TW201619248A - 含有聚矽氧骨架的高分子化合物、負型光阻材料、光硬化性乾膜、圖型形成方法及電氣．電子零件保護用皮膜 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於具有一般式(1)所示重複單位之重量平均分子量為3,000~500,000之含有聚矽氧骨架的高分子化合物。 □(X為一般式(2)所示有機基，Y為一般式(3)所示有機基，W為一般式(4)所示有機基) □□□依據本發明提供一種在如Cu或Al之金屬配線、電極、基板上，特別在如SiN的基板上之面對的剝落問題可快速地經改善的化學增幅型負型抗蝕材料。

Description

含有聚矽氧骨架的高分子化合物、負型光阻材料、光硬化性乾膜、圖型形成方法及電氣．電子零件保護用皮膜
本發明係關於一種含有聚矽氧骨架的高分子化合物；使用藉由i線、g線等波長500nm以下(近紫外及遠紫外區域)的紫外線曝光可製圖之該含有聚矽氧骨架的高分子化合物的化學增幅型負型抗蝕材料；使用上述抗蝕材料所形成的光硬化性乾薄膜及其製造方法；使用上述抗蝕材料或乾薄膜在基板上使抗蝕皮膜或光硬化性樹脂層成膜，形成圖型之方法；進一步地使用藉由上述抗蝕皮膜或光硬化性樹脂層所得之硬化皮膜的配線、迴路及基板等保護用皮膜。且本發明係關於欲得到上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物的原料而使用雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物。
所形成的負型抗蝕材料之圖型雖使用於覆蓋配線、迴路及基板等的保護用皮膜作為目的，但包覆負型抗蝕材料之圖型的配線、迴路之Cu金屬層上、存在於基板上的Al金屬電極上，且包覆之配線或迴路的絕緣基板之SiN基板上因密著不良，故時常要面對剝落之問題。然而，藉由使用本發明之化學增幅型負型抗蝕材料或該抗蝕 材料所得之乾薄膜所形成的圖型可大幅度改善基板密著性。
且，本發明之上述保護用皮膜由該耐熱性、藥品耐性、絕緣性及可撓性來看，在含有再配線用途之半導體元件用絕緣膜、多層印刷基板用絕緣膜、阻焊層(Solder Mask)、覆蓋層薄膜、矽基板貫通配線(TSV)之嵌入用絕緣膜以外，在貼合基板之用途等亦為有效。
隨著電腦、數位照相機、手機等種種電子機器的小型化或高性能化，對於半導體元件亦急速地提高更小型化、薄型化及高密度化之要求。因此，對於對應提高生產性中之基板面積增大，且所謂晶片尺寸封裝或者晶片級封裝(CSP)或三次元層壓之高密度實裝技術，可對應如於基板上具有微細且縱橫比高之凹凸的結構體之感光性絕緣材料的開發受到期待。
作為如上述之感光性絕緣材料，已有文獻提出藉由半導體元件製造步驟中常用之旋轉塗佈法可達到寬度廣的膜厚塗布效果，且對於寬度廣的波長區域，可形成微細圖型，藉由低溫之後硬化而形成可撓性、耐熱性、電氣特性、密著性、信頼性及藥品耐性優良的電氣．電子零件保護用皮膜之光硬化性樹脂組成物(專利文獻1：日本特開2008-184571號公報)。該旋轉塗佈法具有可在基板上簡便成膜之優點。
另一方面，上述形成電氣．電子零件保護用皮膜之光硬化性樹脂組成物可在基板上以1~100μm之膜厚方式被使用，但膜厚若超過30μm時，該光硬化性樹脂組成物之黏度會變的非常高，而使得藉由旋轉塗佈法之對基板上的成膜有著實際極限而變的困難。
又，將上述光硬化性樹脂組成物藉由上述旋轉塗佈法於表面有凹凸之基板上進行塗佈時，難以均勻地包覆上述基板。因此，於基板上的段差部分容易產生光硬化性樹脂層之間隙，期待可進一步地改善平坦性或段差包覆性。又，作為取代上述旋轉塗佈法之其他塗佈方法，可文獻提出噴霧法(專利文獻2：日本特開2009-200315號公報)。然而，該原理上來自基板的凹凸之高低差、或者在圖型邊緣之膜切及凹部底面之稱為針孔的缺陷容易產生，有關平坦性或段差包覆性之問題尚未被充分解決。
且近年來，對於所謂晶片尺寸封裝或者晶片級封裝(CSP)或三次元層壓之高密度實裝技術，於基板上形成微細且縱橫比高的圖型，藉由對於所得之圖型層壓銅等金屬而自晶圓施予再配線的技術正盛行者。隨著晶圓之高密度化、高集成度，對於再配線技術中之圖型線寬或欲連接基板間的接觸孔徑之微細化要求極為強。欲得到微細圖型之方法係以光刻技術為一般，其中亦以化學增幅型負型抗蝕材料可得到微細圖型而適當。又，使用於再配線之圖型為永久地存在裝置晶圓、晶圓間，具有進行硬化的特徵下，必須作為可撓性、耐熱性、電氣特性、密著性、 信頼性及藥品耐性優良的電氣．電子零件保護用皮膜使用，故可得到圖型之抗蝕材料係以負型為適當。
因此，可加工為微細再配線之圖型形成材料，具有優良的可撓性、耐熱性、電氣特性、密著性、信頼性及藥品耐性之電氣．電子零件保護用皮膜的形成上，可舉出化學增幅型負型抗蝕材料。
另一方面，可形成使用於加工再配線時的微細圖型，且對於電氣．電子零件保護用皮膜為有用之化學增幅型負型抗蝕材料可包覆預先在基板上進行加工的Cu配線上或包覆存在於基板上的Al電極。又，配線、施予電極的基板亦為如SiN之絕緣基板，必須廣泛地包覆該SiN基板。然而，化學增幅型負型抗蝕材料之包覆膜層與彼等基板之密著性尚未充分，時常要面對抗蝕材料之包覆膜層在基板上剝落的問題。
又另一方面，使用於電氣．電子零件保護用皮膜的化學增幅型負型抗蝕材料為製圖時所使用的顯像液為有機溶劑，曝光部藉由交聯反應等對於顯像液之有機溶劑成為不溶，未曝光部必須對於顯像液之有機溶劑具有良好溶解性。近年來所使用的負型抗蝕材料為曝光部與未曝光部對於顯像液之有機溶劑的溶解性差較小，所謂溶解對比的差較小。若溶解對比較小時，於進一步微細圖型之形成的要求上，無法期待良好圖型之形成。又，溶解對比若較小時，對於使用於將圖型進行曝光轉印並形成時的光罩，恐怕無法忠實地將圖型形成於基板上。因此，儘可能取得 較大溶解對比係對於抗蝕材料之要求，所謂解像性提高之要求。
且，可形成使用於加工配線時的微細圖型，且對電氣．電子零件保護用皮膜為有用之化學增幅型負型抗蝕材料，對於未曝光部可充分地溶解於顯像液之有機溶劑係為重要。即，未曝光部對於顯像液之有機溶劑的溶解性為貧乏之情況時，於抗蝕材料之基板上的包覆膜厚過厚時等，於圖型底部觀察到溶解殘留物或浮渣、於基板上圖型的下擺觀察到稱為底脚之圖型劣化。這些浮渣或底脚有時會造成施予再配線的步驟之電氣迴路、配線斷線之弊害，故必須制止其產生。
因此，其為隨著晶圓之高密度化、高集成度，對於再配線技術之圖型微細化成為可能，且對於電氣．電子零件保護用皮膜為有用之化學增幅型負型抗蝕材料，而可望基板上密著性急速地得到改善，且可期待盡可能進一步提高解像性能，並構築於圖型底部不產生底脚或浮渣的系統。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2008-184571號公報
[專利文獻2]日本特開2009-200315號公報
〔發明之概要〕
本發明為有鑑於上述情事所成者，目的為提供可形成微細圖型，在如Cu或Al的金屬配線、電極、基板上，特別在如SiN的基板上之面對的剝落問題可得到改善，對於微細圖型之形成，作為於圖型底部、基板上不產生浮渣或底脚的化學增幅型負型抗蝕材料及該負型抗蝕材料之基礎樹脂而適用的含有聚矽氧骨架的高分子化合物、可使用於該高分子化合物之製造的苯基衍生物。
且，以提供藉由旋塗該抗蝕材料而可簡便地於基板上經塗佈後可形成微細圖型的圖型形成方法為另外目的。
另外，即使為使用上述抗蝕材料的光硬化性乾薄膜及其製造方法與具有凹凸之基板上，提供使用用該組成物的光硬化性乾薄膜，施予沿著寬廣膜厚的抗蝕層之微細圖型的形成方法作為另外目的。
又，以提供將藉由上述圖型形成方法所得之圖型在低溫下進行後硬化，使用其所得之硬化皮膜的配線、迴路及基板等電氣．電子零件保護用皮膜為更另外目的。
本發明者們欲達成上述目的而進行重複詳細檢討結果，發現使用具有下述一般式(6)所示醇性羥基的雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物時可得到下述一般式(1)之含有聚矽氧骨架的高分子化合物(A)，同時含有 下述(A)~(D)成分所成的化學增幅型負型抗蝕材料可形成微細圖型，且因未曝光部對於顯像液之有機溶劑的溶解性會提高，故於所形成的圖型底部與基板之間產生的底脚浮渣可受到抑制，在如Cu或Al之金屬配線、電極、基板上、特別如SiN的基板上可大幅度地改善面對的剝落之問題。且依據由上述圖型形成方法所得之硬化皮膜可作為優良的電氣．電子零件保護用皮膜之見解，而完成本發明。
因此，本發明為提供下述含有聚矽氧骨架的高分子化合物、化學增幅型負型抗蝕材料、使用該抗蝕材料之圖型形成方法、光硬化性乾薄膜及其製造方法、使用該光硬化性乾薄膜之圖型形成方法、電氣．電子零件保護用皮膜。進一步提供取代苯基衍生物。
〔1〕一種含有聚矽氧骨架的高分子化合物，其特徵為具有下述一般式(1)所示重複單位之重量平均分子量為3,000~500,000。
(式中，R1~R4表示可相同或相異的碳數1~8的1價烴基。m為1~100的整數。a、b、c、d為0或正數，e、f為正數。但a+b+c+d+e+f=1。X為下述一般式(2)所示有機基，Y為下述一般式(3)所示有機基，W為下述一般式(4)所示有機基)
(式中，Z為選自
中任一的2價有機基，點線表示鍵結，n為0或1。R5及R6各為碳數1~4的烷基或烷氧基，可相互相異或相同。k為0、1、2中任一者)
(式中，V為選自
中任一2價有機基，點線表示鍵結，p為0或1。R7及R8各為碳數1~4的烷基或烷氧基，相互可為相異或相同。h為0、1、2中任一者。)
(式中，點線表示鍵結，R表示氫原子或碳數1~6的直鏈狀或支鏈狀的烷基，T為碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基。)
〔2〕如〔1〕記載之含有聚矽氧骨架的高分子化合物，其中上述W所示有機基為下述式(5)所示有機基。
〔3〕如〔1〕或〔2〕記載之含有聚矽氧骨架的高分子化合物，其中式(1)中，0.1≦a≦0.8、0.1≦b≦0.8、0≦c、0≦d、0<e≦0.8、0<f≦0.8。
〔4〕一種化學增幅型負型抗蝕材料，其特徵為含有 (A)〔1〕、〔2〕或〔3〕記載之重量平均分子量為3,000~500,000的含有聚矽氧骨架的高分子化合物、(B)藉由波長190~500nm的光進行分解，產生酸之光酸產生劑、(C)選自下述1種或2種以上化合物的交聯劑，該化合物為由甲醛或甲醛-醇經改性的胺基縮合物、於1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、及將多價酚的羥基之氫原子的至少1個由縮水甘油基進行取代的化合物、及具有將多價酚的羥基之氫原子的至少1個由下述式(C-1)所示取代基進行取代的結構之化合物、及含有2個以上具有下述式(C-2)、式(C-3)所示中任一縮水甘油基所具有的氮原子之結構的化合物，
(式中，點線表示鍵結，Rc表示碳數1~6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，s表示1或2)
(D)溶劑。
〔5〕一種圖型形成方法，其特徵為含有(1)將〔4〕記載之化學增幅型負型抗蝕材料塗布於基板上，形成抗蝕皮膜之步驟、(2)其次經加熱處理後，介著光罩以波長190~ 500nm的高能量線或者電子線曝光抗蝕皮膜之步驟、(3)經加熱處理後，使用顯像液進行顯影的步驟。
〔6〕如〔5〕記載之圖型形成方法，其中進一步含有將藉由(4)顯影經圖型形成之皮膜在溫度100~250℃中進行後硬化之步驟。
〔7〕一種光硬化性乾薄膜，其特徵為具有膜厚10~100μm之光硬化性樹脂層以支持薄膜及保護薄膜夾住的結構之光硬化性乾薄膜，使用於光硬化性樹脂層的形成之組成物為如〔4〕記載之化學增幅型負型抗蝕材料。
〔8〕一種光硬化性乾薄膜之製造方法，其特徵為含有(i)將含有〔4〕記載之(A)~(D)成分之化學增幅型負型抗蝕材料塗布於支持薄膜上之步驟、(ii)使上述材料乾燥後形成光硬化性樹脂層之步驟、(iii)進一步於上述光硬化性樹脂層上貼合上述保護薄膜之步驟。
〔9〕一種圖型形成方法，其特徵為含有(i)將藉由自如〔8〕記載之光硬化性乾薄膜剝離保護薄膜而露出的光硬化性樹脂層密著於基板之步驟、(ii)在介著上述支持薄膜或者剝離上述支持薄膜之狀態下，介著光罩使光硬化性樹脂層在波長190~500nm的高能量線或者電子線下進行曝光之步驟、(iii)曝光後進行加熱處理之步驟、(iv)在顯像液進行顯影之步驟。
〔10〕如〔9〕記載之圖型形成方法，其中進一步含有(v)將藉由顯影進行圖型形成之皮膜在溫度100~250℃中進行後硬化之步驟。
〔11〕如〔9〕或〔10〕記載之圖型形成方法，其中基板的開口寬為10~100μm，且具有深度為10~120μm之溝及/或孔之基板。
〔12〕一種層合體，其特徵為開口寬為10~100μm，且於具有深度為10~120μm之溝及/或孔的基板上層壓如〔7〕記載之光硬化性乾薄膜的光硬化性樹脂層而成者。
〔13〕一種電氣．電子零件保護用皮膜，其特徵為由藉由如〔5〕、〔6〕、〔9〕、〔10〕、〔11〕中任一項所記載的圖型形成方法所得的硬化皮膜而成者。
〔14〕一種下述一般式(6)所示之具有醇性羥基之雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物。
(式中，R表示氫原子或碳數1~6的直鏈狀或支鏈狀的烷基，T表示碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基)
〔15〕一種下述式(7)所示4,4-雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)戊醇。
依據本發明，可提供在如Cu或Al之金屬配線、電極、基板上，特別在如SiN之基板上面對的剝落之問題可大幅度地改善的化學增幅型負型抗蝕材料，於幅度廣的波長區域中，可形成微細圖型，且隨著晶圓之高密度化、高集成度在再配線技術中可進行圖型之微細化，同時提供在圖型形成後於圖型底部基板上不會產生浮渣、底脚的於電氣．電子零件保護用皮膜上為有用之化學增幅型負型抗蝕材料、光硬化性乾薄膜及圖型形成方法。
1‧‧‧矽(Si)基板
2‧‧‧直徑300μm×高度50μm之後圖型硬化皮膜
3‧‧‧Bond Tester之測定夾具
4‧‧‧測定夾具之移動方向
[圖1]表示實施例中之密著性測定方法的說明圖。
有關本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物為具有下述一般式(1)所示重複單位之重量平均分子量為3,000~500,000者。
(式中，R1~R4表示可相同或相異的碳數1~8的1價烴基。m為1~100的整數。a、b、c、d為0或正數，e、f為正數。但a+b+c+d+e+f=1。且X為下述一般式(2)所示有機基，Y為下述一般式(3)所示有機基，W為下述一般式(4)所示有機基)
式中，R1~R4表示可相同或相異的碳數1~8，較佳為1~6的1價烴基。具體可舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、tert-丁基、環己基等的直鏈狀、支鏈狀或者環狀的烷基、乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基等的直鏈狀、支鏈狀或者環狀的烯基、苯基、甲苯基等芳基、苯甲基、苯基乙基等芳烷基等。
又，由與後述交聯劑及光酸產生劑之相溶性及光硬化性的觀點來看，m為1~100的整數，較佳為1~80的整數。又，由對基板之密著性、電氣特性、信頼性的觀點來看，a、b、c、d為0或正數，e、f為正數。
此時，可使0≦a≦0.8、0.1≦b≦0.8、0≦c、0≦d、0<e≦0.8、0<f≦0.8，較佳為0≦a≦0.8，更佳為0.1≦a≦0.8，特佳為0.3≦a≦0.7，較佳為0.1≦b≦0.8，更佳為0.1≦b≦0.5，較佳為0≦c≦0.5，特佳為0≦c≦0.2，較佳為0≦d≦0.5，特佳為0≦d≦0.2，較佳為0<e<0.8，特佳為0<e≦0.5，較佳為0<f<0.8，特佳為0<f≦0.5。但a+b+c+d+e+f=1。
對於上述a、b、c、d、e、f，特別在i.0.1≦a≦0.8、0.1≦b≦0.8時，c、d各為0、0<e<0.8、0<f<0.8、ii.0.1≦a≦0.7、0.1≦b≦0.5、0<c≦0.2、0<d≦0.2、0<e≦0.5、0<f≦0.5為佳。
(式中，Z為選自
的2價有機基，點線表示鍵結，n為0或1。R5及R6各為碳數1~4的烷基或烷氧基，相互可為相異或相同。k 為0、1、2中任一者)
(式中，V為選自
的2價有機基，點線表示鍵結，p為0或1。R7及R8各為碳數1~4的烷基或烷氧基，相互可為相異或相同。h為0、1、2中任一者)
(式中，點線表示鍵結，R表示氫原子或碳數1~6的直鏈狀或支鏈狀的烷基，T為碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基)
此時，上述W所示有機基以下述一般式(5)所示有機基者為佳。
本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的重量平均分子量由使用此的抗蝕材料之相溶性及光硬化性、以及由上述抗蝕材料所得之硬化物的機械特性之觀點來看為3,000~500,000，較佳為5,000~300,000。且，對於本發明，重量平均分子量由凝膠滲透層析法(GPC)所得為聚苯乙烯換算值。
本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物為將下述式(8)所示氫矽伸苯基(1,4-雙(二甲基矽基)苯)
、或者該氫矽伸苯基及下述一般式(9)所示二氫有機矽氧烷
(式中，R3、R4及m與上述相同) 、視必要具有下述一般式(10)所示二烯丙基的特定 含有環氧基的化合物
(式中，V、R7、R8、p、h與上述相同) 、視必要具有下述一般式(11)所示二烯丙基的特定酚化合物
(式中，Z、R5、R6、n、k與上述相同) 、與具有下述式(6)所示醇性羥基之雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物
(式中，R、T與上述相同，R表示氫原子或碳數1~6的直鏈狀或支鏈狀的烷基，T為碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基)在觸媒存在下進行所謂的「矽氫加成」聚合反應而可製造。
且，本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合 物之重量平均分子量為具有上述式(10)所示二烯丙基的特定之含有環氧基的化合物及具有上述式(11)所示二烯丙基的特定之酚化合物及具有上述式(6)所示雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)基之化合物的烯丙基總數、而且可藉由調整上述式(8)所示氫矽伸苯基及上述式(9)所示二氫有機矽氧烷的氫化矽總數之比(烯丙基總數/氫化矽總數)而可容易調整。或者於具有上述二烯丙基的特定有環氧基的化合物及具有二烯丙基之特定酚化合物及含有具有二烯丙基之特定雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)基的化合物、以及氫矽伸苯基及二氫有機矽氧烷之聚合時，例如，將如o-烯丙基酚的單烯丙基化合物、或如三乙基氫化矽烷的單氫化矽烷或單氫矽氧烷作為分子量調整劑使用時，可容易地控制上述重量平均分子量。
對於上述聚合反應，作為觸媒，例如可舉出鉑(含有鉑黑)、銠、鈀等鉑族金屬單體；H2PtCl4．xH2O、H2PtCl6．xH2O、NaHPtCl6．xH2O、KHPtCl6．xH2O、Na2PtCl6．xH2O、K2PtCl4．xH2O、PtCl4．xH2O、PtCl2、Na2HPtCl4．xH2O(式中，x以0~6的整數為佳，特佳為0或6)等氯化鉑、氯化鉑酸及氯化鉑酸鹽；醇改性氯化鉑酸(美國專利第3,220,972號說明書)；氯化鉑酸與烯烴的錯合物(美國專利第3,159,601號說明書、美國專利第3,159,662號說明書、美國專利第3,775,452號說明書)；將鉑黑或鈀等鉑族金屬載持於氧化鋁、二氧化矽、碳等載體者；銠-烯烴錯合物；氯參(三苯基次膦)銠(所謂威 爾金森觸媒)；氯化鉑、氯化鉑酸或氯化鉑酸鹽與含有乙烯基的矽氧烷(特別為含有乙烯基的環狀矽氧烷)之錯合物等。
該使用量為觸媒量，通常作為鉑族金屬對於反應聚合物的總量以0.001~0.1質量%為佳。
對於上述聚合反應，視必要可使用溶劑。作為溶劑，例如以甲苯、二甲苯等烴系溶劑為佳。所使用的溶劑量對於反應聚合物的總量100質量份而言為50~300質量份，較佳為100~200質量份。
作為上述聚合條件，由觸媒不會失活，且在短時間內可完成聚合的觀點來看，聚合溫度例如為40~150℃，特佳為60~120℃。
聚合時間依據聚合物的種類及量，但於聚合系中欲防止濕氣的介入，以約0.5~100小時，特別為0.5~30小時結束者為佳。將如此聚合反應終了後，使用溶劑時可將此經餾去，而得到本發明之式(1)所示含有聚矽氧骨架的高分子化合物。
若含有聚矽氧骨架的高分子化合物的重量平均分子量降低時，上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物的黏度會降低。因此，使用上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物的化學增幅型負型抗蝕材料被使用而形成的樹脂層之黏性率亦會降低。又，對於含有聚矽氧骨架的高分子化合物之分子內，含有直鏈狀聚矽氧烷之分子單位的比例〔一般式(1)的b及d及f〕若增加時，含有相對之矽伸苯基 等芳香族化合物的分子單位之比例〔一般式(1)的a及c及e〕會減少，上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物之黏度會降低。因此，使用上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物的化學增幅型負型抗蝕材料被使用而形成之樹脂層的黏性率亦會降低。且，對於含有聚矽氧骨架的高分子化合物之分子內，直鏈狀聚矽氧烷的分子鏈長若增加時，即一般式(1)的m值若增加時，上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物之黏度會降低。因此，使用上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物的化學增幅型負型抗蝕材料被使用所形成的樹脂層之黏性率亦會降低。
以下有關上述式(6)所示之具有醇性羥基之雙(3-烯丙基-4-羥基苯基)衍生物之合成的適當方法做說明。
作為其中一合成方法，上述式(6)的化合物係可將下述式(12-1)所示之具有酮且具有醇性羥基之化合物作為出發原料使用。
(式中，R、T與上述相同)
首先，具有上述式(12-1)所示酮且具有醇性羥基之化合物在酸性條件下，藉由與2當量程度之酚進行縮合後，可得到下述式(12-2)所示之具有醇性羥基之雙酚衍生物。
其次，於具有該醇性羥基的雙酚衍生物(12-2)將2當量鹵素化烯丙基在非質子性極性溶劑中使用碳酸鉀等在鹼性條件下進行反應，可得到將酚的羥基之氫原子由烯丙基所取代的化合物之下述式(12-3)。
將上述式(12-3)所示酚的羥基之氫原子取代為烯丙基之化合物溶解於如二甲基苯胺之高沸點溶劑，在180℃附近藉由高溫加熱而產生克萊森轉移反應，進而可得到烯丙基轉移至酚的第3位的目的之上述式(6)所示之具有醇性羥基之雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物。
另一方面，作為上述式(6)所示化合物之合成方法的另一較佳合成方法，可將下述式(12-4)所示之具有酮且具有羧酸之化合物作為出發原料使用。
(式中，R與上述相同。T’表示比上述T的碳數少1 個之伸烷基)
上述式(12-4)所示之具有酮且具有羧酸之化合物在與上述相同酸性條件下，藉由與2當量酚進行縮合後可得到下述式(12-5)所示之具有羧酸之雙酚衍生物。
且，於上述式(12-5)所示化合物將3當量鹵素化烯丙基使用與得到上述烯丙基醚之相同條件下進行反應，可得到下述式(12-6)所示化合物。此時，2當量鹵素化烯丙基會使酚的羥基之氫原子由烯丙基取代，同時殘留的1當量鹵素化烯丙基會使羧酸之氫原子亦由烯丙基所取代成為羧酸烯丙基酯而得到下述式(12-6)所示化合物。
且，將上述式(12-6)所示化合物溶解於如四氫呋喃或甲苯之非質子性溶劑，將1當量以上，較佳為1~1.5當量之Red-Al等溶液在0~30℃，較佳為在0~15 ℃的溫度下添加並攪拌，可容易進行羧酸部位之還原反應，而可得到與上述式(12-3)同樣的下述式(12-7)所示化合物。
繼續上述式(12-7)所示化合物藉由與上述相同之克萊森轉移反應，可得到與於烯丙基轉移至酚的第3位的目的之上述式(6)所示之具有醇性羥基之雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物相同的下述式(12-8)所示衍生物。
對於得到該一連串的目的之上述式(6)所示之具有醇性羥基的雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物之方法，作為上述式(12-5)所示之具有羧酸之雙酚衍生物使用二酚酸(下述式(12-9))為佳。即，二酚酸因在工業上可便宜且容易獲得故可作為較佳出發原料而舉出。
使用較佳原料的二酚酸時，所得之具有醇性羥基之雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物為下述式(7)所示化合物，對於使用於上述「矽氫加成」聚合反應而言為最佳。
如上述，本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物為藉由將上述式(6)所示之具有醇性羥基之雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物與上述式(8)及(9)之有機聚矽氧烷進行矽氫加成反應而容易獲得。如此所得之具有上述式(1)所示結構的含有聚矽氧骨架的高分子化合物可作為化學增幅型負型抗蝕材料之基礎樹脂使用，可改善如Cu或Al之金屬配線、電極、基板上，特別如SiN之基板上的剝落問題。作為可改善剝落之要因，被認為於含有聚矽氧骨架的高分子化合物中導入的上述式(4)所示結構部位可提高基板之相互作用。使用不具有上述式(4)所示結構部位之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的 化學增幅型負型抗蝕材料被使用而形成的圖型對於基板的密著性顯著缺乏。
另一方面，於含有聚矽氧骨架的高分子化合物導入上述式(4)所示結構部位之結果，有提高對於使用於化學增幅型負型抗蝕材料的顯像液之有機溶劑之溶解性的效果。對於負型抗蝕材料，可望對未曝光部之顯像液的溶解性為高。即，每次解像微細圖型時，未曝光部對於顯像液之溶解性較低情況下，於圖型底部觀察到溶解殘渣，或於圖型與基板之間觀察到底脚，但使用本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的化學增幅型負型抗蝕材料被使用而形成的圖型中，圖型底部的溶解殘渣、底脚之出現會因提高未曝光部對顯像液之有機溶劑的溶解性而得到解決。
又，另一方面，對於藉由使用本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的化學增幅型負型抗蝕材料之圖型形成，可提高曝光部之交聯反應。藉由曝光部之交聯反應的提高，曝光部對於顯像液之有機溶劑的溶解性會降低。如前述所示，該材料可提高未曝光部對顯像液之溶解性，而可使曝光部對於顯像液的溶解性極度降低，故曝光部與未曝光部的溶解速度差會變大，可增大對化學增幅型負型抗蝕材料之較佳溶解對比，可期待進一步微細圖型之形成。
本發明為提供使用上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物的含有下述(A)~(D)成分之化學增幅型 負型抗蝕材料。
(A)上述重量平均分子量為3,000~500,000的含有聚矽氧骨架的高分子化合物、(B)藉由波長190~500nm的光進行分解而產生酸的光酸產生劑、(C)選自以下化合物的1種或2種以上的交聯劑，藉由甲醛或甲醛-醇進行改性之胺基縮合物、於1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基的酚化合物、及多價酚的羥基之氫原子的至少1個由縮水甘油基所取代之化合物、及具有多價酚的羥基之氫原子的至少1個由下述式(C-1)所示取代基所取代的結構之化合物、及含有2個以上具有下述式(C-2)、式(C-3)所示中任一縮水甘油基的具有氮原子之結構的化合物，
(式中，點線表示鍵結，Rc表示碳數1~6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，s表示1或2)
(D)溶劑。
(B)作為光酸產生劑，藉由波長190~500nm的光照射產生酸，可使用可成為硬化觸媒者。本發明之抗蝕材料為與光酸產生劑之相溶性優良，故可使用種 種類型的光酸產生劑。作為上述光酸產生劑，例如可舉出鎓鹽、二偶氮甲烷衍生物、乙二肟衍生物、β-酮碸衍生物、二碸衍生物、硝基苯甲基磺酸鹽衍生物、磺酸酯衍生物、醯亞胺-基-磺酸鹽衍生物、肟磺酸鹽衍生物、亞胺磺酸鹽衍生物、三嗪衍生物等
作為上述鎓鹽，例如可舉出下述一般式(13)所示化合物。
(R12)jM+K- (13)
(式中，R12表示各可具有取代基之碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳數6~12的芳基或碳數7~12的芳烷基，M+表示碘鎓或硫鎓，K-表示非親核抗衡離子，j表示2或3)
對於上述R12，作為烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、環己基、2-氧代環己基、降冰片基、金剛烷基等。作為芳基，例如可舉出苯基；o-、m-或p-甲氧基苯基、乙氧基苯基、m-或p-tert-丁氧基苯基等的烷氧基苯基；2-、3-或4-甲基苯基、乙基苯基、4-tert-丁基苯基、4-丁基苯基、二甲基苯基等的烷基苯基等。作為芳烷基，例如可舉出苯甲基、苯乙基等各基。
作為K-的非親核抗衡離子，可舉出氯化物離子、溴化物離子等鹵化物離子；三氟甲磺酸酯、1,1,1-三氟乙烷磺酸鹽、九氟丁烷磺酸鹽等氟烷基磺酸鹽；甲苯磺酸酯、苯磺酸鹽、4-氟苯磺酸鹽、1,2,3,4,5-五氟苯磺酸鹽等芳基磺酸鹽；甲磺酸酯、丁烷磺酸鹽等的烷基磺酸鹽 等。
作為二偶氮甲烷衍生物，可舉出下述一般式(14)所示化合物。
(式中，R13可為相同或相異表示碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或者環狀的烷基或者鹵素化烷基、碳數6~12的芳基、烷氧基化芳基、烷基化芳基或者鹵素化芳基、或碳數7~12的芳烷基)
對於上述R13，作為烷基，例如可舉出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、環戊基、環己基、降冰片基、金剛烷基等。作為鹵素化烷基，例如可舉出三氟甲基、1,1,1-三氟乙基、1,1,1-三氯乙基、九氟丁基等。作為芳基，例如可舉出苯基；o-、m-或p-甲氧基苯基、乙氧基苯基、m-或p-tert-丁氧基苯基等的烷氧基苯基；2-、3-或4-甲基苯基、乙基苯基、4-tert-丁基苯基、4-丁基苯基、二甲基苯基等的烷基苯基等。作為鹵素化芳基，例如可舉出氟苯基、氯苯基、1,2,3,4,5-五氟苯基等。作為芳烷基，例如可舉出苯甲基、苯乙基等。
具體而言，作為光酸產生劑，例如可舉出三氟甲磺酸二苯基碘鎓、三氟甲磺酸(p-tert-丁氧基苯基)苯基碘鎓、p-甲苯磺酸二苯基碘鎓、p-甲苯磺酸(p-tert-丁氧基苯基)苯基碘鎓、三氟甲磺酸三苯基硫鎓、三氟甲磺酸(p-tert-丁氧基苯基)二苯基硫鎓、三氟甲磺酸雙 (p-tert-丁氧基苯基)苯基硫鎓、三氟甲磺酸參(p-tert-丁氧基苯基)硫鎓、p-甲苯磺酸三苯基硫鎓、p-甲苯磺酸(p-tert-丁氧基苯基)二苯基硫鎓、p-甲苯磺酸雙(p-tert-丁氧基苯基)苯基硫鎓、p-甲苯磺酸參(p-tert-丁氧基苯基)硫鎓、九氟丁烷磺酸三苯基硫鎓、丁烷磺酸三苯基硫鎓、三氟甲磺酸三甲基硫鎓、p-甲苯磺酸三甲基硫鎓、三氟甲磺酸環己基甲基(2-氧代環己基)硫鎓、p-甲苯磺酸環己基甲基(2-氧代環己基)硫鎓、三氟甲磺酸二甲基苯基硫鎓、p-甲苯磺酸二甲基苯基硫鎓、三氟甲磺酸二環己基苯基硫鎓、p-甲苯磺酸二環己基苯基硫鎓、二苯基(4-硫苯氧基苯基)硫鎓六氟銻酸鹽等鎓鹽；雙(苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(p-甲苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(二甲苯磺醯基)二偶氮甲烷、雙(環己基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(環戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(n-丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(sec-丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(n-丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(tert-丁基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(n-戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(異戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(sec-戊基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(tert-戊基磺醯基)二偶氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(tert-丁基磺醯基)二偶氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(tert-戊基磺醯基)二偶氮甲烷、1-tert-戊基磺醯基-1-(tert-丁基磺醯基)二偶氮甲烷等二偶氮甲烷衍生物；雙-o-(p-甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o- (p-甲苯磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-o-(p-甲苯磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-o-(p-甲苯磺醯基)-2,3-戊烷二酮乙二肟、雙-(p-甲苯磺醯基)-2-甲基-3,4-戊烷二酮乙二肟、雙-o-(n-丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(n-丁烷磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-o-(n-丁烷磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-o-(n-丁烷磺醯基)-2,3-戊烷二酮乙二肟、雙-o-(n-丁烷磺醯基)-2-甲基-3,4-戊烷二酮乙二肟、雙-o-(甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(三氟甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(1,1,1-三氟乙烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(tert-丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(全氟辛烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(環己烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(p-氟苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(p-tert-丁基苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(二甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(樟腦磺醯基)-α-二甲基乙二肟等乙二肟衍生物；α-(苯硫鎓氧基亞胺)-4-甲基苯基乙腈等肟磺酸鹽衍生物；2-環己基羰基-2-(p-甲苯磺醯基)丙烷、2-異丙基羰基-2-(p-甲苯磺醯基)丙烷等β-酮碸衍生物；二苯基二碸、二環己基二碸等二碸衍生物；p-甲苯磺酸2,6-二硝基苯甲基、p-甲苯磺酸2,4-二硝基苯甲基等硝基苯甲基磺酸鹽衍生物；1,2,3-參(甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(p-甲苯磺醯氧基)苯等磺酸酯衍生物；鄰苯二甲醯亞胺-基-三氟甲磺酸酯、鄰苯 二甲醯亞胺-基-甲苯磺酸酯、5-降冰片烯2,3-二羧基醯亞胺-基-三氟甲磺酸酯、5-降冰片烯2,3-二羧基醯亞胺-基-甲苯磺酸酯、5-降冰片烯2,3-二羧基醯亞胺-基-n-丁基磺酸鹽、n-三氟甲基磺醯氧基萘醯亞胺等醯亞胺-基-磺酸鹽衍生物；(5-(4-甲基苯基)磺醯氧基亞胺-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)乙腈、(5-(4-(4-甲基苯基磺醯氧基)苯基磺醯氧基亞胺)-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)-乙腈等亞胺磺酸鹽、2-甲基-2〔(4-甲基苯基)磺醯基〕-1-〔(4-甲基硫基)苯基〕-1-丙烷等。這些之中亦以使用醯亞胺-基-磺酸鹽類、亞胺磺酸鹽類、肟磺酸鹽類等為佳。
上述光酸產生劑可使用1種或2種以上。
上述光酸產生劑之配合量由光酸產生劑本身在光吸收及厚膜之光硬化性的觀點來看，對於含有聚矽氧骨架的高分子化合物100質量份而言為0.05~20質量份，特佳為0.2~5質量份。
其次，對於選自1種或2種以上的以下交聯劑做說明，該等交聯劑為(C)成分之藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的胺基縮合物、於1分子中平均具有2個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物、及多價酚的羥基之氫原子的至少1個由縮水甘油基所取代之化合物、及具有多價酚的羥基之氫原子的至少1個由下述式(C-1)所示取代基所取代的結構之化合物、及具有2個以上以下結構的化合物，該結構為具有下述式(C-2)、式(C-3)所示中 任一縮水甘油基的具有氮原子者。
(式中，點線表示鍵結，Rc表示碳數1~6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，s表示1或2)
作為藉由上述甲醛或甲醛-醇進行改性之胺基縮合物，例如可舉出藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的三聚氰胺縮合物、或藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的尿素縮合物。
上述藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的三聚氰胺縮合物之調製，例如如首先依據公知方法，將三聚氰胺單體以甲醛經羥甲基化而進行改性、或將此進一步以醇經烷氧基化而進行改性，成為下述一般式(15)所示改性三聚氰胺。且作為上述醇為低級醇，例如以碳數1~4的醇為佳。
(式中，R11可為相同或相異表示羥甲基、含有碳數1~4的烷氧基的烷氧基甲基或氫原子，至少1個為羥甲基或上述烷氧基甲基)
作為上述R11，例如可舉出羥甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基等的烷氧基甲基及氫原子等。
作為上述一般式(15)的改性三聚氰胺，具體可舉出三甲氧基甲基單羥甲基三聚氰胺、二甲氧基甲基單羥甲基三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺、六甲氧基羥甲基三聚氰胺等。
其次，將一般式(15)的改性三聚氰胺或該多聚物(例如二聚物、三聚物等寡聚物體)依據常法，與甲醛加成縮合聚合至所望分子量，得到藉由甲醛或甲醛-醇進行改性之三聚氰胺縮合物。
又，上述藉由甲醛或甲醛-醇進行改性的尿素縮合物之調製，例如依據公知方法，將所望分子量之尿素縮合物以甲醛進行羥甲基化並改性，或將此進一步以醇進行烷氧基化並改性。
作為藉由上述甲醛或甲醛-醇進行改性之尿素縮合物的具體例子，例如可舉出甲氧基甲基化尿素縮合物、乙氧基甲基化尿素縮合物、丙氧基甲基化尿素縮合物等。
且，這些改性三聚氰胺縮合物及改性尿素縮合物之1種或2種以上可經混合後使用。
其次，作為於1分子中平均具有2個以上的羥甲基或烷氧基羥甲基之酚化合物，例如可舉出(2-羥基 -5-甲基)-1,3-苯二甲醇、2,2’,6,6’-四甲氧基甲基雙酚A、下述式(C-4)~(C-8)所示化合物等。
(式中，Me表示甲基)
(式中，Me表示甲基)
且，上述交聯劑可組合1種或2種以上後使用。
另一方面，作為將多價酚的羥基之氫原子取代為縮水甘油基的化合物，可舉出將雙酚A、參(4-羥基苯基)甲烷、1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷之羥基在鹼存在下與環氧氯丙烷進行反應而得之化合物。作為將多價酚之羥基的氫原子由縮水甘油基所取代之化合物的較佳例子，可舉出下述式(C-9)~(C-15)所示化合物等。
可將這些多價酚的羥基取代為環氧丙氧基之化合物的1種或2種作為交聯劑使用。
作為含有2個以上下述式(C-1)或(C-2)或者(C-3)所示基之化合物，較佳為2~10個，更佳為具有2~5個有機基之化合物。
作為式(C-1)，可舉出下述式(C-16)。
(式中，點線表示鍵結)
另一方面，含有2個以上具有式(C-2)、(C-3)所示縮水甘油基的具有氮原子之結構的化合物可由下述式(C-17)表示。
(式中，點線表示鍵結，Rc表示碳數1~6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，s表示1或2)
式(C-17)中，M表示2價的碳數2~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基、芳香族基，可例示出下述式(C-18)~(C-21)所示化合物等。
又另一方面，作為含有2個以上具有式(C-2)、(C-3)所示縮水甘油基之氮原子的化合物，可適用下述式(C-22)所示化合物。
含有2個以上具有這些縮水甘油基之氮原子的化合物之1種或2種可作為交聯劑使用。
作為上述交聯劑為與上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物引起硬化反應，可使圖型的形成容易完成的成分，且可進一步提高硬化物的強度之成分。如此交聯劑的重量平均分子量由光硬化性及耐熱性的觀點來看為150~10,000，特佳為200~3,000者。
上述交聯劑之配合量由作為經光硬化性及後硬化的電氣．電子零件保護用皮膜之信頼性的觀點來看，對於上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物100質量份而言為0.5~50質量份，特佳為1~30質量份。
作為(D)溶劑，可使用可溶解上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物、交聯劑及光酸產生劑者。
例如可舉出環己酮、環戊酮、甲基-2-n-戊基酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等的醇類；丙二醇單甲基醚、乙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲基醚等醚類；丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙基、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲基、3-乙氧基丙酸乙基、乙酸tert-丁基、丙酸tert-丁基、丙二醇-單-tert-丁基醚乙酸酯、γ-丁內酯等酯類等，可使用這些的1種或2種以上。特別為光酸產生劑之溶解性最為優良的乳酸乙酯、環己酮、環戊酮、丙二醇單甲基醚乙酸酯、γ-丁內酯或彼等混 合溶劑為佳。
上述溶劑之配合量由抗蝕材料之相溶性、黏度及塗佈性之觀點來看，對於上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物、交聯劑及光酸產生劑之配合量的合計100質量份而言為50~2,000質量份，特佳為100~1,000質量份。
且，本發明中視必要可添加鹼性化合物作為(E)成分。作為上述鹼性化合物，可抑制藉由光酸產生劑所產生的酸擴散於抗蝕皮膜時的擴散速度之化合物為佳。而藉由添加上述鹼性化合物，可提高解像度，抑制曝光後的感度變化，基板或環境依賴性較少而可改善曝光寬容度或圖型形狀等。
作為上述鹼性化合物，可舉出第一級、第二級、第三級脂肪族胺類、混成胺類、芳香族胺類、雜環胺類、具有羧基之含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具有羥基之含氮化合物、具有羥基苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物、醯胺衍生物、醯亞胺衍生物，以及下述一般式(18)所示化合物等。
N(α)q(β)3-q (18)
式中，q=1、2或3。側鏈α可為相同或相異表示下述一般式(19)~(21)所示中任一取代基。側鏈β可為相同或相異表示氫原子、或直鏈狀、支鏈狀或者環狀的碳數1~20的烷基，亦可含有醚鍵結或者羥基。又，側鏈α彼此鍵結可形成環。
其中，R300、R302、R305為碳數1~4的直鏈狀或支鏈狀的伸烷基，R301、R304為氫原子或碳數1~20的直鏈狀、支鏈狀或者環狀的烷基，可含有1或複數個羥基、醚鍵結、酯鍵結、內酯環。R303為單鍵或碳數1~4的直鏈狀或者支鏈狀的伸烷基，R306為碳數1~20的直鏈狀、支鏈狀或者環狀的烷基，可含有1個或複數個羥基、醚鍵結、酯鍵結、內酯環。且，*表示鍵結末端。
具體而言作為第一級脂肪族胺類，可例示出氨、甲基胺、乙基胺、n-丙基胺、異丙基胺、n-丁基胺、異丁基胺、sec-丁基胺、tert-丁基胺、戊基胺、tert-戊基胺、環戊基胺、己基胺、環己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、癸基胺、十二烷基胺、十六烷基胺、伸甲基二胺、乙二胺、四伸乙基五胺等。
作為第二級脂肪族胺類，可例示出二甲基胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、二異丙基胺、二-n-丁基胺、二異丁基胺、二-sec-丁基胺、二戊基胺、二環戊基 胺、二己基胺、二環己基胺、二庚基胺、二辛基胺、二壬基胺、二癸基胺、二十二烷基胺、二十六烷基胺、N,N-二甲基伸甲基二胺、N,N-二甲基乙二胺、N,N-二甲基四伸乙基五胺等。
作為第三級脂肪族胺類，可例示出三甲基胺、三乙基胺、三-n-丙基胺、三異丙基胺、三-n-丁基胺、三異丁基胺、三-sec-丁基胺、三戊基胺、三環戊基胺、三己基胺、三環己基胺、三庚基胺、三辛基胺、三壬基胺、十三烷基胺、三十二烷基胺、三十六烷基胺、N,N,N’,N’-四甲基伸甲基二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基四伸乙基五胺等。
作為混成胺類，例如可例示二甲基乙基胺、甲基乙基丙基胺、苯甲基胺、苯乙基胺、苯甲基二甲基胺等。
作為芳香族胺類及雜環胺類，可例示出苯胺衍生物(例如，苯胺、N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、N-丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、乙基苯胺、丙基苯胺、三甲基苯胺、2-硝基苯胺、3-硝基苯胺、4-硝基苯胺、2,4-二硝基苯胺、2,6-二硝基苯胺、3,5-二硝基苯胺、N,N-二甲基甲苯胺等)、二苯基(p-甲苯基)胺、甲基二苯基胺、三苯基胺、伸苯基二胺、萘胺、二胺基萘、吡咯衍生物(例如，吡咯、2H-吡咯、1-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2,5-二甲基吡咯、N-甲基吡咯等)、噁唑衍生物(例如，噁唑、異噁唑等)、 噻唑衍生物(例如，噻唑、異噻唑等)、咪唑衍生物(例如，咪唑、4-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑等)、吡唑衍生物、呋咱衍生物、吡咯啉衍生物(例如，吡咯啉、2-甲基-1-吡咯啉等)、吡咯烷衍生物(例如，吡咯烷、N-甲基吡咯烷、吡咯烷酮、N-甲基吡咯啶酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑烷衍生物、吡啶衍生物(例如，吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、丁基吡啶、4-(1-丁基戊基)吡啶、二甲基吡啶、三甲基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3-甲基-2-苯基吡啶、4-tert-丁基吡啶、二苯基吡啶、苯甲基吡啶、甲氧基吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1-甲基-2-吡啶、4-吡咯並吡啶、1-甲基-4-苯基吡啶、2-(1-乙基丙基)吡啶、胺基吡啶、二甲基胺基吡啶等)、噠嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑烷衍生物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生物、吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1H-吲唑衍生物、吲哚啉衍生物、喹啉衍生物(例如，喹啉、3-喹啉甲腈等)、異喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、喹喔啉衍生物、酞嗪衍生物、嘌呤衍生物、蝶啶衍生物、咔唑衍生物、菲啶衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、1,10-菲咯啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物、鳥嘌呤核苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿苷衍生物等。
作為具有羧基的含氮化合物，例如可例示出胺基安息香酸、吲哚羧酸、胺基酸衍生物(例如，菸鹼酸、丙胺酸、精胺酸、天冬胺酸、谷胺酸、甘胺酸、組胺 酸、異亮胺酸、甘胺醯基亮胺酸、亮胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、蘇胺酸、賴胺酸、3-胺基吡嗪-2-羧酸、甲氧基丙胺酸等)等。
作為具有磺醯基的含氮化合物，可例示出3-吡啶磺酸、p-甲苯磺酸吡啶鎓等。
作為具有羥基的含氮化合物、具有羥基苯基的含氮化合物、醇性含氮化合物，可例示出2-羥基吡啶、胺基甲酚、2,4-喹啉二醇、3-吲哚甲醇水合物、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、三異丙醇胺、2,2’-亞胺二乙醇、2-胺基乙醇、3-胺基-1-丙醇、4-胺基-1-丁醇、4-(2-羥基乙基)嗎啉、2-(2-羥基乙基)吡啶、1-(2-羥基乙基)哌嗪、1-〔2-(2-羥基乙氧基)乙基〕哌嗪、哌啶乙醇、1-(2-羥基乙基)吡咯烷、1-(2-羥基乙基)-2-吡咯烷酮、3-哌啶並-1,2-丙烷二醇、3-吡咯並-1,2-丙烷二醇、8-羥基久洛尼定、3-喹寧環醇、3-丙醇、1-甲基-2-吡咯烷乙醇、1-氮雜環丙烷乙醇、N-(2-羥基乙基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(2-羥基乙基)異菸鹼醯胺等。
作為醯胺衍生物，可例示出甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、丙醯胺、苯甲醯胺等。
作為醯亞胺衍生物，可例示出鄰苯二甲醯亞胺、琥珀醯亞胺、馬來醯亞胺等。
作為上述一般式(18)所示化合物，可例示 出參〔2-(甲氧基甲氧基)乙基〕胺、參〔2-(2-甲氧基乙氧基)乙基〕胺、參〔2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基〕胺、參〔2-(1-甲氧基乙氧基)乙基〕胺、參〔2-(1-乙氧基乙氧基)乙基〕胺、參〔2-(1-乙氧基丙氧基)乙基〕胺、參〔2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基〕胺、4,7,13,16,21,24-六氧雜-1,10-二氮雜雙環〔8.8.8〕二十六烷、4,7,13,18-四氧雜-1,10-二氮雜雙環〔8.5.5〕二十一烷、1,4,10,13-四氧雜-7,16-二氮雜雙環十八烷、1-氮雜-12-冠-4、1-氮雜-15-冠-5、1-氮雜-18-冠-6、參(2-甲醯氧基乙基)胺、參(2-乙醯氧基乙基)胺、參(2-丙醯基氧基乙基)胺、參(2-丁醯基氧基乙基)胺、參(2-異丁醯基氧基乙基)胺、參(2-香草基氧基乙基)胺、參(2-戊醯氧基乙基)胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(乙醯氧基乙醯氧基)乙基胺、參(2-甲氧基羰基氧基乙基)胺、參(2-tert-丁氧基羰基氧基乙基)胺、參〔2-(2-氧代丙氧基)乙基〕胺、參〔2-(甲氧基羰基甲基)氧基乙基〕胺、參〔2-(tert-丁氧基羰基甲基氧基)乙基〕胺、參〔2-(環己基氧羰基甲基氧基)乙基〕胺、參(2-甲氧基羰基乙基)胺、參(2-乙氧基羰基乙基)胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(甲氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(甲氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N- 雙(2-乙醯氧基乙基)2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(2-羥基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(2-乙醯氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-〔(甲氧基羰基)甲氧基羰基〕乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-〔(甲氧基羰基)甲氧基羰基〕乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(2-氧代丙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(2-氧代丙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(四氫糠基氧羰基)乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(四氫糠基氧羰基)乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-〔(2-氧代四氫呋喃-3-基)氧羰基〕乙基胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-〔(2-氧代四氫呋喃-3-基)氧羰基〕乙基胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(4-羥基丁氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-甲醯氧基乙基)2-(4-甲醯氧基丁氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-甲醯氧基乙基)2-(2-甲醯氧基乙氧基羰基)乙基胺、N,N-雙(2-甲氧基乙基)2-(甲氧基羰基)乙基胺、N-(2-羥基乙基)雙〔2-(甲氧基羰基)乙基〕胺、N-(2-乙醯氧基乙基)雙〔2-(甲氧基羰基)乙基〕胺、N-(2-羥基乙基)雙〔2-(乙氧基羰基)乙基〕胺、N-(2-乙醯氧基乙基)雙〔2-(乙氧基羰基)乙基〕胺、N-(3-羥基-1-丙基)雙〔2-(甲氧基羰基)乙基〕胺、N-(3-乙醯氧基-1-丙基)雙〔2-(甲氧基羰基)乙基〕胺、N-(2-甲氧基乙基)雙〔2-(甲氧基羰基)乙基〕胺、N-丁基雙〔2-(甲氧基羰基)乙基〕 胺、N-丁基雙〔2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙基〕胺、N-甲基雙(2-乙醯氧基乙基)胺、N-乙基雙(2-乙醯氧基乙基)胺、N-甲基雙(2-戊醯氧基乙基)胺、N-乙基雙〔2-(甲氧基羰基氧基)乙基〕胺、N-乙基雙〔2-(tert-丁氧基羰基氧基)乙基〕胺、參(甲氧基羰基甲基)胺、參(乙氧基羰基甲基)胺、N-丁基雙(甲氧基羰基甲基)胺、N-己基雙(甲氧基羰基甲基)胺、β-(二乙基胺基)-δ-戊內酯，但並未限定於此等。
上述鹼性化合物可使用1種或2種以上。
上述鹼性化合物的配合量由感度之觀點來看，對於上述含有聚矽氧骨架的高分子化合物100質量份而言為0~3質量份，特佳為0.01~1質量份。
其他於化學增幅型負型抗蝕材料中，可添加上述(A)~(E)成分以外，亦可進一步添加添加成分。作為上述添加成分，例如可舉出使用於提高塗佈性所慣用的界面活性劑及使用於提高光酸產生劑等光吸收效率所慣用的吸光劑。
作為上述界面活性劑，以非離子性者為佳，例如可舉出氟系界面活性劑、具體為全氟烷基聚氧乙烯乙醇、氟化烷基酯、全氟烷基胺氧化物、含氟有機矽氧烷系化合物等。
這些可使用市售者，例如可舉出FLUORAD「FC-4430」(住友3M(股)製)、Surflon「S-141」及「S-145」(以上為旭硝子(股)製)、UNIDYNE「DS- 401」、「DS-4031」及「DS-451」(以上為大金工業(股)製)、Megafac「F-8151」(DIC(股)製)、「X-70-093」(信越化學工業(股)製)等。彼等中較佳者為FLUORAD「FC-4430」(住友3M(股)製)及「X-70-093」(信越化學工業(股)製)。
作為上述吸光劑，例如可舉出二芳基亞碸、二芳基碸、9,10-二甲基蒽、9-芴酮等。
對於本發明之化學增幅型負型抗蝕材料，該調製係以通常方法進行。將上述各成分進行攪拌混合後，藉由濾器等過濾，可調製出上述化學增幅型負型抗蝕材料。製造後述乾薄膜時，亦可使用該抗蝕材料以同樣方式調製。
使用本發明之負型抗蝕材料而形成圖型時，可採用公知光刻技術而進行，例如於形成矽晶圓或者SiO2基板、SiN基板、或者銅配線等之圖型的基板以旋轉塗布方法進行塗佈，在80~130℃、50~600秒程度之條件下進行預烘烤，形成厚度1~50μm，較佳為1~30μm，更佳為5~20μm的抗蝕膜。其次，將形成目的圖型的光罩蓋於上述抗蝕膜上，將i線、g線等波長190~500nm之高能量線以曝光量1~5,000mJ/cm2程度，較佳為100~2,000mJ/cm2程度下進行照射。其次視必要可在加熱板上以60~150℃，進行1~10分鐘，較佳為在80~120℃，進行1~5分鐘曝光後烘烤(PEB)。藉由如此曝光，曝光部分經交聯於顯像液的下述溶劑形成不溶之不溶化圖 型。
其後，以顯像液進行顯影。上述顯像液可使用調製本發明之化學增幅型負型抗蝕材料時所使用的上述溶劑。例如，以異丙醇(IPA)等的醇類或環己酮等酮類為佳，更佳為丙二醇單甲基醚等甘醇等。顯影可藉由通常方法，例如將形成圖型的基板浸漬於上述顯像液等方法而進行。其後視必要進行洗淨、沖洗、乾燥等，得到具有所望圖型之抗蝕皮膜。且，無須形成圖型時，例如僅形成均勻皮膜時，不使用上述光罩以外，可進行與上述圖型形成方法所述內容之相同方法。
又，將所得之圖型使用烤箱或加熱板，在溫度100~250℃，較佳為150~220℃，更佳為170~190℃將抗蝕皮膜進行後硬化。後硬化溫度僅為100~250℃，即可提高抗蝕皮膜之交聯密度，由除去殘存之揮發成分，對於基板之密著力、耐熱性或強度，以及電氣特性的觀點來看為佳。而後硬化時間可設定為10分鐘~10小時。
如此所得之硬化皮膜為具有優良的可撓性、與基板之密著性、耐熱性、電氣特性、機械強度及對助焊劑之藥品耐性，將此作為保護用皮膜的半導體元件之信頼性亦優良，特別可防止溫度循環試驗時的裂紋產生，可作為電氣．電子零件、半導體元件等保護用皮膜使用。
本發明進一步可使用上述抗蝕材料而形成光硬化性乾薄膜。
首先對於本發明之光硬化性乾薄膜所具有的 結構做說明。上述光硬化性乾薄膜具有光硬化性樹脂層夾持於支持薄膜及保護薄膜的結構。而作為上述光硬化性樹脂層，可使用對電氣．電子零件保護用皮膜之形成有效的上述抗蝕材料，所得之乾薄膜在廣寬度的膜厚及波長區域中，可形成微細圖型，藉由低溫之後硬化的可撓性、耐熱性、電氣特性、密著性、信頼性及藥品耐性為優良。
於本發明中，使用上述抗蝕材料所得之光硬化性乾薄膜的光硬化性樹脂層為固體，因光硬化性樹脂層未含溶劑，故無因揮發所產生的氣泡殘留於上述光硬化性樹脂層的內部及具有凹凸的基板之間。雖半導體元件的小型化．薄型化．多層化正進行著，適用於本發明的範圍之層間絕緣層有變薄之傾向，但若考慮到在具有凹凸之基板上的平坦性與段差包覆性時，存在適當的膜厚範圍。因此，上述光硬化性樹脂層之膜厚由該平坦性及段差包覆性的觀點來看為10~100μm，較佳為10~70μm，特佳為10~50μm。
又，上述光硬化性樹脂層的黏性率與流動性有著密切關係，上述光硬化性樹脂層在適當黏性率範圍中可發揮其適當流動性，可進入狹隘的間隙深處。
因此，將本發明之光硬化性乾薄膜密著於具有凹凸的基板時，光硬化性樹脂層會追隨著上述凹凸而包覆，可達到高平坦性。特別為上述光硬化性樹脂層的主成分為光硬化性聚矽氧組成物時，因低表面張力係其特徵，故可達成高平坦性。且將上述光硬化性樹脂層在真空環境 下使其與上述基板密著時，可更有效果地防止這些間隙之產生。
其次對於有關本發明之光硬化性乾薄膜的製造方法與使用該乾薄膜之圖型形成方法做說明。
對於本發明之光硬化性乾薄膜，於形成光硬化性樹脂層時所使用的化學增幅型負型抗蝕材料的調製為可攪拌混合如上述各成分，其後藉由濾器等進行過濾後調製出光硬化性樹脂層形成材料。
於本發明之光硬化性乾薄膜中所使用的支持薄膜可為層壓單一或複數聚合物薄膜而成的多層薄膜。作為材質，可舉出聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯等合成樹脂薄膜等，具有適度可撓性、機械強度及耐熱性的聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯為佳。又，對於這些薄膜，可進行如電暈處理或剝離劑塗佈的各種處理。這些可使用市售品，例如可舉出SerapiruWZ(RX)、SerapiruBX8(R)(以上為Toray薄膜加工(股)製)、E7302、E7304(以上為東洋紡績(股)製)、普雷克斯G31、普雷克斯G71T1(以上為帝人杜邦薄膜(股)製)、PET38×1-A3、PET38×1-V8、PET38×1-X08(以上為Nippers(股)製)等。
於本發明之光硬化性乾薄膜中所使用的保護薄膜可使用與上述支持薄膜的相同者，以具有適度可撓性的聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯及聚乙烯為佳。這些可使用市售品，可舉出作為聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯所例示 者、作為聚乙烯，例如可舉出GF-8(Tamapoly(股)製)、PE薄膜0型(Nippers(股)製)。
上述支持薄膜及保護薄膜之厚度由光硬化性乾薄膜製造的安定性及對捲芯之捲取習慣，所謂防止彎曲的觀點來看，皆以10~100μm為較佳，特佳為25~50μm。
其次，對於本發明中之光硬化性乾薄膜的製造方法做說明。上述光硬化性乾薄膜的製造裝置可使用製造一般黏著劑製品時的薄膜塗布器。作為上述薄膜塗布器，例如可舉出缺角輪塗佈機、點逆向塗佈機、多功能塗佈機、模具塗佈、唇形塗佈機、唇式逆向塗佈機、直接凹印塗佈機、膠印凹印塗佈機、3根底層逆向塗佈機、4根底層逆向塗佈機等。
將支持薄膜自上述薄膜塗布器的捲出軸捲出，通過上述薄膜塗布器之塗佈機頭部時，於上述支持薄膜上塗布上述抗蝕材料至所定厚度，形成光硬化性樹脂層後，在所定溫度與所定時間通過熱風循環烤箱，與將在上述支持薄膜上進行乾燥的光硬化性樹脂層自上述薄膜塗布器的另外捲出軸捲出的保護薄膜，同時在所定壓力下通過層合輥，與上述支持薄膜上之上述光硬化性樹脂層進行貼合後，於上述薄膜塗布器的捲取軸進行捲取而製造。此時，作為上述溫度以25~150℃為佳，作為上述時間以1~100分鐘為佳，作為上述壓力以0.01~5MPa為佳。
且，對於本發明中之光硬化性乾薄膜的圖型 形成方法做說明。自本發明之光硬化性乾薄膜剝離保護薄膜，將光硬化性樹脂層密著於基板上，經曝光後，進行曝光後加熱處理(曝光後烘烤(以下稱為PEB))，經顯影後視必要進行後硬化形成圖型，得到最終目的之電氣．電子零件保護用皮膜。
首先將光硬化性乾薄膜使用薄膜貼合裝置，密著於基板上。作為上述基板，例如有矽晶圓、TSV用矽晶圓、塑質、陶瓷及各種金屬製迴路基板等，特別可舉出具有開口寬為10~100μm且深度為10~120μm之溝或孔之基板。作為上述薄膜貼合裝置，以真空層合體為佳。將上述光硬化性乾薄膜安裝於上述薄膜貼合裝置，剝離上述光硬化性乾薄膜之保護薄膜所露出的上述光硬化性樹脂層，在所定真空度的真空室內，使用所定壓力之貼合輥，在所定溫度之桌上密著於上述基板。且，作為上述溫度以60~120℃為佳，作為上述壓力以0~5.0MPa為佳，作為上述真空度以50~500Pa為佳。上述密著後使用公知光刻技術可進行圖型之形成。於此欲使上述光硬化性樹脂層的光硬化反應可有效率地進行，或可提高光硬化性樹脂層與基板之密著性，視必要可進行預備加熱(預烘烤)。預烘烤為例如在40~140℃下進行1分鐘~1小時程度。其次，介著支持薄膜，或者將上述支持薄膜在剝離狀態下，介著光罩以波長190~500nm之光進行曝光，使其硬化。上述光罩，例如可為挖空為所望圖型者。且，光罩之材質以可遮蔽上述波長190~500nm之光者為佳，例如可使用 鉻等為佳，但並未限定於此者。作為上述波長190~500nm之光，例如可舉出由放射線發生裝置所產生的種種波長光，例如可舉出g線、i線等紫外線光、遠紫外線光(248nm、193nm)等。而上述波長較佳為248~436nm。曝光量例如以10~3,000mJ/cm2為佳。藉由如此曝光，可使曝光部分交聯而形成不會溶解於顯像液之下述溶劑的不溶化圖型。
欲進一步提高顯影感度，進行曝光後加熱處理(PEB)。上述曝光後之加熱處理，例如在40~140℃可進行0.5~10分鐘。
其後，以顯像液進行顯影。上述顯像液可使用在本發明之光硬化性乾薄膜中使用於形成光硬化性樹脂層的抗蝕材料之溶劑。例如，以異丙醇(IPA)等的醇類或環己酮等酮類為佳，更佳為丙二醇單甲基醚等甘醇等。顯影可藉由通常方法，例如藉由將形成圖型之基板浸漬於上述顯像液等方法而進行。其後視必要進行洗淨、沖洗、乾燥等，得到具有所望圖型之光硬化性樹脂層的皮膜。且若無須形成圖型時，例如僅要形成均勻皮膜時，不使用上述光罩以外，進行與上述圖型形成方法所述內容的相同方法即可。
又，將所得之圖型使用烤箱或加熱板，在溫度100~250℃，較佳為在150~220℃，更佳為在170~190℃進行後硬化。後硬化溫度僅為100~250℃，由可提高光硬化性樹脂層之皮膜的交聯密度，可除去殘存之揮發 成分，對於基板具有密著力、耐熱性或強度以及電氣特性的觀點來看為佳。而後硬化時間可設定為10分鐘~10小時。
如此所得之硬化皮膜亦具有優良的可撓性、與基板之密著性、耐熱性、電氣特性、機械強度及對於助焊劑之藥品耐性，將此作為保護用皮膜的半導體元件之信頼性亦優良，特別可防止在溫度循環試驗時的裂紋產生，可作為電氣．電子零件、半導體元件等保護用皮膜適用。
本發明之乾薄膜可有效地適用於具有如此溝或孔的基板，因此本發明為提供於具有開口寬為10~100μm，且深度10~120μm之溝及/或孔的基板藉由上述光硬化性乾薄膜所形成的光硬化性樹脂之硬化物層經層壓所成的層合體者。
〔實施例〕
以下舉出合成例、實施例及比較例具體說明本發明，但本發明並未受限於下述例子者。且下述例子中的份表示質量份。
I.化學增幅型負型抗蝕材料之調製
以下表示下述合成例中所使用的化合物(M-1)~(M-9)之化學結構式。
〔合成例1〕4,4-雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)戊醇(M-1)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置的5L燒瓶內加入二酚酸458g、碳酸鉀884g、二甲基乙醯胺2,000g，在氮環境下於室溫下進行攪拌後，滴入烯丙基溴化物774g後，在60℃進行58小時攪拌。維持溫度下加入碳酸鉀221g、烯丙基溴化物193g、二甲基乙醯胺500g，再在60℃進行20小時攪拌。冰冷下滴入水2,000g使反應停止後，加入甲苯1,000g、己烷1,000g、水2,000g，分出有機 層。將所得之有機層依序以水2,000g、水500g洗淨4次，以飽和食鹽水500g洗淨後，餾去溶劑，得到4,4-雙(4-烯丙基氧基苯基)戊烷酸烯丙基酯之粗體的686g。
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置之5L燒瓶內，在氮環境下，加入4,4-雙(4-烯丙基氧基苯基)戊烷酸烯丙基酯655g、四氫呋喃1,310g並使其溶解後，冰冷下滴入氫化雙(2-甲氧基乙氧基)鋁鈉(70質量%甲苯溶液)605g。在室溫進行3小時攪拌後，冰冷下滴入10質量%鹽酸水溶液1,526g並使反應停止。於反應液加入乙酸乙酯250g、甲苯750g，分出有機層後，以水500g洗淨3次。餾去所得之有機層的溶劑後，溶解於甲苯1,000g，以4質量%氫氧化鈉水溶液300g洗淨5次，以2質量%鹽酸水溶液330g、水300g洗淨4次。其後將所得之有機層餾去溶劑，得到4,4-雙(4-烯丙基氧基苯基)戊醇之粗體的555g。
其次，於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置的5L燒瓶內，在氮環境下，加入4,4-雙(4-烯丙基氧基苯基)戊醇500g、N,N-二乙基苯胺500g並使其溶解，加熱至180℃後進行18小時攪拌後，冷卻至室溫。冰冷下滴入10質量%鹽酸1,460g，於反應液中加入乙酸乙酯2,400g，分出有機層後，以水2,400g洗淨4次。餾去所得之有機層的溶劑後，溶解於乙酸乙酯500g中，於攪拌中滴入己烷2,000g。其後除去己烷層，將殘餘的油狀物質溶解於乙酸乙酯500g並回收，餾去所得之有機層之溶劑，得到4,4- 雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)戊醇(M-1)之466g，產率93%。且化合物(M-1)藉由1H-NMR(600MHz)(JEOL-600日本電子)進行鑑定。
〔合成例2〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-1)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之3L燒瓶內於甲苯750g溶解化合物(M-1)139.5g後，加入化合物(M-4)208.7g、化合物(M-7)2.4g，加溫至60℃。其後，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，再加溫1小時至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，將化合物(M-8)50.1g經1小時滴入於燒瓶內。此時燒瓶內溫度上升至65~67℃。滴落終了後，再在90℃熟成3小時，再次冷卻至60℃，並進行8天熟成。途中於熟成第2,3,4,7,8天，將碳載持鉑觸媒(5質量%)徐徐投入1.8g。其後於反應液中加入甲基異丁基酮700g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾後除去鉑觸媒。且於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中加入純水300g，並進行攪拌、靜置分液，除去下層水層。將該分液水洗操作重複進行6次，除去含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之溶劑經減壓餾去的同時，添加環戊酮700g後，減壓濃縮至固體成分濃度65~70質量%之環戊 酮溶液，得到以環戊酮為主溶劑的含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-1)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC測定後得到聚苯乙烯換算之重量平均分子量為28,000。又，式(1)中，a=0,b=0,c=0,d=0,e=0.744,f=0.256。W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔合成例3〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-2)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之3L燒瓶內於甲苯750g溶解化合物(M-1)139.5g後，加入化合物(M-5)114.2g、化合物(M-7)2.4g，在60℃進行加溫。其後投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，進一步經1小時加溫至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，將化合物(M-8)50.1g經1小時滴入於燒瓶內。此時的燒瓶內溫度升溫至65~67℃。滴落終了後，進一步在90℃進行3小時熟成，再次冷卻至60℃，進行8天熟成。途中熟成的第2,3,4,7,8天，各別投入1.8g的 碳載持鉑觸媒(5質量%)。此後，於反應液中加入甲基異丁基酮700g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾而除去鉑觸媒。進一步於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中加入純水300g，並進行攪拌、靜置分液後，除去下層水層。將此分液水洗操作重複6次，除去含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之溶劑經減壓餾去之同時，添加環戊酮700g後，減壓濃縮至固體成分濃度至65~70質量%的環戊酮溶液，得到將環戊酮作為主溶劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-2)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，得到聚苯乙烯換算之重量平均分子量為19,000。又，式(1)中，a=0,b=0,c=0,d=0,e=0.744,f=0.256。W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔合成例4〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-3)之合成
將合成例3中之化合物(M-5)取代為化合物(M-6)51.3g，得到以同樣處方所合成的環戊酮作為主溶 劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-3)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為12,000，又式(1)中，a=0,b=0,c=0,d=0,e=0.744,f=0.256。W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔合成例5〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-4)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之3L燒瓶內將化合物(M-2)140g溶解於甲苯750g後，加入化合物(M-1)30.0g、化合物(M-4)208.7g、化合物(M-7)2.4g，在60℃進行加溫。其後，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，進一步經1小時，加溫至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，將化合物(M-8)50.1g經1小時滴入於燒瓶內。此時的燒瓶內溫度上升至65~67℃。滴落終了後，進一步在90℃進行3小時熟成，再次冷卻至60℃，進行8天熟成。途中在熟成第2,3,4,7,8天各投入1.8g的碳載持鉑觸媒(5質量%)。其 後於反應液加入甲基異丁基酮700g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾後除去鉑觸媒。進一步於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中加入純水300g，進行攪拌、靜置分液，除去下層水層。將該分液水洗操作重複6次，除去含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之溶劑經減壓餾去的同時，添加環戊酮700g後，減壓濃縮至固體成分濃度至65~70質量%的環戊酮溶液，得到將環戊酮作為主溶劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-4)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，得到聚苯乙烯換算之重量平均分子量為28,000。又，式(1)中，a=0.584,b=0.201,c=0,d=0,e=0.160,f=0.055。X及W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔合成例6〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-5)之合成
將合成例5中之化合物(M-2)設定為100g，化合物(M-1)設定為30.0g、化合物(M-4)設定為236.8g、化合物(M-7)設定為2.7g，且將化合物(M-8)設定為56.1g下，得到以同樣處方所合成的將環戊酮作為主溶劑的含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-5)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為29,000。又，式(1)中，a=0.385,b=0.133,c=0,d=0,e=0.358,f=0.124。X及W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔合成例7〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-6)之合成
將合成例6中之化合物(M-2)100g取代為化合物(M-3)68.5g，得到以同樣處方所合成之將環戊酮作為主溶劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-6)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為29,000。又，式(1)中，a=0.385,b=0.133,c=0,d=0,e=0.358,f=0.124。X及W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔合成例8〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-7)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之3L燒瓶內中將化合物(M-9)93.5g溶解於甲苯750g後，加入化合物(M-1)72.6g、化合物(M-4)236.8g、化合物(M-7)2.6g，在60℃進行加溫。其後投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃ 後，進一步經3小時加溫至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，將化合物(M-8)56.1g經1小時滴入燒瓶內。此時的燒瓶內溫度上升至65~67℃。滴落終了後，進一步在90℃進行3小時熟成，冷卻至室溫，加入甲基異丁基酮700g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾後除去鉑觸媒。進一步於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中加入純水300g，進行攪拌、靜置分液，除去下層之水層。將該分液水洗操作重複6次，取出含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之溶劑經減壓餾去的同時，添加環戊酮700g後，減壓濃縮至固體成分濃度至65~70質量%的環戊酮溶液，得到將環戊酮作為主溶劑的含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-7)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為30,000。又，式(1)中，a=0,b=0,c=0.391,d=0.128,e=0.362,f=0.119。Y及W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔合成例9〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-8)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器的3L燒瓶內將化合物(M-2)150g以及化合物(M-9)16.6g溶解於甲苯750g後，加入化合物(M-1)15.0g、化合物(M-4)211.8g、化合物(M-7)2.3g，在60℃加溫。其後，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，進一步經3小時加溫至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.9g，將化合物(M-8)51.5g經1小時滴入於燒瓶內。此時的燒瓶內溫度上升至65~67℃。滴落終了後，進一步在90℃進行3小時熟成，冷卻至室溫，加入甲基異丁基酮700g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾後除去鉑觸媒。進一步於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液 中加入純水300g，進行攪拌、靜置分液，除去下層之水層。將該分液水洗操作重複6次，取出含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之溶劑進行減壓餾去之同時，添加環戊酮700g後，減壓濃縮至固體成分濃度至65~70質量%的環戊酮溶液，得到將環戊酮作為主溶劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-8)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為30,000。又，式(1)中，a=0.612,b=0.197,c=0.069,d=0.022,e=0.076,f=0.024。X、Y及W為如下述所示。
(點線表示鍵結)
〔比較合成例1〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-9)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之10L的燒瓶內將化合物(M-2)797g溶解於甲苯2,500g後，加入化合物(M-3)140.6g、化合物(M-4)1,214.4g、化合物(M-7)13.3g，在60℃加溫。其後，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)3.5g，確定將內部反應溫度升溫至65~67℃後，進一步經3小時加溫至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)3.5g，將化合物(M-8)285.2g經1小時滴入於燒瓶內。此時的燒瓶內溫度上升至65~67℃。滴落終了後，進一步在90℃進行3小時熟成，冷卻至室溫後加入甲基異丁基酮2,800g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾後除去鉑觸媒。進一步於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中加入純水1,300g，進行攪拌、靜置分液，除去下層之水層。將該分液水洗操作重複6次，除去含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之溶劑進行減壓餾去的同時，添加環戊酮3,300g後，減壓濃縮固體成分濃度至65~70質量%的環戊酮溶液，得到將環戊酮作為主溶劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-9)。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子 量藉由GPC進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為31,000。又，式(1)中，a=0.742,b=0.258,c=0,d=0,e=0,f=0。
〔比較合成例2〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-10)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之2L的燒瓶內將化合物(M-2)150g溶解於甲苯700g後，加入化合物(M-3)26.1g、化合物(M-4)373.4g、化合物(M-7)2.4g，於60℃加溫。其後投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.6g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，進一步經3小時，加溫至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.7g，將化合物(M-8)45.5g經20分鐘滴入燒瓶內。此時的燒瓶內溫度上升至65~67℃。滴落終了後，進一步在90℃進行3小時熟成，冷卻至室溫，加入甲基異丁基酮670g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾而除去鉑觸媒。且於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中加入純水300g，進行攪拌、靜置分液，除去下層水層。將該分液水洗操作重複6次，取出含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中的溶劑進行減壓餾去的同時，添加環戊酮780g後，減壓濃縮固體成分濃度至65~70質量%的環戊酮溶液，得到將環戊酮作為主溶劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A- 10)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為29,000。又，式(1)中，a=0.614,b=0.386,c=0,d=0,e=0,f=0。
〔比較合成例3〕含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-11)之合成
於具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及迴流冷卻器之3L燒瓶內中將化合物(M-2)150g溶解於甲苯850g後，加入化合物(M-3)88.8g、化合物(M-4)355.2g、化合物(M-7)3.9g，在60℃加溫。其後投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.7g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，進一步經3小時加溫至90℃，再次冷卻至60℃，投入碳載持鉑觸媒(5質量%)0.7g，將化合物(M-8)84.2g經30分鐘滴入燒瓶內。此時的燒瓶內溫度上升至65~67℃。滴落終了後，進一步在90℃進行3小時熟成，冷卻至室溫，加入甲基異丁基酮770g，將本反應溶液以濾器進行加壓過濾而除去鉑觸媒。進一步於所得之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中加入純水350g，進行攪拌、靜置分液，除去下層之水層。將該分液水洗操作重複6次，除去含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之微量酸成分。將該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之溶劑進行減壓餾去之同時，添加環戊酮930g後，減壓濃縮固體成分濃度至65~70質量%的環戊酮溶液，得到 將環戊酮作為主溶劑之含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液(A-11)。該含有聚矽氧骨架的高分子化合物溶液中之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的分子量藉由GPC進行測定時，聚苯乙烯換算之重量平均分子量為34,000。又，式(1)中，a=0.740,b=0.260,c=0,d=0,e=0,f=0。
使用在上述合成例2~9所合成之高分子化合物(A-1~A-8)的溶液，以表1所記載之組成與配合量，添加交聯劑、光酸產生劑，以及胺化合物，作為追加溶劑添加環戊酮，調製出樹脂換算45質量%之抗蝕材料。其後，進行攪拌、混合、溶解後，以鐵氟龍(註冊商標)製0.5μm濾器進行精密過濾後得到抗蝕材料。
又，作為比較例，同樣地添加在上述比較合成例1~3所合成之高分子化合物(A-9~A-11)的溶液與交聯劑、光酸產生劑，以及胺化合物，作為追加之溶劑，添加環戊酮，進行攪拌、混合、溶解後，以鐵氟龍(註冊商標)製0.5μm濾器進行精密過濾後得到抗蝕材料。比較例之組成與配合量如表1所記載。
且，表1所記載之光酸產生劑(PAG-1)、交聯劑(XL-1)、鹼性化合物(Amine-1)如以下所示。
II.曝光、圖型形成
藉由將上述抗蝕材料對矽基板上分注5mL後，轉動基板而對基板上可塗布抗蝕材料。即，進行旋轉塗佈法。藉由調整轉動速度，可容易調整基板上之抗蝕膜的膜厚。將上述抗蝕材料對矽基板上塗布至膜厚20μm。
對基板上將上述抗蝕材料進行分注、旋塗後，於加熱板上施予100℃之2分鐘預烘烤。其次使用SUSS Microtech(股)製的光刻機(Mask aligner)(製品名： MA-8)，安裝可形成縱橫1：1排列的20μm孔之光罩，施予寬頻光之曝光。其次，將上述基板在110℃進行2分鐘加熱(PEB)並冷卻。其後使用異丙醇(IPA)進行3次的1分鐘槳式顯影，進行製圖。其次，將所得之基板上圖型使用烤箱在180℃進行2小時的一邊進行氮吹洗一邊進行後硬化之操作。
同樣地，改為矽基板，在SiN基板上、Cu基板上進行製圖。
其次，欲可觀察到所得之孔圖型的形狀，切出各基板，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察孔圖型形狀。孔口徑與光罩尺寸20μm相同的尺吋而對孔圖型的口徑進行加工的最適曝光量(365nm光換算之曝光量)如表2所示。
如表2所示，嘗試不使用本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的組成之製圖的情況下，在SiN基板上、Cu基板上觀察到顯著的圖型剝落，使得製圖成為不可能。因此，得知藉由使用本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物，可改善使用抗蝕材料之圖型或者薄膜與基板之密著性。
其次，作為光硬化性乾薄膜用，使用如與上述相同下在合成例2、5~9所合成的高分子化合物之溶液，再次以表1所記載的組成與配合量添加交聯劑、光酸產生劑、以及胺化合物(作為與上述相異的溶劑，未添加環戊酮)，其後經攪拌、混合、溶解後，以鐵氟龍(註冊商標)製1.0μm濾器進行精密過濾後得到抗蝕材料。
又，作為比較例，添加同樣地在上述比較合 成例1~3所合成之高分子化合物的溶液與交聯劑、光酸產生劑、以及胺化合物(作為與上述相異的溶劑未添加環戊酮)，經攪拌、混合、溶解後，以鐵氟龍(註冊商標)製1.0μm濾器進行精密過濾得到抗蝕材料。
III.光硬化性乾薄膜之製作
作為薄膜塗布器使用模具塗佈、作為支持薄膜使用聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度38μm)，將表1所示抗蝕材料1、4~11以支持薄膜上50μm之塗佈厚度進行塗佈。其次，通過設定在100℃之熱風循環烤箱(長度4m)5分鐘後，於支持薄膜上形成光硬化性樹脂層。且由上述光硬化性樹脂層上將作為保護薄膜之聚乙烯薄膜(厚度50μm)使用層合輥進行壓力1MPa之貼合，製作出光硬化性乾薄膜。
且上述光硬化性樹脂層的膜厚為50μm。薄膜的例子於表3作為實施例與比較例而歸納表示。
IV.曝光、圖型形成
其次，如表3所歸納一般，將使用於實施例、比較例所舉出的上述抗蝕材料的各光硬化性乾薄膜，剝離該保護薄膜，使用(股)Takatori製之真空層合體(製品名：TEAM-100RF)，將真空室內設定在真空度100Pa，在溫度條件100℃下將支持薄膜上的光硬化性樹脂層密著於矽基板。恢復至常壓後，將上述基板冷卻至25℃，自上述 真空層合體取出並剝離支持薄膜。
其次將支持薄膜剝離後，在加熱板上施予100℃的5分鐘預烘烤。其次使用SUSS Microtech(股)製之光刻機(Mask aligner)(製品名：MA-8)，安裝可形成縱橫1：1排列40μm孔之光罩，實施寬頻光之曝光。且將上述基板在130℃進行5分鐘曝光後，經加熱(PEB)，再冷卻。其後，使用丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)進行5分鐘噴霧顯影而進行製圖。其次使用烤箱進行在180℃的2小時之一邊氮吹洗一邊進行後硬化的操作。
同樣地，取代矽基板，對SiN基板上、Cu基板上層合如上述所製作的光硬化性乾薄膜後進行製圖。
其次，如可觀察到所得的孔圖型之形狀一般，切出各基板，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，觀察孔圖型形狀。孔口徑與光罩尺寸40μm相同的尺吋而對孔圖型的口徑進行加工的最適曝光量(365nm光換算之曝光量)如表3所示。
如表3所示，對於未使用本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物的組成的光硬化性乾薄膜，該圖型、薄膜在該SiN基板上、Cu基板上亦觀察到顯著剝落，使得製圖成為不可能。因此，可得知藉由使用本發明之含有聚矽氧骨架的高分子化合物時，使用抗蝕材料的光硬化性乾薄膜亦可改善圖型或者薄膜與基板之密著性。
V.嵌入性能
準備各形成開口徑為10~100μm(10μm刻度)及深度10~120μm(10μm刻度)之圓形孔200個的6英吋矽晶圓。對於下述表4之中的實施例15~17的光硬化性乾薄膜，剝離該保護薄膜，使用(股)Takatori製之真空層合體(製品名：TEAM-100RF)，將真空室內設定為真空度100Pa，在溫度條件100℃將支持薄膜上之光硬化性樹 脂層密著於上述基板。恢復至常壓後，將上述基板冷卻至25℃，自上述真空層合體取出並剝離支持薄膜。
其次將支持薄膜剝離後，在加熱板上施予100℃之5分鐘預烘烤。而使用SUSS Microtech(股)製之光刻機(Mask aligner)(製品名：MA-8)，以表4記載之曝光量(波長365nm)將寬頻光照射在上述基板。其次，將上述基板在110℃進行5分鐘曝光後，經加熱(PEB)並冷卻。其後使用丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)進行5分鐘噴霧顯影。其次使用烤箱在180℃進行2小時的一邊氮吹洗一邊進行後硬化的操作。而將所得之基板切割後切出圓形孔之截面，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察上述圓形孔之截面，評估其有無缺陷。其結果如表4所示。
如表4所示，皆無缺陷下進行填充，作為電氣．電子零件保護用皮膜的嵌入性能判斷為良好。
VI.電氣特性(絕緣破壞強度)
對於上述表4之中的實施例15~17之膜厚50μm的光硬化性乾薄膜，剝離該保護薄膜，將支持薄膜上之光硬 化性樹脂層在100℃之溫度條件下，密著於以JIS K 6249所規定之基板上。而將上述基板冷卻至室溫後，剝離支持薄膜。其次剝離支持薄膜後，在加熱板上施予100℃的5分鐘預烘烤。且，使用上述光刻機(Mask aligner)，以曝光量1,000mJ/cm2(波長365nm)將寬頻光介著石英製光罩，照射於上述基板。其次將上述基板在110℃施予5分鐘PEB並冷卻。其後，使用丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)進行5分鐘噴霧顯影。其次使用烤箱在180℃進行2小時的一邊氮吹洗一邊進行後硬化的操作，製作出絕緣破壞強度測定用之基板。而依據於JIS K 6249所規定的測定方法，測定絕緣破壞強度。該結果如表5所示。
如表5所示，作為電氣．電子零件保護用皮膜的電氣特性皆為良好。
VII.密著性
對於上述表4之中的實施例15~17之膜厚50μm的光硬化性乾薄膜，剝離該保護薄膜，使用上述真空層合體，將真空室內設定在真空度100Pa，在100℃的溫度條件下將支持薄膜上的光硬化性樹脂層密著於無處理的6英吋矽晶圓。恢復至常壓後，將上述基板冷卻至25℃，自上述真空層合體取出，剝離支持薄膜。其次將支持薄膜剝離後，在加熱板上實施100℃的5分鐘預烘烤。且使用上述光刻機(Mask aligner)，將曝光量1,000mJ/cm2(波長365nm)之寬頻光介著石英製光罩，照射於上述基板。其 次將上述基板在110℃實施5分鐘PEB並冷卻。其後，使用丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)進行5分鐘噴霧顯影。其次使用烤箱並在180℃下進行2小時的一邊氮吹洗一邊進行後硬化之操作，得到直徑300μm、高度50μm之後圖型硬化皮膜。將上述後圖型硬化皮膜使用英國Dage製Bond Tester(製品名：Dage series 4000-PXY)，藉由自基板的圖型硬化皮膜剝離時所施予的抵抗力來評估初期密著性。測定條件為測定速度50.0μm/sec及測定高度3.0μm。圖1表示密著性測定方法之說明圖。且，圖中1表示矽(Si)基板，2表示後圖型硬化皮膜，3表示Bond Tester之測定夾具，4表示測定夾具之移動方向。所得之數值為15點測定平均值，數值越高，後圖型硬化皮膜對於基板之密著性越高。
且，對於於基板上之後圖型硬化皮膜上塗布助焊劑，進行在220℃之30秒加熱，經冷卻後以純水洗淨，在室溫進行2小時乾燥後之圖型硬化皮膜，使用上述Bond Tester，藉由自上述基板的圖型剝離時施予的抵抗力，與初期相同下評估劣化後之密著性。
且，對於3種類光硬化性乾薄膜，藉由比較初期之數值而評估密著性，藉由比較各自初期至劣化後的數值降低之過程，除了密著性同時對於助焊劑之藥品耐性亦進行評估。該結果如表5所示。
如表5所示，作為電氣．電子零件保護用皮膜之密著性為良好。
VIII.裂紋耐性
對於上述表4之中的實施例15~17之膜厚50μm的光硬化性乾薄膜，剝離該保護薄膜，使用上述真空層合體，將真空室內設定為真空度100Pa，在100℃之溫度條件下將支持薄膜上的光硬化性樹脂層密著於使用於上述嵌入特性的基板。恢復至常壓後，將上述基板冷卻至25℃，自上述真空層合體取出後剝離支持薄膜。
其次剝離支持薄膜後，在加熱板上施予100℃之5分鐘的預烘烤。而其次使用上述光刻機(Mask aligner)，將曝光量1,000mJ/cm2(波長365nm)之寬頻光介著石英製光罩照射於上述基板。其次將上述基板在110℃施予5分鐘PEB並冷卻。其後，使用丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)進行5分鐘噴霧顯影。其次使用烤箱在180℃進行2小時的一邊氮吹洗一邊進行後硬化的操作。
將形成該硬化皮膜之基板投入於以-55~+150℃作為1循環之溫度循環試驗機，對於上述硬化皮膜中之裂紋產生有無調查至1,000次循環。該結果如表5所示。
如表5所示，作為電氣．電子零件保護用皮膜之裂紋耐性為良好。
IX.剝離液耐性
對於上述表4之中的實施例15~17之膜厚50μm的光硬化性乾薄膜，剝離該保護薄膜，使用上述真空層合 體，將真空室內設定為真空度100Pa，在100℃之溫度條件將支持薄膜上的光硬化性樹脂層密著於無處理的6英吋矽晶圓。恢復至常壓後，將上述基板冷卻至25℃並自上述真空層合體取出，剝離支持薄膜。
其次剝離支持薄膜後，在加熱板上施予100℃之5分鐘的預烘烤。而其次使用上述光刻機(Mask aligner)，將曝光量1,000mJ/cm2(波長365nm)之寬頻光介著石英製光罩，照射於上述基板。其次將上述基板在110℃施予5分鐘PEB並冷卻。其後使用丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)進行5分鐘噴霧顯影。其次使用烤箱進行180℃的2小時之一邊氮吹洗一邊進行後硬化之操作，得到15mm×15mm之正方形圖型硬化皮膜。
而將上述基板於NMP(N-甲基吡咯啶酮)中在室溫浸漬1小時後，調查其外觀及膜厚變化，評估其剝離液耐性。其結果如表5所示。
如表5所示，作為電氣．電子零件保護用皮膜之剝離液耐性皆為良好。
1‧‧‧矽(Si)基板
2‧‧‧直徑300μm×高度50μm之後圖型硬化皮膜
3‧‧‧Bond Tester之測定夾具
4‧‧‧測定夾具之移動方向

Claims (15)

  1. 一種含有聚矽氧骨架的高分子化合物，其特徵為具有下述一般式(1)所示重複單位之重量平均分子量為3,000~500,000者； (式中，R1~R4表示可相同或相異的碳數1~8的1價烴基；m為1~100的整數；a、b、c、d為0或正數，e、f為正數；但，a+b+c+d+e+f=1；X為下述一般式(2)所示有機基，Y為下述一般式(3)所示有機基，W為下述一般式(4)所示有機基) (式中，Z為選自 中任一2價有機基，點線表示鍵結，n為0或1；R5及R6各為碳數1~4的烷基或烷氧基，相互可為相異或相同；k為0、1、2中任一者) (式中，V為選自 中任一2價有機基，點線表示鍵結，p為0或1；R7及R8各為碳數1~4的烷基或烷氧基，相互可為相異或相同；h為0、1、2中任一者) (式中，點線表示鍵結，R表示氫原子或碳數1~6 的直鏈狀或支鏈狀的烷基，T為碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基)。
  2. 如請求項1之含有聚矽氧骨架的高分子化合物，其中上述W所示有機基為下述式(5)所示有機基；
  3. 如請求項1或2之含有聚矽氧骨架的高分子化合物，其式(1)中，0.1≦a≦0.8、0.1≦b≦0.8、0≦c、0≦d、0<e≦0.8、0<f≦0.8。
  4. 一種化學增幅型負型抗蝕材料，其特徵為含有(A)如請求項1、2或3之重量平均分子量為3,000~500,000之含有聚矽氧骨架的高分子化合物、(B)藉由波長190~500nm之光進行分解而產生酸之光酸產生劑、(C)選自以下化合物的1種或2種以上的交聯劑，該化合物為藉由甲醛或甲醛-醇進行改性之胺基縮合物，於1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基的酚化合物、及多價酚的羥基之氫原子的至少1個由縮水甘油基所取代的化合物、及具有多價酚的羥基之氫原子的至少1個由下述式(C-1)所示取代基所取代的結構之化合物、及含有2個以上含有具有下述式(C-2)、式(C-3) 所示中任一縮水甘油基的氮原子之結構的化合物， (式中，點線表示鍵結，Rc表示碳數1~6的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，s表示1或2)(D)溶劑。
  5. 一種圖型形成方法，其特徵為含有(1)將如請求項4之化學增幅型負型抗蝕材料塗布於基板上，形成抗蝕皮膜之步驟、(2)其次經加熱處理後，介著光罩以波長190~500nm的高能量線或者電子線使抗蝕皮膜曝光的步驟、(3)經加熱處理後，使用顯像液進行顯影的步驟。
  6. 如請求項5之圖型形成方法，其中進一步含有(4)將藉由顯影形成圖型的皮膜在溫度100~250℃中進行後硬化的步驟。
  7. 一種光硬化性乾薄膜，其為具有膜厚10~100μm之光硬化性樹脂層以支持薄膜及保護薄膜夾住的結構之光硬化性乾薄膜，其特徵為使用於光硬化性樹脂層之形成的組成物為如請求項4之化學增幅型負型抗蝕材料。
  8. 一種光硬化性乾薄膜之製造方法，其特徵為含有(i)將含有如請求項4之(A)~(D)成分的化學 增幅型負型抗蝕材料連續地塗布於支持薄膜上的進行塗佈之步驟、(ii)使上述材料乾燥後形成m比較硬化性樹脂層之步驟、(iii)進一步於上述光硬化性樹脂層上貼合上述保護薄膜之步驟。
  9. 一種圖型形成方法，其特徵為含有(i)藉由自如請求項8之光硬化性乾薄膜剝離保護薄膜，將露出的光硬化性樹脂層密著於基板之步驟、(ii)在介著上述支持薄膜或者剝離上述支持薄膜之狀態下，介著光罩使光硬化性樹脂層以波長190~500nm的高能量線或者電子線進行曝光之步驟、(iii)進行曝光後的加熱處理之步驟、(iv)以顯像液進行顯影之步驟。
  10. 如請求項9之圖型形成方法，其中進一步含有(v)將藉由顯影形成圖型的皮膜在溫度100~250℃中進行後硬化的步驟。
  11. 如請求項9或10之圖型形成方法，其中基板為開口寬10~100μm，且具有深度10~120μm之溝及/或孔的基板。
  12. 一種層合體，其特徵為於開口寬為10~100μm，且具有深度10~120μm之溝及/或孔的基板上，層壓如請求項7之光硬化性乾薄膜的光硬化性樹脂層而成者。
  13. 一種電氣．電子零件保護用皮膜，其特徵為藉由 如請求項5、6、9、10、11中任1項之圖型形成方法所得的硬化皮膜而成者。
  14. 一種具有下述一般式(6)所示醇性羥基之雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)衍生物， (式中，R表示氫原子或碳數1~6的直鏈狀或支鏈狀的烷基，T為碳數1~12的直鏈狀、支鏈狀或環狀的伸烷基)。
  15. 一種下述式(7)所示4,4-雙(4-羥基-3-烯丙基苯基)戊醇，
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