KR102262719B1 - 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 네가티브형 레지스트 재료, 광경화성 드라이 필름, 패턴 형성 방법 및 전기·전자 부품 보호용 피막 - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 118
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 106
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 211
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 136
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 85
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 25
- -1 phenol compound Chemical class 0.000 claims description 100
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 56
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 56
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical group O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 36
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 34
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 31
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 27
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 25
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 18
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 claims description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 15
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims description 15
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims description 12
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 100
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 39
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 34
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 28
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 12
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene Chemical group C=CCCC=C PYGSKMBEVAICCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical class C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N Diphenolic acid Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(CCC(O)=O)(C)C1=CC=C(O)C=C1 VKOUCJUTMGHNOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N N-Ethylaniline Chemical compound CCNC1=CC=CC=C1 OJGMBLNIHDZDGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 4
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 4
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- PAPNRQCYSFBWDI-UHFFFAOYSA-N DMP Natural products CC1=CC=C(C)N1 PAPNRQCYSFBWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- NHADDZMCASKINP-HTRCEHHLSA-N decarboxydihydrocitrinin Natural products C1=C(O)C(C)=C2[C@H](C)[C@@H](C)OCC2=C1O NHADDZMCASKINP-HTRCEHHLSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N norbornene Chemical compound C1C2CCC1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N (NE)-N-[(2E)-2-hydroxyiminoethylidene]hydroxylamine Chemical class O\N=C\C=N\O LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N 0.000 description 2
- 0 *C(*O)(c(cc1CC=C)ccc1O)c(cc1)cc(CC=C)c1O Chemical compound *C(*O)(c(cc1CC=C)ccc1O)c(cc1)cc(CC=C)c1O 0.000 description 2
- OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrrole Chemical compound CN1C=CC=C1 OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CN=C1C HPYNZHMRTTWQTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JJYPMNFTHPTTDI-UHFFFAOYSA-N 3-methylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N)=C1 JJYPMNFTHPTTDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 2
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FIUHVFKUSYTICU-UHFFFAOYSA-N CC(CCCO)(c(cc1C)ccc1O)c(cc1)cc(C)c1O Chemical compound CC(CCCO)(c(cc1C)ccc1O)c(cc1)cc(C)c1O FIUHVFKUSYTICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N Valeric acid Natural products CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 2
- BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N allyl bromide Chemical compound BrCC=C BHELZAPQIKSEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- HOPRXXXSABQWAV-UHFFFAOYSA-N anhydrous collidine Natural products CC1=CC=NC(C)=C1C HOPRXXXSABQWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N diethylaniline Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC=C1 GGSUCNLOZRCGPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N icosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 2
- JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDZOGLJOFWFVOZ-UHFFFAOYSA-N n-propylaniline Chemical compound CCCNC1=CC=CC=C1 CDZOGLJOFWFVOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N nitro(phenyl)methanesulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C([N+]([O-])=O)C1=CC=CC=C1 IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 2
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 2
- RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N o-toluidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N p-toluidine Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1 RZXMPPFPUUCRFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003139 primary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N pyridin-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=N1 UBQKCCHYAOITMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N succinimide Chemical compound O=C1CCC(=O)N1 KZNICNPSHKQLFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M toluene-4-sulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- IOLNSDKWTPJYDO-UHFFFAOYSA-N (2-methoxy-2-oxoethyl) 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)COC(=O)CCN(CCO)CCO IOLNSDKWTPJYDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIZONLAIJCNVBD-UHFFFAOYSA-N (2-oxooxolan-3-yl) 3-[bis(2-acetyloxyethyl)amino]propanoate Chemical compound CC(=O)OCCN(CCOC(C)=O)CCC(=O)OC1CCOC1=O NIZONLAIJCNVBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FENIPQXWAFHUJS-UHFFFAOYSA-N (2-oxooxolan-3-yl) 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound OCCN(CCO)CCC(=O)OC1CCOC1=O FENIPQXWAFHUJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBGBQMOBKHHECH-VKHMYHEASA-N (2s)-2-(methoxyamino)propanoic acid Chemical compound CON[C@@H](C)C(O)=O RBGBQMOBKHHECH-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N (4-dimethylsilylidenecyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)C1=CC=C([Si](C)C)C=C1 UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005045 1,10-phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXQDWDBEBPVVPE-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,5,6-pentafluorocyclohexa-2,4-diene-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1(F)C=C(F)C(F)=C(F)C1F GXQDWDBEBPVVPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXKUSNBCPPKRA-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10,13-pentaoxa-16-azacyclooctadecane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCN1 NBXKUSNBCPPKRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJUOQSZSDIHZNP-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10-tetraoxa-13-azacyclopentadecane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCN1 BJUOQSZSDIHZNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLNQAPQQAZVRDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-(2-Hydroxyethoxy)ethyl)piperazine Chemical compound OCCOCCN1CCNCC1 FLNQAPQQAZVRDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOIJVRLTSCRGIS-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[bis[2-(2-oxopropoxy)ethyl]amino]ethoxy]propan-2-one Chemical compound CC(=O)COCCN(CCOCC(C)=O)CCOCC(C)=O MOIJVRLTSCRGIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNQSKPOIYILBMI-UHFFFAOYSA-N 1-[butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylbutane Chemical compound CCCCS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CCCC WNQSKPOIYILBMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLYOFBNLYMTEPS-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo(2-methylpropylsulfonyl)methyl]sulfonyl-2-methylpropane Chemical compound CC(C)CS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CC(C)C GLYOFBNLYMTEPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INVPZZAWURTZET-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo(3-methylbutylsulfonyl)methyl]sulfonyl-3-methylbutane Chemical compound CC(C)CCS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CCC(C)C INVPZZAWURTZET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUYAQJZXAJBVFT-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo(propylsulfonyl)methyl]sulfonylpropane Chemical compound CCCS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CCC WUYAQJZXAJBVFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo-(4-methylphenyl)sulfonylmethyl]sulfonyl-4-methylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDPLKUDCQKROTF-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-2-methyl-2-(4-methylphenyl)sulfonylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C(C)(C)C(=O)C1CCCCC1 DDPLKUDCQKROTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRAJQLYTRXKQAW-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-phenyl-2h-pyridine Chemical compound C1=CN(C)CC=C1C1=CC=CC=C1 BRAJQLYTRXKQAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyrrolidine Chemical compound CN1CCCC1 AVFZOVWCLRSYKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical class C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMEVEHLSJRKSEF-UHFFFAOYSA-N 1h-indol-3-ylmethanol;hydrate Chemical compound O.C1=CC=C2C(CO)=CNC2=C1 OMEVEHLSJRKSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBDPKZCMVAISAL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-triethylpyridine Chemical compound CCC1=CC=NC(CC)=C1CC WBDPKZCMVAISAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHUHPERZCBUMRK-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxypyridine Chemical compound COC1=CC=CN=C1OC QHUHPERZCBUMRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKAXDAMWMOBXMP-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=C1 WKAXDAMWMOBXMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFFMQGGZCLEMCI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1h-pyrrole Chemical compound CC1=CNC(C)=C1 MFFMQGGZCLEMCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOLRNXJUYCXJTN-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-2-(4-methylphenyl)sulfonylpentan-3-one Chemical compound CC(C)C(=O)C(C)(C)S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 MOLRNXJUYCXJTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXQOQPGNCGEELI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitroaniline Chemical compound NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O LXQOQPGNCGEELI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=C(O)C(CO)=C1 KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFUSCYRJMXLNRB-UHFFFAOYSA-N 2,6-dinitroaniline Chemical compound NC1=C([N+]([O-])=O)C=CC=C1[N+]([O-])=O QFUSCYRJMXLNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYONOYYDEFODAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(1-Aziridinyl)ethanol Chemical compound OCCN1CC1 VYONOYYDEFODAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWOHPHGXFJNPMF-UHFFFAOYSA-N 2-(1-ethoxyethoxy)-n,n-bis[2-(1-ethoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound CCOC(C)OCCN(CCOC(C)OCC)CCOC(C)OCC AWOHPHGXFJNPMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBGHCFADBPVRIP-UHFFFAOYSA-N 2-(1-methoxyethoxy)-n,n-bis[2-(1-methoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COC(C)OCCN(CCOC(C)OC)CCOC(C)OC IBGHCFADBPVRIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYVMBPXFPFAECB-UHFFFAOYSA-N 2-(1-methylpyrrolidin-2-yl)ethanol Chemical compound CN1CCCC1CCO FYVMBPXFPFAECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWFLUYFYHANMCM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethyl)isoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(CCO)C(=O)C2=C1 MWFLUYFYHANMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)-n,n-bis[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCCOCCN(CCOCCOC)CCOCCOC XGLVDUUYFKXKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJXSTIJHXKFZKV-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexylmethylsulfanyl)cyclohexan-1-one;trifluoromethanesulfonic acid Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.O=C1CCCCC1[SH+]CC1CCCCC1 KJXSTIJHXKFZKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFUNEBBKUGLLGX-UHFFFAOYSA-N 2-(diazomethylsulfonyl)-2-methylbutane Chemical compound CCC(C)(C)S(=O)(=O)C=[N+]=[N-] UFUNEBBKUGLLGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTKFSQKHCMEMO-UHFFFAOYSA-N 2-(methoxymethoxy)-n,n-bis[2-(methoxymethoxy)ethyl]ethanamine Chemical compound COCOCCN(CCOCOC)CCOCOC NRTKFSQKHCMEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 2-(morpholin-4-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCOCC1 KKFDCBRMNNSAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 2-(piperidin-1-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCCCC1 KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIALIKXMLIAOSN-UHFFFAOYSA-N 2-Propylpyridine Chemical compound CCCC1=CC=CC=N1 OIALIKXMLIAOSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFOHYVABZSHZFF-UHFFFAOYSA-N 2-[(z)-tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonyl-2-methylbutane Chemical compound CCC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)C ZFOHYVABZSHZFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFTNMSXRZKRFMD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2,2-dimethylpropanoyloxy)ethyl-methylamino]ethyl 2,2-dimethylpropanoate Chemical compound CC(C)(C)C(=O)OCCN(C)CCOC(=O)C(C)(C)C RFTNMSXRZKRFMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJZNTFDOAXQUEZ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[bis[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethyl]amino]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound OCCOCCOCCN(CCOCCOCCO)CCOCCOCCO HJZNTFDOAXQUEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBSFCDGMLMISNR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-acetyloxyethyl(ethyl)amino]ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCN(CC)CCOC(C)=O ZBSFCDGMLMISNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFHAEZJHUQQPOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-acetyloxyethyl(methyl)amino]ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCN(C)CCOC(C)=O RFHAEZJHUQQPOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWDZKLZIXWZHP-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-acetyloxyethyl)amino]ethyl 2-acetyloxyacetate Chemical compound CC(=O)OCCN(CCOC(C)=O)CCOC(=O)COC(C)=O SIWDZKLZIXWZHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLNHOJPBLKPYLM-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-butanoyloxyethyl)amino]ethyl butanoate Chemical compound CCCC(=O)OCCN(CCOC(=O)CCC)CCOC(=O)CCC YLNHOJPBLKPYLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVBARMMVFUJOOH-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-formyloxyethyl)amino]ethyl formate Chemical compound O=COCCN(CCOC=O)CCOC=O GVBARMMVFUJOOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFBLAQSBUCSKOJ-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-methoxycarbonyloxyethyl)amino]ethyl methyl carbonate Chemical compound COC(=O)OCCN(CCOC(=O)OC)CCOC(=O)OC XFBLAQSBUCSKOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGEKLPYMRIWMQH-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-propanoyloxyethyl)amino]ethyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCN(CCOC(=O)CC)CCOC(=O)CC AGEKLPYMRIWMQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSSOCJUFTLMVSB-UHFFFAOYSA-N 2-[bis[2-(2,2-dimethylpropanoyloxy)ethyl]amino]ethyl 2,2-dimethylpropanoate Chemical compound CC(C)(C)C(=O)OCCN(CCOC(=O)C(C)(C)C)CCOC(=O)C(C)(C)C FSSOCJUFTLMVSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGUGISSCCFAZPW-UHFFFAOYSA-N 2-[bis[2-(2-methylpropanoyloxy)ethyl]amino]ethyl 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(=O)OCCN(CCOC(=O)C(C)C)CCOC(=O)C(C)C NGUGISSCCFAZPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJSGWEKPRALJHD-UHFFFAOYSA-N 2-[bis[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonyloxy]ethyl]amino]ethyl tert-butyl carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OCCN(CCOC(=O)OC(C)(C)C)CCOC(=O)OC(C)(C)C AJSGWEKPRALJHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOOSMDBEULUDH-UHFFFAOYSA-N 2-[butan-2-ylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylbutane Chemical compound CCC(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)CC KKOOSMDBEULUDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIBYXAJIXZFSSE-UHFFFAOYSA-N 2-[diazo(2-methylbutan-2-ylsulfonyl)methyl]sulfonyl-2-methylbutane Chemical compound CCC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)CC IIBYXAJIXZFSSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRYBUHKBBRHEAE-UHFFFAOYSA-N 2-[diazo(propan-2-ylsulfonyl)methyl]sulfonylpropane Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)C DRYBUHKBBRHEAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTLBKKBQXKKHLB-UHFFFAOYSA-N 2-[ethyl(2-methoxycarbonyloxyethyl)amino]ethyl methyl carbonate Chemical compound COC(=O)OCCN(CC)CCOC(=O)OC BTLBKKBQXKKHLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 2-[tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonyl-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)C SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 2-allylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC=C QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCFUWBOSXMKGIP-UHFFFAOYSA-N 2-benzylpyridine Chemical compound C=1C=CC=NC=1CC1=CC=CC=C1 PCFUWBOSXMKGIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLSKXBALZCMCX-UHFFFAOYSA-N 2-butoxypyridine Chemical compound CCCCOC1=CC=CC=N1 OFLSKXBALZCMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADSOSINJPNKUJK-UHFFFAOYSA-N 2-butylpyridine Chemical compound CCCCC1=CC=CC=N1 ADSOSINJPNKUJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRGGMCIBEHEAIL-UHFFFAOYSA-N 2-ethylpyridine Chemical compound CCC1=CC=CC=N1 NRGGMCIBEHEAIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEHVFMVPVLFCBR-UHFFFAOYSA-N 2-formyloxyethyl 3-[bis(2-formyloxyethyl)amino]propanoate Chemical compound O=COCCOC(=O)CCN(CCOC=O)CCOC=O LEHVFMVPVLFCBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJLFRIQSJMTSQI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound OCCOC(=O)CCN(CCO)CCO OJLFRIQSJMTSQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJUKJLKKIYPSFD-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound COCCOC(=O)CCN(CCO)CCO CJUKJLKKIYPSFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMANYYGJUIRSEY-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl 3-[butyl-[3-(2-methoxyethoxy)-3-oxopropyl]amino]propanoate Chemical compound COCCOC(=O)CCN(CCCC)CCC(=O)OCCOC NMANYYGJUIRSEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWTFOFMTUOBLHG-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypyridine Chemical compound COC1=CC=CC=N1 IWTFOFMTUOBLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTSZPNIMMLSKDV-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pyrroline Chemical compound CC1=NCCC1 CTSZPNIMMLSKDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-bis(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CN(CC(C)C)CC(C)C IIFFFBSAXDNJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJBCRXCAPCODGX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CC(C)CNCC(C)C NJBCRXCAPCODGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GELMWIVBBPAMIO-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-amine Chemical compound CCC(C)(C)N GELMWIVBBPAMIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPJCXCZTLWNFOH-UHFFFAOYSA-N 2-nitroaniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O DPJCXCZTLWNFOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXSVEKMQLJOJLA-UHFFFAOYSA-N 2-oxopropyl 3-[bis(2-acetyloxyethyl)amino]propanoate Chemical compound CC(=O)COC(=O)CCN(CCOC(C)=O)CCOC(C)=O DXSVEKMQLJOJLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJMUIOUBJAVDFS-UHFFFAOYSA-N 2-oxopropyl 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound CC(=O)COC(=O)CCN(CCO)CCO YJMUIOUBJAVDFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTYAXYWEDPWJCJ-UHFFFAOYSA-N 2-pentan-3-ylpyridine Chemical compound CCC(CC)C1=CC=CC=N1 FTYAXYWEDPWJCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXGYBSJAZFGIPX-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-ylethanol Chemical compound OCCC1=CC=CC=N1 BXGYBSJAZFGIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 2-pyrroline Chemical compound C1CC=CN1 RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 2H-pyrrole Chemical compound C1C=CC=N1 JZIBVTUXIVIFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGTASENVNYJZBK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethoxyamphetamine Chemical compound COC1=CC(CC(C)N)=CC(OC)=C1OC WGTASENVNYJZBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPBZUKLDHPOCLS-UHFFFAOYSA-N 3,5-dinitroaniline Chemical compound NC1=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C1 MPBZUKLDHPOCLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLROJJGKUKLCAE-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-methylphenol Chemical compound CC1=C(N)C=CC=C1O FLROJJGKUKLCAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAGZIOYVEIDDJA-UHFFFAOYSA-N 3-aminopyrazine-2-carboxylic acid Chemical compound NC1=NC=CN=C1C(O)=O ZAGZIOYVEIDDJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJATUPPYBZHEIO-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-2-phenylpyridine Chemical compound CC1=CC=CN=C1C1=CC=CC=C1 BJATUPPYBZHEIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJCVRTZCHMZPBD-UHFFFAOYSA-N 3-nitroaniline Chemical compound NC1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 XJCVRTZCHMZPBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFPZRSWYUKWRIQ-UHFFFAOYSA-N 3-pyrrolidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCC1 MFPZRSWYUKWRIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVLICPVPXWEGCA-UHFFFAOYSA-N 3-quinuclidinol Chemical compound C1C[C@@H]2C(O)C[N@]1CC2 IVLICPVPXWEGCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPINGEJZOITHCL-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)oxan-2-one Chemical compound CCN(CC)C1CCOC(=O)C1 OPINGEJZOITHCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPSWMCDEYMRPE-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C=1C=CC(O)=CC=1)(C)C1=CC=C(O)C=C1 BRPSWMCDEYMRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQWWKHJWGCWUKU-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,4-dinitrophenyl)ethyl]benzenesulfonic acid Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C1CCC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O QQWWKHJWGCWUKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAVHOUBRHMRPA-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(2,6-dinitrophenyl)ethyl]benzenesulfonic acid Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C1CCC1=C([N+]([O-])=O)C=CC=C1[N+]([O-])=O RTAVHOUBRHMRPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFCQTAXSWSWIHS-UHFFFAOYSA-N 4-[bis(4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 WFCQTAXSWSWIHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 4-aminobutan-1-ol Chemical compound NCCCCO BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVSYONICNIDYBE-UHFFFAOYSA-M 4-fluorobenzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(F)C=C1 WVSYONICNIDYBE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IPHKNRHRHVRLTH-UHFFFAOYSA-N 4-formyloxybutyl 3-[bis(2-formyloxyethyl)amino]propanoate Chemical compound O=COCCCCOC(=O)CCN(CCOC=O)CCOC=O IPHKNRHRHVRLTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDHQZCHIXUUSMK-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2-quinolone Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC(=O)NC2=C1 HDHQZCHIXUUSMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VCLUTORDCGANOB-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyl 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound OCCCCOC(=O)CCN(CCO)CCO VCLUTORDCGANOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IULUNTXBHHKFFR-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IULUNTXBHHKFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOMKYCIOFLWFBM-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AOMKYCIOFLWFBM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RAXMFFZNRKLKLH-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenyliodanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 RAXMFFZNRKLKLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MNYVHIDJVUQXKZ-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;trimethylsulfanium Chemical compound C[S+](C)C.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 MNYVHIDJVUQXKZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YXZXRYDYTRYFAF-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YXZXRYDYTRYFAF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MJGQMEJOQAULGB-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tris[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]sulfanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=C(OC(C)(C)C)C=C1 MJGQMEJOQAULGB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 4-nitroaniline Chemical compound NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 TYMLOMAKGOJONV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATCGHKBXRIOBDX-UHFFFAOYSA-N 4-nonan-5-ylpyridine Chemical compound CCCCC(CCCC)C1=CC=NC=C1 ATCGHKBXRIOBDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGUKYNXWOWSRET-UHFFFAOYSA-N 4-pyrrolidin-1-ylpyridine Chemical compound C1CCCN1C1=CC=NC=C1 RGUKYNXWOWSRET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYHOMWAPJJPNMW-UHFFFAOYSA-N 8-methyl-8-azabicyclo[3.2.1]octan-3-ol Chemical compound C1C(O)CC2CCC1N2C CYHOMWAPJJPNMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTGMTYWYUZDRBK-UHFFFAOYSA-N 9,10-dimethylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=C(C=CC=C3)C3=C(C)C2=C1 JTGMTYWYUZDRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical class NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJZXCGSHDGBPEP-UHFFFAOYSA-N C(C1OC1)OC1=C[I]=CC=C1 Chemical compound C(C1OC1)OC1=C[I]=CC=C1 MJZXCGSHDGBPEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N C(C1OC1)Oc1ccccc1 Chemical compound C(C1OC1)Oc1ccccc1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPFODLCEBDTPKR-UHFFFAOYSA-N C1(C(C=CC=C1)C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1(C(C=CC=C1)C)C Chemical compound C1(C(C=CC=C1)C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1(C(C=CC=C1)C)C HPFODLCEBDTPKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHRXGFQOLPTYGJ-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.O=C1CCCCC1[SH+]CC1CCCCC1 Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.O=C1CCCCC1[SH+]CC1CCCCC1 XHRXGFQOLPTYGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWJYXMZUQAMMKA-UHFFFAOYSA-N CN(C)CC1OC1 Chemical compound CN(C)CC1OC1 TWJYXMZUQAMMKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPZWULWYRNGDIM-UHFFFAOYSA-N COCc1cc(C(C(c(cc2COC)cc(COC)c2O)c(cc2COC)cc(COC)c2O)c(cc2COC)cc(COC)c2O)cc(COC)c1O Chemical compound COCc1cc(C(C(c(cc2COC)cc(COC)c2O)c(cc2COC)cc(COC)c2O)c(cc2COC)cc(COC)c2O)cc(COC)c1O BPZWULWYRNGDIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGHHTTYUVXNLMY-UHFFFAOYSA-N COCc1cc(C(c2ccc(C(c(cc3COC)cc(COC)c3O)c(cc3COC)cc(COC)c3O)cc2)c(cc2COC)cc(COC)c2O)cc(COC)c1O Chemical compound COCc1cc(C(c2ccc(C(c(cc3COC)cc(COC)c3O)c(cc3COC)cc(COC)c3O)cc2)c(cc2COC)cc(COC)c2O)cc(COC)c1O QGHHTTYUVXNLMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N COc1ccccc1 Chemical compound COc1ccccc1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- NUDSREQIJYWLRA-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(C2(c3ccccc3-c3c2cccc3)c(cc2)cc(C)c2O)ccc1O Chemical compound Cc1cc(C2(c3ccccc3-c3c2cccc3)c(cc2)cc(C)c2O)ccc1O NUDSREQIJYWLRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEXFJVMVGETOO-LURJTMIESA-N Gly-Leu Chemical compound CC(C)C[C@@H](C(O)=O)NC(=O)CN DKEXFJVMVGETOO-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- NYHBQMYGNKIUIF-UUOKFMHZSA-N Guanosine Chemical class C1=NC=2C(=O)NC(N)=NC=2N1[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H]1O NYHBQMYGNKIUIF-UUOKFMHZSA-N 0.000 description 1
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCUARRIEZVDMPT-UHFFFAOYSA-N Indole-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2NC(C(=O)O)=CC2=C1 HCUARRIEZVDMPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001024304 Mino Species 0.000 description 1
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N N-methyl-pyrrolidine Natural products CN1CC=CC1 AHVYPIQETPWLSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N Uracil Chemical class O=C1C=CNC(=O)N1 ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRTQHJPVMGBUCF-XVFCMESISA-N Uridine Chemical class O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(=O)NC(=O)C=C1 DRTQHJPVMGBUCF-XVFCMESISA-N 0.000 description 1
- DDGFMBWDFYHXSK-UHFFFAOYSA-N [(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)-(dimethoxymethyl)amino]methanol Chemical compound COC(OC)N(CO)C1=NC(N)=NC(N)=N1 DDGFMBWDFYHXSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMPRWOVDLKORBV-UHFFFAOYSA-N [(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)-(trimethoxymethyl)amino]methanol Chemical compound COC(OC)(OC)N(CO)C1=NC(N)=NC(N)=N1 ZMPRWOVDLKORBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(methylsulfonyloxy)phenyl] methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(C)(=O)=O)=C1OS(C)(=O)=O YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCYQPMGIYRPCBA-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(trifluoromethylsulfonyloxy)phenyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)=C1OS(=O)(=O)C(F)(F)F DCYQPMGIYRPCBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIHCCWXZFYNOJS-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis-(4-methylphenyl)sulfonyloxyphenyl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)=C1OS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 OIHCCWXZFYNOJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKKMPPDCCCBZHM-UHFFFAOYSA-M [4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HKKMPPDCCCBZHM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ISFXMNADAJKIEG-UHFFFAOYSA-M [4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 ISFXMNADAJKIEG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JEDZLBFUGJTJGQ-UHFFFAOYSA-N [Na].COCCO[AlH]OCCOC Chemical compound [Na].COCCO[AlH]OCCOC JEDZLBFUGJTJGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USDJGQLNFPZEON-UHFFFAOYSA-N [[4,6-bis(hydroxymethylamino)-1,3,5-triazin-2-yl]amino]methanol Chemical compound OCNC1=NC(NCO)=NC(NCO)=N1 USDJGQLNFPZEON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N [[4,6-bis[bis(hydroxymethyl)amino]-1,3,5-triazin-2-yl]-(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)C1=NC(N(CO)CO)=NC(N(CO)CO)=N1 YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLCCGSHEKBXUGH-UHFFFAOYSA-N [[5-[cyano-(2-methylphenyl)methylidene]thiophen-2-ylidene]amino] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)ON=C(S1)C=CC1=C(C#N)C1=CC=CC=C1C GLCCGSHEKBXUGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJSBGAIKEORPFG-UHFFFAOYSA-N [[6-amino-1,2,3,4-tetramethoxy-4-(methoxyamino)-1,3,5-triazin-2-yl]-methoxyamino]methanol Chemical compound CONC1(N(C(N(C(=N1)N)OC)(N(CO)OC)OC)OC)OC BJSBGAIKEORPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFKJMDYQKVPGNM-UHFFFAOYSA-N [benzenesulfonyl(diazo)methyl]sulfonylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFKJMDYQKVPGNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLGXSTXZLFQYKJ-UHFFFAOYSA-N [cyclohexylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1CCCCC1 GLGXSTXZLFQYKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUJLILQBTCLTDQ-UHFFFAOYSA-N [cyclopentylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylcyclopentane Chemical compound C1CCCC1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1CCCC1 DUJLILQBTCLTDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEVJONIJUZTKGL-UHFFFAOYSA-N [tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylcyclohexane Chemical compound CC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1CCCCC1 FEVJONIJUZTKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- SZOJKESAWDFSND-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-methyl-2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propane Chemical compound CC(O)=O.CC(C)(C)OC(C)(C)C SZOJKESAWDFSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000003835 adenosine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229940045714 alkyl sulfonate alkylating agent Drugs 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003862 amino acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000003927 aminopyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 229940054051 antipsychotic indole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005228 aryl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- CXJVMJWCNFOERL-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonylsulfonylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 CXJVMJWCNFOERL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTXDNMDDFAESOT-UHFFFAOYSA-M bis[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenylsulfanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 WTXDNMDDFAESOT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SSCOHVUVCBYNFB-UHFFFAOYSA-M bis[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 SSCOHVUVCBYNFB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-M butane-1-sulfonate Chemical compound CCCCS([O-])(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QPXMRCTYZIAUQD-UHFFFAOYSA-M butane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound CCCCS([O-])(=O)=O.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QPXMRCTYZIAUQD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 125000000259 cinnolinyl group Chemical class N1=NC(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- DCGOXOKVFBZBJG-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-[2-[bis[2-(2-cyclohexyloxy-2-oxoethoxy)ethyl]amino]ethoxy]acetate Chemical compound C1CCCCC1OC(=O)COCCN(CCOCC(=O)OC1CCCCC1)CCOCC(=O)OC1CCCCC1 DCGOXOKVFBZBJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODOYKCYDOVBTAR-UHFFFAOYSA-N cyclohexylsulfonylsulfonylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1S(=O)(=O)S(=O)(=O)C1CCCCC1 ODOYKCYDOVBTAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NISGSNTVMOOSJQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentanamine Chemical compound NC1CCCC1 NISGSNTVMOOSJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004790 diaryl sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- RKDXIVQBCRMWPC-UHFFFAOYSA-N diazomethylsulfonylcyclohexane Chemical class [N-]=[N+]=CS(=O)(=O)C1CCCCC1 RKDXIVQBCRMWPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSXRYFKEEKGLHO-UHFFFAOYSA-M dicyclohexyl(phenyl)sulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1CCCCC1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1CCCCC1 NSXRYFKEEKGLHO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- SXHRYKLRBLHUPL-UHFFFAOYSA-M dimethyl(phenyl)sulfanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C[S+](C)C1=CC=CC=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 SXHRYKLRBLHUPL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CYQUIWZGOBANMJ-UHFFFAOYSA-M dimethyl(phenyl)sulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C[S+](C)C1=CC=CC=C1 CYQUIWZGOBANMJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N dioctylamine Chemical compound CCCCCCCCNCCCCCCCC LAWOZCWGWDVVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIKAXKFQJWKCV-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 UMIKAXKFQJWKCV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- XBRDBODLCHKXHI-UHFFFAOYSA-N epolamine Chemical compound OCCN1CCCC1 XBRDBODLCHKXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- CXOBWJYMBBMTBX-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-[bis(2-ethoxy-2-oxoethyl)amino]acetate Chemical compound CCOC(=O)CN(CC(=O)OCC)CC(=O)OCC CXOBWJYMBBMTBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYJVSFHXBLXBGN-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-[2-acetyloxyethyl-(3-ethoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound CCOC(=O)CCN(CCOC(C)=O)CCC(=O)OCC OYJVSFHXBLXBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVBSTKZJNIUIAT-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-[bis(2-acetyloxyethyl)amino]propanoate Chemical compound CCOC(=O)CCN(CCOC(C)=O)CCOC(C)=O RVBSTKZJNIUIAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFTLLQNZESXWLJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound CCOC(=O)CCN(CCO)CCO WFTLLQNZESXWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 108010050848 glycylleucine Proteins 0.000 description 1
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical class O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002461 imidazolidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002462 imidazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003387 indolinyl group Chemical class N1(CCC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002518 isoindoles Chemical class 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002537 isoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- VMRZQXYRXCRSEJ-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[2-[bis[2-(2-methoxy-2-oxoethoxy)ethyl]amino]ethoxy]acetate Chemical compound COC(=O)COCCN(CCOCC(=O)OC)CCOCC(=O)OC VMRZQXYRXCRSEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHKRXCTYPGGSTL-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[bis(2-methoxy-2-oxoethyl)amino]acetate Chemical compound COC(=O)CN(CC(=O)OC)CC(=O)OC NHKRXCTYPGGSTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXLVVVXRQLAKQK-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[butyl-(2-methoxy-2-oxoethyl)amino]acetate Chemical compound CCCCN(CC(=O)OC)CC(=O)OC SXLVVVXRQLAKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAZNMURSCJOKW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[2-acetyloxyethyl-(3-methoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCOC(C)=O)CCC(=O)OC GPAZNMURSCJOKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODOCEKVZTLEAAP-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[2-hydroxyethyl-(3-methoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCO)CCC(=O)OC ODOCEKVZTLEAAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGKVCDVHPHVMFY-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[2-methoxyethyl-(3-methoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCOC)CCC(=O)OC IGKVCDVHPHVMFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVGUAGQBPUUVOQ-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[3-acetyloxypropyl-(3-methoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCC(=O)OC)CCCOC(C)=O ZVGUAGQBPUUVOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFZRAJIVMQHILQ-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[3-hydroxypropyl-(3-methoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCCO)CCC(=O)OC CFZRAJIVMQHILQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYPIYJCVKPAZOQ-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[bis(2-acetyloxyethyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCOC(C)=O)CCOC(C)=O WYPIYJCVKPAZOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDLCQBOPNILNFH-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCO)CCO PDLCQBOPNILNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHTBQFHOJIBPKY-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[bis(2-methoxyethyl)amino]propanoate Chemical compound COCCN(CCOC)CCC(=O)OC BHTBQFHOJIBPKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDNHCHDMPIHHGH-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[bis(3-methoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCC(=O)OC)CCC(=O)OC YDNHCHDMPIHHGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMJNUOYYIYNPJI-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[butyl-(3-methoxy-3-oxopropyl)amino]propanoate Chemical compound COC(=O)CCN(CCCC)CCC(=O)OC BMJNUOYYIYNPJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 150000002780 morpholines Chemical class 0.000 description 1
- DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N n',n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNUHBJSGYGOLSN-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(dimethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCNCCNCCNCCN BNUHBJSGYGOLSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGIVLIHKENZQHQ-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetramethylmethanediamine Chemical compound CN(C)CN(C)C VGIVLIHKENZQHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRLHDBRENZFCIN-UHFFFAOYSA-N n,n-di(butan-2-yl)butan-2-amine Chemical compound CCC(C)N(C(C)CC)C(C)CC SRLHDBRENZFCIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N n,n-di(nonyl)nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN(CCCCCCCCC)CCCCCCCCC ZQJAONQEOXOVNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRQONEWDWWHIPM-UHFFFAOYSA-N n,n-dicyclohexylcyclohexanamine Chemical compound C1CCCCC1N(C1CCCCC1)C1CCCCC1 FRQONEWDWWHIPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NILJCGYQNXKIRL-UHFFFAOYSA-N n,n-dicyclopentylcyclopentanamine Chemical compound C1CCCC1N(C1CCCC1)C1CCCC1 NILJCGYQNXKIRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCN(CCCCCCC)CCCCCCC CLZGJKHEVKJLLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYYLWJOKAQADDU-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexadecylhexadecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCCCCCCCC)CCCCCCCCCCCCCCCC LYYLWJOKAQADDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N n,n-dihexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(CCCCCC)CCCCCC DIAIBWNEUYXDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVPWDPDVDVVXIB-UHFFFAOYSA-N n-(2-hydroxyethyl)pyridine-4-carboxamide Chemical compound OCCNC(=O)C1=CC=NC=C1 QVPWDPDVDVVXIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBYVIBDTOCAXSN-UHFFFAOYSA-N n-butan-2-ylbutan-2-amine Chemical compound CCC(C)NC(C)CC OBYVIBDTOCAXSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- FUUUBHCENZGYJA-UHFFFAOYSA-N n-cyclopentylcyclopentanamine Chemical compound C1CCCC1NC1CCCC1 FUUUBHCENZGYJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N n-decyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCNCCCCCCCCCC GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJCJUDJQDGGKOX-UHFFFAOYSA-N n-dodecyldodecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCNCCCCCCCCCCCC MJCJUDJQDGGKOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMBYUOXUISCLCF-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylpropan-1-amine Chemical compound CCCN(C)CC SMBYUOXUISCLCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N n-heptylheptan-1-amine Chemical compound CCCCCCCNCCCCCCC NJWMENBYMFZACG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQYKSVOHDVVDOR-UHFFFAOYSA-N n-hexadecylhexadecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCNCCCCCCCCCCCCCCCC NQYKSVOHDVVDOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N n-hexylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCCCCCC PXSXRABJBXYMFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYFFAVRFJWYYQO-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C)C1=CC=CC=C1 DYFFAVRFJWYYQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N n-nonylnonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCNCCCCCCCCC MFHKEJIIHDNPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N n-pentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCNCCCCC JACMPVXHEARCBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTNWKDHZTDQSST-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC2=C(N)C(N)=CC=C21 NTNWKDHZTDQSST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 125000005246 nonafluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- LCJLCKSXBYGANE-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-ylmethyl 3-[bis(2-acetyloxyethyl)amino]propanoate Chemical compound CC(=O)OCCN(CCOC(C)=O)CCC(=O)OCC1CCCO1 LCJLCKSXBYGANE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIRBLAKHONNXRC-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-ylmethyl 3-[bis(2-hydroxyethyl)amino]propanoate Chemical compound OCCN(CCO)CCC(=O)OCC1CCCO1 NIRBLAKHONNXRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083254 peripheral vasodilators imidazoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940083251 peripheral vasodilators purine derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000005053 phenanthridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002988 phenazines Chemical class 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical class C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N phthalimide Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 XKJCHHZQLQNZHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003053 piperidines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940080818 propionamide Drugs 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001042 pteridinyl group Chemical class N1=C(N=CC2=NC=CN=C12)* 0.000 description 1
- 150000003212 purines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003218 pyrazolidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004892 pyridazines Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVECLMOWYVDJRM-UHFFFAOYSA-N pyridine-3-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CN=C1 DVECLMOWYVDJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003235 pyrrolidines Chemical class 0.000 description 1
- ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N pyrroline Natural products C1CC=NC1 ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003236 pyrrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003246 quinazolines Chemical class 0.000 description 1
- QZZYYBQGTSGDPP-UHFFFAOYSA-N quinoline-3-carbonitrile Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C#N)=CN=C21 QZZYYBQGTSGDPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N sec-butylamine Chemical compound CCC(C)N BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012419 sodium bis(2-methoxyethoxy)aluminum hydride Substances 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002317 succinimide Drugs 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229940066771 systemic antihistamines piperazine derivative Drugs 0.000 description 1
- AIAWOMHTIRNUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-[2-[bis[2-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethoxy]ethyl]amino]ethoxy]acetate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)COCCN(CCOCC(=O)OC(C)(C)C)CCOCC(=O)OC(C)(C)C AIAWOMHTIRNUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTSAQPIPJAFBDO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-[ethyl-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonyloxy]ethyl]amino]ethyl carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OCCN(CC)CCOC(=O)OC(C)(C)C PTSAQPIPJAFBDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002088 tosyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N tridecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCN ABVVEAHYODGCLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N tridodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(CCCCCCCCCCCC)CCCCCCCCCCCC SWZDQOUHBYYPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXTIBZLKQPJVII-UHFFFAOYSA-N triethylsilicon Chemical compound CC[Si](CC)CC QXTIBZLKQPJVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AANIRNIRVXARSN-UHFFFAOYSA-M trifluoromethanesulfonate;trimethylsulfanium Chemical compound C[S+](C)C.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F AANIRNIRVXARSN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- TUODWSVQODNTSU-UHFFFAOYSA-M trifluoromethanesulfonate;tris[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]sulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=C(OC(C)(C)C)C=C1 TUODWSVQODNTSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011995 wilkinson's catalyst Substances 0.000 description 1
- UTODFRQBVUVYOB-UHFFFAOYSA-P wilkinson's catalyst Chemical compound [Cl-].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)[Rh+](P(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)P(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UTODFRQBVUVYOB-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
본 발명은, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물; i선, g선 등의 파장 500 ㎚ 이하(근자외 및 원자외 영역)의 자외선 노광에 의해 패터닝할 수 있는 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료; 상기 레지스트 재료를 사용하여 형성되는 광경화성 드라이 필름 및 그 제조 방법; 상기 레지스트 재료 또는 드라이 필름을 사용하여 기판 상에 레지스트 피막 또는 광경화성 수지층을 성막시켜, 패턴을 형성하는 방법; 또한, 상기 레지스트 피막 또는 광경화성 수지층으로부터 얻어지는 경화 피막을 사용한 배선, 회로 및 기판 등의 보호용 피막에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 얻기 위한 원료로서 유용한 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체에 관한 것이다.
형성되는 네가티브형 레지스트 재료의 패턴은, 배선, 회로 및 기판 등을 덮는 보호용 피막을 목적으로 하여 사용될 수 있지만, 네가티브형 레지스트 재료의 패턴이 피복하는 배선, 회로의 Cu의 금속층 상, 기판 상에 존재하는 Al의 금속 전극 상, 또한 피복하는 배선이나 회로의 절연 기판인 SiN 기판 상에서 밀착 불량때문에, 박리되는 문제에 자주 직면한다. 그러나, 본 발명의 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료 또는 이 레지스트 재료를 사용하여 얻어진 드라이 필름에 의해 형성된 패턴은, 기판 밀착성을 대폭 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 상기 보호용 피막은, 그 내열성, 약품 내성, 절연성 및 가요성(可撓性)을 가지므로, 재배선 용도를 포함하는 반도체 소자용 절연막, 다층 프린트 기판용 절연막, 솔더 마스크, 커버레이 필름, 실리콘 기판 관통 배선(TSV)의 매립용 절연막 외에, 기판 접합 용도 등에 유효하다.
PC, 디지털 카메라, 휴대 전화기 등 다양한 전자 기기의 소형화나 고성능화에 수반하여, 반도체 소자에 있어서도 더욱 소형화, 박형화 및 고밀도화에 대한 요구가 급속하게 높아지고 있다. 이에 따라, 생산성 향상에서의 기판 면적의 증대에 대응할 수 있고, 또한 칩 사이즈 패키지 또는 칩 스케일 패키지(CSP) 또는 3차원 적층과 같은 고밀도 실장(實裝) 기술에 있어서, 기판 상에 미세하며 어스펙트비가 높은 요철을 가지는 구조체에 대응할 수 있는 감광성 절연 재료의 개발이 요구되고 있다.
전술한 바와 같은 감광성 절연 재료로서, 반도체 소자 제조 공정에 있어서 상용(常用)되는 스핀 코팅법에 의해 폭 넓은 막 두께에 걸쳐서 도포 가능하고, 또한 폭 넓은 파장 영역에 있어서 미세한 패턴 형성이 가능하며, 저온의 후경화에 의해 가요성, 내열성, 전기적 특성, 밀착성, 신뢰성 및 약품 내성이 우수한 전기·전자 부품 보호용 피막을 형성하는 광경화성 수지 조성물(특허 문헌 1: 일본공개특허 제2008-184571호 공보)이 제안되어 있다. 이 스핀 코팅법은, 기판 상에 간편하게 성막할 수 있는 장점을 가지고 있다.
한편, 상기한 전기·전자 부품 보호용 피막을 형성하는 광경화성 수지 조성물은, 기판 상에 1∼100 ㎛의 막 두께로 사용되지만, 막 두께가 30㎛를 초과하면서부터, 그 광경화성 수지 조성물의 점도가 매우 높아지므로, 스핀 코팅법에 의한 기판 상에 대한 성막은, 실제로는 한계가 있어 곤란하게 된다.
또한, 상기 광경화성 수지 조성물을 상기 스핀 코팅법에 의해 표면에 요철이 있는 기판에 도포할 때, 상기 기판을 거의 균일하게 피복하는 것은 곤란하다. 그러므로, 기판 상의 단차 부분에 광경화성 수지층의 간극이 쉽게 생기고, 평탄성이나 단차 피복성의 더 한층의 개선이 요망되고 있다. 또한, 상기 스핀 코팅법에 대신하는 다른 도포 방법으로서, 스프레이법(특허 문헌 2: 일본공개특허 제2009-200315호 공보)이 제안되어 있다. 그러나, 그 원리를 고려하면 기판의 요철에 유래하는 고저차, 또는 패턴 에지에서의 막 끊김 및 오목부 바닥면의 핀홀(pinhole)과 같은 결함이 생기기 쉽고, 평탄성이나 단차 피복성에 관한 문제가 아직도 충분히 해결되어 있지 않다.
또한 최근, 칩 사이즈 패키지 또는 칩 스케일 패키지(CSP) 또는 3차원 적층과 같은 고밀도 실장 기술에 있어서, 기판 상에 미세하며 어스펙트비가 높은 패턴을 형성하고, 얻어진 패턴에 동 등의 금속을 적층함으로써 칩으로부터 재배선을 행하는 기술이 활발하게 이루어지고 있다. 칩의 고밀도화, 고집적화에 수반하여, 재배선 기술에서의 패턴 선 폭이나, 기판 사이를 접속하기 위한 컨택트 홀 사이즈의 미세화에 대한 요구는 매우 강하다. 미세한 패턴을 얻는 방법은, 리소그래피 기술이 일반적이며, 그 중에서도 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료가 미세한 패턴을 얻기에 적합하다. 또한, 재배선에 사용되는 패턴은, 영구적으로 디바이스 칩, 칩 사이에 존재하고, 경화되는 특징을 가지면서, 가요성, 내열성, 전기적 특성, 밀착성, 신뢰성 및 약품 내성이 우수한 전기·전자 부품 보호용 피막으로서 작용할 필요가 있으므로, 패턴을 얻는 레지스트 재료는 네가티브형이 적합할 것으로 여겨진다.
따라서, 미세한 재배선을 가공 가능한 패턴 형성 재료로서, 가요성, 내열성, 전기적 특성, 밀착성, 신뢰성 및 약품 내성이 우수한 전기·전자 부품 보호용 피막의 형성에는, 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 예로 들 수 있다.
한편, 재배선을 가공할 때 사용되는 미세한 패턴 형성이 가능하고, 또한 전기·전자 부품 보호용 피막에 유용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료는, 기판 상에 사전에 가공된 Cu 배선 상을 피복하거나 기판 상에 존재하는 Al 전극을 피복하는 경우가 있다. 또한, 배선, 전극이 형성된 기판은 SiN과 같은 절연 기판도 있으므로, 그 SiN 기판을 넓게 덮을 필요도 있다. 그러나, 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료의 피복막층과 이들 기판의 밀착성이 아직도 충분하지 않으며, 레지스트 재료의 피복막층이 기판 상에서 박리되는 문제에 자주 직면한다.
또한, 전기·전자 부품 보호용 피막에 유용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료는, 패터닝 시, 사용되는 현상액은 유기용제이며, 노광부는 가교 반응 등에 의해 현상액의 유기용제에 대하여 불용(不溶)으로 되고, 미노광부는 현상액의 유기용제에 대하여 양호하게 용해할 필요가 있다. 최근 사용되는 네가티브형 레지스트 재료는, 노광부와 미노광부의 현상액인 유기용제에 대한 용해성의 차이가 작고, 이른바 용해 콘트라스트의 차이가 작다. 용해 콘트라스트가 작은 경우, 더욱 미세한 패턴의 형성의 요구에 대하여, 양호한 패턴 형성을 기대할 수 없는 경우가 있다. 또한, 용해 콘트라스트가 작은 경우, 패턴을 노광 전사, 형성할 때 사용하는 마스크에 대하여, 패턴을 기판 상에 충실하게 형성할 수 없게 될 우려가 있다. 따라서, 가능한 큰 용해 콘트라스트가 레지스트 재료에 요구되며, 이른바 해상성의 향상이 요구되고 있다.
또한, 배선을 가공할 때 사용되는 미세한 패턴 형성이 가능하고, 또한 전기·전자 부품 보호용 피막에 유용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료는, 미노광부에 있어서, 현상액의 유기용제에 충분히 용해하는 것이 중요하다. 즉, 미노광부의 현상액의 유기용제에 대한 용해성이 부족한 경우, 레지스트 재료의 기판 상에서의 피복 막 두께가 두꺼울 때 등, 패턴의 바닥부에 용해되지 않고 남은 것이나 스컴(scum), 기판 상 패턴의 단(hem)에 있어서 단이 퍼지는 패턴 열화를 관찰되는 경우가 있다. 이들 스컴이나 단이 퍼지는 것은, 재배선을 행하는 공정의 전기 회로, 배선의 단선, 폐해가 되는 경우가 있어, 발생을 억지할 필요가 있다.
따라서, 칩의 고밀도화, 고집적화에 수반하여 재배선 기술에서의 패턴의 미세화가 가능하고, 또한 전기·전자 부품 보호용 피막에 유용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료이면서, 기판 상 밀착성의 비약적인 개선이 요구되고 있으며, 더 한층의 해상 성능의 향상을 기대할 수 있고, 패턴 바닥부에 단이 퍼지는 것이나 스컴을 발생하지 않는 계(系)의 시급한 구축이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 미세한 패턴을 형성할 수 있고, Cu나 Al과 같은 금속 배선, 전극, 기판 상, 특히 SiN과 같은 기판 상에서 직면하는 박리의 문제를 개선할 수 있고, 미세한 패턴 형성에 있어서는, 패턴 바닥부, 기판 상에 스컴이나 단이 퍼지는 것이 일어나지 않는화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료 및 이 네가티브형 레지스트 재료의 베이스 수지로서 바람직하게 사용되는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 이 고분자 화합물의 제조에 사용할 수 있는 페닐 유도체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 상기 레지스트 재료를 스핀 코팅함으로써 간편하게 기판 상에 도포하여 미세한 패턴을 형성할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 상기 레지스트 재료를 사용한 광경화성 드라이 필름 및 그 제조 방법 및 요철을 가지는 기판 상에서도, 상기 조성물을 사용한 광경화성 드라이 필름을 사용하고, 폭 넓은 막 두께에 이르는 레지스트층을 형성하고, 미세한 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 상기 패턴 형성 방법에 의해 얻어진 패턴을, 저온에서 후경화하여 얻어지는 경화 피막을 사용한 배선, 회로 및 기판 등의 전기·전자 부품 보호용 피막을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의(銳意) 검토를 거듭한 결과, 하기 일반식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체를 사용하여 하기 일반식(1)의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물(A)을 얻을 수 있고, 또한 하기(A)∼(D) 성분을 함유하여 이루어지는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료가 미세한 패턴을 형성 가능하며, 또한 미노광부는 현상액인 유기용제에 대한 용해성이 향상되므로, 형성된 패턴 바닥부와 기판의 사이에서 발생하는 단이 퍼지는 것과 스컴을 억제하는 것이 가능하게 되어, Cu나 Al과 같은 금속 배선, 전극, 기판 상, 특히 SiN과 같은 기판 상에서 직면하는 박리의 문제를 대폭 개선할 수 있는 것을 발견하였다. 또한 상기 패턴 형성 방법에 의해 얻어지는 경화 피막이, 전기·전자 부품 보호용 피막로서 우수한 것을 지견(知見)하고, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은, 하기의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료, 상기 레지스트 재료를 사용한 패턴 형성 방법, 광경화성 드라이 필름 및 그 제조 방법, 상기 광경화성 드라이 필름을 사용한 패턴 형성 방법, 전기·전자 부품 보호용 피막을 제공한다. 또한 치환페닐유도체를 제공한다.
[1]
하기 일반식(1)으로 표시되는 반복 단위를 가지는, 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000인 실리콘 골격 함유 고분자 화합물.
[화학식 1]
(상기 일반식(1) 중에서, R1∼R4는 동일할 수도 있고 다를 수도 있는 탄소수 1∼8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. m은 1∼100의 정수이다. a, b, c, d는 0 또는 정수, e, f는 정수이며, 단, a+b+c+d+e+f=1이다. X는 하기 일반식(2)으로 표시되는 유기기, Y는 하기 일반식(3)으로 표시되는 유기기, W는 하기 일반식(4)으로 표시되는 유기기이다.)
[화학식 2]
(상기 일반식(2) 중에서, Z는
[화학식 3]
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이며, 점선은 결합을 나타내고, n은 0 또는 1이다. R5 및 R6는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
[화학식 4]
(상기 일반식(3) 중에서, V는
[화학식 5]
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이며, 점선은 결합을 나타내고, p는 0 또는 1이다. R7 및 R8은 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
[화학식 6]
(상기 일반식(4) 중에서, 점선은 결합을 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 직쇄형 또는 분지형의 알킬기를 나타내고, T는 탄소수 1∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬렌기이다.)
[2]
상기 W로 표시되는 유기기가 하기 식(5)으로 표시되는 유기기인 [1]에 기재된 실리콘 골격 함유 고분자 화합물.
[화학식 7]
[3]
식(1)에 있어서, 0.1≤a≤0.8, 0.1≤b≤0.8, 0≤c, 0≤d, 0< e≤0.8, 0<f≤0.8인 [1] 또는 [2]에 기재된 실리콘 골격 함유 고분자 화합물.
[4]
(A) [1], [2] 또는 [3]에 기재된, 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000인 실리콘 골격 함유 고분자 화합물,
(B) 파장 190∼500 ㎚의 광에 의해 분해되어, 산을 발생하는 광산발생제,
(C) 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 1분자 중에 평균적으로 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개를 글리시딜기로 치환한 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개를 하기 식(C-1)으로 표시되는 치환기로 치환된 구조를 가지는 화합물, 및 하기 식(C-2), 식(C-3)으로 표시되는 어느 하나의 글리시딜기를 가진 질소 원자를 가지는 구조를 2개 이상 함유한 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 가교제,
[화학식 8]
(상기 식 중에서, 점선은 결합을 나타내고, Rc는 탄소수 1∼6의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기를 나타내고, s는 1 또는 2를 나타낸다.)
(D) 용제
을 함유하여 이루어지는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료.
[5]
(1) [4]에 기재된 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 기판 상에 도포하고, 레지스트 피막을 형성하는 공정,
(2) 이어서, 가열 처리 후, 포토마스크를 통하여 파장 190∼500 ㎚의 고에너지선 또는 전자선으로 레지스트 피막을 노광하는 공정,
(3) 가열 처리한 후, 현상액을 사용하여 현상하는 공정
을 포함하는 패턴 형성 방법.
[6]
(4) 현상에 의해 패턴 형성된 피막을, 온도 100∼250 ℃에 있어서 후경화하는 공정을 더 포함하는 [5]에 기재된 패턴 형성 방법.
[7]
막 두께가 10∼100 ㎛인 광경화성 수지층이 지지 필름 및 보호 필름으로 협지된 구조를 가지는 광경화성 드라이 필름으로서, 광경화성 수지층의 형성에 사용되는 조성물이 [4]에 기재된 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료인 것을 특징으로 하는 광경화성 드라이 필름.
[8]
(i) [4]에 기재된 (A)∼(D) 성분을 함유하는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 지지 필름 상에 도포하는 공정,
(ii) 상기 재료를 건조시켜 광경화성 수지층을 형성하는 공정,
(iii) 또한, 상기 광경화성 수지층 상에 상기 보호 필름을 접합시키는 공정
을 포함하는 광경화성 드라이 필름의 제조 방법.
[9]
(i) [8]에 기재된 광경화성 드라이 필름으로부터 보호 필름을 박리함으로써 노출된 광경화성 수지층을 기판에 밀착시키는 공정,
(ii) 상기 지지 필름을 통하여 또는 상기 지지 필름을 박리한 상태에서, 포토마스크를 통하여 광경화성 수지층을 파장 190∼500 ㎚의 고에너지선 또는 전자선으로 노광하는 공정,
(iii) 노광 후의 가열 처리를 행하는 공정,
(iv) 현상액에 의해 현상하는 공정
을 포함하는 패턴 형성 방법.
[10]
(v) 현상에 의해 패턴 형성된 피막을, 온도 100∼250 ℃에 있어서 후경화하는 공정을 더 포함하는 [9]에 기재된 패턴 형성 방법.
[11]
기판이, 개구 폭이 10∼100 ㎛이며, 또한 깊이가 10∼120 ㎛인 홈 및/또는 구멍을 가지는 기판인 [9] 또는 [10]에 기재된 패턴 형성 방법.
[12]
개구 폭이 10∼100 ㎛이며, 또한 깊이가 10∼120 ㎛인 홈 및/또는 구멍을 가지는 기판에 [7]에 기재된 광경화성 드라이 필름의 광경화성 수지층이 적층되어 이루어지는 적층체.
[13]
[5], [6], [9], [10], [11] 중 어느 하나에 기재된 패턴 형성 방법에 의해 얻어진 경화 피막으로 이루어지는 전기·전자 부품 보호용 피막.
[14]
하기 일반식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체.
[화학식 9]
(상길 일반식(6) 중에서, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 직쇄형 또는 분지형의 알킬기를 나타내고, T는 탄소수 1∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬렌기이다.)
[15]
하기 식(7)으로 표시되는 4,4-비스(4-하이드록시-3-알릴페닐)펜탄올.
[화학식 10]
본 발명에 의하면, Cu나 Al과 같은 금속 배선, 전극, 기판 상, 특히 SiN과 같은 기판 상에서 직면하는 박리의 문제를 비약적으로 개선할 수 있는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 제공할 수 있고, 폭 넓은 파장 영역에 있어서 미세한 패턴의 형성이 가능하고, 또한 칩의 고밀도화, 고집적화에 수반한 재배선 기술에서의 패턴의 미세화가 가능하고, 패턴 형성 후, 패턴 바닥부 기판 상에 스컴, 단이 퍼지는 것이 일어나지 않게 하는 전기·전자 부품 보호용 피막에 유용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료, 광경화성 드라이 필름 및 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에서의 밀착성 측정 방법을 나타내는 설명도이다.
본 발명에 따른 실리콘 골격 함유 고분자 화합물은, 하기 일반식(1)으로 표시되는 반복 단위를 가지는 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000인 것이다.
[화학식 11]
(상기 일반식(1) 중에서, R1∼R4는 동일할 수도 있고 다를 수도 있는 탄소수 1∼8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. m은 1∼100의 정수이다. a, b, c, d는 0 또는 정수, e, f는 정수이다. 단, a+b+c+d+e+f=1이다. 또한, X는 하기 일반식(2)으로 표시되는 유기기, Y는 하기 일반식(3)으로 표시되는 유기기, W는 하기 일반식(4)으로 표시되는 유기기이다.)
식 중, R1∼R4는 동일할 수도 있고 다를 수도 있는 탄소수 1∼8, 바람직하게는 1∼6의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필 기, n-부틸기, tert-부틸기, 시클로헥실기 등의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기 등의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알케닐기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기 등의 아랄킬기 등을 예로 들 수 있다.
또한, 후술하는 가교제 및 광산발생제와의 상용성(相溶性) 및 광경화성의 관점에서, m은 1∼100의 정수, 바람직하게는 1∼80의 정수이다. 또한, 기판에 대한 밀착성, 전기적 특성, 신뢰성의 관점에서, a, b, c, d는 0 또는 정수, e, f는 정수이다.
이 경우에, 0≤a≤0.8, 0.1≤b≤0.8, 0≤c, 0≤d, 0<e≤0.8, 0<f≤0.8로 할 수 있으며, 바람직하게는 0≤a≤0.8, 더욱 바람직하게는 0.1≤a≤0.8, 특히 바람직하게는 0.3≤a≤0.7이며, 바람직하게는 0.1≤b≤0.8, 더욱 바람직하게는 0.1≤b≤0.5이며, 바람직하게는 0≤c≤0.5, 특히 바람직하게는 0≤c≤0.2이며, 바람직하게는 0≤d≤0.5, 특히 바람직하게는 0≤d≤0.2이며, 바람직하게는 0<e< 0.8, 특히 바람직하게는 0<e≤0.5이며, 바람직하게는 0<f< 0.8, 특히 바람직하게는 0<f≤0.5이다. 단, a+b+c+d+e+f=1이다.
상기 a, b, c, d, e, f에 대해서는, 특히
i. 0.1≤a≤0.8, 0.1≤b≤0.8이며, c, d가 각각 0, 0<e<0.8, 0<f< 0.8,
ii. 0.1≤a≤0.7, 0.1≤b≤0.5, 0<c≤0.2, 0<d≤0.2, 0<e≤0.5, 0<f≤0.5
인 것이 바람직하다.
[화학식 12]
(상기 일반식(2) 중에서, Z는
[화학식 13]
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이며, 점선은 결합을 나타내고, n은 0 또는 1이다. R5 및 R6는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
[화학식 14]
(상기 일반식(3) 중에서, V는
[화학식 15]
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이며, 점선은 결합을 나타내고, p는 0 또는 1이다. R7 및 R8은 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있다. h는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
[화학식 16]
(상기 일반식(4) 중에서, 점선은 결합을 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 직쇄형 또는 분지형의 알킬기를 나타내고, T는 탄소수 1∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬렌기이다.)
이 경우에, 상기 W로 표시되는 유기기가 하기 일반식(5)으로 표시되는 유기기인 것이 바람직하다.
[화학식 17]
본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은, 이것을 사용한 레지스트 재료의 상용성 및 광경화성, 및 상기 레지스트 재료로부터 얻어지는 경화물의 기계적 특성의 관점에서, 3,000∼500,000, 바람직하게는 5,000∼300,000이다. 그리고, 본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산값이다.
본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물은, 하기 식(8)으로 표시되는 하이드로젠실페닐렌(1,4-비스(디메틸실릴)벤젠)
[화학식 18]
과, 또는 이 하이드로젠실페닐렌 및 하기 일반식(9)으로 표시되는 디하이드로오르가노실록산
[화학식 19]
(상기 일반식(9) 중에서, R3, R4 및 m은, 상기와 동일하다.)
과, 필요에 따 라하기 일반식(10)으로 표시되는 디알릴기를 가지는 특정한 에폭시기 함유 화합물
[화학식 20]
(상기 일반식(10) 중에서, V, R7, R8, p, h는, 상기와 동일하다.)
과, 필요에 따라 하기 일반식(11)으로 표시되는 디알릴기를 가지는 특정한 페놀 화합물
[화학식 21]
(상기 일반식(11) 중에서, Z, R5, R6, n, k는, 상기와 동일하다.)
과, 하기 식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체
[화학식 22]
(상기 식(6) 중에서, R, T는 상기와 동일하며, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 직쇄형 또는 분지형의 알킬기를 나타내고, T는 탄소수 1∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬렌기이다.)
를, 촉매의 존재 하에서 이른바 「하이드로 실릴화」 중합 반응을 행함으로써, 제조할 수 있다.
그리고, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은, 상기 식(10)으로 표시된는 디알릴기를 가지는 특정한 에폭시기 함유 화합물 및 상기 식(11)으로 표시되는 디알릴기를 가지는 특정한 페놀 화합물 및 상기 식(6)으로 표시되는 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐) 기를 가지는 화합물의 알릴기의 총수, 및 상기 식(8)으로 표시되는 하이드로젠실페닐렌 및 상기 식(9)으로 표시되는 디하이드로오르가노실록산의 하이드로 실릴기의 총수의 비(알릴기의 총수/하이드로 실릴기의 총수)를 조정함으로써, 용이하게 제어할 수 있다. 또는, 상기 디알릴기를 가지는 특정한 에폭시기 함유 화합물 및 디알릴기를 가지는 특정한 페놀 화합물 및 디알릴기를 가지는 특정한 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐) 기를 가지는 화합물, 및 하이드로젠실페닐렌 및 디하이드로오르가노실록산의 중합시에, 예를 들면, o-알릴페놀과 같은 모노알릴 화합물, 또는 트리에틸하이드로실란과 같은 모노하이드로실란이나 모노하이드로실록산을 분자량 조정제로서 사용함으로써, 상기 중량 평균 분자량은 용이하게 제어할 수 있다.
상기 중합 반응에 있어서, 촉매로서는, 예를 들면, 백금(백금 흑을 포함함), 로듐, 팔라듐 등의 백금족 금속 단체(單體); H2PtCl4·xH2O, H2PtCl6·xH2O, NaHPtCl6·xH2O, KHPtCl6·xH2O, Na2PtCl6·xH2O, K2PtCl4·xH2O, PtCl4·xH2O, PtCl2, Na2HPtCl4·xH2O(식중, x는 0∼6의 정수가 바람직하고, 특히 0 또는 6이 바람직하다.) 등의 염화 백금, 염화 백금산 및 염화 백금산염; 알코올 변성 염화 백금산(미국 특허 제3,220,972호 명세서); 염화 백금산과 올레핀의 착체(미국 특허 제3,159,601호 명세서, 미국 특허 제3,159,662호 명세서, 미국 특허 제3,775,452호 명세서); 백금 흑이나 팔라듐 등의 백금족 금속을 알루미나, 실리카, 카본 등의 담체에 담지시킨 것; 로듐-올레핀 착체; 클로로토리스(트리페닐포스핀)로듐(이른바 윌킨슨 촉매); 염화 백금, 염화 백금산 또는 염화 백금산염과 비닐기 함유 실록산(특히 비닐기 함유 환형 실록산)과의 착체 등이 있다.
그 사용량은 촉매량이며, 통상, 백금족 금속으로서 반응 중합물의 총량에 대하여 0.001∼0.1 질량%인 것이 바람직하다.
상기 중합 반응에 있어서는, 필요에 따라 용제를 사용할 수도 있다. 용제로서는, 예를 들면, 톨루엔, 크실렌 등의 탄화수소계 용제가 바람직하다. 사용하는 용제량은, 반응 중합물의 총량 100 질량부에 대하여 50∼300 질량부이며, 100∼200 질량부가 바람직하다.
상기 중합 조건으로서, 촉매가 실활하지 않고, 또한 단시간에 중합의 완결이 가능한 관점에서, 중합 온도는, 예를 들면 40∼150 ℃, 특히 60∼120℃가 바람직하다.
중합 시간은, 중합물의 종류 및 양에 따라 다르지만, 중합계 중에 습기의 개입을 방지하기 위하여, 대략 0.5∼100 시간, 특히 0.5∼30 시간에 종료하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여 중합 반응을 종료한 후, 용제를 사용한 경우에는 이것을 증류 제거함으로써, 본 발명의 식(1)으로 표시되는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 얻을 수 있다.
그리고, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 중량 평균 분자량이 저하되면, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 점도는 저하된다. 이에 따라, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 사용하여 형성한 수지층의 점성율(粘性率)도 저하된다. 또한, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자 내에 있어서, 직쇄형 폴리실록산을 포함하는 분자 유닛의 비율[일반식(1)의 b 및 d 및 f]이 증가하면, 상대적으로 실페닐렌 등의 방향족 화합물을 포함하는 분자 유닛의 비율[일반식(1)의 a 및 c 및 e]이 감소하고, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 점도는 저하된다. 이에 따라, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 사용하여 형성한 수지층의 점성율도 저하된다. 또한, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자 내에 있어서, 직쇄형 폴리실록산의 분자쇄의 길이가 증가하면, 즉 일반식(1)의 m의 값이 증가하면, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 점도는 저하된다. 이에 따라, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 사용하여 형성한 수지층의 점성율도 저하된다.
이하에서, 상기 식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(3-알릴-4-하이드록시페닐) 유도체의 합성에 대하여, 적절한 방법을 설명한다.
하나의 합성 방법으로서, 상기 식(6)의 화합물은, 하기 식(12-1)으로 표시되는 케톤을 가지고 또한 알코올성 수산기를 가진 화합물을 출발 원료로서 사용할 수 있다.
[화학식 23]
(상기 식(12-1) 중에서, R, T는 상기와 동일하다.)
먼저, 상기 식(12-1)으로 표시되는 케톤을 가지고 또한 알코올성 수산기를 가진 화합물은, 산성 조건 하, 2 당량 정도의 페놀과 축합시킴으로써, 하기 식(12-2)으로 표시되는 알코올성 수산기 가진 비스페놀 유도체를 얻을 수 있다.
[화학식 24]
다음으로, 상기 알코올성 수산기를 가진 비스페놀 유도체(12-2)에 2 당량의 할로겐화 알릴을 비프로톤성 극성 용매중, 탄산 칼륨 등을 사용한 염기성 조건 하에서 반응을 행하고, 페놀의 수산기의 수소 원자를 알릴기로 치환한 화합물, 하기 식(12-3)을 얻을 수 있다.
[화학식 25]
상기 식(12-3)으로 표시되는 페놀의 수산기의 수소 원자를 알릴기로 치환한 화합물을 디메틸아닐린과 같은 고비등점 용매에 용해하고, 180℃ 부근에서 고온 가열함으로써, 클라이젠 전이(轉移) 반응을 생기게 함으로써, 페놀의 3번 위치에 알릴기가 전이한 목적으로 하는 상기 식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체를 얻을 수 있다.
한편, 상기 식(6)으로 표시되는 화합물의 합성 방법 중 다른 하나의 바람직한 합성 방법으로서, 하기 식(12-4)으로 표시되는 케톤을 가지고 또한 카르본산을 가진 화합물을 출발 원료로서 사용할 수 있다.
[화학식 26]
(하기 식(12-4) 중에서, R은 상기와 동일하다. T'는 상기한 T보다 탄소수가 1 적은 알킬렌기를 나타낸다.)
상기 식(12-4)으로 표시되는 케톤을 가지고 또한 카르본산을 가진 화합물은 상기와 동일한 산성 조건 하, 2 당량의 페놀과 축합시킴으로써, 하기 식(12-5)으로 표시되는 카르본산을 가진 비스페놀 유도체를 얻을 수 있다.
[화학식 27]
또한, 상기 식(12-5)으로 표시되는 화합물에 3 당량의 할로겐화 알릴을 상기한 알릴에테르를 얻는 동일한 조건을 사용하여, 하기 식(12-6)으로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다. 이 때, 2 당량의 할로겐화 알릴은 페놀의 수산기의 수소 원자를 알릴기로 치환하고, 또한 나머지 1 당량의 할로겐화 알릴은 카르본산의 수소 원자도 알릴기와 치환한 카르본산 알릴에스테르가 된 하기 식(12-6)으로 표시되는 화합물을 얻는다.
[화학식 28]
또한, 상기 식(12-6)으로 표시되는 화합물을 테트라하이드로퓨란이나 톨루엔과 같은 비프로톤성 용매에 용해하고, 1 당량 이상, 바람직하게는 1∼1.5 당량의 Red-Al 등의 용액을 0∼30 ℃, 바람직하게는 0∼15 ℃의 온도에서 첨가하고, 교반함으로써, 카르본산 부위의 환원 반응을 용이하게 행할 수 있고, 상기 식(12-3)과 같은 하기 식(12-7)으로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다.
[화학식 29]
이어서, 상기 식(12-7)으로 표시되는 화합물은 전술한 바와 마찬가지의 클라이젠 전이 반응에 의해, 페놀의 3번 위치에 알릴기가 전이한 목적으로 하는 상기 식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체와 같은 하기 식(12-8)으로 표시되는 유도체를 얻을 수 있다.
[화학식 30]
이 일련의 목적으로 하는 상기 식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체를 얻는 방법에 있어서, 상기 식(12-5)으로 표시되는 카르본산을 가진 비스페놀 유도체로서 디페놀산(하기 식(12-9))을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 디페놀산은 공업적으로 염가이며 용이하게 입수할 수 있으므로, 바람직한 출발 원료로서 예로 들 수 있다.
[화학식 31]
바람직한 원료의 디페놀산을 사용한 경우, 얻어지는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체는 하기 식(7)으로 표시되는 화합물이며, 전술한 「하이드로 실릴화」 중합 반응에 사용하는 것에 대하여, 가장 바람직하다.
[화학식 32]
전술한 바와 같이, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물은, 상기 식(6)으로 표시되는 알코올성 수산기를 가지는 비스(4-하이드록시-3-알릴페닐) 유도체를 상기 식(8) 및 (9)의 오르가노 폴리실록산과 하이드로 실릴화 반응함으로써, 용이하게 얻을 수 있다. 이와 같이 얻어진 상기 식(1)으로 표시되는 구조를 가진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물은, 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료의 베이스 수지로서 매우 적합하여, Cu나 Al과 같은 금속 배선, 전극, 기판 상, 특히 SiN과 같은 기판 상의 박리의 문제를 개선할 수 있다. 박리를 개선할 수 있는 요인으로서는, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물에 도입된 상기 식(4)으로 표시되는 구조 부위가 기판과의 상호 작용을 향상시키기 때문인 것으로 여겨진다. 상기 식(4)으로 표시되는 구조 부위를 가지고 있지 않은 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 사용하여 형성한 패턴은 기판에 대한 밀착성은 현저하게 부족하다.
한편, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물에 상기 식(4)으로 표시되는 구조 부위를 도입한 결과, 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료에 사용되는 현상액인 유기용제에 대한 용해성이 향상되는 효과가 있다. 네가티브형 레지스트 재료에 있어서, 미노광부의 현상액에 대한 용해성은 높은 것이 요구된다. 즉, 미세 패턴을 해상하는 데 있어서, 미노광부의 현상액에 대한 용해성이 낮은 경우, 패턴 바닥부에 용해 스컴이 관찰되거나 패턴과 기판의 사이에 단이 퍼지는 것이 관찰되는 경우가 있지만, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 사용하여 형성한 패턴에 있어서, 패턴 바닥부의 용해 스컴, 단이 퍼지는 것의 발현은, 미노광부의 현상액인 유기용제에 대한 용해성이 향상됨으로써 해소된다.
또한 한편, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료에 의한 패턴 형성에 있어서, 노광부의 가교 반응을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 노광부의 가교 반응이 향상되는 것에 의해, 노광 부의 현상액인 유기용제에 대한 용해성이 낮아진다. 전술한 바와 같이, 상기 재료는 미노광부의 현상액에 대한 용해성을 향상시킬 수 있고, 그리고 노광부의 현상액에 대한 용해성을 극히 낮게 할 수 있으므로, 노광부와 미노광부의 용해 속도의 차이가 커지고, 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료에 바람직한 용해 콘트라스트를 증대시키는 것이 가능하게 되며, 또한 미세한 패턴 형성을 기대할 수 있다.
본 발명은, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용한 하기 (A)∼(D) 성분을 함유하는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 제공한다.
(A) 전술한 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000인 실리콘 골격 함유 고분자 화합물,
(B) 파장 190∼500 ㎚의 광에 의해 분해되어, 산을 발생하는 광산발생제,
(C) 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 1분자 중에 평균적으로 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개를 글리시딜기로 치환한 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개를 하기 식(C-1)으로 표시되는 치환기로 치환된 구조를 가지는 화합물, 및 하기 식(C-2), 식(C-3)으로 표시되는 어느 하나의 글리시딜기를 가진 질소 원자를 가지는 구조를 2개 이상 함유한 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 가교제,
[화학식 33]
(상기 식 중에서, 점선은 결합을 나타내고, Rc는 탄소수 1∼6의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기를 나타내고, s는 1 또는 2를 나타낸다.)
(D) 용제.
(B) 광산발생제로서는, 파장 190∼500 ㎚의 광조사에 의해 산을 발생하고, 이것이 경화 촉매로 되는 것을 사용할 수 있다. 본 발명의 레지스트 재료는 광산발생제와의 상용성이 우수하므로, 다양한 종류의 광산발생제를 사용할 수 있다. 상기 광산발생제로서는, 예를 들면, 오늄염, 디아조메탄 유도체, 글리옥심 유도체, β-케토술폰 유도체, 디술폰 유도체, 니트로벤질술포네이트 유도체, 술폰산 에스테르 유도체, 이미드-일-술포네이트 유도체, 옥심술포네이트 유도체, 이미노술포네이트 유도체, 트리아진 유도체 등이 있다.
상기 오늄염으로서는, 예를 들면, 하기 일반식(13)으로 표시되는 화합물이 있다.
(R12)jM+K- (13)
(상기 일반식(12) 중에서, R12는 각각 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기, 탄소수 6∼12의 아릴기 또는 탄소수 7∼12의 아랄킬기를 나타내고, M+는 요오도늄 또는 술포늄을 나타내고, K-는 비구핵성(非求核性) 대향 이온을 나타내고, j는 2 또는 3을 나타낸다.)
상기 R12에 있어서, 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기, 2-옥소시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등이 있다. 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기; o-, m- 또는 p-메톡시페닐기, 에톡시페닐기, m- 또는 p-tert-부톡시페닐기 등의 알콕시페닐기; 2-, 3- 또는 4-메틸페닐기, 에틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 4-부틸페닐기, 디메틸페닐기 등의 알킬페닐기 등이 있다. 아랄킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기 등의 각각의 기가 있다.
K-의 비구핵성 대향 이온으로서는, 염화물 이온, 브롬화물 이온 등의 할라이드 이온; 트리플레이트, 1,1,1-트리플루오로에탄술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트 등의 플루오로알킬술포네이트; 토실레이트, 벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 1,2,3,4,5-펜타플루오로벤젠술포네이트 등의 아릴술포네이트; 메실레이트, 부탄술포네이트 등의 알킬술포네이트 등을 예로 들 수 있다.
디아조메탄 유도체로서는, 하기 일반식(14)으로 표시되는 화합물을 예로 들 수 있다.
[화학식 34]
(상기 일반식(14) 중에서, R13은 동일할 수도 있고 다를 수도 있으며, 탄소수 1∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기 또는 할로겐화 알킬기, 탄소수 6∼12의 아릴기, 알콕시화 아릴기, 알킬화 아릴기 또는 할로겐화 아릴기, 또는 탄소수 7∼12의 아랄킬기를 나타낸다.)
상기 R13에 있어서, 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 아밀기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등이 있다. 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면, 트리플루오로메틸기, 1,1,1-트리플루오로에틸 기, 1,1,1-트리클로로에틸기, 노나플루오로부틸기 등이 있다. 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기; o-, m- 또는 p-메톡시페닐기, 에톡시페닐기, m- 또는 p-tert-부톡시페닐기 등의 알콕시페닐기; 2-, 3- 또는 4-메틸페닐기, 에틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 4-부틸페닐기, 디메틸페닐기 등의 알킬페닐기 등이 있다. 할로겐화 아릴기로서는, 예를 들면, 플루오로페닐기, 클로로페닐기, 1,2,3,4,5-펜타플루오로페닐기 등이 있다. 아랄킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기 등이 있다.
구체적으로는, 광산발생제로서, 예를 들면, 트리플루오로메탄술폰산 디페닐요오도늄, 트리플루오로메탄술폰산(p-tert-부톡시페닐)페닐요오도늄, p-톨루엔술폰산 디페닐요오도늄, p-톨루엔술폰산(p-tert-부톡시페닐)페닐요오도늄, 트리플루오로메탄술폰산 트리페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산 비스(p-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리플로오로메탄술폰산 트리스(p-tert-부톡시페닐)술포늄, p-톨루엔술폰산 트리페닐술포늄, p-톨루엔술폰산(p-tert-부톡시페닐)디페닐술포늄, p-톨루엔술폰산 비스(p-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, p-톨루엔술폰산 트리스(p-tert-부톡시페닐)술포늄, 노나플로오로부탄술폰산 트리페닐술포늄, 부탄술폰산 트리페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산 트리메틸술포늄, p-톨루엔술폰산 트리메틸술포늄, 트리플루오로메탄술폰산 시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)술포늄, p-톨루엔술폰산 시클로헥실메틸(2-옥소시클로헥실)술포늄, 트리플루오로메탄술폰산 디메틸페닐술포늄, p-톨루엔술폰산 디메틸페닐술포늄, 트리플루오로메탄술폰산 디시클로헥실페닐술포늄, p-톨루엔술폰산 디시클로헥실페닐술포늄, 디페닐(4-티오페녹시페닐)술포늄헥사플루오로안티모네이트 등의 오늄염; 비스(벤젠술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄, 비스(크실렌술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(시클로펜틸술포닐)디아조메탄, 비스(n-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(이소부틸술포닐)디아조메탄, 비스(sec-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(n-프로필술포닐)디아조메탄, 비스(이소프로필술포닐)디아조메탄, 비스(tert-부틸술포닐)디아조메탄, 비스(n-아밀술포닐)디아조메탄, 비스(이소아밀술포닐)디아조메탄, 비스(sec-아밀술포닐)디아조메탄, 비스(tert-아밀술포닐)디아조메탄, 1-시클로헥실술포닐-1-(tert-부틸술포닐)디아조메탄, 1-시클로헥실술포닐-1-(tert-아밀술포닐)디아조메탄, 1-tert-아밀술포닐-1-(tert-부틸술포닐)디아조메탄 등의 디아조메탄 유도체; 비스-o-(p-톨루엔술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(p-톨루엔술포닐)-α-디페닐글리옥심, 비스-o-(p-톨루엔술포닐)-α-디시클로헥실글리옥심, 비스-o-(p-톨루엔술포닐)-2,3-펜탄디온글리옥심, 비스-(p-톨루엔술포닐)-2-메틸-3,4-펜탄디온글리옥심, 비스-o-(n-부탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(n-부탄술포닐)-α-디페닐글리옥심, 비스-o-(n-부탄술포닐)-α-디시클로헥실글리옥심, 비스-o-(n-부탄술포닐)-2,3-펜탄디온글리옥심, 비스-o-(n-부탄술포닐)-2-메틸-3,4-펜탄디온글리옥심, 비스-o-(메탄 술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(트리플루오로메탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(1,1,1-트리플루오로에탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(tert-부탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(퍼플루오로옥탄술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(시클로헥산술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(벤젠 술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(p-플루오로벤젠술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(p-tert-부틸벤젠술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(크실렌술포닐)-α-디메틸글리옥심, 비스-o-(캠퍼-술포닐)-α-디메틸글리옥심 등의 글리옥심 유도체; α-(벤젠술포늄옥시이미노)-4-메틸페닐아세토니트릴 등의 옥심술포네이트 유도체; 2-시클로헥실카르보닐-2-(p-톨루엔술포닐)프로판, 2-이소프로필카르보닐-2-(p-톨루엔술포닐)프로판 등의 β-케토술폰 유도체; 디페닐디술폰, 디시클로헥실디술폰 등의 디술폰 유도체; p-톨루엔술폰산 2,6-디니트로벤질, p-톨루엔술폰산 2,4-디니트로벤질 등의 니트로벤질술포네이트 유도체; 1,2,3-트리스(메탄술포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(트리플루오로메탄술포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(p-톨루엔술포닐옥시)벤젠 등의 술폰산 에스테르 유도체; 프탈이미드-일-트리플레이트, 프탈이미드-일-토실레이트, 5-노르보르넨 2,3-디카르복시이미드-일-트리플레이트, 5-노르보르넨 2,3-디카르복시이미드-일-토실레이트, 5-노르보르넨 2,3-디카르복시이미드-일-n-부틸술포네이트, n-트리플로오로메틸술포닐옥시나프틸이미드 등의 이미드-일-술포네이트 유도체; (5-(4-메틸페닐)술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-(4-(4-메틸페닐술포닐옥시)페닐술포닐옥시이미노)-5H-티오펜-2-이리덴)-(2-메틸페닐)-아세토니트릴 등의 이미노술포네이트, 2-메틸-2[(4-메틸페닐)술포닐]-1-[(4-메틸티오)페닐]-1-프로판 등이 있다. 이들 중에서도, 이미드-일-술포네이트류, 이미노술포네이트류, 옥심술포네이트류 등이 바람직하게 사용된다.
상기 광산발생제는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
상기 광산발생제의 배합량은, 광산발생제 자체의 광 흡수 및 후막(厚膜)에서의 광경화성의 관점에서, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 100 질량부에 대하여 0.05∼20 질량부, 특히 0.2∼5 질량부가 바람직하다.
다음으로, (C) 성분의 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 1분자 중에 평균적으로 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개를 글리시딜기로 치환한 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개를 하기 식(C-1)으로 표시되는 치환기로 치환한 구조를 가지는 화합물, 및 하기 식(C-2), 식(C-3)으로 표시되는 어느 하나의 글리시딜기를 가진 질소 원자를 가지는 구조를 2개 이상 함유한 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 가교제에 대하여 설명한다.
[화학식 35]
(식중, 점선은 결합을 나타내고, Rc는 탄소수 1∼6의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기를 나타내고, s는 1 또는 2를 나타낸다.)
상기 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물로서는, 예를 들면, 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 멜라민 축합물, 또는 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 우레아 축합물이 있다.
상기 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 멜라민 축합물의 조제는, 예를 들면, 먼저 공지의 방법에 의해 멜라민 모노머를 포르말린으로 메틸올화하여 변성하고, 또는 이것을 알코올로 알콕시화해 더욱 변성하여, 하기 일반식(15)으로 표시되는 변성 멜라민으로 만든다. 그리고, 상기 알코올로서는, 저급 알코올, 예를 들면, 탄소수 1∼4의 알코올이 바람직하다.
[화학식 36]
(상기 일반식(15) 중에서, R11은 동일할 수도 있고 다를 수도 있으며, 메틸올기, 탄소수 1∼4의 알콕시기를 포함하는 알콕시메틸기 또는 수소 원자이지만, 적어도 1개는 메틸올기 또는 상기 알콕시메틸기이다.)
상기 R11로서는, 예를 들면, 메틸올기, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기 등의 알콕시메틸기 및 수소 원자 등이 있다.
상기 일반식(15)의 변성 멜라민으로서, 구체적으로는 트리메톡시메틸모노메틸올멜라민, 디메톡시메틸모노메틸올멜라민, 트리메틸올멜라민, 헥사메틸올멜라민, 헥사메톡시메틸올멜라민 등을 예로 들 수 있다.
이어서, 일반식(15)의 변성 멜라민 또는 이의 다량체(예를 들면, 2량체, 3량체 등의 올리고머체)를, 통상적인 방법에 따라, 포름알데히드와 원하는 분자량이 될 때까지 부가 축합 중합시켜, 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 멜라민 축합물을 얻을 수 있다.
또한, 상기 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 우레아 축합물의 조제는, 예를 들면, 공지의 방법에 의하여, 원하는 분자량의 우레아 축합물을 포름알데하이드로메틸올화하여 변성하거나, 또는 이것을 알코올로 알콕시화하여 더욱 변성한다.
상기 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 우레아 축합물의 구체예로서는, 예를 들면, 메톡시메틸화 우레아 축합물, 에톡시메틸화 우레아 축합물, 프로폭시메틸화 우레아 축합물 등이 있다.
그리고, 이들 변성 멜라민 축합물 및 변성 우레아 축합물의 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
이어서, 1분자 중에 평균적으로 2개 이상의메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물로서는, 예를 들면 (2-하이드록시-5-메틸)-1,3-벤젠디메탄올, 2,2',6,6'-테트라메톡시메틸비스페놀 A, 하기 식(C-4)∼식(C-8)으로 표시되는 화합 등이 있다.
[화학식 37]
(식중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
[화학식 38]
(식중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
그리고, 상기 가교제는 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
한편, 다가 페놀의 수산기의 수소 원자를 글리시딜기로 치환한 화합물로서는, 비스페놀 A, 트리스(4-하이드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄의 수산기를 염기 존재 하에 에피클로로히드린과 반응함으로써 얻어지는 화합물을 예로 들 수 있다. 다가 페놀의 수산기의 수소 원자를 글리시딜기로 치환한 화합물의 바람직한 예로서는, 하기 식(C-9)∼식(C-15)으로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 39]
[화학식 40]
이들 다가 페놀의 수산기를 글리시독시기로 치환한 화합물의 1종 또는 2종을, 가교제로서 사용할 수 있다.
하기 식(C-1) 또는 식(C-2) 또는 식(C-3)으로 표시되는 기를 2개 이상 함유하는 화합물로서는, 바람직하게는 2∼10 개, 2∼5 개의 유기기를 가지는 화합물이 더욱 바람직하다.
식(C-1)으로서는, 하기 식(C-16)을 예로 들 수 있다.
[화학식 41]
(식중, 점선은 결합을 나타낸다.)
한편, 식(C-2), 식(C-3)으로 표시되는 글리시딜기를 가진 질소 원자를 가지는 구조를 2개 이상 함유한 화합물은, 하기 식(C-17)으로 표시할 수 있다.
[화학식 42]
(식중, 점선은 결합을 나타내고, Rc는 탄소수 1∼6의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기를 나타내고, s는 1 또는 2를 나타낸다.)
[화학식 43]
식(C-17) 중, M은 2가의 탄소수 2∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬렌기, 방향족기를 나타내고, 하기 식(C-18)∼식(C-21)으로 표시되는 화합물 등을 예시할 수 있다.
[화학식 44]
한편, 식(C-2), 식(C-3)으로 표시되는 글리시딜기를 가진 질소 원자를 2개 이상 함유한 화합물로서는, 하기 식(C-22)으로 표시되는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
[화학식 45]
이들 글리시딜기를 가진 질소 원자를 2개 이상 함유한 화합물은, 1종 또는 2종을 가교제로서 사용할 수 있다.
상기 가교제로서는, 전술한 실리콘 골격 함유 고분자 화합물과 경화 반응을 일으켜, 패턴의 형성을 용이하게 하게 하는 성분인 동시에, 경화물의 강도를 더욱 높이는 성분이다. 이와 같은 가교제의 중량 평균 분자량은, 광경화성 및 내열성의 관점에서, 150∼10,000, 특히 200∼3,000인 것이 바람직하다.
상기 가교제의 배합량은, 광경화성 및 후경화를 거친 전기·전자 부품 보호용 피막으로서의 신뢰성의 관점에서, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 100 질량부에 대하여 0.5∼50 질량부, 특히 1∼30 질량부가 바람직하다.
(D) 용제로서는, 전술한 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 가교제 및 광산발생제를 용해 가능한 것을 사용할 수 있다.
예를 들면, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸-2-n-아밀케톤 등의 케톤류; 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 락트산 에틸, 피루브산에틸, 아세트산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 아세트산 tert-부틸, 프로피온산 tert-부틸, 프로필렌글리콜-모노-tert-부틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 등의 에스테르류 등이 있고, 이들 중에서 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 특히, 광산발생제의 용해성이 가장 우수한 락트산 에틸, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 또는 이들의 혼합 용제가 바람직하다.
상기 용제의 배합량은, 레지스트 재료의 상용성, 점도 및 도포성의 관점에서, 전술한 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 가교제 및 광산발생제의 배합량의 합계 100 질량부에 대하여 50∼2,000 질량부, 특히 100∼l,000 질량부가 바람직하다.
또한, 본 발명에서는 필요에 따라, 염기성 화합물을 (E) 성분으로서 첨가할 수 있다. 상기 염기성 화합물로서는, 광산발생제로부터 발생하는 산이 레지스트 피막을 확산시킬 때의 확산 속도를 억제할 수 있는 화합물이 적합하다. 그리고, 상기 염기성 화합물의 배합에 의해, 해상도가 향상되고, 노광 후의 감도 변화를 억제하여, 기판이나 환경 의존성을 적게 하여, 노광 여유도나 패턴 형상 등을 개선할 수 있다.
상기 염기성 화합물로서는, 제1급, 제2급, 제3급의 지방족 아민류, 혼성 아민류, 방향족 아민류, 복소환 아민류, 카르복실기를 가지는 질소 함유 화합물, 술포닐기를 가지는 질소 함유 화합물, 하이드록실기를 가지는 질소 함유 화합물, 하이드록시페닐기를 가지는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물, 아미드 유도체, 이미드 유도체, 또한 하기 일반식(18)으로 표시되는 화합물 등을 예로 들 수 있다.
N(α)q(β)3 -q (18)
식 중, q=1, 2 또는 3이다. 측쇄 α는 동일할 수도 있고 다를 수도 있으며, 하기 일반식(19)∼일반식(21)으로 표시되는 어느 하나의 치환기이다. 측쇄 β는 동일할 수도 있고 다를 수도 있으며, 수소 원자, 또는 직쇄형, 분지형 또는 환형의 탄소수 1∼20의 알킬기를 나타내고, 에테르 결합 또는 하이드록실기를 포함할 수도 있다. 또한, 측쇄 α끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있다.
[화학식 46]
여기서, R300, R302, R305는 탄소수 1∼4의 직쇄형 또는 분지형의 알킬렌기이며, R301, R304는 수소 원자 또는 탄소수 1∼20의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기이며, 하이드록실기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 락톤 환을 1 또는 복수 포함할 수도 있다. R303은 단결합 또는 탄소수 1∼4의 직쇄형 또는 분지형의 알킬렌기이며, R306은 탄소수 1∼20의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기이며, 하이드록실기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 락톤 환을 1 또는 복수 포함할 수도 있다. 그리고, *는 결합 말단을 나타낸다.
구체적으로는, 제1급의 지방족 아민류로서, 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아민, n-부틸아민, 이소부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민, 펜틸아민, tert-아밀아민, 시클로펜틸아민, 헥실아민, 시클로헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 세틸아민, 메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다.
제2급의 지방족 아민류로서, 디메틸아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디펜틸아민, 디시클로펜틸아민, 디헥실아민, 디시클로헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 디도데실아민, 디세틸아민, N,N-디메틸메틸렌디아민, N,N-디메틸에틸렌디아민, N,N-디메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다.
제3급의 지방족 아민류로서, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-sec-부틸아민, 트리펜틸아민, 트리시클로펜틸아민, 트리헥실아민, 트리시클로헥실아민, 트리헵틸 아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 트리도데실아민, 트리세틸아민, N,N,N',N'-테트라메틸메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다.
혼성 아민류로서는, 예를 들면, 디메틸에틸아민, 메틸에틸프로필아민, 벤질아민, 페네틸아민, 벤질디메틸아민 등이 예시된다.
방향족 아민류 및 복소환 아민류로서는, 아닐린 유도체(예를 들면, 아닐린, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N-프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 에틸아닐린, 프로필아닐린, 트리메틸아닐린, 2-니트로아닐린, 3-니트로아닐린, 4-니트로아닐린, 2,4-디니트로아닐린, 2,6-디니트로아닐린, 3,5-디니트로아닐린, N,N-디메틸톨루이딘 등), 디페닐(p-톨릴)아민, 메틸디페닐아민, 트리페닐아민, 페닐렌디아민, 나프틸아민, 디아미노나프탈렌, 피롤 유도체(예를 들면, 피롤, 2H-피롤, 1-메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,5-디메틸피롤, N-메틸피롤 등), 옥사졸 유도체(예를 들면, 옥사졸, 이소옥사졸 등), 티아졸 유도체(예를 들면, 티아졸, 이소티아졸 등), 이미다졸 유도체(예를 들면, 이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸 등), 피라졸 유도체, 퓨라잔 유도체, 피롤린 유도체(예를 들면, 피롤린, 2-메틸-1-피롤린 등), 피롤리딘 유도체(예를 들면, 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 피롤리디논, N-메틸피롤리돈 등), 이미다졸린 유도체, 이미다졸리딘 유도체, 피리딘 유도체(예를 들면, 피리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 프로필피리딘, 부틸피리딘, 4-(1-부틸펜틸)피리딘, 디메틸피리딘, 트리메틸피리딘, 트리에틸피리딘, 페닐피리딘, 3-메틸-2-페닐피리딘, 4-tert-부틸피리딘, 디페닐피리딘, 벤질피리딘, 메톡시피리딘, 부톡시피리딘, 디메톡시피리딘, 1-메틸-2-피리딘, 4-피롤리디노피리딘, 1-메틸-4-페닐피리딘, 2-(1-에틸 프로필)피리딘, 아미노 피리딘, 디메틸아미노 피리딘 등), 피리다진 유도체, 피리미딘 유도체, 피라진 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸리딘 유도체, 피페리딘 유도체, 피페라진 유도체, 모르폴린 유도체, 인돌 유도체, 이소인돌 유도체, 1H-인다졸 유도체, 인돌린 유도체, 퀴놀린 유도체(예를 들면, 퀴놀린, 3-퀴놀린카르보니트릴 등), 이소퀴놀린 유도체, 신놀린 유도체, 퀴나졸린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 프탈라진 유도체, 퓨린 유도체, 프테리딘 유도체, 카르바졸 유도체, 페난트리딘 유도체, 아크리딘 유도체, 페나진 유도체, 1,10-페난트롤린 유도체, 아데닌 유도체, 아데노신 유도체, 구아닌 유도체, 구아노신 유도체, 우라실 유도체, 우리딘 유도체 등이 예시된다.
카르복실기를 가지는 질소 함유 화합물로서는, 예를 들면, 아미노벤조산, 인돌카르본산, 아미노산 유도체(예를 들면, 니코틴산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴산, 글루타민산, 글리신, 히스티딘, 이소류신, 글리실류신, 류신, 메티오닌, 페닐알라닌, 트레오닌, 리신, 3-아미노피라진-2-카르본산, 메톡시알라닌 등) 등이 예시된다.
술포닐기를 가지는 질소 함유 화합물로서는, 3-피리딘술폰산, p-톨루엔술폰산 피리디늄 등이 예시된다.
하이드록실기를 가지는 질소 함유 화합물, 하이드록시페닐기를 가지는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물로서는, 2-하이드록시피리딘, 아미노크레졸, 2,4-퀴놀린디올, 3-인돌메탄올하이드레이트, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 2,2'-이미노디에탄올, 2-아미노에탄올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 4-(2-하이드록시에틸)모르폴린, 2-(2-하이드록시에틸)피리딘, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-[2-(2-하이드록시에톡시)에틸]피페라진, 피페리딘에탄올, 1-(2-하이드록시에틸)피롤리딘, 1-(2-하이드록시에틸)-2-피롤리디논, 3-피페리디노-1,2-프로판디올, 3-피롤리디노-1,2-프로판디올, 8-하이드록시유로리진, 3-퀴누클리디놀, 3-트로판올, 1-메틸-2-피롤리딘에탄올, 1-아지리딘에탄올, N-(2-하이드록시에틸)프탈이미드, N-(2-하이드록시에틸)이소니코틴아미드 등이 예시된다.
아미드 유도체로서는, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 프로피온아미드, 벤즈아미드 등이 예시된다.
이미드 유도체로서는, 프탈이미드, 숙신이미드, 말레이미드 등이 예시된다.
상기 일반식(18)으로 표시되는 화합물로서는, 트리스[2-(메톡시메톡시)에틸]아민, 트리스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]아민, 트리스[2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸]아민, 트리스[2-(1-메톡시에톡시)에틸]아민, 트리스[2-(1-에톡시에톡시)에틸]아민, 트리스[2-(1-에톡시프로폭시)에틸]아민, 트리스[2-{2-(2-하이드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 4,7,13,16,21,24-헥사옥시-1,10-디아자비시클로[8.8.8]헥사코산, 4,7,13,18-테트라옥시-1,10-디아자비시클로[8.5.5]에이코산, 1,4,10,13-테트라옥시-7,16-디아자비시클로옥타데칸, 1-아자-12-크라운-4, 1-아자-15-크라운-5, 1-아자18-크라운-6, 트리스(2-포르밀옥시에틸)아민, 트리스(2-아세톡시에틸)아민, 트리스(2-프로피오닐옥시에틸)아민, 트리스(2-부티릴옥시에틸)아민, 트리스(2-이소부티릴옥시에틸)아민, 트리스(2-발레릴옥시에틸)아민, 트리스(2-피발로일옥시에틸)아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(아세톡시아세톡시)에틸아민, 트리스(2-메톡시카르보닐옥시에틸)아민, 트리스(2-tert-부톡시카르보닐옥시에틸)아민, 트리스[2-(2-옥소프로폭시)에틸]아민, 트리스[2-(메톡시카르보닐메틸)옥시에틸]아민, 트리스[2-(tert-부톡시카르보닐메틸옥시)에틸]아민, 트리스[2-(시클로헥실옥시카르보닐메틸옥시)에틸]아민, 트리스(2-메톡시카르보닐에틸)아민, 트리스(2-에톡시카르보닐에틸)아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-(2-하이드록시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-아세톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-(테트라하이드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(테트라하이드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-[(2-옥소 테트라하이드로퓨란-3-일)옥시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-[(2-옥소테트라하이드로퓨란-3-일)옥시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-하이드록시에틸)2-(4-하이드록시부톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(4-포르밀옥시부톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(2-포르밀옥시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-메톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N-(2-하이드록시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-하이드록시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]아민, N-(3-하이드록시-1-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(3-아세톡시-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-메톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-부틸비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-부틸비스[2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸]아민, N-메틸비스(2-아세톡시에틸)아민, N-에틸비스(2-아세톡시에틸)아민, N-메틸비스(2-피발로일옥시에틸)아민, N-에틸비스[2-(메톡시카르보닐옥시)에틸]아민, N-에틸비스[2-(tert-부톡시카르보닐옥시)에틸]아민, 트리스(메톡시카르보닐메틸)아민, 트리스(에톡시카르보닐메틸)아민, N-부틸비스(메톡시카르보닐메틸)아민, N-헥실비스(메톡시카르보닐메틸)아민, β-(디에틸아미노)-δ-발레로락톤이 예시 가능하지만, 이들로 제한되지 않는다.
상기 염기성 화합물은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
상기 염기성 화합물의 배합량은, 감도의 관점에서, 상기 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 100 질량부에 대하여 0∼3 질량부, 특히 0.01∼1 질량부가 바람직하다.
그 외에, 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료에는, 상기 (A)∼(E) 성분 외에, 또한 첨가 성분을 배합할 수도 있다. 상기 첨가 성분으로서는, 예를 들면, 도포성을 향상시키기 위해 관용되고 있는 계면활성제 및 광산발생제 등의 광 흡수 효율을 향상시키기 위해 관용되고 있는 흡광제가 있다.
상기 계면활성제로서는, 비이온성인 것이 바람직하고, 예를 들면, 불소계 계면활성제, 구체적으로는 퍼플루오로알킬폴리옥시에틸렌에탄올, 불소화 알킬 에스테르, 퍼플루오로알킬아민옥사이드, 불소 함유 오르가노 실록산계 화합물 등이 있다.
이들은, 시판되고 있는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면, 플로라드 「FC-4430」(스미토모 3M(주) 제조), 서플론 「S-141」 및 「S-145」(이상, 아사히가라스(주) 제조), 유니다인 「DS-401」, 「DS-4031」 및 「DS-451」(이상, 다이킨 공업(주) 제조), 메가팩 「F-8151」(DIC(주) 제조), 「X-70-093」(신에쓰 화학공업(주) 제조) 등이 있다. 이들 중에서도 바람직하게는, 플로라드 「FC-4430」(스미토모 3M(주) 제조) 및 「X-70-093」(신에쓰 화학공업(주) 제조)이다.
상기 흡광제로서는, 예를 들면, 디아릴술폭시드, 디아릴술폰, 9,10-디메틸안트라센, 9-플루오레논 등이 있다.
본 발명의 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료에 있어서, 그 조제는 통상적인 방법으로 행해진다. 전술한 각 성분을 교반 혼합하고, 그 후 필터 등에 의해 여과함으로써, 상기 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 조제할 수 있다. 후술하는 드라이 필름을 제조하는 경우도, 이 레지스트 재료를 사용하여 마찬가지로 조제할 수 있다.
본 발명의 네가티브형 레지스트 재료를 사용하여 패턴을 형성하기 위해서는, 공지의 리소그래피 기술을 채용하여 행할 수 있고, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 또는 SiO2 기판, SiN 기판, 또는 동 배선 등의 패턴이 형성되어 있는 기판에 스핀 코팅의 방법으로 도포하고, 80∼130 ℃, 50∼600 초간 정도의 조건 하에서 프리베이킹하여, 두께 1∼50 ㎛, 바람직하게는 1∼30 ㎛, 더욱 바람직하게는 5∼20 ㎛의 레지스트 막을 형성한다. 이어서, 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 상기한 레지스트막 상에 대고, i선, g선 등의 파장 190∼500 ㎚의 고에너지선을 노광량 1∼5,000 mJ/cm2 정도, 바람직하게는 100∼2,000 mJ/cm2 정도가 되도록 조사한다. 다음에, 필요에 따라, 핫 플레이트 상에서 60∼150 ℃, 1∼10 분간, 바람직하게는 80∼120 ℃, 1∼5 분간 포스트익스포저베이킹(PEB)할 수도 된다. 이와 같이 노광함으로써, 노광 부분이 가교하여 현상액인 하기 용제에 불용인 불용화(不溶化) 패턴이 형성된다.
그 후, 현상액에 의해 현상한다. 상기 현상액은, 본 발명의 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 조제했을 때 사용한 전술한 용제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 이소프로필알코올(IPA) 등의 알코올류나 시클로헥사논 등의 케톤류, 또한 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜 등이 바람직하다. 현상은, 통상적인 방법, 예를 들면, 패턴이 형성된 기판을 상기 현상액에 침지하는 것 등에 의해 행할 수 있다. 그 후, 필요에 따라, 세정, 린스, 건조 등을 행하여, 원하는 패턴을 가지는 레지스트 피막을 얻을 수 있다. 그리고, 패턴을 형성할 필요가 없는 경우, 예를 들면, 단순한 균일 피막을 형성하고자 하는 경우에는, 상기 포토마스크를 사용하지 않는 점 이외에는 상기 패턴 형성 방법에서 설명한 내용과 동일한 방법으로 행하면 된다.
또한, 얻어진 패턴을 오븐이나 핫 플레이트를 사용하여, 온도 100∼250 ℃, 바람직하게는 150∼220 ℃, 더욱 바람직하게는 170∼190 ℃에서 레지스트 피막을 후경화한다. 후경화 온도가 100∼250 ℃이면, 레지스트 피막의 가교 밀도를 높여 잔존하는 휘발 성분을 제거할 수 있고, 기판에 대한 밀착력, 내열성이나 강도, 또한 전기적 특성의 관점에서 바람직하다. 그리고, 후경화 시간은 10분간∼10시간으로 할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 경화 피막은, 가요성, 기판과의 밀착성, 내열성, 전기적 특성, 기계적 강도 및 솔더 플럭스액에 대한 약품 내성이 우수하고, 그것을 보호용 피막으로 한 반도체 소자의 신뢰성도 우수하고, 특히 온도 사이클 시험 시의 크랙 발생을 방지할 수 있어, 전기·전자 부품, 반도체 소자 등의 보호용 피막로서 바람직하게 사용된다.
본 발명은, 또한 상기 레지스트 재료를 사용하여 광경화성 드라이 필름을 형성할 수 있다.
먼저, 본 발명의 광경화성 드라이 필름이 가지는 구조에 대하여 설명한다. 상기 광경화성 드라이 필름은, 광경화성 수지층이 지지 필름 및 보호 필름에 협지된 구조를 가진다. 그리고, 상기 광경화성 수지층으로서는, 전기·전자 부품 보호용 피막의 형성에 유효한 상기 레지스트 재료를 사용하여 얻을 수 있고, 얻어진 드라이 필름은 폭 넓은 막 두께 및 파장 영역에 있어서 미세한 패턴 형성이 가능하며, 저온의 후경화에 의해 가요성, 내열성, 전기적 특성, 밀착성, 신뢰성 및 약품 내성이 우수하다.
본 발명에 있어서, 상기 레지스트 재료를 사용하여 얻어지는 광경화성 드라이 필름의 광경화성 수지층은 고체이며, 광경화성 수지층이 용제를 함유하지 않으므로, 그 휘발에 의한 기포가 상기 광경화성 수지층의 내부 및 요철이 있는 기판 사이에 잔류할 우려가 없다. 그리고, 반도체 소자의 소형화·박형화·다층화가 진행되어, 본 발명이 적용 범위로 하는 층간 절연층은 얇아지는 경향이 있지만, 요철이 있는 기판 상에서의 평탄성과 단차 피복성을 고려하면, 적절한 막 두께 범위는 존재한다. 따라서, 상기 광경화성 수지층의 막 두께는, 그 평탄성 및 단차 피복성의 관점에서, 10∼100 ㎛이며, 바람직하게는 10∼70 ㎛, 특히 바람직하게는 10∼50 ㎛이다.
또한, 상기 광경화성 수지층의 점성율과 유동성은 밀접한 관계가 있으며, 상기 광경화성 수지층은 적절한 점성율 범위에 있어서 적절한 유동성을 발휘할 수 있어 좁은 간극의 안쪽까지 들어갈 수가 있다.
따라서, 본 발명의 광경화성 드라이 필름은, 요철을 가지는 기판에 밀착시킬 때, 광경화성 수지층이 상기 요철에 추종하여 피복되며, 높은 평탄성을 달성할 수 있다. 특히, 상기 광경화성 수지층의 주성분이 광경화성 실리콘 조성물인 경우, 낮은 표면 장력을 특징으로 가지므로, 더욱 높은 평탄성을 달성할 수 있다. 또한, 상기 광경화성 수지층을 진공 환경 하에서 상기 기판에 밀착시키면, 이들 간극의 발생를 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 광경화성 드라이 필름의 제조 방법과 그 드라이 필름을 사용한 패턴 형성 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 광경화성 드라이 필름에 있어서, 광경화성 수지층을 형성할 때 사용되는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료의 조제는, 전술한 바와 같이 각 성분을 교반 혼합하고, 그 후 필터 등에 의해 여과함으로써, 광경화성 수지층 형성 재료를 조제할 수 있다.
본 발명의 광경화성 드라이 필름에 있어서 사용되는 지지 필름은, 단일할 수도 있고 복수의 중합체 필름을 적층한 다층 필름일 수도 있다. 재질로서는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 예로 들 수 있으며, 적절한 가요성, 기계적 강도 및 내열성을 가지는 폴리에틸렌테레프탈레이트가 바람직하다. 또한, 이들 필름에 대하여는, 코로나 처리나 박리제의 도포 등의 각종 처리가 행해질 수도 있다. 이들은 시판품을 사용할 수 있고, 예를 들면, 세라필 WZ(RX), 세라필 BX8(R)(이상, 도레이 필름 가공(주) 제조), E7302, E7304(이상, 도요 방적(주) 제조), 퓨렉스 G31, 퓨렉스 G71T1(이상, 테이진 듀퐁 필름(주) 제조), PET38×1-A3, PET38×1-V8, PET38×1-X08(이상, 닙파(주) 제조) 등이 있다.
본 발명의 광경화성 드라이 필름에 있어서 사용되는 보호 필름은, 전술한 지지 필름과 동일한 것을 사용할 수 있지만, 적절한 가요성을 가지는 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에틸렌이 바람직하다. 이들은 시판품을 사용할 수 있으며, 폴리에틸렌테레프탈레이트로서는 이미 예시한 것, 폴리에틸렌로서는, 예를 들면, GF-8(타마폴리(주) 제조), PE 필름 0타입(닙파(주) 제조)을 들 수 있다.
상기 지지 필름 및 보호 필름의 두께는, 광경화성 드라이 필름 제조의 안정성 및 권심(卷芯)에 대한 권취 특성, 이른바 컬(curl) 방지의 관점에서, 바람직하게는 모두 10∼100 ㎛, 특히 바람직하게는 25∼50 ㎛이다.
다음으로, 본 발명에서의 광경화성 드라이 필름의 제조 방법에 대하여 설명한다. 상기 광경화성 드라이 필름의 제조 장치는, 일반적으로 점착제 제품을 제조하기 위한 필름 코터를 사용할 수 있다. 상기 필름 코터로서는, 예를 들면, 콤마 코터, 콤마 리버스 코터, 멀티 코터, 다이 코터, 립 코터, 립 리버스 코터, 다이ㄹ렉트 그라비아 코터, 오프셋 그라비아 코터, 3보텀 리버스 코터, 4보텀 리버스 코터 등이 있다.
지지 필름을 상기 필름 코터의 권출축(풀어내는 축)으로부터 풀어내고, 상기 필름 코터의 코터 헤드를 통과시킬 때, 상기 지지 필름 상에 상기 레지스트 재료를 소정의 두께로 도포하여 광경화성 수지층을 형성한 후, 소정의 온도와 소정 시간으로 열풍 순환 오븐을 통과시켜, 상기 지지 필름 상에서 건조시킨 광경화성 수지층을 상기 필름 코터의 다른 권출축으로부터 풀어내어진 보호 필름과 함께, 소정의 압력으로 라미네이트 롤을 통과시켜 상기 지지 필름 최상기 광경화성 수지층과 접합시킨 후, 상기 필름 코터의 권취 축에 권취함으로써 제조된다. 이 경우에, 상기 온도는 25∼150 ℃인 것이 바람직하고, 상기 시간은 1∼100 분간인 것이 바람직하고, 상기 압력은 0.01∼5 MPa인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서의 광경화성 드라이 필름의 패턴 형성 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 광경화성 드라이 필름으로부터 보호 필름을 박리하고, 광경화성 수지층을 기판에 밀착시키고, 노광하고, 노광 후 가열 처리(포스트익스포저베이킹(이하, PEB))를 행하고, 현상하고, 또한 필요에 따라 후경화하여 패턴을 형성하고, 최종 목적으로 하는 전기·전자 부품 보호용 피막을 얻을 수 있다.
먼저, 광경화성 드라이 필름을, 필름 접착 장치를 사용하여 기판에 밀착시킨다. 상기 기판으로서는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼, TSV용 실리콘 웨이퍼, 플라스틱, 세라믹 및 각종 금속제 회로 기판 등이 있으며, 특히 개구 폭이 10∼100 ㎛이며 또한 깊이가 10∼120 ㎛인 홈이나 구멍을 가지는 기판을 예로 들 수 있다. 상기 필름 접착 장치로서는, 진공 라미네이터가 바람직하다. 상기 광경화성 드라이 필름을 상기 필름 접착 장치에 장착하고, 상기 광경화성 드라이 필름의 보호 필름을 박리하여 노출된 상기 광경화성 수지층을, 소정 진공도의 진공 챔버 내에 있어서, 소정 압력의 접착 롤을 사용하여, 소정 온도의 테이블 상에서 상기 기판에 밀착시킨다. 그리고, 상기 온도는 60∼120 ℃인 것이 바람직하고, 상기 압력은 0∼5.0 MPa인 것이 바람직하고, 상기 진공도는 50∼500 Pa인 것이 바람직하다. 상기 밀착 후, 공지의 리소그래피 기술을 이용하여 패턴의 형성을 행할 수 있다. 여기서, 상기 광경화성 수지층의 광경화 반응을 효율적으로 행하기 위해, 또는 광경화성 수지층과 기판과의 밀착성을 향상시키기 위하여, 필요에 따라 예비 가열(프리베이킹)을 행할 수도 있다. 프리베이킹은, 예를 들면 40∼140 ℃에서 1분간∼1시간 정도 행할 수 있다. 이어서, 지지 필름을 개재하거나, 또는 상기 지지 필름을 박리한 상태에서, 포토마스크를 통하여 파장 190∼500 ㎚의 광으로 노광하여, 경화시킨다. 상기 포토마스크는, 예를 들면, 원하는 패턴을 도려낸 것이라도 된다. 그리고, 포토마스크의 재질은 상기 파장 190∼500 ㎚의 광을 차폐하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 크롬 등이 바람직하게 사용되지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 상기 파장 190∼500 ㎚의 광으로서는, 예를 들면, 방사선 발생 장치에 의해 발생시킨 각종 파장의 광, 예를 들면, g선, i선 등의 자외선광, 원자외선광(248 ㎚, 193 ㎚) 등이 있다. 그리고, 상기 파장은 바람직하게는 248∼436 ㎚이다. 노광량은, 예를 들면 10∼3,000 mJ/cm2인 것이 바람직하다. 이와 같이 노광함으로써, 노광 부분이 가교하여 현상액인 하기 용제에 불용인 불용화 패턴이 형성된다.
또한, 현상 감도를 높이기 위하여, 노광 후 가열 처리(PEB)를 행한다. 상기 노광 후의 가열 처리는, 예를 들면 40∼140 ℃에서 0.5∼10 분간으로 할 수 있다.
그 후, 현상액에 의해 현상한다. 상기 현상액은, 본 발명의 광경화성 드라이 필름에 있어서 광경화성 수지층의 형성에 사용되는 레지스트 재료의 용제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 이소프로필알코올(IPA) 등의 알코올류나 시클로헥사논 등의 케톤류, 또한 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜 등이 바람직하다. 현상은, 통상적인 방법, 예를 들면, 패턴이 형성된 기판을 상기 현상액에 침지하는 것 등에 의해 행할 수 있다. 그 후, 필요에 따라, 세정, 린스, 건조 등을 행하여, 원하는 패턴을 가지는 광경화성 수지층의 피막을 얻을 수 있다. 그리고, 패턴을 형성할 필요가 없는 경우, 예를 들면, 단순하게 균일한 피막을 형성하고자 할 경우에는, 상기 포토마스크를 사용하지 않는 점 이외에는 상기 패턴 형성 방법에서 설명한 내용과 동일한 방법으로 행하면 된다.
또한, 얻어진 패턴을 오븐이나 핫 플레이트를 사용하여, 온도 100∼250 ℃, 바람직하게는 150∼220 ℃, 더욱 바람직하게는 170∼190 ℃에서 후경화한다. 후경화 온도가 100∼250 ℃이면, 광경화성 수지층의 피막의 가교 밀도를 높여 잔존하는 휘발 성분을 제거할 수 있어, 기판에 대한 밀착력, 내열성이나 강도, 또한 전기적 특성의 관점에서 바람직하다. 그리고, 후경화 시간은 10분간∼10시간으로 할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 경화 피막도 또한, 가요성, 기판과의 밀착성, 내열성, 전기적 특성, 기계적 강도 및 솔더 플럭스액에 대한 약품 내성이 우수하고, 그것을 보호용 피막으로 한 반도체 소자의 신뢰성도 우수하며, 특히 온도 사이클 시험 시의 크랙 발생을 방지할 수 있고, 전기·전자 부품, 반도체 소자 등의 보호용 피막으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 드라이 필름은, 이와 같이 홈이나 구멍을 가지는 기판에 유효하게 적용할 수 있고, 따라서 본 발명은, 개구 폭이 10∼100 ㎛이며, 또한 깊이가 10∼120 ㎛인 홈 및/또는 구멍을 가지는 기판에 상기 광경화성 드라이 필름에 의해 형성된 광경화성 수지의 경화물층이 적층되어 이루어지는 적층체를 제공한다.
[실시예]
이하에서, 합성예, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기 예로 제한되는 것은 아니다. 그리고, 하기의 예에 있어서 부는 질량부를 나타낸다.
I. 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료의 조제
하기 합성예에 있어서 사용하는 화합물(M-1)∼화합물(M-9)의 화학 구조식을 나타낸다.
[화학식 47]
[화학식 48]
[합성예 1] 4,4-비스(4-하이드록시-3-알릴페닐)펜탄올(M-1)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치를 구비한 5 L의 플라스크 내에 디페놀산 458 g, 탄산 칼륨 884 g, 디메틸아세트아미드 2,000 g을 가하고, 질소 분위기 하에서, 실온에서 교반하고 있을 때, 알릴브로미드 774 g을 적하한 후, 60℃에서 58시간 교반하였다. 온도를 유지한 채로 탄산 칼륨 221 g, 알릴브로미드 193 g, 디메틸아세트아미드 500 g을 가하고, 60℃에서 20시간 더 교반하였다. 빙랭하에서 물 2,000 g을 적하하여 반응을 정지시킨 후, 톨루엔 1,000 g, 헥산 1,000 g, 물 2,000 g을 가하여, 유기층을 분취하였다. 얻어진 유기층을 물 2,000 g, 물 500 g 4회, 포화 식염수 500 g으로 순차적으로 세정한 후, 용매 증류 제거하여, 4,4-비스(4-알릴 옥시페닐)펜탄산 알릴 에스테르를 조체(粗體)로서 686 g 얻었다.
교반기, 온도계, 질소 치환 장치를 구비한 5 L의 플라스크 내에 질소 분위기 하에서, 4,4-비스(4-알릴옥시페닐)펜탄산 알릴 에스테르 655 g, 테트라하이드로퓨란 1,310 g을 가하여 용해시킨 후, 빙랭하에서 수소화 비스(2-메톡시에톡시)알루미늄나트륨(70 질량% 톨루엔 용액) 605 g을 적하하였다. 실온에서 3시간 교반한 후, 빙랭하에서 10 질량% 염산 수용액 1,526 g을 적하하여 반응을 정지시켰다. 반응액에 아세트산 에틸 250 g, 톨루엔 750 g을 가하여, 유기층을 분취한 후, 물 500 g으로 3회 세정하였다. 얻어진 유기층의 용매를 증류 제거한 후, 톨루엔 1,000 g에 용해시키고, 4 질량% 수산화나트륨 수용액 300 g 5회, 2 질량% 염산 수용액 330 g, 물 300 g 4회로 세정하였다. 그 후, 얻어진 유기층을 용매 증류 제거하여, 4,4-비스(4-알릴옥시페닐)펜탄올을 조체로서 555 g 얻었다.
이어서, 교반기, 온도계, 질소 치환 장치를 구비한 5 L의 플라스크 내에 질소 분위기 하에서, 4,4-비스(4-알릴옥시페닐)펜탄올 500 g, N,N-디에틸아닐린 500 g을 가하여 용해시키고, 180℃까지 가열하고 18시간 교반한 후, 실온까지 냉각하였다. 빙랭하에서 10 질량% 염산 1,460 g을 적하하고, 반응액에 아세트산 에틸 2,400 g을 가하여, 유기층을 분취한 후, 물 2,400 g으로 4회 세정하였다. 얻어진 유기층의 용매를 증류 제거한 후, 아세트산 에틸 500 g에 용해시키고, 헥산 2,000 g을 교반 중에 적하하였다. 그 후 헥산층을 제거하고, 남은 유상(油狀) 물질을 아세트산 에틸 500 g에 용해하고, 회수하고, 얻어진 유기층을 용매 증류 제거하여, 4,4-비스(4-하이드록시-3-알릴페닐)펜탄올(M-1)을 466 g, 수율 93%로 얻었다. 그리고, 화합물(M-1)은, 1H-NMR(600 MHz)(JEOL-600 일본 전자)에 의해 동정(同定)되었다.
[합성예 2] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-1)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3 L의 플라스크 내에 톨루엔 750 g에 화합물(M-1) 139.5 g을 용해시킨 후, 화합물(M-4) 208.7 g, 화합물(M-7) 2.4 g을 가하여, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온(昇溫)한 것을 확인한 후, 1시간, 90℃까지 더 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하고, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 화합물(M-8) 50.1 g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 다시 60℃까지 냉각시키고, 8일간 숙성했다. 도중 숙성 2, 3, 4, 7, 8 일째에 카본 담지 백금 촉매(5 질량%)를 1.8 g씩 투입하였다. 그 후 반응액에 메틸이소부틸케톤 700 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 300 g을 가하고, 교반하고, 정치 분액을 행하며, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 700 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-1)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 28,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0, b=0, c=0, d=0, e=0.744, f=0.256이였다. W는 하기와 같다.
[화학식 49]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[합성예 3] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-2)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3 L의 플라스크 내에 톨루엔 750 g에 화합물(M-1) 139.5 g을 용해시킨 후, 화합물(M-5) 114.2 g, 화합물(M-7) 2.4 g을 가하고, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온한 것을 확인한 후, 1시간, 90℃까지 더 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하고, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 화합물(M-8) 50.1 g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 다시 60℃까지 냉각시키고, 8일간 숙성했다. 도중 숙성 2, 3, 4, 7, 8 일째에 카본 담지 백금 촉매(5 질량%)를 1.8 g씩 투입하였다. 그 후 반응액에 메틸이소부틸케톤 700 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 300 g을 가하여, 교반하고, 정치 분액을 행하여, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 700 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-2)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 19,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0, b=0, c=0, d=0, e=0.744, f=0.256이였다. W는 하기와 같다.
[화학식 50]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[합성예 4] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-3)의 합성
합성예 3에 있어서 화합물(M-5) 대신 화합물(M-6) 51.3 g을 사용하여 동일한 처방으로 합성한 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-3)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 12,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0, b=0, c=0, d=0, e=0.744, f=0.256이였다. W는 하기와 같다.
[화학식 51]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[합성예 5] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-4)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3 L의 플라스크 내에 화합물(M-2) 140 g을 톨루엔 750 g에 용해시킨 후, 화합물(M-1) 30.0 g, 화합물(M-4) 208.7 g, 화합물(M-7) 2.4 g을 가하여, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온한 것을 확인한 후, 1시간, 90℃까지 더 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하여, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 화합물(M-8) 50.1 g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 다시 60℃까지 냉각시키고, 8일간 숙성했다. 도중 숙성 2, 3, 4, 7, 8 일째에 카본 담지 백금 촉매(5 질량%)를 1.8 g씩 투입하였다. 그 후 반응액에 메틸이소부틸케톤 700 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 300 g을 가하고, 교반하고, 정치 분액을 행하여, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 700 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-4)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 28,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0.584, b=0.201, c=0, d=0, e=0.160, f=0.055였다. X 및 W는 하기와 같다.
[화학식 52]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[합성예 6] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-5)의 합성
합성예 5에 있어서 화합물(M-2) 100 g으로 하고, 화합물(M-1) 30.0 g, 화합물(M-4) 236.8 g, 화합물(M-7) 2.7 g으로 하고, 또한 화합물(M-8) 56.1 g으로 한 후, 동일한 처방으로 합성한 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-5)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 29,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0.385, b=0.133, c=0, d=0, e=0.358, f=0.124였다. X 및 W는 하기와 같다.
[화학식 53]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[합성예 7] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-6)의 합성
합성예 6에 있어서 화합물(M-2) 100 g 대신 화합물(M-3) 68.5 g을 사용하여 동일한 처방으로 합성한 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-6)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 29,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0.385, b=0.133, c=0, d=0, e=0.358, f=0.124였다. X 및 W는 하기와 같다.
[화학식 54]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[합성예 8] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-7)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3 L의 플라스크 내에 화합물(M-9) 93.5 g을 톨루엔 750 g에 용해시킨 후, 화합물(M-1) 72.6 g, 화합물(M-4) 236.8 g, 화합물(M-7) 2.6 g을 가하여, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온한 것을 확인한 후, 3시간, 90℃까지 더 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하여, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 화합물(M-8) 56.1 g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 실온까지 냉각시키고, 메틸이소부틸케톤 700 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 300 g을 가하고, 교반하고, 정치 분액을 행하여, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 700 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-7)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 30,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0, b=0, c=0.391, d=0.128, e=0.362, f=0.119였다. Y 및 W는 하기와 같다.
[화학식 55]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[합성예 9] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-8)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3 L의 플라스크 내에 화합물(M-2) 150 g 및 화합물(M-9) 16.6 g을 톨루엔 750 g에 용해 후, 화합물(M-1) 15.0 g, 화합물(M-4) 211.8 g, 화합물(M-7) 2.3 g을 더하여, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온한 것을 확인한 후, 또한 3시간, 90℃까지 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하여, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.9 g을 투입하고, 화합물(M-8) 51.5 g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 실온까지 냉각시키고, 메틸이소부틸케톤 700 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 300 g을 가하고, 교반하고, 정치 분액을 행하여, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 700 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-8)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 30,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0.612, b=0.197, c=0.069, d=0.022, e=0.076, f=0.024였다. X, Y 및 W는 하기와 같다.
[화학식 56]
(점선은 결합을 나타낸다.)
[비교 합성예 1] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-9)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 10 L의 플라스크 내에 화합물(M-2) 797 g을 톨루엔 2,500 g에 용해시킨 후, 화합물(M-3) 140.6 g, 화합물(M-4) 1,214.4 g, 화합물(M-7) 13.3 g을 가하여, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 3.5 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온한 것을 확인한 후, 3시간, 90℃까지 더 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하고, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 3.5 g을 투입하고, 화합물(M-8) 285.2 g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 실온까지 냉각시키고, 메틸이소부틸케톤 2,800 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 1,300 g을 가하고, 교반하고, 정치 분액을 행하여, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 3,300 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-9)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 31,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0.742, b=0.258, c=0, d=0, e=0, f=0이였다.
[비교 합성예 2] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-10)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 2 L의 플라스크 내에 화합물(M-2) 150 g을 톨루엔 700 g에 용해시킨 후, 화합물(M-3) 26.1 g, 화합물(M-4) 373.4 g, 화합물(M-7) 2.4 g을 가하여, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.6 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온한 것을 확인한 후, 3시간, 90℃까지 더 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하고, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.7 g을 투입하고, 화합물(M-8) 45.5 g을 20분에 걸쳐서 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 실온까지 냉각시키고, 메틸이소부틸케톤 670 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 300 g을 가하고, 교반하고, 정치 분액을 행하여, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 780 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-10)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 29,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0.614, b=0.386, c=0, d=0, e=0, f=0이였다.
[비교 합성예 3] 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-11)의 합성
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 3 L의 플라스크 내에 화합물(M-2) 150 g을 톨루엔 850 g에 용해시킨 후, 화합물(M-3) 88.8 g, 화합물(M-4) 355.2 g, 화합물(M-7) 3.9 g을 가하고, 60℃로 가온했다. 그 후, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.7 g을 투입하고, 내부 반응 온도가 65∼67 ℃로 승온한 것을 확인한 후, 3시간, 90℃까지 더 가온하고, 다시 60℃까지 냉각하고, 카본 담지 백금 촉매(5 질량%) 0.7 g을 투입하고, 화합물(M-8) 84.2 g을 30분에 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 이 때 플라스크 내 온도는, 65∼67 ℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 또한 90℃에서 3시간 숙성하고, 실온까지 냉각시키고, 메틸이소부틸케톤 770 g을 가하고, 본 반응 용액을 필터에 의해 가압 여과함으로써 백금 촉매를 제거하였다. 또한, 얻어진 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액에 순수 350 g을 가하고, 교반하고, 정치 분액을 행하여, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 수세 조작을 6회 반복하여, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 미량의 산 성분을 제거하였다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 용제를 감압하에서 증류 제거하고, 또한 시클로펜타논 930 g을 첨가한 후, 고형분 농도 65∼70 질량%의 시클로펜타논 용액이 되도록 감압 농축하여, 시클로펜타논을 주용제로 하는 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액(A-11)을 얻었다. 이 실리콘 골격 함유 고분자 화합물 용액 중의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량 평균 분자량 34,000이였다. 또한, 식(1)에 있어서 a=0.740, b=0.260, c=0, d=0, e=0, f=0이였다.
상기 합성예 2∼9에서 합성한 고분자 화합물(A-1∼A-8)의 용액을 사용하여, 표 1에 기재한 조성과 배합량으로 가교제, 광산발생제, 또한 아민 화합물을 배합하고, 추가하는 용제로서 시클로펜타논을 배합하여, 수지 환산 45 질량%의 레지스트 재료를 조제하였다. 그 후, 교반하고, 혼합하고, 용해한 후, 테플론(등록상표)제의 0.5㎛ 필터로 정밀 여과를 행하여 레지스트 재료를 얻었다.
또한, 비교예로서, 마찬가지로 상기 비교 합성예 1∼3에서 합성한 고분자 화합물(A-9∼A-11)의 용액과 가교제, 광산발생제, 또한 아민 화합물을 배합하고, 추가하는 용제로서 시클로펜타논을 배합하고, 교반하고, 혼합하고, 용해한 후, 테플론(등록상표)제의 0.5㎛ 필터로 정밀 여과를 행하여 레지스트 재료를 얻었다. 비교예의 조성과 배합량도 표 1에 기재한다.
[표 1]
그리고, 표 1에 기재한 광산발생제(PAG-1), 가교제(XL-1), 염기성 화합물(Amine-1)은 하기와 같다.
[화학식 57]
II. 노광, 패턴 형성
상기 레지스트 재료를 실리콘 기판 상에 5 mL 디스펜스한 후에 기판을 회전함으로써, 기판 상에 레지스트 재료를 도포할 수 있다. 즉, 스핀 코팅법이다. 회전 속도를 조정함으로써 기판 상의 레지스트막의 막 두께를 용이하게 조정할 수 있다. 상기 레지스트 재료를 실리콘 기판 상에 막 두께 20㎛로 되도록 도포했다.
기판 상에 상기 레지스트 재료를 디스펜스하고, 스핀 코팅한 후에, 핫 플레이트 상에서 100℃, 2분간의 프리베이킹을 행하였다. 그리고, 다음으로, 즈스마이크로테크(주)에서 제조한 마스크 얼라이너(제품명: MA-8)를 사용하여, 가로 세로 1:1 배열의 20㎛의 홀을 형성할 수 있는 마스크를 장착하여, 브로드(broad) 밴드 광의 노광을 행하였다. 이어서, 상기 기판을 110℃에서 2분간, 가열(PEB)하고 냉각하였다. 그 후, 이소프로필알코올(IPA)을 사용하여 1분간 패들 현상을 3회 행하고, 패터닝을 행하였다. 이어서, 얻어진 기판 상 패턴을 오븐을 사용하여 180℃에서 2시간, 질소 퍼징(purging)하면서 후경화했다.
마찬가지로, 실리콘 기판 대신, SiN 기판 상, Cu 기판 상에서 패터닝을 행하였다.
다음으로, 얻어진 홀 패턴의 형상을 관찰할 수 있도록, 각각의 기판을 잘라내고, 주사형 전자 현미경(SEM)을 사용하여 홀 패턴 형상을 관찰했다. 홀의 구경이 마스크 치수 20㎛와 동일한 사이즈로 홀 패턴의 구경이 완성되는 최적 노광량(365 ㎚ 광 환산의 노광량)을 표 2에 나타내었다.
[표 2]
표 2에서 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용하지 않는 조성의 패터닝을 시도한 경우, SiN 기판 상, Cu 기판 상에서 현저한 패턴의 박리가 관찰되어 패터닝은 불가능했다. 따라서, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용함으로써, 레지스트 재료를 사용한 패턴 또는 필름과 기판의 밀착성이 개선되는 것은 분명하다.
다음으로, 광경화성 드라이 필름용으로서, 상기와 동일하게 합성예 2, 5∼9에서 합성한 고분자 화합물의 용액을 사용하여, 다시 표 1에 기재된 조성과 배합량으로 가교제, 광산발생제, 또한 아민 화합물을 배합하고(상기와 달리 용제로서 시클로펜타논은 배합하지 않음), 그 후, 교반하고, 혼합하고, 용해한 후, 테플론(등록상표)제의 1.0㎛ 필터로 정밀 여과를 행하여 레지스트 재료를 얻었다.
또한, 비교예로서, 동일하게 상기 비교 합성예 1∼3에서 합성한 고분자 화합물의 용액과 가교제, 광산발생제, 또한 아민 화합물을 배합하고(상기와 달리 용제로서 시클로펜타논은 배합하지 않음), 교반하고, 혼합하고, 용해한 후, 테플론(등록상표)제의 1.0㎛ 필터로 정밀 여과를 행하여 레지스트 재료를 얻었다.
III. 광경화성 드라이 필름의 제작
필름 코터로서 다이 코터, 지지 필름으로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 38㎛)을 사용하여, 표 1에 나타낸 레지스트 재료 1, 4∼11을 지지 필름 상 50㎛의 도포 두께로 도포했다. 이어서, 100℃로 설정된 열풍 순환 오븐(길이 4 m)을 5분간으로 통과시킴으로써, 지지 필름 상에 광경화성 수지층을 형성하였다. 또한, 상기 광경화성 수지층 상으로부터, 보호 필름으로서 폴리에틸렌 필름(두께 50㎛)을, 라미네이트 롤을 사용하여 압력 1 MPa에 의해 접합하여, 광경화성 드라이 필름을 제작하였다.
그리고, 상기 광경화성 수지층의 막 두께는 50㎛이다. 필름의 예를 표 3에 실시예와 비교예로서 정리하여 나타내었다.
IV. 노광, 패턴 형성
다음으로, 표 3에 정리한 바와 같이, 실시예, 비교예로 든 상기 레지스트 재료를 사용한 광경화성 드라이 필름 각각을, 그 보호 필름을 박리하고, (주)타카토리에서 제조한 진공 라미네이터(제품명: TEAM-100 RF)를 사용하여, 진공 챔버 내를 진공도 100 Pa로 설정하고, 온도 조건 100℃에 있어서 지지 필름 상의 광경화성 수지층을 실리콘 기판에 밀착시켰다. 상압(常壓)으로 되돌린 후, 상기 기판을 25℃로 냉각하고 상기 진공 라미네이터로부터 꺼내고, 지지 필름을 박리하였다.
다음으로, 지지 필름을 박리한 후, 핫 플레이트 상 100℃에서, 5분간의 프리베이킹을 행하였다. 그리고 다음으로, 즈스마이크로테크(주)에서 제조한 마스크 얼라이너(제품명: MA-8)를 사용하여, 가로 세로 1:1 배열의 40㎛의 홀을 형성할 수 있는 마스크를 장착하여, 브로드 밴드 광의 노광을 행하였다. 또한, 상기 기판을 130℃에서 5분간 노광한 후, 가열(PEB)하고, 이어서, 냉각하였다. 그 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 사용하여 5분간 스프레이 현상을 행하고, 패터닝을 행하였다. 이어서, 오븐을 사용하여 180℃에서 2시간, 질소 퍼징하면서 후경화했다.
마찬가지로, 실리콘 기판 대신, SiN 기판 상, Cu 기판 상에 상기한 바와 같이 제작한 광경화성 드라이 필름을 라미네이팅한 후에, 패터닝을 행하였다.
다음으로, 얻어진 홀 패턴의 형상을 관찰할 수 있도록, 각각의 기판을 잘라내고, 주사형 전자 현미경(SEM)을 사용하여 홀 패턴 형상을 관찰했다. 홀의 구경이 마스크 치수 40㎛와 동일한 사이즈로 홀 패턴의 구경이 완성되는 최적 노광량(365 ㎚ 광 환산의 노광량)을 표 3에 나타내었다.
[표 3]
표 3에서 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용하지 않는 조성의 광경화성 드라이 필름에 있어서도, 그 패턴, 필름은, SiN 기판 상, Cu 기판 상에서 현저한 박리를 관찰하고, 패터닝은 불가능했다. 따라서, 본 발명의 실리콘 골격 함유 고분자 화합물을 사용함으로써, 레지스트 재료를 사용한 광경화성 드라이 필름도 또한, 패턴 또는 필름과 기판의 밀착성이 개선되는 것은 분명하다.
V. 매립 성능
개구 직경 10∼100 ㎛(10㎛ 간격) 및 깊이 10∼120 ㎛(10㎛ 간격)의 원형공이 각각 200개 형성된, 6 인치 실리콘 웨이퍼를 준비하였다. 하기 표 4의 중의 실시예 15∼17의 광경화성 드라이 필름에 대하여, 그 보호 필름을 박리하고, (주)타카토리에서 제조한 진공 라미네이터(제품명: TEAM-100RF)를 사용하여, 진공 챔버 내를 진공도 100 Pa로 설정하고, 온도 조건 100℃에 있어서 지지 필름 상의 광경화성 수지층을 상기 기판에 밀착시켰다. 상압으로 되돌린 후, 상기 기판을 25℃로 냉각하고 상기 진공 라미네이터로부터 꺼내고, 지지 필름을 박리하였다.
다음으로, 지지 필름을 박리한 후, 핫 플레이트 상 100℃에서, 5분간의 프리베이킹을 행하였다. 그리고, 즈스마이크로테크(주)에서 제조한 마스크 얼라이너(제품명: MA-8)를 사용하여, 표 4에 기재된 노광량(파장 365 ㎚)으로 브로드 밴드 광을 상기 기판에 조사하였다. 이어서, 상기 기판을 110℃에서 5분간 노광한 후, 가열(PEB)하고 냉각하였다. 그 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 사용하여 5분간 스프레이 현상을 행하였다. 이어서, 오븐을 사용하여 180℃에서 2시간, 질소 퍼징하면서 후경화했다. 그리고, 얻어진 기판을 다이싱(dicing)하여 원형공의 단면(斷面)을 나타내고, 주사형 전자 현미경(SEM)을 사용하여 상기 원형공의 단면을 관찰하여, 결함의 유무를 평가했다. 그 결과를 표 4에 나타내었다.
표 4에 나타낸 바와 같이, 모두 결함없이 충전(充塡)되어 있고, 전기·전자 부품 보호용 피막으로서의 매립 성능은 양호한 것으로 판단할 수 있다.
[표 4]
VI. 전기적 특성(절연 파괴 강도)
상기 표 4 중의 실시예 15∼17의 막 두께 50㎛의 광경화성 드라이 필름에 대하여, 그 보호 필름을 박리하고, 지지 필름 상의 광경화성 수지층을, 100℃의 온도 조건 하에서, JIS K 6249에 규정된 기판에 밀착시켰다. 그리고, 상기 기판을 실온으로 냉각하여, 지지 필름을 박리하였다. 다음으로, 지지 필름을 박리한 후, 핫 플레이트 상 100℃에서, 5분간의 프리베이킹을 행하였다. 또한, 상기 마스크 얼라이너를 사용하여, 노광량 1,000 mJ/cm2(파장 365 ㎚)인 브로드 밴드 광을, 석영제 포토마스크를 통하여, 상기 기판에 조사하였다. 이어서, 상기 기판을 110℃에서 5분간 PEB를 행하고, 냉각하였다. 그 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 사용하여 5분간 스프레이 현상을 행하였다. 이어서, 오븐을 사용하여 180℃에서 2시간, 질소 퍼징하면서 후경화하여, 절연 파괴 강도 측정용 기판을 제작하였다. 그리고, JIS K 6249에 규정된 측정 방법에 준하여, 절연 파괴 강도를 측정하였다. 그 결과를 표 5에 나타내었다.
표 5에 나타낸 바와 같이, 전기·전자 부품 보호용 피막으로서의 전기적 특성은 모두 양호했다.
VII. 밀착성
상기 표 4 중의 실시예 15∼17의 막 두께 50㎛의 광경화성 드라이 필름에 대하여, 그 보호 필름을 박리하고, 상기 진공 라미네이터를 사용하여, 진공 챔버 내를 진공도 100 Pa로 설정하고, 100℃의 온도 조건 하에서 지지 필름 상의 광경화성 수지층을 무처리의 6 인치 실리콘 웨이퍼에 밀착시켰다. 상압으로 되돌린 후, 상기 기판을 25℃로 냉각하고 상기 진공 라미네이터로부터 꺼내고, 지지 필름을 박리하였다. 다음으로, 지지 필름을 박리한 후, 핫 플레이트 상 100℃에서, 5분간의 프리베이킹을 행하였다. 또한, 상기 마스크 얼라이너를 사용하여, 노광량 1,000 mJ/cm2(파장 365 ㎚)인 브로드 밴드 광을, 석영제 포토마스크를 통하여, 상기 기판에 조사하였다. 이어서, 상기 기판을 110℃에서 5분간 PEB를 행하고, 냉각하였다. 그 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 사용하여 5분간 스프레이 현상을 행하였다. 이어서, 오븐을 사용하여 180℃에서 2시간, 질소 퍼징하면서 후경화하여, 직경 300㎛, 높이 50㎛의 포스트패턴 경화 피막을 얻었다. 상기 포스트패턴 경화 피막을, 영국 Dage에서 제조한 본드 테스터(제품명: Dage series 4000-PXY)를 사용하여, 기판으로부터의 패턴 경화 피막 박리 시에 걸리는 저항력에 의해, 초기의 밀착성을 평가했다. 측정 조건은, 측정 스피드 50.0㎛/sec 및 측정 높이 3.0㎛였다. 도 1은 밀착성 측정 방법을 나타내는 설명도이다. 그리고, 도면 중 1은 실리콘(Si) 기판, 2는 포스트패턴 경화 피막, 3은 본드 테스터의 측정 지그이며, 4는 측정 지그의 이동 방향을 나타낸다. 얻어진 수치는 15점 측정의 평균값이며, 수치가 높을수록 포스트패턴 경화 피막의 기판에 대한 밀착성이 높다.
또한, 기판 상의 포스트패턴 경화 피막에 솔더 플럭스액을 도포하고, 220℃에서 30초간 가열하고, 냉각 후 순수(純水)로 세정하고, 실온에서 2시간 건조한 포스트패턴 경화 피막에 대하여, 상기 본드 테스터를 사용하여, 상기 기판으로부터의 패턴 박리시에 걸리는 저항력에 의해, 초기와 마찬가지로 열화 후의 밀착성을 평가했다.
그리고, 3종류의 광경화성 드라이 필름에 대하여, 초기의 수치를 비교함으로써 밀착성을 평가하고, 초기로부터 열화 후에 수치가 저하되는 거동(擧動)을 각각 비교함으로써, 밀착성과 함께 솔더 플럭스액에 대한 약품 내성도 평가했다. 그 결과를 표 5에 나타내었다.
표 5에 나타낸 바와 같이, 전기·전자 부품 보호용 피막으로서의 밀착성은 양호했다.
VIII. 크랙 내성
상기 표 4 중의 실시예 15∼17의 막 두께 50㎛의 광경화성 드라이 필름에 대하여, 그 보호 필름을 박리하고, 상기 진공 라미네이터를 사용하여, 진공 챔버 내를 진공도 100 Pa로 설정하고, 100℃의 온도 조건 하에서 지지 필름 상의 광경화성 수지층을, 상기 매립 특성에 사용한 기판에 밀착시켰다. 상압으로 되돌린 후, 상기 기판을 25℃로 냉각하고 상기 진공 라미네이터로부터 꺼내고, 지지 필름을 박리하였다.
다음으로, 지지 필름을 박리한 후, 핫 플레이트 상 100℃에서, 5분간의 프리베이킹을 행하였다. 그리고 다음으로, 상기 마스크 얼라이너를 사용하여, 노광량 1,000 mJ/cm2(파장 365 ㎚)인 브로드 밴드 광을, 석영제 포토마스크를 통하여, 상기 기판에 조사하였다. 이어서, 상기 기판을 110℃에서 5분간 PEB를 행하고, 냉각하였다. 그 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 사용하여 5분간 스프레이 현상을 행하였다. 이어서, 오븐을 사용하여 180℃에서 2시간, 질소 퍼징하면서 후경화했다.
이 경화 피막이 형성된 기판을, -55∼+150 ℃를 1 사이클로 하는 온도 사이클 시험기에 투입하고, 상기 경화 피막 중의 크랙 발생의 유무에 대하여 1,000 사이클까지 조사하였다. 그 결과를 표 5에 나타내었다.
표 5에 나타낸 바와 같이, 전기·전자 부품 보호용 피막으로서의 크랙 내성은 양호했다.
IX. 박리액 내성
상기 표 4 중의 실시예 15∼17의 막 두께 50㎛의 광경화성 드라이 필름에 대하여, 그 보호 필름을 박리하고, 상기 진공 라미네이터를 사용하여, 진공 챔버 내를 진공도 100 Pa로 설정하고, 100℃의 온도 조건 하에서 지지 필름 상의 광경화성 수지층을 무처리의 6 인치 실리콘 웨이퍼에 밀착시켰다. 상압으로 되돌린 후, 상기 기판을 25℃로 냉각하고 상기 진공 라미네이터로부터 꺼내고, 지지 필름을 박리하였다.
다음으로, 지지 필름을 박리한 후, 핫 플레이트 상 100℃에서, 5분간의 프리베이킹을 행하였다. 그리고 다음으로, 상기 마스크 얼라이너를 사용하여, 노광량 1,000 mJ/cm2(파장 365 ㎚)인 브로드 밴드 광을, 석영제 포토마스크를 통하여, 상기 기판에 조사하였다. 이어서, 상기 기판을 110℃에서 5분간 PEB를 행하고, 냉각하였다. 그 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 사용하여 5분간 스프레이 현상을 행하였다. 이어서, 오븐을 사용하여 180℃에서 2시간, 질소 퍼징하면서 후경화하여, 15 ㎜×15 ㎜의 정사각형 패턴 경화 피막을 얻었다.
그리고, 상기 기판을 NMP(N-메틸피롤리돈) 중에 실온에서 1시간 침지(浸漬)한 후, 외관 및 막 두께 변화를 조사하고, 박리액 내성을 평가했다. 그 결과를 표 5에 나타내었다.
표 5에 나타낸 바와 같이, 전기·전자 부품 보호용 피막으로서의 박리액 내성은 모두 양호했다.
[표 5]
1: 실리콘(Si) 기판
2: 직경 300㎛×높이 50㎛의 포스트패턴 경화 피막
3: 본드 테스터의 측정 지그
4: 측정 지그의 이동 방향
2: 직경 300㎛×높이 50㎛의 포스트패턴 경화 피막
3: 본드 테스터의 측정 지그
4: 측정 지그의 이동 방향
Claims (15)
- 하기 일반식(1)으로 표시되는 반복 단위를 가지는, 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000인 실리콘 골격 함유 고분자 화합물:
(상기 일반식(1) 중에서, R1∼R4는 동일할 수도 있고 다를 수도 있는 탄소수 1∼8의 1가 탄화수소기를 나타내고, m은 1∼100의 정수이며, a, b, c, d는 0 또는 정수이고, e, f는 정수이며, 단, a+b+c+d+e+f=1이고, X는 하기 일반식(2)으로 표시되는 유기기, Y는 하기 일반식(3)으로 표시되는 유기기, W는 하기 일반식(4)으로 표시되는 유기기임)
(상기 일반식(2) 중에서, Z는
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이며, 점선은 결합을 나타내고, n은 0 또는 1이며, R5 및 R6는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있으며, k는 0, 1, 2 중 어느 하나임)
(상기 일반식(3) 중에서, V는
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이며, 점선은 결합을 나타내고, p는 0 또는 1이며, R7 및 R8은 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 서로 다를 수도 있고 동일할 수도 있으며, h는 0, 1, 2 중 어느 하나임)
(상기 일반식(4) 중에서, 점선은 결합을 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 직쇄형 또는 분지형의 알킬기를 나타내고, T는 탄소수 1∼12의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬렌기임). - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 일반식(1)에 있어서, 0.1≤a≤0.8, 0.1≤b≤0.8, 0≤c, 0≤d, 0<e≤0.8, 0<f≤0.8인, 실리콘 골격 함유 고분자 화합물. - (A) 제1항에 기재된, 중량 평균 분자량이 3,000∼500,000인 실리콘 골격 함유 고분자 화합물;
(B) 파장 190∼500 ㎚의 광에 의해 분해되어, 산을 발생하는 광산발생제;
(C) 포름알데히드 또는 포름알데히드-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 1분자 중에 평균적으로 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개가 글리시딜기로 치환된 화합물, 및 다가 페놀의 수산기의 수소 원자 중 적어도 1개를 하기 식(C-1)으로 표시되는 치환기로 치환된 구조를 가지는 화합물, 및 하기 식(C-2), 식(C-3)으로 표시되는 어느 하나의 글리시딜기를 가진 질소 원자를 가지는 구조를 2개 이상 함유한 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 가교제; 및
(상기 식 중, 점선은 결합을 나타내고, Rc는 탄소수 1∼6의 직쇄형, 분지형 또는 환형의 알킬기를 나타내고, s는 1 또는 2를 나타냄)
(D) 용제
를 함유하여 이루어지는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료. - (1) 제4항에 기재된 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 기판 상에 도포하고, 레지스트 피막을 형성하는 공정;
(2) 이어서, 가열 처리 후, 포토마스크를 통하여 파장 190∼500 ㎚의 고에너지선 또는 전자선으로 레지스트 피막을 노광하는 공정; 및
(3) 가열 처리한 후, 현상액을 사용하여 현상하는 공정
을 포함하는 패턴 형성 방법. - 제5항에 있어서,
(4) 현상에 의해 패턴 형성된 피막을, 온도 100∼250 ℃에 있어서 후경화하는 공정을 더 포함하는 패턴 형성 방법. - 막 두께가 10∼100 ㎛인 광경화성 수지층이 지지 필름 및 보호 필름으로 협지된 구조를 가지는 광경화성 드라이 필름으로서,
광경화성 수지층의 형성에 사용되는 조성물이 제4항에 기재된 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료인, 광경화성 드라이 필름. - (i) 제4항에 기재된 (A)∼(D) 성분을 함유하는 화학 증폭형 네가티브형 레지스트 재료를 지지 필름 상에 연속적으로 도포하는 공정;
(ii) 상기 재료를 건조시켜 광경화성 수지층을 형성하는 공정;
(iii) 또한, 상기 광경화성 수지층 상에 보호 필름을 접합시키는 공정
을 포함하는 광경화성 드라이 필름의 제조 방법. - (i) 제8항에 기재된 방법에 따라 제조된 광경화성 드라이 필름으로부터 보호 필름을 박리함으로써 노출된 광경화성 수지층을 기판에 밀착시키는 공정;
(ii) 상기 지지 필름을 통하여 또는 상기 지지 필름을 박리한 상태로, 포토마스크를 통하여 광경화성 수지층을 파장 190∼500 ㎚의 고에너지선 또는 전자선으로 노광하는 공정;
(iii) 노광 후의 가열 처리를 행하는 공정; 및
(iv) 현상액에 의해 현상하는 공정
을 포함하는 패턴 형성 방법. - 제9항에 있어서,
(v) 현상에 의해 패턴 형성된 피막을, 온도 100∼250℃에 있어서 후경화하는 공정을 더 포함하는 패턴 형성 방법. - 제9항에 있어서,
기판이, 개구 폭이 10∼100 ㎛이며, 또한 깊이가 10∼120 ㎛인 홈 및/또는 구멍을 가지는 기판인, 패턴 형성 방법. - 개구 폭이 10∼100 ㎛이며, 또한 깊이가 10∼120 ㎛인 홈 및/또는 구멍을 가지는 기판에 제7항에 기재된 광경화성 드라이 필름의 광경화성 수지층이 적층되어 이루어지는 적층체.
- 제5항, 제6항 및 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 패턴 형성 방법에 의해 얻어진 경화 피막으로 이루어지는 전기·전자 부품 보호용 피막.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2014-153677 | 2014-07-29 | ||
JP2014153677A JP6194862B2 (ja) | 2014-07-29 | 2014-07-29 | シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160017613A KR20160017613A (ko) | 2016-02-16 |
KR102262719B1 true KR102262719B1 (ko) | 2021-06-08 |
Family
ID=53762026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150107372A KR102262719B1 (ko) | 2014-07-29 | 2015-07-29 | 실리콘 골격 함유 고분자 화합물, 네가티브형 레지스트 재료, 광경화성 드라이 필름, 패턴 형성 방법 및 전기·전자 부품 보호용 피막 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9377689B2 (ko) |
EP (1) | EP2980172B1 (ko) |
JP (1) | JP6194862B2 (ko) |
KR (1) | KR102262719B1 (ko) |
CN (1) | CN105315467B (ko) |
TW (1) | TWI665238B (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10114287B2 (en) * | 2014-10-02 | 2018-10-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone skeleton-containing polymer compound and method for producing same, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and method for producing same, patterning process, layered product, and substrate |
JP6502754B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 光硬化性樹脂組成物及びこれを用いた光硬化性ドライフィルム |
JP6627792B2 (ja) * | 2016-02-04 | 2020-01-08 | 信越化学工業株式会社 | 表面保護フィルム、基板加工体、及び表面保護フィルムの製造方法 |
JP6499102B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2019-04-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、パターン形成方法、及び積層体 |
JP6584357B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2019-10-02 | 富士フイルム株式会社 | 転写フィルム、静電容量型入力装置の電極保護膜、積層体および静電容量型入力装置 |
JP6866802B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-04-28 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
JP6874584B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法 |
EP3450478B1 (en) * | 2017-08-31 | 2020-11-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy-containing, isocyanurate-modified silicone resin, photosensitive resin composition, photosensitive dry film, laminate, and pattern forming process |
PL3603110T3 (pl) | 2017-10-25 | 2021-04-06 | Ps Audio Design Oy | Układ przetwornika |
JP6870657B2 (ja) | 2018-05-17 | 2021-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、及びパターン形成方法 |
JP6919626B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格及びポリエーテル骨格を含むポリマー |
US11294284B2 (en) | 2018-07-17 | 2022-04-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and pattern forming process |
US11548985B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-01-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Siloxane polymer containing isocyanuric acid and polyether skeletons, photosensitive resin composition, pattern forming process, and fabrication of opto-semiconductor device |
JP7056541B2 (ja) | 2018-12-19 | 2022-04-19 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法 |
JP6587769B1 (ja) * | 2019-06-21 | 2019-10-09 | 富士フイルム株式会社 | 転写フィルム、静電容量型入力装置の電極保護膜、積層体および静電容量型入力装置 |
JP2022076993A (ja) * | 2020-11-10 | 2022-05-20 | 株式会社スリーボンド | 光硬化性樹脂組成物、硬化物および積層体 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014122281A (ja) | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ジアリル基含有ヒドロキシフェニル誘導体、シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3159662A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Addition reaction |
US3220972A (en) | 1962-07-02 | 1965-11-30 | Gen Electric | Organosilicon process using a chloroplatinic acid reaction product as the catalyst |
US3159601A (en) | 1962-07-02 | 1964-12-01 | Gen Electric | Platinum-olefin complex catalyzed addition of hydrogen- and alkenyl-substituted siloxanes |
US3775452A (en) | 1971-04-28 | 1973-11-27 | Gen Electric | Platinum complexes of unsaturated siloxanes and platinum containing organopolysiloxanes |
JP3767676B2 (ja) | 2000-09-12 | 2006-04-19 | 信越化学工業株式会社 | オルガノシロキサン系高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜 |
JP4336999B2 (ja) | 2007-01-31 | 2009-09-30 | 信越化学工業株式会社 | シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 |
JP2009200315A (ja) | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5413340B2 (ja) | 2009-09-30 | 2014-02-12 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ基含有高分子化合物、これを用いた光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5846110B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5754363B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2015-07-29 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5895833B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-30 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
JP5876450B2 (ja) * | 2013-08-26 | 2016-03-02 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、積層体、及びパターン形成方法 |
-
2014
- 2014-07-29 JP JP2014153677A patent/JP6194862B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-23 US US14/807,072 patent/US9377689B2/en active Active
- 2015-07-27 TW TW104124256A patent/TWI665238B/zh active
- 2015-07-28 EP EP15178644.9A patent/EP2980172B1/en active Active
- 2015-07-29 KR KR1020150107372A patent/KR102262719B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-29 CN CN201510454091.0A patent/CN105315467B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014122281A (ja) | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ジアリル基含有ヒドロキシフェニル誘導体、シリコーン骨格含有高分子化合物、ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6194862B2 (ja) | 2017-09-13 |
US20160033865A1 (en) | 2016-02-04 |
JP2016030791A (ja) | 2016-03-07 |
TWI665238B (zh) | 2019-07-11 |
KR20160017613A (ko) | 2016-02-16 |
CN105315467B (zh) | 2019-12-20 |
US9377689B2 (en) | 2016-06-28 |
EP2980172A1 (en) | 2016-02-03 |
EP2980172B1 (en) | 2016-11-02 |
TW201619248A (zh) | 2016-06-01 |
CN105315467A (zh) | 2016-02-10 |
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