルと、
   渦巻き状の第三及び第四コイル導体を有し、前記第三コイル導体と前記第四コイル導体が電気的に接続されることにより構成される第二コイルと、
   グラウンドに接続される導体層と、を備え、
   前記素体は、非磁性材料からなる非磁性体部と、磁性材料からなり、かつ、前記複数の絶縁体層が積層されている方向で前記非磁性体部を挟むように配置されている一対の磁性体部と、を含み、
   前記第一コイルと前記第二コイルとは、前記第一コイル導体と前記第三コイル導体とが前記複数の絶縁体層が積層されている前記方向で互いに隣り合うと共に前記第二コイル導体と前記第四コイル導体とが前記複数の絶縁体層が積層されている前記方向で互いに隣り合い、かつ、前記複数の絶縁体層が積層されている前記方向で前記第三コイル導体が前記第一コイル導体と前記第二コイル導体との間に位置するように、前記非磁性体部に配置され、
   前記導体層は、前記複数の絶縁体層が積層されている前記方向で前記第三コイル導体と前記第二コイル導体との間に位置し、かつ、前記複数の絶縁体層が積層されている前記方向から見たときに前記第三コイル導体及び前記第二コイル導体の一部と重なるように、配置され、
   前記導体層の厚みは、前記第一コイル導体、前記第二コイル導体、前記第三コイル導体、及び前記第四コイル導体の各厚みよりも小さい、積層コモンモードフィルタ。
2. 前記複数の絶縁体層が積層されている前記方向から見て互いに離間して配置されている複数の前記導体層を備えている、請求項１に記載の積層コモンモードフィルタ。
3. 互いに離間するように前記素体内に配置されている第一及び第二放電電極を更に備え、
   前記第一及び第二放電電極のいずれか一方と前記導体層とが電気的に接続されている、請求項１又は２に記載の積層コモンモードフィルタ。

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