JP2016039238A - 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁層を有する絶縁樹脂シートであって、前記絶縁層が、1分子中に2個以上のエポキシ基を持つ、固形状エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを含有し、樹脂組成物硬化物の吸収係数が少なくとも355nmにおいて400cm−1以下であることを特徴とする、絶縁樹脂シート。
【選択図】図1
Description
α(cm−1)=−d−1・(−ln(%T/100))
α:吸収係数(cm−1)
d:膜厚(cm)
%T:透過率(%)
このようにして求める樹脂組成物硬化物の吸収係数が少なくとも355nmにおいて400cm−1以下であれば、レーザ加工によって得られる溝と回路または配線等との密着性(パッド部の引っ張り強度)を向上させることができる。前記吸収係数が400cm−1を超えると、溝(パッド部)の粗度が低下してしまい、充分な密着性を得られない可能性がある。
レーザ加工によって形成された溝には、例えば回路や配線となる金属体を埋め込み、回路基板や半導体パッケージ等とすることができる。
・固形状エポキシ樹脂:トリスフェノール型多官能エポキシ樹脂、「VG3101」プリンテック製
・固形状エポキシ樹脂:ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂、「HP4710」DIC製
・固形状エポキシ樹脂:トリフェニルメタン型多官能エポキシ樹脂、「EPPN502H」日本化薬製
・液状エポキシ樹脂:ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂、「850S」DIC製
・アミン系硬化剤:4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、「4,4’−DDS」和光純薬製
・アミン系硬化剤:ジシアンジアミド、「Dicy」日本カーバイド製
・フェノール硬化剤:α,α−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシ−α,α−ジメチルベンジル)−エチルベンゼン、「TrisP−PA」本州化学製
・硬化促進剤:2−エチル−4−メチルイミダゾール、「2E4MZ」四国化成製
・シランカップリング剤:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、「KBM403」信越化学製
・レベリング剤:フッ素系レベリング剤、「F477」DIC製
・無機フィラー:球状シリカ「SO−C2」アドマテックス製(平均粒径 0.5μm)
・溶剤:メチルエチルケトン(MEK)
・溶剤:ジメチルホルムアミド(DMF)
<絶縁樹脂シートの製造>
下記表1の配合例1に示す配合で溶剤に材料を溶解し、樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスを離型処理を施した厚さ38μmのPET製のキャリアフィルムにバーコータで塗工し、130℃で5分間乾燥させ、溶剤を除去した。得られたキャリア付き絶縁樹脂シートの樹脂厚みは50μmであった。
フィラーを加える前の樹脂組成物をスライドガラス上に、アプリケータを用いて10μm厚で塗布し、200℃にて60分間効果させたサンプルの透過率を測定し、次式によって吸収係数(α)を算出した。
α(cm−1)=−d−1・(−ln(%T/100))
α:吸収係数(cm−1)
d:膜厚(cm)
%T:透過率(%)
実施例1にける吸収係数は、60cm−1であった。
得られた樹脂シートを、厚さ18μmの銅箔をエッチングにて除去した厚さ0.8mmの銅張積層板に真空ラミネータにて貼り合わせ、キャリアフィルムを剥離した後、オーブンで200℃にて60分硬化させた。得られた積層板をレーザ加工面粗度および加工性評価基板として使用した。
上記で得られた基板上に355nmのUV−YAGレーザ(esi社製)を用いて、0.6mmφ、深さ10μmのパッド部を形成した。このパッド面の表面粗さをレーザ顕微鏡(オリンパス社製OLS3000)にて測定したところ、1.0μmであった。
上記で得られた基板を波長355nmのUV−YAGレーザ(esi社製)を用いて、15μmの深さの溝を5m加工するのに要する時間を計測したところ、48秒であった。
上記で得られたレーザ加工性評価基板にアクリル酸−スチレン−アクリル酸2−エチルヘキシルの3元系共重合体(配合比:アクリル酸25質量%、スチレン55質量%、アクリル酸2−エチルヘキシル20質量%)と、紫外線吸収剤である「TINUVIN 571」(λmax(吸収極大):344nm)とを含有する樹脂組成物を固形分20%のIPA溶液とし、スピンコート法で塗布、120℃で60分乾燥し、樹脂被膜を作成した(樹脂被膜形成工程)。
上記で形成した0.6mmφ、銅厚さ 10μmのパッドの引っ張り強度を以下の方法で測定した。
使用した装置:Dage社製 万能型ボンドテスター4000
ロードセル
HBP 10Kg
試験速度 100μ/s
プローブ φ0.9mm,先端 φ0.5mm
先端部にハンダをつけたプローブを加熱しパッドの表面に接触させ、プローブを260℃まで加熱し、ハンダを溶融させパッドにハンダをなじませた。プローブを室温まで冷却し、プローブとパッドを固着した。基板からパッドが剥離するまでプローブを引っ張り上げ、破壊時の強度を測定した。なお、破壊強度をパッドの面積で除した値をパッド引っ張り強度強度(N/mm2)とした。
下記表1に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製し、実施例1と同様に、吸収係数、シートの割れ・欠け、硬化物のTg、レーザ加工面粗度、レーザ加工性及びパッド部引っ張り強度を評価した。その結果、吸収係数は140cm−1で、シートの割れ・欠けはなく、硬化物Tgは240℃であった。また、レーザ加工面粗度は0.8μm、レーザ加工速度は18秒であった。そして、パッド部引っ張り強度は10N/mm2であった。
下記表1に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製し、実施例1と同様に、吸収係数、シートの割れ・欠け、硬化物のTg、レーザ加工面粗度、レーザ加工性及びパッド部引っ張り強度を評価した。その結果、吸収係数は220cm−1で、シートの割れ・欠けはなく、硬化物Tgは250℃であった。また、レーザ加工面粗度は0.8μm、レーザ加工速度は16秒であった。そして、パッド部引っ張り強度は5N/mm2であった。
下記表1に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製し、実施例1と同様に、吸収係数、シートの割れ・欠け、硬化物のTg、レーザ加工面粗度、レーザ加工性及びパッド部引っ張り強度を評価した。その結果、吸収係数は140cm−1で、シートの割れ・欠けはなく、硬化物Tgは200℃であった。また、レーザ加工面粗度は1.0μm、レーザ加工速度は18秒であった。そして、パッド部引っ張り強度は15N/mm2であった。
下記表1に示す配合に変更した以外は実施例1と同様にしてキャリア付き絶縁樹脂シートを作製し、実施例1と同様に、吸収係数、シートの割れ・欠け、硬化物のTg、レーザ加工面粗度、レーザ加工性及びパッド部引っ張り強度を評価した。その結果、吸収係数は650cm−1で、シートの割れ・欠けはなく、硬化物Tgは250℃であった。また、レーザ加工面粗度は0.6μm、レーザ加工速度は16秒であった。そして、パッド部引っ張り強度はわずか1N/mm2であった。
このようにパッド部引っ張り強度が向上することにより、密着性により優れた回路基板を得ることが可能となる。
Claims (8)
- 絶縁層を有する絶縁樹脂シートであって、
前記絶縁層が、1分子中に2個以上のエポキシ基を持つ、固形状エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを含有し、樹脂組成物硬化物の吸収係数が少なくとも355nmにおいて400cm−1以下であることを特徴とする、絶縁樹脂シート。 - 前記絶縁層において、外表面からレーザ加工により形成された溝に金属体が埋め込まれている、請求項1に記載の絶縁樹脂シート。
- 前記絶縁層がさらに無機フィラーを含有する、請求項1または2に記載の絶縁樹脂シート。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の絶縁樹脂シートの前記絶縁層に、さらに回路が埋め込まれてなる、回路基板。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の絶縁樹脂シートの前記絶縁層に、さらに回路および半導体素子が埋め込まれてなる、半導体パッケージ。
- 主面上に電極を有する半導体素子、前記電極が形成されている面を被覆する被覆絶縁層、前記被覆絶縁層の外表面側からレーザ加工することにより形成された溝に金属体が埋め込まれた回路、前記半導体素子の背面に形成された封止樹脂層を備えた半導体パッケージであって、前記被覆絶縁層が請求項1〜3のいずれかに記載の絶縁樹脂シートである、半導体パッケージ。
- 前記封止樹脂層が硬化性樹脂と無機フィラーとを含む請求項6に記載の半導体パッケージ。
- 前記封止樹脂層と前記被覆絶縁層が同じ樹脂組成物からなる請求項6または7に記載の半導体パッケージ。
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