JP2016135732A5 - - Google Patents
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Description
（２）窒化ホウ素一次粒子が凝集してなる窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）と無機粒子（Ｂ）とを含む組成物であって、窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）を粉末Ｘ線回折測定して得られる窒化ホウ素一次粒子の（１００）面と（００４）面のピーク強度比（（１００）／（００４））が３以上であり、かつ、窒化ホウ素一次粒子の（００２）面ピークから求めた窒化ホウ素一次粒子の平均結晶子径が３２０Å以上であること特徴とする窒化ホウ素凝集粒子含有組成物。
該組成物は、ＢＮ一次粒子の特定の結晶面の配向を保ったまま、すなわち粉末Ｘ線回折測定による（１００）面と（００４）面のピーク強度比（（１００）／（００４））が３以上に保たれ、かつ平均結晶子径が大きいため、凝集粒子としての高熱伝導性に加え、樹脂と複合化した際の成形体においても高熱伝導性を示すという効果を奏するものである。
該組成物は、ＢＮ一次粒子の特定の結晶面の配向を保ったまま、すなわち粉末Ｘ線回折測定による（１００）面と（００４）面のピーク強度比（（１００）／（００４））が３以上に保たれ、かつ平均結晶子径が大きいため、凝集粒子としての高熱伝導性に加え、樹脂と複合化した際の成形体においても高熱伝導性を示すという効果を奏するものである。
（ＢＮ一次粒子の平均結晶子径）
本発明のＢＮ凝集粒子において、これを構成するＢＮ一次粒子の平均結晶子径は、高熱伝導性フィラーとしての用途において重要な要件の一つである。本発明のＢＮ凝集粒子は、ＢＮ凝集粒子を構成するＢＮ一次粒子の平均結晶子径を大きくすること、すなわち、ＢＮ凝集粒子を粉末Ｘ線回折測定して得られるＢＮ一次粒子の（００２）面ピークから求めたＢＮ一次粒子の平均結晶子径（以下、ＢＮ一次粒子の（００２）面ピークから求めたＢＮ一次粒子の平均結晶子径を、単に、「ＢＮ一次粒子の平均結晶子径」と称す）が３２０Å以上であることにより、ＢＮ一次粒子中の結晶粒界を減少し、その結果、熱伝導性に優れることとなる。
本発明のＢＮ凝集粒子において、これを構成するＢＮ一次粒子の平均結晶子径は、高熱伝導性フィラーとしての用途において重要な要件の一つである。本発明のＢＮ凝集粒子は、ＢＮ凝集粒子を構成するＢＮ一次粒子の平均結晶子径を大きくすること、すなわち、ＢＮ凝集粒子を粉末Ｘ線回折測定して得られるＢＮ一次粒子の（００２）面ピークから求めたＢＮ一次粒子の平均結晶子径（以下、ＢＮ一次粒子の（００２）面ピークから求めたＢＮ一次粒子の平均結晶子径を、単に、「ＢＮ一次粒子の平均結晶子径」と称す）が３２０Å以上であることにより、ＢＮ一次粒子中の結晶粒界を減少し、その結果、熱伝導性に優れることとなる。
Claims (9)
- 窒化ホウ素一次粒子が凝集してなる窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）と無機粒子（Ｂ）とを含む組成物であって、窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）がカードハウス構造を有し、窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）の体積平均粒子径（Ｄ５０）が２５μｍ以上であり、かつ、窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）の体積平均粒子径（Ｄ５０）＞無機粒子（Ｂ）の体積平均粒子径（Ｄ５０）であることを特徴とする窒化ホウ素凝集粒子含有組成物。
- 窒化ホウ素一次粒子が凝集してなる窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）と無機粒子（Ｂ）とを含む組成物であって、窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）を粉末Ｘ線回折測定して得られる窒化ホウ素一次粒子の（１００）面と（００４）面のピーク強度比（（１００）／（００４））が３以上であり、かつ、窒化ホウ素一次粒子の（００２）面ピークから求めた窒化ホウ素一次粒子の平均結晶子径が３２０Å以上であること特徴とする窒化ホウ素凝集粒子含有組成物。
- 窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）の体積平均粒子径（Ｄ５０）が２５μｍ以上であり、かつ、窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）の体積平均粒子径（Ｄ５０）＞無機粒子（Ｂ）の体積平均粒子径（Ｄ５０）であることを特徴とする請求項２に記載の窒化ホウ素凝集粒子含有組成物。
- 窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）及び無機粒子（Ｂ）が球状であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の窒化ホウ素凝集粒子含有組成物。
- 窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）の含有割合が、窒化ホウ素凝集粒子（Ａ）と無機粒子（Ｂ）の合計に対して、３０〜９５質量％であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の窒化ホウ素凝集粒子含有組成物。
- 無機粒子（Ｂ）が窒化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミナ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム及び、酸化チタンからなる群から選ばれる一種以上であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の窒化ホウ素凝集粒子含有組成物。
- 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の窒化ホウ素凝集粒子含有組成物を含む塗布液。
- 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の窒化ホウ素凝集粒子含有組成物を成形してなる成形体。
- 請求項８に記載の成形体を含むパワー半導体デバイス。
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