JP2016105457A5 - - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 61
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 61
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 61
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 18
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 3
- -1 silane hydride Chemical class 0.000 claims 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510707965.9A CN105609406B (zh) | 2014-11-19 | 2015-10-27 | 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统 |
| US14/929,973 US9412587B2 (en) | 2014-11-19 | 2015-11-02 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, gas supply system, and recording medium |
| KR1020150153316A KR101822238B1 (ko) | 2014-11-19 | 2015-11-02 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 가스 공급 시스템, 프로그램, 삼차원 플래시 메모리, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 및 반도체 장치 |
| TW104136160A TWI672800B (zh) | 2014-11-19 | 2015-11-03 | 半導體裝置的製造方法，基板處理裝置，氣體供給系統及記錄媒體 |
| US15/190,578 US9540728B2 (en) | 2014-11-19 | 2016-06-23 | Substrate processing apparatus, apparatus for manufacturing semiconductor device, and gas supply system |
| US15/368,337 US9691609B2 (en) | 2014-11-19 | 2016-12-02 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
| US15/468,966 US9941119B2 (en) | 2014-11-19 | 2017-03-24 | Method of forming silicon layer in manufacturing semiconductor device and recording medium |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014234401 | 2014-11-19 | ||
| JP2014234401 | 2014-11-19 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016105457A JP2016105457A (ja) | 2016-06-09 |
| JP2016105457A5 true JP2016105457A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2016-09-29 |
| JP6100854B2 JP6100854B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=56102825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015185891A Active JP6100854B2 (ja) | 2014-11-19 | 2015-09-18 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、ガス供給システムおよびプログラム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6100854B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
| KR (1) | KR101822238B1 (enrdf_load_stackoverflow) |
| TW (1) | TWI672800B (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6585551B2 (ja) * | 2016-06-15 | 2019-10-02 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| KR101960763B1 (ko) * | 2016-11-03 | 2019-03-21 | 주식회사 유진테크 | 저온 에피택셜층 형성방법 |
| JP2018113322A (ja) | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
| JP6778139B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-10-28 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| WO2018179352A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| JP6777624B2 (ja) | 2017-12-28 | 2020-10-28 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP7058575B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2022-04-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP7199286B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP7065818B2 (ja) | 2019-10-28 | 2022-05-12 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
| KR102328573B1 (ko) * | 2020-01-17 | 2021-11-17 | 성균관대학교산학협력단 | C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법 |
| JP7305700B2 (ja) | 2021-04-19 | 2023-07-10 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4522662A (en) * | 1983-08-12 | 1985-06-11 | Hewlett-Packard Company | CVD lateral epitaxial growth of silicon over insulators |
| JPS61179571A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-08-12 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | メモリセルおよびそのアレイ |
| JPS62183508A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体基板およびその製造法 |
| JPH0451565A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
| JP3403231B2 (ja) * | 1993-05-12 | 2003-05-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH08204032A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-08-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3382114B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| FR2774509B1 (fr) * | 1998-01-30 | 2001-11-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de depot d'une region de silicium monocristallin |
| JP3485081B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2004-01-13 | 株式会社デンソー | 半導体基板の製造方法 |
| US7202523B2 (en) * | 2003-11-17 | 2007-04-10 | Micron Technology, Inc. | NROM flash memory devices on ultrathin silicon |
| JP2007317874A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP4791949B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
| JP5023004B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-09-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2010114360A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5692763B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン膜の形成方法およびその形成装置 |
| JP5393895B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-01-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP5815443B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2015-11-17 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5902073B2 (ja) * | 2012-09-25 | 2016-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
| US20140120678A1 (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Matheson Tri-Gas | Methods for Selective and Conformal Epitaxy of Highly Doped Si-containing Materials for Three Dimensional Structures |
| JP6068130B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2015
- 2015-09-18 JP JP2015185891A patent/JP6100854B2/ja active Active
- 2015-11-02 KR KR1020150153316A patent/KR101822238B1/ko active Active
- 2015-11-03 TW TW104136160A patent/TWI672800B/zh active