JP2016086049A

JP2016086049A - パッケージ、パッケージの製造方法、電子デバイス、電子機器及び移動体

Info

Publication number: JP2016086049A
Application number: JP2014217044A
Authority: JP
Inventors: 知之鎌倉; Tomoyuki Kamakura; 資子近藤; Toshiko Kondo
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2014-10-24
Filing date: 2014-10-24
Publication date: 2016-05-19
Also published as: CN105553439A; US20160120051A1

Abstract

【課題】ベース基板と蓋体との接合強度を向上させることが可能なパッケージの提供。
【解決手段】パッケージ２０は、パッケージベース２１と、パッケージベース２１の厚み
方向から見た平面視で、パッケージベース２１と重なって配置されている光透過性を有す
るリッド２２と、パッケージベース２１とリッド２２との間に配置され、パッケージベー
ス２１とリッド２２とを接合している低融点ガラス２５と、を備え、低融点ガラス２５は
、上記厚み方向に沿った断面における幅が、リッド２２の接合面２２ａに向かって広がっ
ている領域を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、パッケージ、このパッケージの製造方法、このパッケージを備えている電子
デバイス、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。

従来、パッケージとしての一組の容器部材に、電子部品としての水晶片を封入した電子
デバイスとして、一組の容器部材の対向する一方の表面外周に周回する凹状溝を有し、こ
の凹状溝を含む表面外周に低融点ガラスが塗布され、この低融点ガラスの焼成によって容
器部材の対向する他方の表面外周が接合されている構成の表面実装用水晶振動子（以下、
水晶振動子という）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この水晶振動子は、容器部材の一方に凹状溝を有することから、凹状溝がない場合と比
較して、低融点ガラスの表面張力による頂上部の円弧状の曲率半径が大きくなり、頂上部
が鈍角を維持して平坦に近くなるとされている。
これにより、水晶振動子は、凹状溝がない場合と比較して、低融点ガラスと容器部材の
他方の表面との接触面積が大きくなることから、容器部材の一方と他方との接合強度を高
めることができるとされている。

特開２０１２−４６９６号公報

しかしながら、上記水晶振動子は、容器部材の凹状溝を有する一方と低融点ガラスとの
接合強度に関しては、凹状溝がない場合と比較して向上するものの、容器部材の凹状溝が
ない他方と低融点ガラスとの接合強度の向上に関しては、不十分であり改善の余地がある
。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形
態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかるパッケージは、ベース基板と、前記ベース基板の厚み方
向から見た平面視で、前記ベース基板と重なって配置されている光透過性を有する蓋体と
、前記ベース基板と前記蓋体との間に配置され、前記ベース基板と前記蓋体とを接合して
いる低融点ガラスと、を備え、前記低融点ガラスは、前記厚み方向に沿った断面における
幅が、前記蓋体の接合面に向かって広がっている領域を有することを特徴とする。

これによれば、パッケージは、ベース基板（容器部材の一方に相当）と蓋体（容器部材
の他方に相当）との間に配置され、ベース基板と蓋体とを接合している低融点ガラスの、
厚み方向に沿った断面における幅が、蓋体の接合面に向かって広がっている領域を有する
。
これにより、パッケージは、上記断面における幅が他の場合（例えば、幅が蓋体の接合
面からベース基板の接合面に向かって広がっている場合や、幅がベース基板の接合面から
蓋体の接合面まで一定の場合）よりも、低融点ガラスと蓋体との接合面積（接触面積）を
増やせることから、低融点ガラスと蓋体との接合強度を向上させることができる。
この結果、パッケージは、ベース基板と蓋体との接合強度を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例にかかるパッケージにおいて、前記蓋体は、ガラスであること
が好ましい。

これによれば、パッケージは、蓋体がガラスであることから、その物性により低融点ガ
ラスとの相性（親和性）がよく、低融点ガラスを介してベース基板へ確実に接合すること
ができる。

［適用例３］上記適用例にかかるパッケージにおいて、前記低融点ガラスは、厚さが１
０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。

これによれば、パッケージは、低融点ガラスの厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下の範
囲内にあることから、上述した断面形状が形成され、十分な接合強度を確保することがで
きる。
なお、低融点ガラスの厚さが１０μｍ未満の場合には、ガラス成分の不足により十分な
接合強度を確保できず、低融点ガラスの厚さが１００μｍを超える場合には、低融点ガラ
スの許容せん断応力の低下により十分な接合強度を確保できないことがある。

［適用例４］上記適用例にかかるパッケージにおいて、前記低融点ガラスは、金属を含
んでいることが好ましい。

これによれば、パッケージは、低融点ガラスが金属を含んでいることから、例えば、レ
ーザービームなどのエネルギービームの照射によるエネルギーを吸収し易くなる。
この結果、パッケージは、エネルギービームの照射による低融点ガラスの融解によって
、ベース基板と蓋体とを接合することができる。

［適用例５］上記適用例にかかるパッケージにおいて、前記低融点ガラスは、前記厚み
方向から見た平面視で、前記蓋体の内側に収まっていることが好ましい。

これによれば、パッケージは、低融点ガラスが厚み方向から見た平面視で、蓋体の内側
に収まっていることから、例えば、レーザービームなどのエネルギービームを、蓋体を透
過して低融点ガラスに照射し、低融点ガラスを融解することによってベース基板と蓋体と
を接合する際に、融解した低融点ガラスの周囲への飛散を低減することができる。

［適用例６］本適用例にかかるパッケージの製造方法は、低融点ガラスが配置されてい
るベース基板と、光透過性を有する蓋体と、を用意する工程と、前記ベース基板と前記蓋
体とを前記低融点ガラスを介して重ね合わせた状態で、前記低融点ガラスに前記蓋体側か
らエネルギービームを照射して前記ベース基板と前記蓋体とを接合する接合工程と、を含
むことを特徴とする。

これによれば、パッケージの製造方法は、ベース基板と蓋体とを低融点ガラスを介して
重ね合わせた状態で、低融点ガラスに蓋体側からエネルギービームを照射して、ベース基
板と蓋体とを接合する。
このことから、パッケージの製造方法は、エネルギービームの照射により蓋体の接合面
の濡れ性が向上し（接合面が活性化し）、蓋体と低融点ガラスとの接合強度を向上させる
ことができる。

［適用例７］上記適用例にかかるパッケージの製造方法において、前記接合工程では、
前記ベース基板と前記蓋体との距離を制御するステップを含むことが好ましい。

これによれば、パッケージの製造方法は、接合工程においてベース基板と蓋体との距離
を制御するステップを含むことから、低融点ガラスの厚みを制御し、ベース基板と蓋体と
の接合強度を十分に確保することができる。

［適用例８］上記適用例にかかるパッケージの製造方法において、前記接合工程では、
前記エネルギービームの強度分布が、前記エネルギービームの中心部で平坦化されている
ことが好ましい。

これによれば、パッケージの製造方法は、接合工程においてエネルギービームの強度分
布が、エネルギービームの中心部で平坦化されていることから、低融点ガラスの融解が略
均一に行われる。
この結果、パッケージの製造方法は、低融点ガラスを介したベース基板と蓋体との接合
を確実に行うことができる。

［適用例９］上記適用例にかかるパッケージの製造方法において、前記接合工程では、
前記低融点ガラスの平面積よりも前記エネルギービームの照射面積の方が大きいことが好
ましい。

これによれば、パッケージの製造方法は、接合工程において低融点ガラスの平面積より
もエネルギービームの照射面積の方が大きいことから、蓋体の接合面を低融点ガラスより
も広い範囲で活性化させる（濡れ性を向上させる）ことができる。
この結果、パッケージの製造方法は、低融点ガラスが蓋体の接合面に濡れ広がることか
ら、蓋体と低融点ガラスとの接合強度を向上させることができる。

［適用例１０］本適用例にかかる電子デバイスは、上記適用例のいずれか一例に記載の
パッケージと、前記パッケージに収容されている電子部品と、を備えていることを特徴と
する。

これによれば、本構成の電子デバイスは、上記適用例のいずれか一例に記載のパッケー
ジと、パッケージに収容されている電子部品と、を備えていることから、上記適用例のい
ずれか一例に記載の効果が奏され、信頼性が向上し優れた性能を発揮することができる。

［適用例１１］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備え
ていることを特徴とする。

これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えているこ
とから、上記適用例に記載の効果が奏され、信頼性が向上し優れた性能を発揮することが
できる。

［適用例１２］本適用例にかかる移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えて
いることを特徴とする。

これによれば、本構成の移動体は、上記適用例に記載の電子デバイスを備えていること
から、上記適用例に記載の効果が奏され、信頼性が向上し優れた性能を発揮することがで
きる。

水晶振動子の概略構成を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での模式断面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ部拡大図。要部模式断面図。水晶振動子の製造方法の主要な製造工程を示すフローチャート。（ａ）〜（ｄ）は、主要な製造工程を順に説明する模式断面図。電子機器としての携帯電話を示す模式斜視図。移動体としての自動車を示す模式斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。

（実施形態）
最初に電子デバイスの一例としての水晶振動子の構成について説明する。
図１は、水晶振動子の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、模式平面図であり
、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での模式断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ
）のＢ部拡大図である。なお、図１（ａ）では、便宜的にリッドを省略してある。また、
分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。

図１に示すように、水晶振動子１は、パッケージ２０と、パッケージ２０に収容されて
いる電子部品としての水晶振動片１０と、を備えている。
水晶振動片１０は、水晶の原石などから所定の角度で切り出された平板状の水晶基板で
あり、略矩形の基部１１と、基部１１の一端から並んで延びる一対の振動腕１２とを備え
ている。
水晶振動片１０は、基部１１と一対の振動腕１２とで音叉を構成していることから、音
叉型振動片と呼ばれている。

水晶振動片１０の基部１１には、一対の振動腕１２に設けられている励振電極（図示せ
ず）から引き出された引出電極１３ａ，１３ｂが設けられている。
引出電極１３ａ，１３ｂは、基部１１の一方の主面１１ａから側面を経由して他方の主
面１１ｂに回り込み、基部１１の両主面１１ａ，１１ｂに設けられている。
励振電極及び引出電極１３ａ，１３ｂは、例えば、Ｃｒ（クロム）を下地層とし、その
上にＡｕ（金）またはＡｕを主成分とする金属が積層された構成の金属被膜となっている
。

パッケージ２０は、ベース基板としてのパッケージベース２１と、パッケージベース２
１の厚み方向から見た平面視で、パッケージベース２１と重なって配置され、光透過性を
有する蓋体としてのリッド２２と、パッケージベース２１とリッド２２との間に配置され
、パッケージベース２１とリッド２２とを接合している低融点ガラス２５と、を有し、略
直方体形状に構成されている。

パッケージベース２１は、平面形状が略矩形の略平板状であって、互いに表裏の関係に
ある第１主面２３と第２主面２４とを有し、第１主面２３に水晶振動片１０を収容する凹
部２３ａを備えている。
リッド２２は、パッケージベース２１と平面サイズが略等しい平板状であって、パッケ
ージベース２１の第１主面２３側に配置され、パッケージベース２１の凹部２３ａを覆っ
ている。
低融点ガラス２５は、パッケージベース２１の第１主面２３の外周部に沿うように枠状
に配置され、パッケージベース２１とリッド２２とを接合している。

ここで、低融点ガラス２５は、パッケージベース２１の厚み方向に沿った断面（詳述す
ると、パッケージベース２１の厚み方向に沿い、低融点ガラス２５の延在方向と直交する
面で切断した断面（ここでは、図１（ｂ）、（ｃ）の断面））における幅が、リッド２２
の接合面２２ａに向かって広がっている領域（Ｗ１＞Ｗ２の領域）を有している。
また、低融点ガラス２５は、厚さｔが１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあること
が好ましい。なお、厚さｔの調整は、粒状のギャップ材の使用などによって行うことが可
能である。
また、低融点ガラス２５は、パッケージベース２１の厚み方向から見た平面視で、リッ
ド２２の内側に収まっていることが好ましい。

パッケージベース２１には、セラミックグリーンシートを成形して積層し焼成した酸化
アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結
体、ガラスセラミックス焼結体などのセラミックス系の絶縁性材料、または、水晶、ガラ
ス、シリコン（高抵抗シリコン）などが用いられている。
リッド２２には、光透過性を有する、例えば、ホウ珪酸ガラスなどの光透過率が約９０
％以上のガラス、水晶などが用いられている。
なお、リッド２２には、熱応力低減の観点から熱膨張係数がパッケージベース２１と近
似または略等しい材料が好ましい。
低融点ガラス２５には、例えば、Ｖ（バナジウム）などの金属を含む低融点ガラスが用
いられている。なお、低融点ガラスとは、ガラス転移温度が摂氏６００℃以下のガラスの
ことである。

パッケージベース２１の凹部２３ａの底面２３ｂには、水晶振動片１０の引出電極１３
ａ，１３ｂと対向する位置に、内部端子２６ａ，２６ｂが設けられている。
水晶振動片１０は、引出電極１３ａ，１３ｂが、金属フィラーなどの導電性物質が混合
された、エポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系などの導電性接着剤３０を介して内部
端子２６ａ，２６ｂに接合されている。

水晶振動子１は、水晶振動片１０がパッケージベース２１の内部端子２６ａ，２６ｂに
接合された状態で、パッケージベース２１の凹部２３ａがリッド２２により覆われ、パッ
ケージベース２１とリッド２２とが低融点ガラス２５を介して接合されることにより、パ
ッケージベース２１の凹部２３ａ及びリッド２２を含んで構成された内部空間Ｓが気密に
封止されている。
パッケージ２０の気密に封止された内部空間Ｓ内は、減圧された真空状態（真空度の高
い状態）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスが充填された状態となってい
る。

パッケージベース２１の第２主面２４の長手方向（紙面左右方向）の両端部には、平面
形状が略矩形の外部端子２７ａ，２７ｂが設けられている。
外部端子２７ａは、内部配線（図示せず）によって水晶振動片１０の引出電極１３ａに
繋がる内部端子２６ａと接続され、外部端子２７ｂは、内部配線によって水晶振動片１０
の引出電極１３ｂに繋がる内部端子２６ｂと接続されている。
なお、内部端子２６ａ，２６ｂ及び外部端子２７ａ，２７ｂは、例えば、Ｗ（タングス
テン）、Ｍｏ（モリブデン）などのメタライズ層にＮｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）などの
各被膜をメッキなどにより積層した金属被膜からなる。

水晶振動子１は、例えば、電子機器のＩＣチップ内に集積化された発振回路から、外部
端子２７ａ，２７ｂを経由して印加される駆動信号によって、水晶振動片１０の一対の振
動腕１２が屈曲振動を励振されて所定の周波数で矢印Ｃ、Ｄ方向に交互に共振（発振）し
、外部端子２７ａ，２７ｂから共振信号（発振信号）を出力する。

上述したように、水晶振動子１は、カテゴリーごとに以下の効果を奏する。
パッケージ２０は、パッケージベース２１とリッド２２との間に配置され、パッケージ
ベース２１とリッド２２とを接合している低融点ガラス２５の、パッケージベース２１の
厚み方向に沿った断面（図１（ｂ）、（ｃ）の断面）における幅が、リッド２２の接合面
２２ａに向かって広がっている領域を有している（Ｗ１＞Ｗ２）。
これにより、パッケージ２０は、上記断面形状における幅が他の場合（例えば、幅がリ
ッド２２の接合面２２ａからパッケージベース２１の接合面（第１主面２３）に向かって
広がっている場合や、幅がパッケージベース２１の接合面（第１主面２３）からリッド２
２の接合面２２ａまで一定の場合）よりも、低融点ガラス２５とリッド２２との接合面積
（接触面積）を増やせることから、低融点ガラス２５とリッド２２との接合強度を向上さ
せることができる。
この結果、パッケージ２０は、パッケージベース２１とリッド２２との接合強度を向上
させることができる。

また、パッケージ２０は、リッド２２がガラス（特にホウ珪酸ガラス）である場合、そ
の物性により低融点ガラス２５との相性（親和性）がよく、低融点ガラス２５を介してパ
ッケージベース２１へ確実に接合することができる。

また、パッケージ２０は、低融点ガラス２５の厚さｔが１０μｍ以上１００μｍ以下の
範囲内にあることから、上述した低融点ガラス２５の断面形状（図１（ｂ）、（ｃ）の断
面形状）が形成され、十分な接合強度を確保することができる。
なお、低融点ガラス２５の厚さｔが１０μｍ未満の場合には、ガラス成分の不足により
十分な接合強度を確保できず、低融点ガラス２５の厚さｔが１００μｍを超える場合には
、低融点ガラス２５の許容せん断応力の低下により十分な接合強度を確保できないことが
ある。

また、パッケージ２０は、低融点ガラス２５が金属（ここでは、Ｖ（バナジウム））を
含んでいることから、例えば、レーザービームなどのエネルギービームの照射によるエネ
ルギー（光エネルギー）を吸収し易くなる。
この結果、パッケージ２０は、エネルギービームの照射による光エネルギーの吸収及び
これに伴う熱エネルギーの発生によって低融点ガラス２５が融解し、パッケージベース２
１とリッド２２とを接合することができる。

また、パッケージ２０は、低融点ガラス２５が厚み方向から見た平面視で、リッド２２
の内側に収まっている場合、例えば、レーザービームなどのエネルギービームを、リッド
２２を透過して低融点ガラス２５に照射し、低融点ガラス２５を融解することによってパ
ッケージベース２１とリッド２２とを接合する際に、融解した低融点ガラス２５の周囲へ
の飛散を低減することができる。

水晶振動子１は、上述したパッケージ２０と、パッケージ２０に収容されている水晶振
動片１０と、を備えていることから、上述した効果が奏され、信頼性が向上し優れた性能
を発揮することができる。

なお、パッケージ２０は、低融点ガラス２５の、パッケージベース２１の厚み方向に沿
った断面（図１（ｂ）、（ｃ）の断面）が、図２の要部模式断面図に示すような、厚み方
向の中心部が幅方向にくびれた形状であっても、上記断面における幅が、リッド２２の接
合面２２ａに向かって広がっている領域（Ｗ１＞Ｗ２の領域）を有していることになる。

次に、パッケージ２０の製造方法としての水晶振動子１の製造方法の一例について説明
する。
図３は、水晶振動子の製造方法の主要な製造工程を示すフローチャートであり、図４（
ａ）〜（ｄ）は、主要な製造工程を順に説明する模式断面図である。なお、各図の断面位
置は、図４（ｄ）を除き図１（ｂ）と同様である。

図３に示すように、水晶振動子１の製造方法は、部品準備工程と、水晶振動片実装工程
と、接合工程としてのリッド接合工程と、を含んでいる。

［部品準備工程］
まず、図４（ａ）に示すように、低融点ガラス２５が第１主面２３の外周部に枠状に配
置され、仮焼成されているパッケージベース２１と、リッド２２と、パッケージ２０に収
容される水晶振動片１０と、を用意する。なお、図４（ａ）では、便宜的にパッケージベ
ース２１のみを示している。

［水晶振動片実装工程］
ついで、図４（ｂ）に示すように、パッケージベース２１の凹部２３ａの底面２３ｂに
設けられている内部端子２６ａ，２６ｂに、ディスペンサーなどの塗布装置を用いて導電
性接着剤３０を塗布する。
ついで、水晶振動片１０を、引出電極１３ａ，１３ｂと内部端子２６ａ，２６ｂとが対
向するように載置して、導電性接着剤３０を加熱、硬化させることによりパッケージベー
ス２１に実装する（取り付ける）。

［リッド接合工程］
ついで、図４（ｃ）に示すように、パッケージベース２１とリッド２２とを低融点ガラ
ス２５を介して重ね合わせた状態で、低融点ガラス２５にリッド２２側からエネルギービ
ームとしてのレーザービーム４０を照射して、パッケージベース２１とリッド２２とを接
合する。
この際、レーザービーム４０は、波長が８０８ｎｍ、９８０ｎｍ、１０８０ｎｍなどの
ファイバーレーザー、またはＹＡＧレーザーを用い、出力：５Ｗ〜３０Ｗ、走査速度：０
．５ｍｍ／秒〜５０ｍｍ／秒程度の条件で、照射することが好ましい。
ここでは、レーザービーム４０を、低融点ガラス２５の延在方向に沿って一筆書きのよ
うに照射して、低融点ガラス２５を融解し、パッケージベース２１とリッド２２とを接合
する。なお、低融点ガラス２５は、Ｖ（バナジウム）などの金属を含むことから、レーザ
ービーム４０のエネルギー（光エネルギー）を吸収して熱エネルギーが生じ、例えば、３
００℃程度で融解することになる。

また、レーザービーム４０は、エネルギーの強度分布が、レーザービーム４０の中心部
（ここでは、低融点ガラス２５の幅Ｗ１方向の殆どの領域に相当する部分）で平坦化され
ている（強度の変化を示す曲線が、なだらかな山状になっている）ことが好ましい。
また、図４（ｃ）に示すように、低融点ガラス２５の平面積（便宜的に、ここでは低融
点ガラス２５の幅Ｗ１）よりも、レーザービーム４０の照射面積（便宜的に、ここではレ
ーザービーム４０の照射幅Ｗ３）の方が大きいことが好ましい。なお、ここでは便宜的に
、レーザービーム４０を平行光として示している。

また、この際、パッケージベース２１とリッド２２との距離を制御するステップを含む
ことが好ましい。
具体的には、例えば、低融点ガラス２５に所定の径の粒状（球状）のギャップ材（例え
ば、シリカなど）を混入させ、リッド２２を押圧しながらレーザービーム４０を照射する
ことにより、低融点ガラス２５の厚さｔ（換言すれば、パッケージベース２１とリッド２
２との距離）が、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内になるように調整する方法が挙げ
られる。
他にも、リッド２２を保持する装置（例えば、真空チャック）の上下動（リッド２２の
厚さ方向への移動）によって、パッケージベース２１とリッド２２との距離を制御する方
法が挙げられる。

なお、レーザービーム４０照射時には、リッド２２の平面方向の位置ずれを低減するた
めに、局所的にレーザービーム４０を照射して、予め数箇所を仮止めしておくことが好ま
しい。
また、内部空間Ｓを真空状態とするときには、真空チャンバー内などの真空中でレーザ
ービーム４０を照射してパッケージベース２１とリッド２２とを接合する。

なお、レーザービーム４０の照射は、図４（ｄ）に示すように、レーザービーム４０を
吸収するマスク５０をリッド２２上に載置して、水晶振動片１０、導電性接着剤３０など
を覆うことにより、レーザービーム４０の照射幅Ｗ４をリッド２２の幅Ｗ５よりも大きく
してもよい。なお、図４（ｄ）は、図１（ａ）のＥ−Ｅ線での断面図である。
これにより、レーザービーム４０の照射は、リッド２２の長手方向の一端部から他端部
まで走査するだけで終了し、上述した一筆書きのような照射方法と比較して、レーザービ
ーム４０の照射時間を短縮することができ、生産性が向上する。

なお、この際、レーザービーム４０の照射幅をリッド２２の長手方向の幅よりも大きく
し、レーザービーム４０の走査を、リッド２２の長手方向と直交する方向の一端部から他
端部までとしてもよい。これにより、レーザービーム４０の照射時間を更に短縮すること
ができ、生産性が更に向上する。

以上の工程などを経ることにより、図１に示すような水晶振動子１を得る。

上述したように、パッケージ２０の製造方法としての水晶振動子１の製造方法は、パッ
ケージベース２１とリッド２２とを低融点ガラス２５を介して重ね合わせた状態で、低融
点ガラス２５にリッド２２側からレーザービーム４０を照射して、パッケージベース２１
とリッド２２とを接合する。
このことから、水晶振動子１の製造方法は、レーザービーム４０の照射によりリッド２
２の接合面２２ａに付着している水酸基などの異物が除去されて接合面２２ａの濡れ性が
向上し（接合面２２ａが活性化し）、低融点ガラス２５が接合面２２ａに濡れ広がる。
これにより、水晶振動子１の製造方法は、リッド２２と低融点ガラス２５との接触面積
（接合面積）が増大することから、リッド２２と低融点ガラス２５との接合強度を向上さ
せることができる。
この結果、水晶振動子１の製造方法は、パッケージベース２１とリッド２２との接合強
度を向上させることができる。

また、水晶振動子１の製造方法は、リッド接合工程においてパッケージベース２１とリ
ッド２２との距離を制御するステップを含むことから、低融点ガラス２５の厚みｔを制御
し、パッケージベース２１とリッド２２との接合強度を十分に確保することができる。

また、水晶振動子１の製造方法は、リッド接合工程においてレーザービーム４０の強度
分布が、レーザービーム４０の中心部で平坦化されていることから、低融点ガラス２５の
融解が略均一に行われる。
この結果、水晶振動子１の製造方法は、低融点ガラス２５を介したパッケージベース２
１とリッド２２との接合を確実に行うことができる。

また、水晶振動子１の製造方法は、リッド接合工程において低融点ガラス２５の平面積
よりもレーザービーム４０の照射面積の方が大きいことから、リッド２２の接合面２２ａ
を低融点ガラス２５よりも広い範囲で活性化させる（濡れ性を向上させる）ことができる
。
この結果、水晶振動子１の製造方法は、低融点ガラス２５がリッド２２の接合面２２ａ
に濡れ広がることから、低融点ガラス２５とリッド２２との接触面積（接合面積）が増大
し、低融点ガラス２５とリッド２２との接合強度を向上させることができる。

なお、ここでは、水晶振動子１を個別に製造する方法について説明したが、パッケージ
ベース２１及びリッド２２の少なくとも一方を複数個取りのウエハー状に形成し、複数個
を一括して製造した後、ダイシング装置などを用いて個別に分割する方法を採用してもよ
い。
なお、低融点ガラス２５は、パッケージベース２１ではなく、リッド２２の接合面２２
ａに配置しておいてもよい。

（電子機器）
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器として、携帯電話を一例に挙げて説
明する。
図５は、電子機器としての携帯電話を示す模式斜視図である。
携帯電話７００は、上記実施形態で述べた電子デバイスとしての水晶振動子を備えてい
る。
図５に示す携帯電話７００は、上述した水晶振動子１を、例えば、基準クロック発振源
などのタイミングデバイスとして用い、更に液晶表示装置７０１、複数の操作ボタン７０
２、受話口７０３、及び送話口７０４を備えて構成されている。なお、携帯電話の形態は
、図示のタイプに限定されるものではなく、いわゆるスマートフォンタイプの形態でもよ
い。
これによれば、携帯電話７００は、上記水晶振動子を備えていることから、上記実施形
態で説明した効果が奏され、信頼性が向上し優れた性能を発揮することができる。

上述した水晶振動子などの電子デバイスは、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パー
ソナルコンピューター、テレビ、デジタルスチールカメラ、ビデオカメラ、ビデオレコー
ダー、ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワーク
ステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ゲーム機器、医療機器（例えば電子体温計、血
圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定
機器、計器類、フライトシミュレーターなどを含む電子機器のタイミングデバイスとして
好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態で説明した効果が奏され、信頼
性が向上し優れた性能を発揮する電子機器を提供することができる。

（移動体）
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体として、自動車を一例に挙げて説明す
る。
図６は、移動体としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車８００は、上記実施形態で述べた電子デバイスとしての水晶振動子を備えている
。
自動車８００は、上述した水晶振動子１を、例えば、搭載されている各種電子制御式装
置（例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ＡＢＳ装置、電子制御式一定速度走行
装置など）の基準クロック発振源などのタイミングデバイスとして用いている。
これによれば、自動車８００は、上記水晶振動子を備えていることから、上記実施形態
で説明した効果が奏され、信頼性が向上し優れた性能を発揮することができる。

上述した水晶振動子などの電子デバイスは、上記自動車８００に限らず、自走式ロボッ
ト、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の基準クロック発
振源などのタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実
施形態で説明した効果が奏され、信頼性が向上し優れた性能を発揮する移動体を提供する
ことができる。

なお、水晶振動子の振動片の形状は、図示した音叉型のタイプに限定されるものではな
く、双音叉型、ＡＴカット型、ＷＴ型、Ｈ型、ＳＡＷ共振子型などでもよい。
また、振動片の材料としては、水晶に限定されるものではなく、タンタル酸リチウム（
ＬｉＴａＯ₃）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）
、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
などの圧電体、またはシリコン（Ｓｉ）などの半導体でもよい。
また、電子部品としては、振動片に限定されるものではなく、例えば、トランジスター
、サーミスターなどの感温素子、チップコンデンサーなどの容量素子や、チップインダク
ター（チップコイル）などの受動素子であってもよい。

１…電子デバイスとしての水晶振動子、１０…電子部品としての水晶振動片、１１…基
部、１１ａ…一方の主面、１１ｂ…他方の主面、１２…振動腕、１３ａ，１３ｂ…引出電
極、２０…パッケージ、２１…ベース基板としてのパッケージベース、２２…蓋体として
のリッド、２２ａ…接合面、２３…第１主面、２３ａ…凹部、２３ｂ…底面、２４…第２
主面、２５…低融点ガラス、２６ａ，２６ｂ…内部端子、２７ａ，２７ｂ…外部端子、３
０…導電性接着剤、４０…エネルギービームとしてのレーザービーム、５０…マスク、７
００…電子機器としての携帯電話、７０１…液晶表示装置、７０２…操作ボタン、７０３
…受話口、７０４…送話口、８００…移動体としての自動車。

Claims

ベース基板と、
前記ベース基板の厚み方向から見た平面視で、前記ベース基板と重なって配置されてい
る光透過性を有する蓋体と、
前記ベース基板と前記蓋体との間に配置され、前記ベース基板と前記蓋体とを接合して
いる低融点ガラスと、を備え、
前記低融点ガラスは、前記厚み方向に沿った断面における幅が、前記蓋体の接合面に向
かって広がっている領域を有することを特徴とするパッケージ。
前記蓋体は、ガラスであることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
前記低融点ガラスは、厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載のパッケージ。
前記低融点ガラスは、金属を含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項３のい
ずれか一項に記載のパッケージ。
前記低融点ガラスは、前記厚み方向から見た平面視で、前記蓋体の内側に収まっている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のパッケージ。
低融点ガラスが配置されているベース基板と、光透過性を有する蓋体と、を用意する工
程と、
前記ベース基板と前記蓋体とを前記低融点ガラスを介して重ね合わせた状態で、前記低
融点ガラスに前記蓋体側からエネルギービームを照射して前記ベース基板と前記蓋体とを
接合する接合工程と、
を含むことを特徴とするパッケージの製造方法。
前記接合工程では、前記ベース基板と前記蓋体との距離を制御するステップを含むこと
を特徴とする請求項６に記載のパッケージの製造方法。
前記接合工程では、前記エネルギービームの強度分布が、前記エネルギービームの中心
部で平坦化されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載のパッケージの製
造方法。
前記接合工程では、前記低融点ガラスの平面積よりも前記エネルギービームの照射面積
の方が大きいことを特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか一項に記載のパッケー
ジの製造方法。
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のパッケージと、
前記パッケージに収容されている電子部品と、を備えていることを特徴とする電子デバ
イス。
請求項１０に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
請求項１０に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする移動体。