JP2016061593A - 接触燃焼式ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
A1.センサモジュール:
図1は、本発明の第1実施形態における接触燃焼式ガスセンサモジュール10(以下、単に「センサモジュール10」とも呼ぶ)の構成を示す説明図である。図1(a)は、センサモジュール10の断面を示している。第1実施形態のセンサモジュール10では、センサチップ100が、ケース11とキャップ12とからなるパッケージ19内に実装されている。キャップ12は、例えば、ステンレス鋼や真鍮等の焼結金属、ステンレス鋼等からなる金網、あるいは、多孔質セラミックスで形成されている。これにより、パッケージ19内外の通気性が確保されるとともに、センサチップ100の汚染が抑制され、また、センサモジュール10自体の防爆化が図られている。センサチップ100は、空洞部119が設けられた基板110がダイボンド材15によりケース11に接着されることにより、ケース11に固定されている。
図1(a)に示すように、ガスセンサ100は、空洞部119が設けられた基板110と、基板110の上面に形成された絶縁膜120とを有している。絶縁膜120上には、ガスの検出機能を実現するための構造(後述する)を形成する複数の膜(機能膜)が積層されている。具体的には、絶縁膜120上に、半導体、導電体および絶縁体等を成膜し、必要に応じてパターニングすることにより、種々の機能膜が形成される。なお、これらの機能膜は、半導体デバイスの製造方法として周知の技術を用いて形成することができるので、各機能膜の具体的な形成方法については説明を省略する。また、絶縁膜120および絶縁膜120上に積層される機能膜は、ガスセンサの製造工程や構造の変更に伴い、適宜追加あるいは省略される。
図6(a)および図6(b)に示すように、温接点接続線171は、ガス反応膜191と参照膜192とのそれぞれの下に形成されているため、温接点接続線171の温度は、ガス反応膜191や参照膜192の温度と略同一となる。一方、図1に示すように、基板110は、ダイボンド材15によりパッケージ19のケース11に接着されているので、基板領域に配置された冷接点接続線172の温度は、パッケージ19の温度や環境温度と略同一となる。そのため、信号出力パッドP11,P13には、それぞれ、環境温度を基準としたガス反応膜191および参照膜192の温度に対応した電圧が出力される。そして、2つの信号出力パッドP11,P13の出力電圧の差を取ることにより、環境温度等の外的要因を補償して、ガス反応膜191と参照膜192との温度差を測定することができる。
図7ないし図10は、第2実施形態におけるガスセンサ200の製造工程の各段階を示す説明図である。図7(a)、図8(a)、図9(a)、図10(a)は、各段階において得られる中間体200a、200b、200cおよびガスセンサ200を上面から見た様子を示している。また、図7(b)、図8(b)、図9(b)、図10(b)は、中間体200a、200b、200cおよびガスセンサ200の切断線Aにおける断面を示している。第2実施形態のガスセンサ200は、第1実施形態においてn型半導体膜130として形成されていたヒータ132を導電膜270として形成している点と、導電膜270として形成される均熱膜MS1〜MS3に加えて、n型半導体膜230として形成される均熱膜235を用いている点と、これらの変更に合わせて各部の形状を変更している点とで、第1実施形態と異なっている。他の点は、第1実施形態と同様である。
本発明は上記各実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
上記各実施形態では、製造工程数を低減するため、均熱部を導電膜170,270やn型半導体膜230として形成することにより、均熱部を、ガス反応膜191,291や参照膜192,292の温度を測定する回路の構成要素と同時に形成している。しかしながら、均熱部をこれらの構成要素と別個に形成するものとしても良い。具体的には、例えば、均熱部として金属膜を保護膜上に形成し、当該金属膜上にガス反応膜や参照膜を形成するものとしてもよい。但し、この場合においても、ガスセンサの特性が個体毎にばらつくことを抑制するため、フォトリソグラフィ等の半導体製造工程で利用されるパターニング技術により均熱部を形成するのが好ましい。
第1実施形態では、均熱部をヒータ132と、ガス反応膜191および参照膜192との間に形成している。また、第2実施形態では、第1の均熱部をメンブレン221上に形成し、第2の均熱部を、ヒータ278が第1と第2の均熱部の間に位置するように形成している。しかしながら、均熱部を形成する位置は、必ずしもこれに限定されない。一般的には、少なくとも1つの均熱部を、メンブレンと、ガス反応膜および参照膜との間に形成すればよい。このようにしても、形成された均熱部により、ガス反応膜および参照膜に温度むらが発生することを抑制できる。
上記各実施形態では、均熱部をメンブレン121,221上のガス反応膜191,291や参照膜192,292の近傍にのみ形成しているが、均熱部を形成する領域は、ガス反応膜191,291や参照膜192,292の近傍に限定されない。一般的に、均熱部は、ガス反応膜191,291を有するガス検出部と、参照膜192,292を有する補償部とのそれぞれにおけるメンブレン121,221上であれば、任意の範囲に形成することができる。
上記各実施形態では、熱電対を直列接続したサーモパイルの温接点によりガス反応膜191,291と参照膜192,292との温度を測定しているが、ガス反応膜191,291と参照膜192,292との温度は、単一の熱電対の温接点、測温抵抗体あるいはサーミスタ等の他の測温素子を用いて測定することも可能である。但し、温度を表す十分に高い電圧信号が直接出力され、可燃性ガスの検出感度をより高くすることが容易となる点で、サーモパイルの温接点によりガス反応膜191,291と参照膜192,292との温度を測定するのが好ましい。
上記各実施形態では、補償部に燃焼触媒を担持していない担体を含む参照膜192,292を形成しているが、製造工程を簡略化するために参照膜192,292の形成を省略することも可能である。この場合、補償部の測温素子である冷接点CJは、温度がガス反応膜191に近くなるヒータ172の温度を測定するように、ヒータ172の近傍に形成されていればよい。なお、このとき、補償部のヒータ172は、補償部の測温素子(冷接点CJ)の近傍を含む領域に形成されているといえる。但し、参照膜192およびガス反応膜191のそれぞれが形成している領域の熱容量をより近くし、気流等の影響による可燃性ガスの検出精度の低下を抑制することができる点で、参照膜192を形成するのが好ましい。
上記各実施形態では、ガスセンサ100,200上に、ガス反応膜191,291を有するガス検出部と、参照膜192,292を有する補償部とを設けているが、補償部を省略することも可能である。この場合においても、ガス反応膜における温度むらの発生が抑制されるので、可燃性ガスの検出感度の低下や、選択性の低下を抑制することができる。また、第1および第2実施形態と同様に、製造工程や完成後のガスセンサの破損が抑制されるとともに、オフセット、ドリフトあるいは感度等のガスセンサの特性の個体毎のばらつきを抑制することができる。
上記各実施形態では、断熱部として、基板110,210自体に設けられた空洞部119,219、もしくは、基板上に形成された空洞部を用いているが、断熱部は必ずしも空洞である必要はない。断熱部は、例えば、基板自体に設けられた空洞部に、多孔質材や樹脂等の断熱材を埋め込むことにより形成することができる。多孔質材としてSiO2を用いる場合には、周知の低比誘電率(Low-k)絶縁膜やシリカエアロゲルの形成技術により空洞部に多孔質SiO2を埋め込むことができる。多孔質材として樹脂を用いる場合には、当該樹脂のモノマやプレポリマを空洞部に充填し、その後、熱や紫外線によりモノマやプレポリマを重合させればよい。また、断熱部として、基板上に多孔質材や樹脂等の断熱膜を形成するものとしても良い。この場合、上述した基板上に空洞部を形成する工程と同様に、基板もしくは絶縁膜120,220上に多孔質材や樹脂等の断熱膜を形成し、形成した断熱膜を残存させることにより断熱部を形成することができる。また、基板上に断熱膜を形成するためのポリシリコン膜を形成し、当該ポリシリコン膜を陽極酸化により多孔質化しても良い。さらに、断熱部として、基板自体に多孔質部を形成するものとしても良い。多孔質部は、例えば、基板としてSi基板を用いている場合には、基板自体に空洞部を形成する工程と同様に、基板の下面側もしくは基板の上面側から、空洞部に相当する領域を陽極酸化により多孔質化することで形成することができる。なお、空洞でない断熱部を用いる場合において、断熱部の材料が導電性を有する場合には、断熱部と、半導体膜あるいは導電膜との間には絶縁膜が追加される。このように、空洞でない断熱部を用いることにより、断熱部上に形成された機能膜の破損が抑制される。
Claims (6)
- 可燃性ガスを検出する接触燃焼式ガスセンサであって、
断熱部と、
前記断熱部上に形成されたヒータと、
前記断熱部上において前記ヒータ上に形成され、前記可燃性ガスの燃焼触媒を担持した担体を含むガス反応膜と、
前記断熱部上において前記ガス反応膜の近傍に形成された測温素子と、
前記断熱部上に形成され、前記断熱部と前記ガス反応膜との間に配置された均熱部と、
を備え、
前記均熱部は、前記均熱部に伝達された熱を前記均熱部全体に分散させるように構成されている、
接触燃焼式ガスセンサ。 - 請求項1記載の接触燃焼式ガスセンサであって、
前記断熱部は、基板自体に設けられた第1の空洞部と、基板上に形成された第2の空洞部と、前記第1の空洞部に埋め込まれた多孔質材または樹脂と、基板上に形成された多孔質膜または樹脂膜と、基板自体に形成された多孔質部と、のいずれかである、
接触燃焼式ガスセンサ。 - 請求項1または2記載の接触燃焼式ガスセンサであって、
前記均熱部は、別個に形成された第1と第2の均熱部を有しており、
前記ヒータは、前記第1の均熱部と前記第2の均熱部との間に配置されている、
接触燃焼式ガスセンサ。 - 請求項1ないし3のいずれか記載の接触燃焼式ガスセンサであって、
前記測温素子は、互いに異なる材料で形成された第1と第2の熱電素子を含む熱電対の温接点であり、
前記均熱部は、前記第1の熱電素子と同一の材料で形成されている、
接触燃焼式ガスセンサ。 - 請求項1ないし3のいずれか記載の接触燃焼式ガスセンサであって、
前記均熱部は、金属で形成されている、
接触燃焼式ガスセンサ。 - 請求項1ないし5のいずれか記載の接触燃焼式ガスセンサであって、さらに、
前記ヒータと前記ガス反応膜と前記測温素子と前記均熱部とを有するガス検出部とは別個の補償部を備え、
前記補償部は、前記断熱部上に形成された補償部ヒータと、前記断熱部上において前記補償部ヒータ上に形成され、前記可燃性ガスの燃焼触媒を担持していない担体を含む参照膜と、前記断熱部上において前記参照膜の近傍に形成された補償部測温素子と、前記断熱部上に形成され、前記断熱部と前記参照膜との間に配置された補償部均熱部と、を有し、
前記補償部均熱部は、前記補償部均熱部に伝達された熱を前記補償部均熱部全体に分散させるように構成されている、
接触燃焼式ガスセンサ。
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KR1020150119572A KR101745985B1 (ko) | 2014-09-16 | 2015-08-25 | 접촉 연소식 가스센서 |
CN201510582429.0A CN105424749B (zh) | 2014-09-16 | 2015-09-14 | 接触燃烧式气体传感器 |
US14/853,544 US9625407B2 (en) | 2014-09-16 | 2015-09-14 | Catalysis combustion type gas sensor |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018009892A (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | ヤマハファインテック株式会社 | リークテスタ及びリークテスト方法 |
JP2022191183A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | ティーイー コネクティビティ センサーズ フランス | カバー層を備えるセンサデバイス |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102612215B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-12-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센싱 모듈 및 이를 포함하는 센싱 장치 |
KR102627436B1 (ko) * | 2016-09-19 | 2024-01-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센싱 모듈, 가스 센싱 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2019027120A1 (ko) * | 2017-07-30 | 2019-02-07 | 엘지전자 주식회사 | 가스 센서 |
DE102017011530A1 (de) * | 2017-12-13 | 2019-06-13 | Dräger Safety AG & Co. KGaA | Wärmetönungssensor sowie Messelement für Wärmetönungssensor |
JP2019211395A (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | ヤマハファインテック株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ及びその製造方法 |
WO2020117472A2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | Carrier Corporation | Combustible gas sensor |
CN110988049A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 武汉微纳传感技术有限公司 | 一种催化燃烧式mems气体传感器及其工作方法 |
CN112034005B (zh) * | 2020-09-08 | 2022-05-10 | 苏州芯镁信电子科技有限公司 | 一种旁热式硅基薄膜催化氢气传感器及其加工方法 |
DE102022107394A1 (de) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | Tdk Electronics Ag | Sensorsystem, Sensoranordnung und Verfahren zur Verwendung des Sensorsystems |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05256698A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-05 | Seikosha Co Ltd | 赤外線検出装置 |
US5393351A (en) * | 1993-01-13 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multilayer film multijunction thermal converters |
JPH1151893A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
JPH11241935A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Tokin Corp | マイクロセンサ |
JP2000009672A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
JP2001099801A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
JP2004522174A (ja) * | 2001-07-25 | 2004-07-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシニング型の構成エレメント |
JP2004219078A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ |
KR20040092226A (ko) * | 2003-04-25 | 2004-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 가스센서 제조 방법 |
JP2005502480A (ja) * | 2001-07-31 | 2005-01-27 | エヌシーエスアール“デモクリトス”−インスティテュート オブ マイクロエレクトロニクス | 掛架した多孔質シリコンの微小構造の製造方法、及びガスセンサへの適用 |
JP2005156364A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 可燃性ガス検出装置 |
WO2005078422A1 (en) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Seju Engineering Co., Ltd. | Method for manufacturing micro-structure catalytic combustion type gas sensor, and gas sensor using the micro-structure catalytic combustion gas sensor |
WO2012033147A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 学校法人 東北学院 | 特定ガス濃度センサ |
US20120161253A1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Industrial Technology Research Institute | Gas sensor and manufacturing method thereof |
JP2013239401A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Tdk Corp | マイクロヒータ素子 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1267156A1 (en) * | 2000-06-05 | 2002-12-18 | Fujikin Incorporated | Gas detection sensor |
JP2007255960A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 可燃性ガスの干渉を無くすガス検知方法及びガス検知センサ |
JP2008292387A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Horiba Ltd | 可燃性ガスセンサ |
WO2011055605A1 (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | 株式会社日立製作所 | ガスセンサ |
CN101762623B (zh) * | 2010-01-08 | 2012-11-21 | 哈尔滨理工大学 | 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器 |
JP2012013603A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Yokogawa Electric Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
-
2014
- 2014-09-16 JP JP2014187772A patent/JP6467173B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-25 KR KR1020150119572A patent/KR101745985B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-14 US US14/853,544 patent/US9625407B2/en active Active
- 2015-09-14 CN CN201510582429.0A patent/CN105424749B/zh active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05256698A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-05 | Seikosha Co Ltd | 赤外線検出装置 |
US5393351A (en) * | 1993-01-13 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multilayer film multijunction thermal converters |
JPH1151893A (ja) * | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
JPH11241935A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Tokin Corp | マイクロセンサ |
JP2000009672A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
JP2001099801A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Yazaki Corp | 接触燃焼式ガスセンサ |
JP2004522174A (ja) * | 2001-07-25 | 2004-07-22 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | マイクロマシニング型の構成エレメント |
JP2005502480A (ja) * | 2001-07-31 | 2005-01-27 | エヌシーエスアール“デモクリトス”−インスティテュート オブ マイクロエレクトロニクス | 掛架した多孔質シリコンの微小構造の製造方法、及びガスセンサへの適用 |
JP2004219078A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ |
KR20040092226A (ko) * | 2003-04-25 | 2004-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 가스센서 제조 방법 |
JP2005156364A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 可燃性ガス検出装置 |
WO2005078422A1 (en) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Seju Engineering Co., Ltd. | Method for manufacturing micro-structure catalytic combustion type gas sensor, and gas sensor using the micro-structure catalytic combustion gas sensor |
WO2012033147A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 学校法人 東北学院 | 特定ガス濃度センサ |
US20120161253A1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Industrial Technology Research Institute | Gas sensor and manufacturing method thereof |
JP2013239401A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Tdk Corp | マイクロヒータ素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018009892A (ja) * | 2016-07-14 | 2018-01-18 | ヤマハファインテック株式会社 | リークテスタ及びリークテスト方法 |
JP2022191183A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | ティーイー コネクティビティ センサーズ フランス | カバー層を備えるセンサデバイス |
JP7505163B2 (ja) | 2021-06-15 | 2024-06-25 | ティーイー コネクティビティ センサーズ フランス | センサデバイスを製造する方法 |
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