JP2016056446A - 酸化物の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に平行方向の成分を有して磁場が加えられ、磁場は、10G以上100G以下となる領域を有し、ターゲットが結晶体または多結晶体であるマグネトロンスパッタ法を用いて、結晶体または多結晶体中の結晶をペレット状にしてプラズマ中を飛翔せしめて被形成面上に被形成面と平行または略平行に配列せしめて積層する。
【選択図】図1
Description
以下では、本発明の一態様に係るスパッタリング装置と、該スパッタリング装置を用いて結晶性を有する酸化物を成膜する方法について説明する。
以下では本発明の一態様に係る酸化物について説明する。
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。なお、酸化物半導体とは、半導体の性質を有する酸化物をいう。
以下では、酸化物半導体の構造による物性の違いについて説明する。
以下では、CAAC−OSの成膜モデルの一例について説明する。
以下では、CAAC−OSの成膜モデルにおいて記載のターゲットの劈開面について説明する。
以下では、CAAC−OSの組成について説明する。なお、組成の説明には、CAAC−OSとなる酸化物半導体であるIn−M−Zn酸化物の場合を例示する。なお、元素Mは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Mに適用可能な元素としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなどがある。
以下では、上述したCAAC−OSを成膜することが可能な成膜室を有する成膜装置について説明する。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタについて説明する。
図11(A)および図11(B)は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面図である。図11(A)は上面図であり、図11(B)は、図11(A)に示す一点鎖線A1−A2、および一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図11(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図15(A)および図15(B)は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面図である。図15(A)は上面図であり、図15(B)は、図15(A)に示す一点鎖線J1−J2、および一点鎖線J3−J4に対応する断面図である。なお、図15(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
以下では、上述した成膜モデルとは異なる成膜メカニズムを有するPLD(Pulsed Laser Deposition)法によって成膜したIn−Ga−Zn酸化物について説明する。
以下では、PLD法により成膜したIn−Ga−Zn酸化物を用いたトランジスタの電気特性について説明する。
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置を例示する。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタを利用した回路の一例について説明する。
図18(A)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOSインバータの構成を示している。トランジスタ2100は、酸化物半導体を用いたトランジスタである。
また図18(B)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるCMOSアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図19に示す。
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むCPUについて説明する。
以下では、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明する。
図22(A)には、本発明の一態様に係る表示装置の上面図を示す。また、図22(B)には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に液晶素子を用いた場合における画素回路を示す。また、図22(C)には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に有機EL素子を用いた場合における画素回路を示す。
また、画素の回路構成の一例を図22(B)に示す。ここでは、VA型液晶表示装置の画素などに適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図22(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図23に示す。
100a ターゲット
100b ターゲット
101 成膜室
103b マグネットユニット
110 バッキングプレート
110a バッキングプレート
110b バッキングプレート
120 ターゲットホルダ
120a ターゲットホルダ
120b ターゲットホルダ
130 マグネットユニット
130a マグネットユニット
130b マグネットユニット
130N マグネット
130N1 マグネット
130N2 マグネット
130S マグネット
132 マグネットホルダ
140 部材
160 基板
170 基板ホルダ
180a 磁力線
180b 磁力線
200a ペレット
200b ペレット
201 イオン
202 酸化亜鉛層
203 粒子
205a ペレット
205a1 領域
205a2 ペレット
205b ペレット
205c ペレット
205d ペレット
205d1 領域
205e ペレット
220 基板
230 ターゲット
400 基板
402 絶縁体
404 導電体
406a 半導体
406b 半導体
406c 半導体
408 絶縁体
412 絶縁体
413 導電体
416a 導電体
416b 導電体
418 絶縁体
423a 低抵抗領域
423b 低抵抗領域
424a 導電体
424b 導電体
426a 導電体
426b 導電体
428 絶縁体
600 基板
604 導電体
606a 半導体
606b 半導体
606c 半導体
612 絶縁体
613 導電体
616a 導電体
616b 導電体
618 絶縁体
620 絶縁体
700 成膜装置
701 大気側基板供給室
702 大気側基板搬送室
703a ロードロック室
703b アンロードロック室
704 搬送室
705 基板加熱室
706a 成膜室
706b 成膜室
706c 成膜室
751 クライオトラップ
752 ステージ
761 カセットポート
762 アライメントポート
763 搬送ロボット
764 ゲートバルブ
765 加熱ステージ
766 ターゲット
767 防着板
768 基板ステージ
769 基板
770 真空ポンプ
771 クライオポンプ
772 ターボ分子ポンプ
780 マスフローコントローラ
781 精製機
782 ガス加熱機構
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイクロフォン
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
911 筐体
912 筐体
913 表示部
914 表示部
915 接続部
916 操作キー
921 筐体
922 表示部
923 キーボード
924 ポインティングデバイス
931 筐体
932 冷蔵室用扉
933 冷凍室用扉
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 車体
952 車輪
953 ダッシュボード
954 ライト
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
5000 基板
5001 画素部
5002 走査線駆動回路
5003 走査線駆動回路
5004 信号線駆動回路
5010 容量線
5012 走査線
5013 走査線
5014 信号線
5016 トランジスタ
5017 トランジスタ
5018 液晶素子
5019 液晶素子
5020 画素
5021 スイッチング用トランジスタ
5022 駆動用トランジスタ
5023 容量素子
5024 発光素子
5025 信号線
5026 走査線
5027 電源線
5028 共通電極
Claims (12)
- 基板に平行方向の成分を有して磁場が加えられ、
前記磁場は、磁束密度が10G以上100G以下となる領域を有し、
ターゲットが結晶体または多結晶体であるマグネトロンスパッタ法を用いて、前記結晶体または前記多結晶体中の結晶をペレット状にしてプラズマ中を飛翔せしめて被形成面上に前記被形成面と平行または略平行に配列せしめて積層することを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項1において、
前記ペレット状の結晶はチャージアップしており、
前記被形成面に対して、前記磁場が0.1Hz以上1kHz以下のビートで回転または移動していることにより、前記ペレット状の結晶を前記被形成面に配列せしめることを特徴とする酸化物の作製方法。 - 酸化物の作製方法であって、
前記酸化物は、マグネトロンスパッタ法を用いて成膜され、
前記マグネトロンスパッタ法は、第1のステップと、第2のステップとを有し、
前記第1のステップおよび前記第2のステップにおいて、基板の上面に平行方向の成分を有する磁場が加えられ、
前記マグネトロンスパッタ法において使用されるターゲットは、多結晶構造を有する領域を有し、
前記ターゲットは、前記基板と向かい合って配置され、
前記ターゲットは、結晶粒を有し、
前記第1のステップにおいて、前記結晶粒は、ペレット状になって、プラズマ中を飛翔し、
前記第2のステップにおいて、前記ペレット状の結晶粒は、前記基板の上面に、前記上面と平行または略平行に配列するように積層されることを特徴とする酸化物の作製方法。 - スパッタリング装置を用いた酸化物の作製方法であって、
第1のステップと、第2のステップと、第3のステップと、を有し、
前記スパッタリング装置は、ターゲットと、基板と、マグネットユニットと、を有し、
前記ターゲットは、インジウムと、亜鉛と、元素M(元素Mはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ)と、酸素と、を有し、
前記ターゲットは、多結晶構造を有する領域を有し、
前記ターゲットは、前記基板と向かい合って配置され、
前記マグネットユニットは、前記ターゲットの背面側に配置され、前記マグネットユニットは、前記ターゲット側にN極を有する第1のマグネットと、前記ターゲット側にS極を有する第2のマグネットと、台座と、を有し、
前記第1のマグネットと前記第2のマグネットとの間に、磁場が形成されており、
前記第1のステップは、前記基板と前記マグネットユニットとが、相対的に移動または回転するステップを有し、
前記第1のステップは、前記ターゲットおよび前記基板間に電位差を与えることでプラズマを生成するステップを有し、
前記第1のステップは、前記プラズマ中に生じたイオンを、前記ターゲットのおもて面側に衝突させることで、平板状酸化物を剥離させるステップを有し、
前記平板状酸化物は、第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有し、
前記第1の層は、元素M、亜鉛および酸素を有し、
前記第2の層は、インジウムおよび酸素を有し、
前記第3の層は、元素M、亜鉛および酸素を有し、
前記第2のステップは、前記平板状酸化物が、前記プラズマ中を通ることで負に帯電した後、結晶構造を維持したまま前記基板上面に近接するステップを有し、
前記第3のステップは、前記磁場と、電流との作用により、前記平板状酸化物が、前記基板上面を移動してから堆積するステップを有し、
前記電流は、前記基板から前記ターゲットに向けて流れることを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4において、
前記基板の上面における水平磁場の磁束密度が10G以上100G以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4または請求項5において、
前記マグネットユニットは、前記台座の中央を回転軸として回転しており、
前記マグネットユニットの回転速度が0.1Hz以上1kHz以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4乃至請求項6のいずれか一において、
前記平板状酸化物の側面にあるインジウム、元素Mまたは亜鉛と結合する酸素が負に帯電することを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4乃至請求項7のいずれか一において、
前記負に帯電した酸素同士を互いに反発させることで、前記平板状酸化物の形状を維持することを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4乃至請求項8のいずれか一において、
前記平板状酸化物は、前記基板上面を移動し、側面が既に堆積している前記平板状酸化物の側面と結合した後で前記基板上面に固着することを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4乃至請求項9のいずれか一において、
前記平板状酸化物は、前記基板上面に堆積する際、前記基板上面の法線ベクトルとc軸との為す角が、−30°以上30°以下となることを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4乃至請求項10のいずれか一において、
前記ターゲットに含まれる結晶性酸化物の組成式がInMO3(ZnO)m(mは自然数。)であることを特徴とする酸化物の作製方法。 - 請求項4乃至請求項11のいずれか一において、
前記イオンが、酸素の陽イオンであることを特徴とする酸化物の作製方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6188977B1 (ja) * | 2016-10-21 | 2017-08-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物、トランジスタ、表示装置、及び半導体装置 |
JP2018093181A (ja) * | 2016-10-21 | 2018-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物、およびトランジスタ |
WO2018167593A1 (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物、およびトランジスタ |
WO2018225822A1 (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US10276594B2 (en) | 2016-09-12 | 2019-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10665611B2 (en) | 2016-06-03 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide and field-effect transistor |
US10879360B2 (en) | 2016-05-19 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
JP2021044567A (ja) * | 2016-07-11 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2021073696A (ja) * | 2016-06-03 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ及び表示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10516060B2 (en) * | 2016-03-11 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite and transistor |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6482577A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Semiconductor Energy Lab | Manufacture of oxide superconducting material |
JP2009046714A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
WO2012067183A1 (ja) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013145876A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-07-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013191837A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014055351A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜の成膜方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101924231B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2018-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
US20120298998A1 (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
-
2015
- 2015-03-18 KR KR1020150037720A patent/KR20150126272A/ko unknown
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6482577A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-28 | Semiconductor Energy Lab | Manufacture of oxide superconducting material |
JP2009046714A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
WO2012067183A1 (ja) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2013145876A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-07-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2013191837A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014055351A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜の成膜方法 |
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11316016B2 (en) | 2016-05-19 | 2022-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
JP2021052188A (ja) * | 2016-05-19 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物半導体、トランジスタ、及び表示装置 |
JP7361140B2 (ja) | 2016-05-19 | 2023-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物半導体、トランジスタ、及び表示装置 |
US11728392B2 (en) | 2016-05-19 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
JP7008778B2 (ja) | 2016-05-19 | 2022-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物半導体、トランジスタ、及び表示装置 |
JP2022048194A (ja) * | 2016-05-19 | 2022-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物半導体、トランジスタ、及び表示装置 |
US10879360B2 (en) | 2016-05-19 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
JP7119141B2 (ja) | 2016-06-03 | 2022-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ及び表示装置 |
JP2021122060A (ja) * | 2016-06-03 | 2021-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電界効果トランジスタ |
US11482625B2 (en) | 2016-06-03 | 2022-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor |
US10665611B2 (en) | 2016-06-03 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide and field-effect transistor |
US11574933B2 (en) | 2016-06-03 | 2023-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide and field-effect transistor |
JP7238014B2 (ja) | 2016-06-03 | 2023-03-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US11929438B2 (en) | 2016-06-03 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor and transistor |
JP2021073696A (ja) * | 2016-06-03 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ及び表示装置 |
US11069717B2 (en) | 2016-06-03 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide and field-effect transistor |
JP7044849B2 (ja) | 2016-07-11 | 2022-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2021044567A (ja) * | 2016-07-11 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US10276594B2 (en) | 2016-09-12 | 2019-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP7120980B2 (ja) | 2016-10-21 | 2022-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2019145826A (ja) * | 2016-10-21 | 2019-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ及び半導体装置 |
KR20210013334A (ko) * | 2016-10-21 | 2021-02-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터 |
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KR102381596B1 (ko) * | 2016-10-21 | 2022-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터 |
JP2018070990A (ja) * | 2016-10-21 | 2018-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物、トランジスタ、表示装置、及び半導体装置 |
JP2018093181A (ja) * | 2016-10-21 | 2018-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物、およびトランジスタ |
JP2020021953A (ja) * | 2016-10-21 | 2020-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP6188977B1 (ja) * | 2016-10-21 | 2017-08-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物、トランジスタ、表示装置、及び半導体装置 |
JP2022122885A (ja) * | 2016-10-21 | 2022-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7282236B2 (ja) | 2016-10-21 | 2023-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US11527658B2 (en) | 2016-10-21 | 2022-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
US20210091224A1 (en) * | 2016-10-21 | 2021-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
US11530134B2 (en) | 2017-03-13 | 2022-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide comprising In and Zn, and transistor |
JPWO2018167593A1 (ja) * | 2017-03-13 | 2019-11-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物およびトランジスタ |
WO2018167593A1 (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物、およびトランジスタ |
US11845673B2 (en) | 2017-03-13 | 2023-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide comprising In and Zn, and transistor |
WO2018225822A1 (ja) * | 2017-06-07 | 2018-12-13 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US11417752B2 (en) | 2017-06-07 | 2022-08-16 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method for producing thin film transistor |
JPWO2018225822A1 (ja) * | 2017-06-07 | 2020-05-21 | 日新電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
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