JP2016085458A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置およびイミド化合物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子写真感光体の下引き層が、式(1)で示される化合物を含む組成物の重合物を含有することを特徴とする。
【選択図】なし
Description
このようなポジゴーストの発生を抑制する技術として、支持体と感光層との間に設けられた下引き層に電子輸送物質を含有させる技術が知られている(例えば、特許文献1参照。)。特許文献1には、下引き層に、電子輸送物質、架橋剤および樹脂を含む組成物の重合物を含有させることにより、下引き層における電子輸送物質由来の構造の偏在を抑制し、ポジゴーストの抑制効果が向上することが記載されている。
R1は、置換または無置換のアルキレン基、置換または無置換のシクロアルキレン基、置換または無置換のアリーレン基、置換または無置換の複素環基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをNR12に置き換えて導かれる基を示す。R12は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換シクロアルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基、該置換複素環基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、ベンジル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R2およびR3は、それぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをNR13に置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアリール基を示す。R2およびR3は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基及びカルボキシル基からなる群より選択される重合性官能基を有する。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。R13は、水素原子またはアルキル基を示す。
R4〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換または無置換のアルキル基、または、置換または無置換のアリール基を示す。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。)
また、本発明は、上記電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置に関する。
また、本発明は、上記式(1)で示されるイミド化合物に関する。
R1は、置換または無置換のアルキレン基、置換または無置換のシクロアルキレン基、置換または無置換のアリーレン基、置換または無置換の複素環基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをNR12に置き換えて導かれる基を示す。R12は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換シクロアルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基、該置換複素環基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、ベンジル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R2およびR3は、それぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをNR13に置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアリール基を示す。R2およびR3は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基及びカルボキシル基からなる群より選択される重合性官能基を有する。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。R13は、水素原子またはアルキル基を示す。
R4〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換または無置換のアルキル基、または、置換または無置換のアリール基を示す。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基および複素環基から選ばれる1つの2価基あるいは2つ以上が結合した2価基、または、これらの基がアルキレン基を有する場合は該アルキレン基の主鎖中のCH2を酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、あるいはNR12に置き換えて導かれる基を示し、任意の数の置換基を有していてもよい。R12は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。R1中の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、ベンジル基、オキソ基、チオキシ基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R2およびR3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルキル基のCH2を酸素原子、硫黄原子、あるいはNR13に置き換えて導かれる基、または、アリール基を示し、これらの基はヒドロキシ基、チオール基、アミノ基及びカルボキシル基からなる群より選択される重合性官能基を有しており、且つ、任意の数の置換基を有していてもよい。R13は、水素原子またはアルキル基を示す。R2およびR3中の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、オキソ基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R4〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、または、アリール基を示し、任意の数の置換基を有していてもよい。R4〜R11中の置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
電子輸送物質を含有する下引き層に欠陥があると電子輸送物質が偏在したり、欠陥自体が電子トラップの要因となったりして、ポジゴーストの発生の1つの要因となると考えられる。下引き層中に電子トラップが形成されると、電子輸送性が低下しやすく、残留電荷が発生しやすくなる。これにより、長期間の繰り返し使用時に残留電荷が蓄積しやすくなることで、ポジゴーストの発生が起こると考えられる。この下引き層の欠陥は、下引き層を構成する材料を重合するときの体積変化が大きいほど生じやすいと考えられる。
本発明の下引き層には、架橋剤と式(1)で示される化合物を含む組成物の重合物(硬化物)を含有する。式(1)で示される化合物については、上述の通りである。
R101は、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、NR104、カルボニル基、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R102およびR103は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。m個のR102およびn個のR103は、それぞれ、同一であっても異なってもよい。
R104は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。m、nはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。ただし、m、nが0のとき、(R102)m、(R103)nは水素原子を示す。
R201は、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、NR204、カルボニル基、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基、およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R202およびR203は、それぞれ独立に、炭素数1〜2のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される。s個のR202およびp個のR203は、それぞれ、同一であっても異なってもよい。
R204は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。s、pはそれぞれ0〜4の整数を示す。ただし、s、pが0のとき、(R202)s、(R203)pは水素原子を示す。
R301は、水素原子を示す。
R302は、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。
R303は、置換または無置換のアルキル基を示す。
該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基、該置換アルキル基の置換基は、酸素原子、硫黄原子、炭素数1〜2のアルキル基、アルコシキカルボニル基およびフェニル基からなる群より選択される。
また、式(1)におけるR2およびR3が、それぞれ独立に下記式(5)で示される基であることが好ましい。
R401は、水素原子を示す。
R402およびR403は、それぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、または、置換または無置換のアリール基を示し、これらの基は、ヒドロキシ基を有する。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1つである。
架橋剤としては、上記式(1)で示される化合物と重合(硬化)または架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三,金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊(1981年)などに記載されている化合物等を用いることができる。
本発明において、組成物は、さらに、重合性官能基を有する樹脂を含有することが好ましい。重合性官能基を有する樹脂とは、式(1)で示される化合物と重合(硬化)することが可能な重合性官能基を有する樹脂のことである。重合性官能基として好ましくは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基が挙げられる。
以下、電子輸送物質の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。また、電子輸送物質は複数組み合わせて使用してもよい。
・核磁気共鳴分光分析(NMR)
使用測定器:(JMN−EX400 JEOL社製)
溶媒:重DMSO
本発明の電子写真感光体は、支持体、下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体である。感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質を含有した単層型感光層であってもよいが、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型(機能分離型)感光層であることが好ましい。さらに、電子写真特性の観点から、積層型感光層は、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した順層型感光層であることが好ましい。
支持体は、導電性を有するもの(導電性支持体)が好ましい。例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄の金属または合金製の支持体を用いることができる。これらの他、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスといった絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金といった金属の薄膜を形成した支持体が挙げられる。または、酸化インジウム、酸化スズの如き導電性材料の薄膜を形成した支持体が挙げられる。
下引き層上には、感光層(電荷発生層、電荷輸送層)が設けられる。電荷発生層や電荷輸送層は、それぞれ複数設けてもよい。
電荷輸送層において、電荷輸送物質と結着樹脂との比率(電荷輸送物質/結着樹脂)は、10/5以上5/10以下の範囲であることが好ましく、10/8以上6/10以下の範囲であることがより好ましい。
図1に、本発明に係る電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
図1において、円筒状の電子写真感光体1は、軸2を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体1の表面(周面)は、帯電手段3(例えば、接触系一次帯電器、非接触系一次帯電器など)により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段(不図示)からの露光光(画像露光光)4で露光する。こうして電子写真感光体1の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。
本発明に係るイミド化合物は、上記式(1)で示されるイミド化合物である。
ジメチルアセトアミド200部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.4部およびL−ロイシノール2.6部を加え、3時間還流を行った。更に4,4’−メチレンビス(2−エチル−6−メチルアニリン)2.9部を加え、3時間還流を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:酢酸エチル/トルエン)で分離した後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。その濃縮物を酢酸エチル/トルエン混合溶液で再結晶を行い、目的の化合物を2.0部得た。得られた化合物を、核磁気共鳴装置を用いてNMRスペクトルの測定を行ったところ、例示化合物101であった。そのNMRスペクトルを図5に示す。
長さ260.5mmおよび直径30mmのアルミニウムシリンダー(JIS−A3003、アルミニウム合金)を支持体(導電性支持体)とした。
上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ(model6000B−8:トレック・ジャパン(株)製)を装着した。そして、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計(model344:トレック・ジャパン(株)製)を使用して測定した。電子写真感光体の表面電位は、初期暗部電位(Vd)が−600V、初期明部電位(Vl)が−150Vになるように、画像露光の光量を設定した。
式(1)で示される化合物、架橋剤、重合性官能基を有する樹脂の種類および部数を表12に示すように変更した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
上記式(4)で示される化合物を下記式(6)で示される化合物に変更した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
上記式(4)で示される化合物を下記式(7)で示される化合物に変更した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
以下の下引き層用塗布液を用いて下引き層を形成した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
下記式(8)で示される化合物3部、ポリアミド樹脂(アミランCM8000、東レ(株)製)7部をブタノール120部、メタノ−ル100部、DMF30部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。なお、DMFは、N,N−ジメチルホルムアミドを意味する。
以下の下引き層用塗布液を用いて下引き層を形成した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
下記式(9)で示される化合物5部、ポリアミド樹脂(アミランCM8000、東レ(株)製)5部をブタノール120部、メタノール100部、DMF30部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。
以下の下引き層用塗布液を用いて下引き層を形成した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
下記式(10)で示される化合物10部、フェノール樹脂(PL−4804、群栄化学工業(株)製)5部をジメチルホルムアミド200部、ベンジルアルコール150部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。
以下の下引き層用塗布液を用いて下引き層を形成した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
下記式(11)で示される化合物25部、ポリカーボネート(PCZ−200、三菱ガス化学(株)製)25部、トルエン200部をボールミルで50時間混合分散し、下引き層用塗布液を調製した。
以下の下引き層用塗布液を用いて下引き層を形成した以外は、実施例1と同様に電子写真感光体を製造し、同様にゴーストの評価をおこなった。結果を表12に示す。
式(8)で示される化合物8部、ポリビニルブチラール樹脂(商品名:エスレックBX−1、積水化学工業(株)製;樹脂固形分10質量%)1.5部、触媒としてのオクチル酸亜鉛(II)0.0005部を、ジメチルアセトアミド100部とテトラヒドロフラン100部の混合溶媒に溶解した。この溶液に、固形分6部相当のブロックイソシアネート(商品名:デスモジュールBL3175、住化コベストロウレタン製)を加え、下引き層用塗布液を調製した。
2 軸
3 帯電手段
4 露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 クリーニング手段
8 定着手段
9 プロセスカートリッジ
10 案内手段
P 転写材
21 白画像
22 ベタ画像
23 1ドット桂馬パターンのハーフトーン画像
31 1つのドット
101 支持体
102 下引き層
103 感光層
104 電荷発生層
105 正孔輸送層
Claims (10)
- 支持体と、下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体であって、 該下引き層が、架橋剤および下記式(1)で示される化合物を含む組成物の重合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
R1は、置換または無置換のアルキレン基、置換または無置換のシクロアルキレン基、置換または無置換のアリーレン基、置換または無置換の複素環基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをNR12に置き換えて導かれる基を示す。R12は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換シクロアルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基、該置換複素環基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、ベンジル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R2およびR3は、それぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをNR13に置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアリール基を示す。R2およびR3は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基及びカルボキシル基からなる群より選択される重合性官能基を有する。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。R13は、水素原子またはアルキル基を示す。
R4〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換または無置換のアルキル基、または、置換または無置換のアリール基を示す。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。) - 前記式(1)におけるR1が、下記式(2)で示される基、下記式(3)で示される基または下記式(4)で示される基である請求項1に記載の電子写真感光体。
R101は、O、S、SO2、NR104、カルボニル基、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R102およびR103は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。m個のR102およびn個のR103は、それぞれ、同一であっても異なってもよい。
R104は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。m、nはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。ただし、m、nが0のとき、(R102)m、(R103)nは水素原子を示す。)
R201は、O、S、SO2、NR204、カルボニル基、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基、およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R202およびR203は、それぞれ独立に、炭素数1〜2のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される。s個のR202およびp個のR203は、それぞれ、同一であっても異なってもよい。
R204は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。s、pはそれぞれ0〜4の整数を示す。ただし、s、pが0のとき、(R202)s、(R203)pは水素原子を示す。)
R301は、水素原子を示す。
R302は、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。
R303は、置換または無置換のアルキル基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基、該置換アルキル基の置換基は、O、S、炭素数1〜2のアルキル基、アルコシキカルボニル基およびフェニル基からなる群より選択される。) - 前記式(1)におけるR2およびR3が、それぞれ独立に下記式(5)で示される基である請求項1または2に記載の電子写真感光体。
R401は、水素原子を示す。
R402およびR403は、それぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、または、置換または無置換のアリール基を示し、これらの基は、ヒドロキシ基を有する。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1つである。) - 前記架橋剤が、
イソシアネート基あるいはブロックイソシアネート基を有するイソシアネート化合物、または、
N−メチロール基あるいはアルキルエーテル化されたN−メチロール基を有するアミン化合物
である請求項1から3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。 - 前記組成物が、さらに重合性官能基を有する樹脂を含有する請求項1から4のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記組成物中における、前記式(1)で示される化合物の含有量に対する、前記架橋剤の含有量および前記重合性官能基を有する樹脂の含有量の合計の含有量が、質量比率で0.5倍以上2.5倍以下である請求項5に記載の電子写真感光体。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
- 下記式(1)で示されるイミド化合物。
R1は、置換または無置換のアルキレン基、置換または無置換のシクロアルキレン基、置換または無置換のアリーレン基、置換または無置換の複素環基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアルキレン基の主鎖中の炭素原子の1つをNR12に置き換えて導かれる基を示す。R12は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換シクロアルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基、該置換複素環基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、ベンジル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R2およびR3は、それぞれ独立に、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをOに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをSに置き換えて導かれる基、置換または無置換のアルキル基の炭素原子の1つをNR13に置き換えて導かれる基、または、置換または無置換のアリール基を示す。R2およびR3は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基及びカルボキシル基からなる群より選択される重合性官能基を有する。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、フェニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。R13は、水素原子またはアルキル基を示す。
R4〜R11は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換または無置換のアルキル基、または、置換または無置換のアリール基を示す。該置換アルキル基の置換基、該置換アリール基の置換基は、それぞれ独立に、アルキル基、アシル基、アルコキシ基、アルコシキカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。) - 前記式(1)におけるR1が、下記式(2)で示される基、下記式(3)で示される基または下記式(4)で示される基である請求項9のイミド化合物。
R101は、O、S、SO2、NR104、カルボニル基、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基、およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R102およびR103は、それぞれ独立に、炭素数1〜3のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基およびハロゲン原子からなる群より選択される。m個のR102およびn個のR103は、それぞれ、同一であっても異なってもよい。
R104は水素原子、アルキル基、またはアリール基を示す。m、nはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。ただし、m、nが0のとき、(R102)m、(R103)nは水素原子を示す。)
R201は、O、S、SO2、NR204、カルボニル基、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基は、それぞれ独立に、炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基、およびハロゲン原子からなる群より選択される。
R202およびR203は、それぞれ独立に、炭素数1〜2のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される。s個のR202およびp個のR203は、それぞれ、同一であっても異なってもよい。
R204は水素原子、アルキル基またはアリール基を示す。s、pはそれぞれ0〜4の整数を示す。ただし、s、pが0のとき、(R202)s、(R203)pは水素原子を示す。)
R301は、水素原子を示す。
R302は、置換または無置換のアルキレン基、または、置換または無置換のアリーレン基を示す。
R303は、置換または無置換のアルキル基を示す。
該置換アルキレン基の置換基、該置換アリーレン基の置換基、該置換アルキル基の置換基は、O、S、炭素数1〜2のアルキル基、アルコシキカルボニル基およびフェニル基からなる群より選択される。)
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