JP2016046419A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】P型の半導体基板SUBにN型埋め込み領域NBRおよびP型埋め込み領域PBRを介在させてP型エピタキシャル成長層PELが形成されている。P型エピタキシャル成長層PELには、カソード領域KR、アノード領域ARおよびN型シンカー領域NSRが形成されている。アノード領域ARとN型シンカー領域NSRとを電気的に分離する分離領域STRの表面には、抵抗素子REが形成されている。抵抗素子REの一端部が、アノード領域ARおよびN型シンカー領域NSRのそれぞれに電気的に接続され、他端部が接地電位に電気的に接続されている。
【選択図】図4
Description
ここでは、高耐圧素子等の被保護素子を保護するダイオードを備えた半導体装置の第1例について説明する。
なお、抵抗素子RERおよび抵抗素子RELのそれぞれの長さは、長さLの半分の長さ(L/2)に設定されることになる。
ここでは、高耐圧素子等の被保護素子を保護するダイオードを備えた半導体装置の第2例について説明する。
ここでは、高耐圧素子等の被保護素子を保護するダイオードを備えた半導体装置の第3例について説明する。
上述した各実施の形態に係る半導体装置では、抵抗素子REのパターンとして、矩形状(長さL/2、幅W)のパターンを例に挙げて説明したが、抵抗素子REのパターンとしては矩形状のパターンに限られるものではない。たとえば、図27に示すように、蛇行パターンの抵抗素子REであってもよい。
Claims (12)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板を覆うように形成された第1導電型のエピタキシャル成長層と、
前記半導体基板と前記エピタキシャル成長層との間に形成された第2導電型の第1埋め込み領域と、
前記第1埋め込み領域と前記エピタキシャル成長層との間に形成された第1導電型の第2埋め込み領域と、
前記エピタキシャル成長層の表面から第1深さにわたり形成された第2導電型の第1不純物領域と、
前記第1不純物領域と距離を隔てられ、前記エピタキシャル成長層の表面から第2深さにわたり形成された第1導電型の第2不純物領域と、
前記第2不純物領域と距離を隔てられ、前記エピタキシャル成長層の表面から前記第1埋め込み領域にわたり形成された第2導電型の第3不純物領域と、
前記第2不純物領域と前記第3不純物領域とを電気的に分離し、前記エピタキシャル成長層の部分に形成された分離領域と
を備え、
前記第3不純物領域は、抵抗素子を介して接地電位に電気的に接続され、
前記抵抗素子は前記分離領域に形成された、半導体装置。 - 前記抵抗素子は、一端部および他端部を含み、
前記一端部は前記第2不純物領域の側に配置され、
前記他端部は前記第3不純物領域の側に配置され、
前記一端部に前記第3不純物領域および前記第2不純物領域が電気的に接続され、
前記他端部に前記接地電位が電気的に接続された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記抵抗素子は、
一端部および他端部と
前記一端部と前記他端部との間に位置する中間部と
を含み、
前記一端部は前記第2不純物領域の側に配置され、
前記他端部は前記第3不純物領域の側に配置され、
前記一端部に前記第2不純物領域が電気的に接続され、
前記他端部に前記第3不純物領域が電気的に接続され、
前記中間部に前記接地電位が電気的に接続された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記抵抗素子の抵抗値は2000Ω以上に設定された、請求項2または3に記載の半導体装置。
- 前記抵抗素子はポリシリコン膜によって形成された、請求項4記載の半導体装置。
- 前記抵抗素子は、一端部および他端部を含み、
前記一端部は前記第2不純物領域の側に配置され、
前記他端部は前記第3不純物領域の側に配置され、
前記一端部に前記第2不純物領域および前記接地電位が電気的に接続され、
前記他端部に前記第3不純物領域が電気的に接続された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記抵抗素子の抵抗値は2000Ω以上50000Ω以下に設定された、請求項6記載の半導体装置。
- 前記抵抗素子はポリシリコン膜によって形成された、請求項7記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板を覆うように形成された第1導電型のエピタキシャル成長層と、
前記半導体基板と前記エピタキシャル成長層との間に形成された第2導電型の第1埋め込み領域と、
前記第1埋め込み領域と前記エピタキシャル成長層との間に形成された第1導電型の第2埋め込み領域と、
前記エピタキシャル成長層の表面から第1深さにわたり形成された第2導電型の第1不純物領域と、
前記第1不純物領域を取り囲むように、前記エピタキシャル成長層の表面から第2深さにわたり形成された第1導電型の第2不純物領域と、
前記第2不純物領域を取り囲むように、前記エピタキシャル成長層の表面から前記第1埋め込み領域にわたり形成された第2導電型の第3不純物領域と、
前記第2不純物領域と前記第3不純物領域とを電気的に分離し、前記エピタキシャル成長層の部分に沿って形成された分離領域と
を備え、
前記第3不純物領域は、抵抗素子を介して接地電位に電気的に接続され、
前記抵抗素子は前記分離領域に形成された、半導体装置。 - 前記第1不純物領域は一方向に延在するように形成され、
前記第2不純物領域は、前記第1不純物領域を挟み込むように互いに対向して、前記一方向にそれぞれ延在する第1延在部および第2延在部を含み、
前記第3不純物領域は、
前記一方向に延在して前記第2不純物領域の前記第1延在部と対向する第3延在部と、
前記一方向に延在して前記第2不純物領域の前記第2延在部と対向する第4延在部と
を含み、
前記分離領域は、
前記第1延在部と前記第3延在部との間に位置する部分を含む第1分離部と、
前記第2延在部と前記第4延在部との間に位置する部分を含む第2分離部と
を有し、
前記抵抗素子は、
前記第1分離部に配置された第1抵抗部と
前記第2分離部に配置された第2抵抗部と
を含む、請求項9記載の半導体装置。 - 前記抵抗素子の平面パターンは矩形状パターンを含む、請求項9または10に記載の半導体装置。
- 前記抵抗素子の平面パターンは蛇行パターンを含む、請求項9または10に記載の半導体装置。
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