JP2016071355A - 化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法並びに電気・電子部品保護用皮膜 - Google Patents
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Abstract
Description
更に、上記レジスト材料を用いた光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、並びに上記光硬化性ドライフィルムを使用した、凹凸を持つ基板上であっても、幅広い膜厚に亘るレジスト層を施し、微細なパターンを形成する方法を提供することを別の目的とする。
また、上記パターン形成方法により得られたパターンを、低温で後硬化して得られる硬化皮膜を用いた配線、回路及び基板等の電気・電子部品保護用皮膜を提供することを更に別の目的とする。
〔1〕 (A)下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシリコーン骨格含有高分子化合物、
(B)水酸基を3個以上有する多価フェノールから選ばれる1種又は2種以上の化合物
(C)波長190〜500nmの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、
(D)溶剤
を含有してなる化学増幅型ネガ型レジスト材料。
〔2〕 更に、(E)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤を含有してなる〔1〕記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料。
〔3〕 (B)成分として、下記一般式(4−A)〜(4−E)で示される構造を有する水酸基を3個以上有する多価フェノールから選ばれる1種又は2種以上の化合物を用いることを特徴とする〔1〕又は〔2〕記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料。
で示される構造のいずれかであり、qは0又は1である。Q2は下記式
〔4〕 膜厚5〜300μmである光硬化性樹脂層が支持フィルム及び保護フィルムで挟まれた構造を有する光硬化性ドライフィルムであって、光硬化性樹脂層の形成に用いられる組成物が〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料であることを特徴とする光硬化性ドライフィルム。
〔5〕 (i)〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料を支持フィルム上に連続的に塗布し、光硬化性樹脂層を形成する工程、
(ii)上記光硬化性樹脂層を連続的に乾燥させる工程、
(iii)更に、上記光硬化性樹脂層上に上記保護フィルムを貼り合わせる工程
を含む光硬化性ドライフィルムの製造方法。
〔6〕 (I)〔4〕記載の光硬化性ドライフィルムから保護フィルムを剥離することにより露出した光硬化性樹脂層を基板に密着させる工程、
(II)上記支持フィルムを介してもしくは上記支持フィルムを剥離した状態で、フォトマスクを介して光硬化性樹脂層を波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程、
(III)露光後の加熱処理を行う工程、
(IV)現像液にて現像する工程
を含むパターン形成方法。
〔7〕 更に、(V)現像によりパターン形成された皮膜を、温度100〜250℃において後硬化する工程を含む〔6〕記載のパターン形成方法。
〔8〕 (1)上記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料を基板上に塗布し、レジスト皮膜を形成する工程、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線でレジスト皮膜を露光する工程、
(3)加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。
〔9〕 更に、(4)現像によりパターン形成された皮膜を、温度100〜250℃において後硬化する工程を含む〔8〕記載のパターン形成方法。
〔10〕 〔6〕〜〔9〕のいずれかに記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜からなる電気・電子部品保護用皮膜。
なお、多価フェノール化合物において、水酸基が2個以下の化合物では、架橋密度が上がらないため、膜形成ができず、膜形成できた場合でも、膜の強度が上がらず、アルカリ耐性が出ない。
(R13)jM+K- (13)
(式中、R13は置換基を有してもよい炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基又は炭素数7〜12のアラルキル基を表し、M+はヨードニウム又はスルホニウムを表し、K-は非求核性対向イオンを表し、jは2又は3を表す。)
上記光酸発生剤の配合量は、光酸発生剤自身の光吸収及び厚膜での光硬化性の観点から、シリコーン骨格含有高分子化合物100質量部に対して0.05〜20質量部、特に0.2〜5質量部が好ましい。光酸発生剤が少なすぎると発生する酸が不足してパターン形成できなくなる場合があり、多すぎると酸が多すぎて未露光部に拡散して、硬化する場合がある。
例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−2−n−アミルケトン等のケトン類;3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコール−モノ−tert−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。特に、光酸発生剤の溶解性が最も優れている乳酸エチル、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン又はそれらの混合溶剤が好ましい。
なお、これらホルムアルデヒド及びホルムアルデヒド−アルコールにより変性された尿素縮合物の1種又は2種以上を混合して使用することもできる。
これらフェノール化合物の1種又は2種以上を混合して使用することもできる。
これら多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物の1種又は2種以上を混合して使用することもできる。
上記架橋剤の配合量は、光硬化性及び後硬化を経た電気・電子部品保護用皮膜としての信頼性の観点から、上記シリコーン骨格含有高分子化合物100質量部に対して0〜50質量部、特に1〜30質量部が好ましい。架橋剤が多すぎると、パターン間がつながり解像度が低下する問題が生じる場合がある。
N(α)e(β)3-e (5)
トリス[2−(メトキシメトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(2−メトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(1−メトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(1−エトキシエトキシ)エチル]アミン、トリス[2−(1−エトキシプロポキシ)エチル]アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオクタデカン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ−15−クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−6、トリス(2−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(2−アセトキシエチル)アミン、トリス(2−プロピオニルオキシエチル)アミン、トリス(2−ブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−イソブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−バレリルオキシエチル)アミン、トリス(2−ピバロイルオキシエチル)アミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(アセトキシアセトキシ)エチルアミン、トリス(2−メトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス(2−tert−ブトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス[2−(2−オキソプロポキシ)エチル]アミン、トリス[2−(メトキシカルボニルメチル)オキシエチル]アミン、トリス[2−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス[2−(シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス(2−メトキシカルボニルエチル)アミン、トリス(2−エトキシカルボニルエチル)アミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−ヒドロキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−アセトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(4−ヒドロキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(4−ホルミルオキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(2−ホルミルオキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−メトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−ヒドロキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−アセトキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−メトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチル]アミン、N−メチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−エチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−メチルビス(2−ピバロイルオキシエチル)アミン、N−エチルビス[2−(メトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、N−エチルビス[2−(tert−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、トリス(メトキシカルボニルメチル)アミン、トリス(エトキシカルボニルメチル)アミン、N−ブチルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、N−ヘキシルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、β−(ジエチルアミノ)−δ−バレロラクトンを例示できるが、これらに制限されない。
上記塩基性化合物を配合する場合、その配合量は、感度の観点から、上記シリコーン骨格含有化合物100質量部に対して0〜3質量部が好ましく、0.01〜1質量部が特に好ましい。塩基性化合物の配合量が多すぎると解像性が悪くなり、パターンの劣化が起こる場合がある。
(1)上記レジスト材料を基板上に塗布し、レジスト皮膜を形成する工程、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線でレジスト皮膜を露光する工程、
(3)加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
以上の3工程によりパターンを形成した後、更に、好ましくは
(4)現像によりパターン形成された皮膜を、加熱処理により後硬化する工程
を経て、最終目的の電気・電子部品保護用皮膜を得ることができる。
上記基板としては、例えば、シリコンウェハー、貫通電極用シリコンウェハー、プラスチックやセラミック製回路基板等が挙げられる。イオンスパッタ法やめっき法などにより、基板全面又は基板の一部にCu、Ni、Auなどの金属を有する基板を用いることもできる。
ここで、光硬化反応(露光)を効率的に行うため、予備加熱(プリベーク:PB)により溶剤等を予め揮発させる。予備加熱処理は、例えば40〜140℃で1分〜1時間程度行うことができる。
上記波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線としては、例えば放射線発生装置により発生された種々の波長の光、例えば、g線、h線、i線等の紫外線光、遠紫外線光(248nm、193nm)等が挙げられ、好ましくは波長248〜436nmである。露光量は10〜3,000mJ/cm2が好ましい。
現像感度を高めるために、露光後加熱処理(ポストエクスポジュアーベーク:PEB)を行う。上記露光後の加熱処理は、40〜200℃、特に100〜150℃で0.5〜10分間程度とすることが好ましい。
上記現像方法は、通常の方法、例えばパターン形成された基板を上記現像液に浸漬すること等が挙げられる。その後、必要に応じて洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンを有するレジスト材料の皮膜が得られる。この現像により、非露光部が溶解し、露光により架橋された部分がパターンとして残存する。
得られたパターン(又は皮膜)をオーブンやホットプレートなどを用いて、温度100〜250℃、特に150〜220℃で後硬化することが好ましい。後硬化温度を100〜250℃とすることが、レジスト材料の硬化皮膜の架橋密度向上、残存する揮発成分の除去、基板に対する密着力、耐熱性や強度、更に電気特性の観点から好ましい。そして、後硬化時間は10分間〜10時間とすることができる。
本発明の光硬化性ドライフィルムは、上記方法により調製したレジスト材料を支持フィルムに塗布・乾燥して得られる光硬化性樹脂層が、支持フィルム及び保護フィルムで挟まれた構造を有する。
(i)上記レジスト材料を支持フィルム上に連続的に塗布し、光硬化性樹脂層を形成する工程、
(ii)上記光硬化性樹脂層を連続的に乾燥させる工程、
(iii)更に、上記光硬化性樹脂層上に上記保護フィルムを貼り合わせる工程
(I)上記光硬化性ドライフィルムから保護フィルムを剥離することにより露出した光硬化性樹脂層を基板に密着させる工程、
(II)上記支持フィルムを介してもしくは上記支持フィルムを剥離した状態で、フォトマスクを介して光硬化性樹脂層を波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程、
(III)露光後の加熱処理を行う工程、
(IV)現像液にて現像する工程
以上の4工程によりパターンを形成した後、更に、好ましくは
(V)現像によりパターン形成された皮膜を、温度100〜250℃において後硬化する工程
を経て、最終目的の電気・電子部品保護用皮膜を得ることができる。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物(M−1)405.0g、化合物(M−4)40.0gをトルエン1,875gに溶解後、化合物(M−6)949.6g、化合物(M−7)6.1gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、3時間、90℃まで加温し、再び60℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、化合物(M−5)107.5gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、78℃まで上昇した。滴下終了後、更に、90℃で1.5時間熟成した後、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,700gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水760gを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。この高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを950g添加して、固形分濃度60質量%のシクロペンタノンを主溶剤とする高分子化合物溶液(A−1)を得た。この高分子化合物溶液中の高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量31,000であり、原料モル換算より算出した、式(1)におけるaは0.550、bは0.358、cは0.056、dは0.036であった。また、X、Yは下記の通りであった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物(M−1)325.0g、化合物(M−2)150.0gをトルエン2,000gに溶解後、化合物(M−6)949.6g、化合物(M−7)6.1gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、3時間,90℃まで加温し、再び60℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、化合物(M−5)107.5gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、80℃まで上昇した。滴下終了後、更に、90℃で3時間熟成した後、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,800gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水760gを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。この高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを900g添加して、固形分濃度60質量%のシクロペンタノンを主溶剤とする高分子化合物溶液(A−2)を得た。この高分子化合物溶液中の高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量55,000であり、原料モル換算より算出した、式(1)におけるaは0.443、bは0.289、cは0.162、dは0.106であった。また、X、Yは下記の通りであった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物(M−2)405.0g、化合物(M−3)80.0gをトルエン1,875gに溶解後、化合物(M−6)949.6g、化合物(M−7)6.1gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、3時間,90℃まで加温し、再び60℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、化合物(M−5)107.5gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、80℃まで上昇した。滴下終了後、更に、90℃で8時間熟成した後、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,700gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水760gを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。この高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを950g添加して、固形分濃度60質量%のシクロペンタノンを主溶剤とする高分子化合物溶液(A−3)を得た。この高分子化合物溶液中の高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量73,000であり、原料モル換算より算出した、式(1)におけるaは0.156、bは0.102、cは0.450、dは0.292であった。また、X、Yは下記の通りであった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内に化合物(M−1)450.0gをトルエン1,875gに溶解後、化合物(M−6)949.6g、化合物(M−7)6.1gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、3時間、90℃まで加温し、再び60℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒(5質量%)2.2gを投入し、化合物(M−5)107.5gを1時間かけてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、78℃まで上昇した。滴下終了後、更に、90℃で1.5時間熟成した後、室温まで冷却し、メチルイソブチルケトン1,700gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水760gを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を6回繰り返し、高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。この高分子化合物溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを950g添加して、固形分濃度60質量%のシクロペンタノンを主溶剤とする高分子化合物溶液(A−4)を得た。この高分子化合物溶液中の高分子化合物の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量35,000であり、原料モル換算より算出した、式(1)におけるaは0.606、bは0.394、cは0、dは0であった。また、Xは下記の通りであった。
U−CAT5002(サンアプロ(株)製商品名、二環式アミジン化合物塩)
2P4MHZ−PW(四国化成(株)製商品名、イミダゾール系化合物)
表1記載の配合量に従って、高分子化合物、多価フェノール化合物、光酸発生剤、架橋剤、塩基性化合物、硬化促進剤及び溶剤を配合し、その後常温にて撹拌、混合、溶解した後、テフロン(登録商標)製0.2μmフィルターで精密ろ過を行い、実施例1〜15、比較例1、2のレジスト材料組成物を得た。
上記方法によりパターンを形成した基板上の光硬化性樹脂層をオーブンを用いて180℃で2時間、窒素パージしながら後硬化した。
上記評価基板をNMP(N−メチルピロリドン)中に室温で1時間浸漬した後、目視により外観及び膜厚変化を調査し、剥離液耐性を評価した。その結果を表2に示した。
上記評価基板を試験器(HIRAYAMA製、MODEL PC−422R8)にて121℃、2気圧、湿度100%、168時間処理した後、目視により外観及び膜厚変化を調査し、耐湿性を評価した。その結果を表2に示した。
上記評価基板を10質量%NaOH水溶液に室温で5、10、30分浸漬した後、目視により外観及び膜厚変化を調査し、アルカリ耐性を評価した。その結果を表2に示した。
Claims (10)
- (A)下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシリコーン骨格含有高分子化合物、
(B)水酸基を3個以上有する多価フェノールから選ばれる1種又は2種以上の化合物、
(C)波長190〜500nmの光によって分解し、酸を発生する光酸発生剤、
(D)溶剤
を含有してなる化学増幅型ネガ型レジスト材料。 - 更に、(E)ホルムアルデヒド又はホルムアルデヒド−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び多価フェノールの水酸基をグリシドキシ基に置換した化合物から選ばれる1種又は2種以上の架橋剤を含有してなる請求項1記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料。
- (B)成分として、下記一般式(4−A)〜(4−E)で示される構造を有する水酸基を3個以上有する多価フェノールから選ばれる1種又は2種以上の化合物を用いることを特徴とする請求項1又は2記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料。
で示される構造のいずれかであり、qは0又は1である。Q2は下記式
- 膜厚5〜300μmである光硬化性樹脂層が支持フィルム及び保護フィルムで挟まれた構造を有する光硬化性ドライフィルムであって、光硬化性樹脂層の形成に用いられる組成物が請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料であることを特徴とする光硬化性ドライフィルム。
- (i)請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料を支持フィルム上に連続的に塗布し、光硬化性樹脂層を形成する工程、
(ii)上記光硬化性樹脂層を連続的に乾燥させる工程、
(iii)更に、上記光硬化性樹脂層上に上記保護フィルムを貼り合わせる工程
を含む光硬化性ドライフィルムの製造方法。 - (I)請求項4記載の光硬化性ドライフィルムから保護フィルムを剥離することにより露出した光硬化性樹脂層を基板に密着させる工程、
(II)上記支持フィルムを介してもしくは上記支持フィルムを剥離した状態で、フォトマスクを介して光硬化性樹脂層を波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程、
(III)露光後の加熱処理を行う工程、
(IV)現像液にて現像する工程
を含むパターン形成方法。 - 更に、(V)現像によりパターン形成された皮膜を、温度100〜250℃において後硬化する工程を含む請求項6記載のパターン形成方法。
- (1)上記請求項1〜3のいずれか1項に記載の化学増幅型ネガ型レジスト材料を基板上に塗布し、レジスト皮膜を形成する工程、
(2)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長190〜500nmの高エネルギー線もしくは電子線でレジスト皮膜を露光する工程、
(3)加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。 - 更に、(4)現像によりパターン形成された皮膜を、温度100〜250℃において後硬化する工程を含む請求項8記載のパターン形成方法。
- 請求項6〜9のいずれか1項に記載のパターン形成方法により得られた硬化皮膜からなる電気・電子部品保護用皮膜。
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