WO2023047594A1 - フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2023047594A1
WO2023047594A1 PCT/JP2021/035421 JP2021035421W WO2023047594A1 WO 2023047594 A1 WO2023047594 A1 WO 2023047594A1 JP 2021035421 W JP2021035421 W JP 2021035421W WO 2023047594 A1 WO2023047594 A1 WO 2023047594A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive
film
semiconductor element
semiconductor
dicing
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/035421
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
和弘 山本
強 田澤
知世 金子
利泰 秋吉
Original Assignee
昭和電工マテリアルズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 昭和電工マテリアルズ株式会社 filed Critical 昭和電工マテリアルズ株式会社
Priority to PCT/JP2021/035421 priority Critical patent/WO2023047594A1/ja
Priority to PCT/JP2022/035193 priority patent/WO2023048188A1/ja
Priority to CN202280062217.8A priority patent/CN117999641A/zh
Priority to TW111136098A priority patent/TW202323489A/zh
Publication of WO2023047594A1 publication Critical patent/WO2023047594A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

フィルム状接着剤が開示される。当該フィルム状接着剤は、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、平均粒径が４００ｎｍ以下である無機フィラーとを含有する。無機フィラーの含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８～４０質量％である。

Description

フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
　本開示は、フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
　近年、半導体素子（半導体チップ）を多段に積層した積層ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）が普及しており、携帯電話、携帯オーディオ機器用のメモリ半導体パッケージ等として搭載されている。また、携帯電話等の多機能化に伴い、半導体パッケージの高速化、高密度化、高集積化等も推し進められている。それに伴い、半導体ウェハの薄膜化も進行しており、加工時のウェハ割れ等の不具合が発生し易くなることで歩留まりの低下が問題になる場合がある。そのため、半導体ウェハの厚さが薄くなる（例えば、５０μｍ以下）につれて、従来の物理的な研削方法から新しい加工方法への移行が進んでいる。
　新しい加工方法の１つとして、切断予定ライン上の半導体ウェハ内部にレーザー光を照射して改質領域を形成し、その後、外周部をエキスパンドによって半導体ウェハを切断する方法が近年提案されている（例えば、特許文献１、２）。この方法は、ステルスダイシングと呼ばれる。新しい加工方法の開発に伴い、これに適合可能な半導体材料の開発が必要となっている。このような半導体材料として、ダイシングテープとダイボンディングフィルムとの性能を併せ持つダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが報告されている（例えば、特許文献３、４）。
特開２００２－１９２３７０号公報 特開２００３－３３８４６７号公報 特開２０１５－２１１０８０号公報 特開２０１６－１１５７７５号公報
　ところで、半導体装置の製造プロセスにおいて、ステルスダイシングによって改質領域を形成して分断する場合、冷却条件下におけるエキスパンド（以下、「冷却エキスパンド」という場合がある。）を実施することがある。しかし、従来のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを冷却エキスパンドに適用すると、フィルム状接着剤からなる接着剤層において未分断が発生する場合がある。接着剤層の未分断が発生すると、歩留まりの低下及び未分断品を選別するための生産時間効率の低下が問題になる。
　また、積層ＭＣＰにおいては、半導体素子が多段に積層されることから、使用されるフィルム状接着剤には、薄膜化（例えば、厚さ２０μｍ以下）が求められている。しかしながら、従来のフィルム状接着剤を薄膜化すると、ダイシェア強度が確保できない場合があり、未だ改善の余地がある。
　そこで、本開示は、冷却エキスパンドによる分断性に優れるとともに、薄膜化したときに充分なダイシェア強度を有するフィルム状接着剤を提供することを主な目的とする。
　本開示の一側面は、フィルム状接着剤に関する。当該フィルム状接着剤は、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、平均粒径が４００ｎｍ以下である無機フィラーとを含有する。無機フィラーの含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８～４０質量％である。無機フィラーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上であると、フィルム状接着剤の冷却エキスパンドによる分断性に優れる傾向にある。無機フィラーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、４０質量％以下であると、フィルム状接着剤を薄膜化したときに充分なダイシェア強度を有する傾向にある。
　フィルム状接着剤の厚さは、２０μｍ以下であってよい。
　フィルム状接着剤は、複数の半導体素子を積層してなる半導体装置の製造プロセスに用いられるものであってよい。この場合、半導体装置は、半導体素子（半導体チップ）を多段に積層した積層ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）であってよく、三次元ＮＡＮＤ型メモリであってもよい。
　本開示の他の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。当該ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、粘着剤層と、上記のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える。
　本開示の他の一側面は、半導体装置に関する。当該半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を搭載する支持部材と、半導体素子及び支持部材の間に設けられ、半導体素子と支持部材とを接着する接着部材とを備える。接着部材は、上記のフィルム状接着剤の硬化物である。半導体装置は、半導体素子の表面上に積層された他の半導体素子をさらに備えていてもよい。
　本開示の他の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。当該半導体装置の製造方法の一態様は、半導体素子と支持部材との間、又は、第１の半導体素子と第２の半導体素子との間に上記のフィルム状接着剤を介在させ、半導体素子及び支持部材、又は、第１の半導体素子及び第２の半導体素子を接着する工程を備える。
　当該半導体装置の製造方法の他の態様は、上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程と、接着剤層を貼り付けた半導体ウェハをダイシングする工程と、基材層を冷却条件下エキスパンドすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体素子を作製する工程と、接着剤片付き半導体素子を粘着剤層からピックアップする工程と、接着剤片付き半導体素子を支持部材に接着剤片を介して接着する工程とを備える。半導体装置の製造方法は、他の接着剤片付き半導体素子を、支持部材に接着された半導体素子の表面に接着剤片を介して接着する工程をさらに備えていてもよい。
　本開示によれば、冷却エキスパンドによる分断性に優れるとともに、薄膜化したときに充分なダイシェア強度を有するフィルム状接着剤が提供される。また、本開示によれば、このようなフィルム状接着剤を用いたダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法が提供される。さらに、本開示によれば、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、割断試験における冶具に固定された状態の試料を模式的に示す斜視図である。 図３は、割断試験における押し込み冶具によって試料に荷重を加えている状態を模式的に示す断面図である。 図４は、割断試験の結果の一例を模式的に示すグラフである。 図５は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図６は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。 図７は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。 図８は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
　本明細書に例示する各成分及び材料は、特に断らない限り、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用して使用してもよい。
［フィルム状接着剤］
　フィルム状接着剤は、熱硬化性樹脂（以下、「（Ａ）成分」という場合がある。）と、硬化剤（以下、「（Ｂ）成分」という場合がある。）と、エラストマー（以下、「（Ｃ）成分」という場合がある。）と、平均粒径が４００ｎｍ以下である無機フィラー（以下、「（Ｄ）成分」という場合がある。）とを含有する。フィルム状接着剤は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分に加えて、カップリング剤（以下、「（Ｅ）成分」という場合がある。）、硬化促進剤（以下、「（Ｆ）成分」という場合がある。）、その他の成分等をさらに含有していてもよい。
　フィルム状接着剤は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分、並びに必要に応じて添加される他の成分（（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、その他の成分等）を含有する接着剤組成物を、フィルム状に成形することによって得ることができる。フィルム状接着剤（接着剤組成物）は、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化（Ｃステージ）状態となり得るものであってよい。
（Ａ）成分：熱硬化性樹脂
　（Ａ）成分は、接着性の観点から、エポキシ樹脂を含んでいてもよく、１種又は２種以上のエポキシ樹脂からなるものであってもよい。
　エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；トリアジン骨格含有エポキシ樹脂；フルオレン骨格含有エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂；ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、エポキシ樹脂は、フィルムのタック性、柔軟性等の観点から、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂又はフルオレン骨格含有エポキシ樹脂を含んでいてもよい。
　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３００ｇ／ｅｑ、１１０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１３０～２８０ｇ／ｅｑであってよい。エポキシ樹脂のエポキシ当量がこのような範囲にあると、より良好な反応性及び流動性が得られる傾向にある。
　（Ａ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、１質量％以上、３質量％以上、又は５質量％以上であってよく、３０質量％以下、２０質量％以下、又は１５質量％以下であってよい。（Ａ）成分の含有量がこのような範囲にあると、硬化後の弾性率により優れる傾向にある。（Ａ）成分の含有量がこのような範囲にあると、硬化前の柔軟性により優れる傾向にある。
（Ｂ）成分：硬化剤
　（Ａ）成分の硬化剤として一般的に使用されているものを用いることができる。（Ａ）成分がエポキシ樹脂を含む（１種又は２種以上のエポキシ樹脂からなる）場合、（Ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン、酸無水物等が挙げられる。これらの中でも、反応性及び経時安定性の観点から、（Ｂ）成分はフェノール樹脂を含んでいてもよく、１種又は２種以上のフェノール樹脂からなるものであってもよい。
　フェノール樹脂は、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ホルムアルデヒド等のアルデヒド類との重縮合生成物であり得る。重縮合は、通常、酸、塩基等の触媒存在下で行われる。酸触媒を用いた場合に得られるフェノール樹脂は、特にノボラック型フェノール樹脂と呼ばれる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、クレゾール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、キシレノール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、レゾルシノール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂、フェノール－ナフトール／ホルムアルデヒドノボラック樹脂等が挙げられる。また、フェノール樹脂としては、例えば、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類と、ジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂なども挙げられる。
　フェノール樹脂の水酸基当量は、８０～３００ｇ／ｅｑ、９０～２８０ｇ／ｅｑ、又は１００～２５０ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量が８０ｇ／ｅｑ以上であると、貯蔵弾性率がより向上する傾向にあり、３００ｇ／ｅｑ以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。
　フェノール樹脂の軟化点は、５０～１４０℃、５５～１３０℃、又は６０～１２０℃であってよい。なお、軟化点とは、ＪＩＳ　Ｋ７２３４に準拠し、環球法によって測定される値を意味する。
　（Ｂ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、２０質量％以下、１５質量％以下、又は１０質量％以下であってよい。
　（Ａ）成分がエポキシ樹脂であり、（Ｂ）成分がフェノール樹脂である場合、エポキシ樹脂のエポキシ当量とフェノール樹脂の水酸基当量との比（エポキシ樹脂のエポキシ当量／フェノール樹脂の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上である（エポキシ樹脂のエポキシ当量が０．３０以上である）と、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下である（エポキシ樹脂のエポキシ当量が０．７０以下である）と、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
　（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、１質量％以上、５質量％以上、又は１０質量％以上であってよい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量がこのような範囲にあると、接着性がより向上する傾向にある。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、取り扱い性の観点から、フィルム状接着剤の全質量を基準として、４０質量％以下、３０質量％以下、又は２０質量％以下であってよい。
（Ｃ）成分：エラストマー
　（Ｃ）成分としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエン樹脂；これら樹脂の変性体等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ｃ）成分は、イオン性不純物が少なく耐熱性により優れること、半導体装置の接続信頼性をより確保し易いこと、流動性により優れることから、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を主成分として有するアクリル樹脂（アクリルゴム）であってよい。（Ｃ）成分における（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位の含有量は、構成単位全量を基準として、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、又は９０質量％以上であってよい。アクリル樹脂（アクリルゴム）は、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むものであってよい。
　（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～３０℃であってよい。（Ｃ）成分のＴｇが－５０℃以上であると、接着剤組成物の柔軟性が高くなり過ぎることを防ぐことができる傾向にある。これによって、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤を切断し易くなり、バリの発生を防ぐことが可能となる。（Ｃ）成分のＴｇが５０℃以下であると、フィルム状接着剤の柔軟性の低下を抑えることができる傾向にある。これにより、フィルム状接着剤を半導体ウェハに貼り付ける際に、ボイドを充分に埋め込み易くなる傾向にある。また、半導体ウェハの密着性の低下によるダイシング時のチッピングを防ぐことが可能となる。ここで、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　２」）を用いて測定した値を意味する。（Ｃ）成分のＴｇは、（Ｃ）成分を構成する構成単位（（Ｃ）成分がアクリル樹脂（アクリルゴム）である場合、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位）の種類及び含有量を調整することによって、所望の範囲に調整することができる。
　（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万～３００万又は２０万～１００万であってよい。（Ｃ）成分のＭｗがこのような範囲にあると、フィルム形成性、フィルム強度、可撓性、タック性等を適切に制御することができるとともに、リフロー性に優れ、埋め込み性を向上することができる。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
　（Ｃ）成分の市販品としては、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、ＳＧ－Ｐ３、ＳＧ－２８０　ＥＫ２３、ＳＧ－８０Ｈ、ＨＴＲ－８６０Ｐ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ－３ＤＢ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）等が挙げられる。
　（Ｃ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、４０質量％以上、４５質量％以上、又は５０質量％以上であってよい。（Ｃ）成分の含有量がこのような範囲にあると、薄膜塗工性により優れる傾向にある。（Ｃ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、８０質量％以下、７５質量％以下、又は７０質量％以下であってよい。（Ｃ）成分の含有量がこのような範囲にあると、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の含有量を充分に確保することができ、他の特性との両立できる傾向にある。
（Ｄ）成分：平均粒径が４００ｎｍ以下である無機フィラー
　（Ｄ）成分としての無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、シリカ等が挙げられる。これらは、平均粒径が４００ｎｍ以下であれば、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、無機フィラーは、溶融粘度の調整の観点から、シリカであってもよい。無機フィラーの形状は、特に制限されないが、球状であってよい。
　（Ｄ）成分の平均粒径は、薄膜塗工性及び接着性の観点から、４００ｎｍ以下であり、３５０ｎｍ以下又は３００ｎｍ以下であってもよい。（Ｄ）成分としての無機フィラーの平均粒径は、例えば、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、又は１５０ｎｍ以上であってよい。ここで、平均粒径は、動的光散乱法によって求められる平均粒径を意味する。なお、（Ｄ）成分の平均粒径は、（Ｄ）成分が含有されるフィルム状接着剤を用いることによっても求めることができる。この場合、フィルム状接着剤を加熱して樹脂成分を分解することによって得られる残渣を溶媒に分散して分散液を作製し、これに動的光散乱法を適用して得られる粒度分布から、（Ｄ）成分の平均粒径を求めることができる。
　（Ｄ）成分は、例えば、１種又は２種以上の平均粒径４００ｎｍ以下の無機フィラーから構成されるものであってよく、１種又は２種以上の、平均粒径１０～４００ｎｍ、平均粒径３０～４００ｎｍ、平均粒径１００～４００ｎｍ、平均粒径１５０～４００ｎｍ、平均粒径１０～３５０ｎｍ、平均粒径３０～３５０ｎｍ、平均粒径１００～３５０ｎｍ、平均粒径１５０～３５０ｎｍ、平均粒径１０～３００ｎｍ、平均粒径３０～３００ｎｍ、平均粒径１００～３００ｎｍ、又は平均粒径１５０～３００ｎｍの無機フィラーから構成されるものであってもよい。
　（Ｄ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８～４０質量％である。（Ｄ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、１８質量％以上であり、２０質量％以上、２２質量％以上、又は２４質量％以上であってもよい。（Ｄ）成分の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上であると、フィルム状接着剤の冷却エキスパンドによる分断性に優れる傾向にある。（Ｄ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、４０質量％以下であり、３８質量％以下、３５質量％以下、又は３２質量％以下であってもよい。（Ｄ）成分の含有量、フィルム状接着剤の全量を基準として、４０質量％以下であると、フィルム状接着剤を薄膜化したときに充分なダイシェア強度を有する傾向にある。フィルム状接着剤の全量を基準とする（Ｄ）成分の含有量は、（Ｄ）成分が含有されるフィルム状接着剤を用いることによっても求めることができる。この場合、フィルム状接着剤の質量及びフィルム状接着剤を加熱して樹脂成分を分解することによって得られる残渣の質量を求め、これらの質量関係から（Ｄ）成分の含有量を求めることができる。フィルム状接着剤を加熱して樹脂成分を分解することによって得られる残渣の質量は、残渣を溶媒で洗浄し、乾燥した後に測定される質量であってもよい。
　フィルム状接着剤は、（Ｄ）成分に加えて、平均粒径が４００ｎｍ超である無機フィラーを含有していてもよい。他方、フィルム状接着剤は、本開示の効果がより顕著に奏される傾向にあることから、平均粒径が４００ｎｍ超である無機フィラーを実質的に含有していない（添加していない）ことが好ましい。ここで、「実質的に含有していない」とは、平均粒径が４００ｎｍ超である無機フィラーの含有量が、（Ｄ）成分及び平均粒径が４００ｎｍ超である無機フィラーの全質量を基準として、５質量％以下、３質量％以下、１質量％以下、又は０．１質量％以下であることを意味する。
（Ｅ）成分：カップリング剤
　（Ｅ）成分は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤としては、例えば、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
（Ｆ）成分：硬化促進剤
　（Ｆ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から（Ｆ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってもよい。
　イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　フィルム状接着剤は、その他の成分をさらに含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、顔料、イオン補捉剤、酸化防止剤等が挙げられる。
　（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、及びその他の成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、０．１質量％以上、０．３質量％以上、又は０．５質量％以上であってよく、２０質量％以下、１０質量％以下、又は５質量％以下であってよい。
　図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示すフィルム状接着剤１は、接着剤組成物をフィルム状に成形してなるものである。フィルム状接着剤１は、通常、半硬化（Ｂステージ）状態で、硬化処理後に完全硬化（Ｃステージ）状態となるものであり得る。フィルム状接着剤１は、接着剤組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。フィルム状接着剤１の形成においては、接着剤組成物のワニス（接着剤ワニス）を用いてもよい。接着剤ワニスを用いる場合は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分、並びに必要に応じて添加される成分を溶剤中で混合又は混練して接着剤ワニスを調製し、得られた接着剤ワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによってフィルム状接着剤１を得ることができる。
　支持フィルムは、上記の加熱乾燥に耐えるものであれば特に限定されないが、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等であってよい。支持フィルムは、２種以上を組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。支持フィルムの厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
　混合又は混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。
　接着剤ワニスの調製に用いられる溶剤は、各成分を均一に溶解、混練、又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。溶剤は、乾燥速度及び価格の観点から、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノンであってよい。
　接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。加熱乾燥は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限されないが、５０～１５０℃の範囲で、１～３０分の範囲で行うことができる。加熱乾燥は、異なる加熱温度で異なる加熱時間で段階的に行うことができる。
　フィルム状接着剤の厚さは、２０μｍ以下であってよく、１８μｍ以下、１５μｍ以下、１２μｍ以下、又は１０μｍ以下であってもよい。フィルム状接着剤の厚さの下限は、特に制限されないが、例えば、１μｍ以上であってよい。
　支持フィルム上に作製されたフィルム状接着剤は、損傷又は汚染を防ぐ観点から、フィルム状接着剤の支持フィルムとは反対側の面にカバーフィルムを備えていてもよい。カバーフィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、表面はく離剤処理フィルム等が挙げられる。カバーフィルムの厚さは、例えば、１５～２００μｍ又は３０～１７０μｍであってよい。
　フィルム状接着剤は、薄膜化が可能であることから、複数の半導体素子を積層してなる半導体装置の製造プロセスに好適に用いることができる。この場合、半導体装置は、積層ＭＣＰであってよく、三次元ＮＡＮＤ型メモリであってもよい。
　フィルム状接着剤１は、以下の条件下で実施される割断試験の結果を利用した分断性評価方法（冷却エキスパンドが実施される低温条件（例えば、－１５℃～０℃の範囲）下におけるフィルム状接着剤の分断性評価方法）において、割断係数ｍが７０以下であるフィルム状接着剤であってよい。
＜条件＞
　試料の幅：５ｍｍ
　試料の長さ：２３ｍｍ
　押し込み冶具と試料との相対速度：１０ｍｍ／分
　以下、割断試験について説明する。割断試験は抗折強度試験に分類されるものであり、試料の両端を固定した状態で試料が破断するまで試料の中央部を押し込む工程を含む。図２に示すように、試料Ｓは一対の試料固定用冶具２０に挟まれて固定された状態で割断試験に供される。一対の試料固定用冶具２０は、例えば、充分な強度を有する厚紙からなり、中央に矩形の開口２０ａをそれぞれ有する。固定された状態の試料Ｓの中央部に、押し込み冶具２１を用いて荷重を加える（図３参照）。
　試料Ｓは、評価対象のフィルム状接着剤を切り出したものであればよく、フィルム状接着剤から切り出した複数の接着剤片を積層して試料を作製しなくてもよい。すなわち、試料Ｓの厚さは、フィルム状接着剤の厚さと同じであってもよい。試料Ｓの幅（図２におけるＷｓ）は、例えば、１～３０ｍｍであり、３～８ｍｍであってもよい。測定装置の状況に応じて適当な幅に設定すればよい。試料Ｓの長さ（図２におけるＬｓ）は、例えば、５～５０ｍｍであり、１０～３０ｍｍ又は６～９ｍｍであってもよい。試料Ｓの長さは試料固定用冶具２０の開口２０ａのサイズに依存する。なお、試料固定用冶具２０の形状及び試料Ｓのサイズは、割断試験を実施できる限り、上記のもの以外であってもよい。
　押し込み冶具２１は、円錐状の先端部２１ａを有する円柱状部材からなる。押し込み冶具２１の直径（図３におけるＲ）は、例えば、３～１５ｍｍであり、５～１０ｍｍであってもよい。先端部２１ａの角度（図３におけるθ）は、例えば、４０～１２０°であり、６０～１００°であってもよい。
　割断試験は、所定の温度に設定された恒温槽内で実施される。恒温槽は、－１５℃～０℃の範囲の一定の温度（想定される冷却エキスパンドの温度）に設定すればよい。恒温槽として、例えば、株式会社アイテック社製、ＴＬＦ－Ｒ３－Ｆ－Ｗ－ＰＬ－Ｓを使用できる。オートグラフ（例えば、株式会社エーアンドデイ製のＡＺＴ－ＣＡ０１、ロードセル５０Ｎ、圧縮モード）を使用し、割断仕事Ｗ、割断強度Ｐ、及び割断伸びＬを得る。
　押し込み冶具２１と試料Ｓとの相対速度は、例えば、１～１００ｍｍ／分であり、５～２０ｍｍ／分であってもよい。この相対速度が速すぎると割断過程のデータが充分に取得できない傾向にあり、遅すぎると応力が緩和して割断に至りにくい傾向にある。押し込み冶具２１の押し込み距離は、例えば、１～５０ｍｍであり、５～３０ｍｍであってもよい。押し込み距離が短すぎると割断に至らない傾向にある。評価対象のフィルム状接着剤について、複数の試料を準備し、割断試験を複数回行って試験結果の安定性を確認することが好ましい。
　図４は、割断試験の結果の一例を示すグラフである。図４に示すように、割断仕事Ｗは、縦軸を荷重とし、横軸を試料Ｓが破断するまでの押し込み量でグラフを作成したときに囲まれた面積である。割断強度Ｐは、試料Ｓが破断したときの荷重である。割断伸びＬは試料Ｓが破断したときの試料Ｓの伸び量である。割断伸びＬは、試料Ｓが破断したときの押し込み距離と試料固定用冶具２０の開口２０ａの幅から三角関数を用いて算出すればよい。
　割断試験によって得られた割断仕事Ｗ（Ｎ・ｍｍ）、割断強度Ｐ（Ｎ）、及び割断伸びＬ（ｍｍ）の値から、式（１）及び式（２）より割断係数ｍ（無次元）及び割断抵抗Ｒ（Ｎ／ｍｍ２）を求める。
　ｍ＝Ｗ／［１０００×（Ｐ×Ｌ）］　（１）
　Ｒ＝Ｐ／Ａ　（２）
　本発明者らの検討によると、以下の条件下で割断試験を実施したとき、割断係数ｍが９０以下であるフィルム状接着剤は、実際にステルスダイシングにおいて冷却エキスパンドによる分断性に優れる傾向にある。
＜条件＞
　試料の幅：５ｍｍ
　試料の長さ：２３ｍｍ
　押し込み冶具と試料との相対速度：１０ｍｍ／分
　割断係数ｍ（無次元）は、９０以下であってよく、８０以下、７０以下、６５以下、又は６０以下であってもよい。割断係数ｍは低温条件下におけるフィルム状接着剤の延伸性に関するパラメータである。割断係数ｍが９０以下であると、フィルム状接着剤の適度な延伸性により、冷却エキスパンドによる分断性が充分となる傾向にある。この傾向は割断係数ｍの数値が小さくなるほど、より顕著である。割断係数ｍ（無次元）は、０超であってよく、１０以上又は１５以上であってもよい。割断係数ｍが１５以上であると、応力の伝播性が良好となる傾向にある。割断係数ｍがこのような範囲にあるフィルム状接着剤は、冷却エキスパンドが実施される半導体装置の製造プロセスに好適に用いることができる。
　割断抵抗Ｒは、０Ｎ／ｍｍ２超４５Ｎ／ｍｍ２以下であってよく、１０Ｎ／ｍｍ２以上又は２０Ｎ／ｍｍ２以上であってもよく、４０Ｎ／ｍｍ２以下又は３５Ｎ／ｍｍ２以下であってもよい。割断抵抗Ｒが４５Ｎ／ｍｍ２以下であると、フィルム状接着剤の強度が過度となり過ぎず、充分な分断性が得られる傾向にある。割断抵抗Ｒが０Ｎ／ｍｍ２超であると、冷却エキスパンドにおいて良好な応力伝播が生じ、より優れた分断性が得られる傾向にある。割断抵抗Ｒが２０Ｎ／ｍｍ２以上であると、この傾向がより一層顕著となる傾向にある。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム］
　図５は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図５に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、基材層２と、粘着剤層３と、上記の接着剤組成物からなる接着剤層１Ａとをこの順に備える。接着剤層１Ａは、フィルム状接着剤１であり得る。基材層２及び粘着剤層３は、ダイシングテープ４であり得る。このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０を用いると、半導体ウェハへのラミネート工程が１回となることから、作業の効率化が可能である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、フィルム状、シート状、テープ状等であってもよい。
　ダイシングテープ４は、基材層２と、基材層２上に設けられた粘着剤層３とを備えている。
　基材層２としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。これらの基材層２は、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。
　粘着剤層３は、粘着剤からなる層である。粘着剤は、ダイシング時には半導体素子が飛散しない充分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限なく、ダイシングテープの分野で従来公知のものを使用することができる。粘着剤は、感圧型又は放射線硬化型のいずれであってもよい。感圧型粘着剤は、短時間の加圧で一定の粘着性を示す粘着剤である。一方、放射線硬化型粘着剤は、放射線（例えば、紫外線）の照射によって、粘着性が低下する性質を有する粘着剤である。放射線硬化型粘着剤は、例えば、紫外線硬化型粘着剤であってよい。
　ダイシングテープ４（基材層２及び粘着剤層３）の厚さは、経済性及びフィルムの取扱い性の観点から、６０～１５０μｍ又は７０～１３０μｍであってよい。
　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、例えば、フィルム状接着剤１及びダイシングテープ４を準備し、フィルム状接着剤１とダイシングテープ４の粘着剤層３とを貼り合わせることによって得ることができる。また、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、例えば、ダイシングテープ４を準備し、上記のフィルム状接着剤１を形成する方法と同様に、接着剤組成物（接着剤ワニス）をダイシングテープ４の粘着剤層３上に塗布することによっても得ることができる。
　フィルム状接着剤１とダイシングテープ４の粘着剤層３とを貼り合わせる場合、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば、室温（２０℃）又は加熱状態）でダイシングテープ４にフィルム状接着剤１をラミネートすることによって形成することができる。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、連続的に製造ができ、効率に優れることから、加熱状態でロールラミネーターを用いて形成してもよい。
　フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、半導体装置の製造プロセスに用いられるものであってよく、複数の半導体素子を積層してなる半導体装置の製造プロセスに用いられるものであってもよい。
　フィルム状接着剤は、半導体素子と半導体素子を搭載する支持部材とを接着するため接着剤としても好適に用いられる。
　また、フィルム状接着剤は、複数の半導体素子を積層してなる半導体装置である積層ＭＣＰ（例えば、三次元ＮＡＮＤ型メモリ）において、半導体素子同士を接着するための接着剤としても好適に用いられる。
　フィルム状接着剤は、例えば、フリップチップ型半導体装置の半導体素子の裏面を保護する保護シート、フリップチップ型半導体装置の半導体素子の表面と被着体との間を封止するための封止シート等としても用いることできる。
　フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて製造された半導体装置について、以下、図面を用いて具体的に説明する。なお、近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本実施形態のフィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。
［半導体装置］
　図６は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図６に示される半導体装置１００は、半導体素子１１と、半導体素子１１を搭載する支持部材１２と、接着部材１５とを備えている。接着部材１５は、半導体素子１１及び支持部材１２の間に設けられ、半導体素子１１と支持部材１２とを接着している。接着部材１５は、接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物）である。半導体素子１１の接続端子（図示せず）はワイヤ１３を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材１４によって封止されている。
　図７は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。図７に示される半導体装置１１０において、一段目の半導体素子１１ａは、接着部材１５ａ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））によって、端子１６が形成された支持部材１２に接着され、一段目の半導体素子１１ａ上にさらに接着部材１５ｂ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））によって二段目の半導体素子１１ｂが接着されている。一段目の半導体素子１１ａ及び二段目の半導体素子１１ｂの接続端子（図示せず）は、ワイヤ１３を介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材１４によって封止されている。図７に示される半導体装置１１０は、図６に示される半導体装置１００において、半導体素子（１１ａ）の表面上に積層された他の半導体素子（１１ｂ）をさらに備えているともいえる。
　図８は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。図８に示される半導体装置１２０は、支持部材１２と、支持部材１２上に積層された半導体素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄとを備える。四つの半導体素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、支持部材１２の表面に形成された接続端子（図示せず）との接続のために、横方向（積層方向と直交する方向）に互いにずれた位置に積層されている（図８参照）。半導体素子１１ａは、接着部材１５ａ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））によって支持部材１２に接着されており、三つの半導体素子１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの間にも、接着部材１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））がそれぞれ介在している。図８に示される半導体装置１２０は、図６に示される半導体装置１００において、半導体素子（１１ａ）の表面上に積層された他の半導体素子（１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ）をさらに備えているともいえる。
　以上、本開示の実施形態について半導体装置（パッケージ）を詳細に説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、図８においては、四つの半導体素子が積層された態様の半導体装置を例示したが、積層する半導体素子の数はこれに限定されるものではない。また、図８においては、半導体素子が横方向（積層方向と直交する方向）に互いにずれた位置に積層されている態様の半導体装置を例示したが、半導体素子が横方向（積層方向と直交する方向）に互いにずれていない位置に積層されている態様の半導体装置であってもよい。
［半導体装置の製造方法］
　図６、図７、及び図８に示される半導体装置（半導体パッケージ）は、半導体素子と支持部材との間、又は、半導体素子（第１の半導体素子）と半導体素子（第２の半導体素子）との間に上記のフィルム状接着剤を介在させ、半導体素子及び支持部材、又は、半導体素子（第１の半導体素子）及び半導体素子（第２の半導体素子）を接着させる工程を備える方法によって得ることができる。より具体的には、半導体素子と支持部材との間、又は、半導体素子（第１の半導体素子）と半導体素子（第２の半導体素子）との間に上記のフィルム状接着剤を介在させ、これらを加熱圧着して両者を接着させ、その後、必要に応じてワイヤボンディング工程、封止材による封止工程、はんだによるリフローを含む加熱溶融工程等を経ることによって得ることができる。
　半導体素子と支持部材との間、又は、半導体素子（第１の半導体素子）と半導体素子（第２の半導体素子）との間にフィルム状接着剤を介在させる方法としては、後述のように、予め接着剤片付き半導体素子を作製した後、支持部材又は半導体素子に貼り付ける方法であってよい。
　次に、図５に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて半導体装置の製造方法の一実施形態について説明する。なお、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムによる半導体装置の製造方法は、以下に説明する半導体装置の製造方法に限定されるものではない。
　半導体装置は、例えば、上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程（ラミネート工程）と、接着剤層を貼り付けた半導体ウェハをダイシングする工程（ダイシング工程）と、基材層を冷却条件下エキスパンドすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体素子を作製する工程（冷却エキスパンド工程）と、接着剤片付き半導体素子を粘着剤層からピックアップする工程（ピックアップ工程）と、ピックアップされた接着剤片付き半導体素子を支持部材に接着剤片を介して接着する工程（第１の接着工程）とを備える方法によって得ることができる。半導体装置の製造方法は、他の接着剤片付き半導体素子を、支持部材に接着された半導体素子の表面に接着剤片を介して接着する工程（第２の接着工程）をさらに備えていてもよい。
　ラミネート工程は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０における接着剤層１Ａに半導体ウェハを圧着し、これを接着保持させて貼り付ける工程である。本工程は、圧着ロール等の押圧手段によって押圧しながら行ってもよい。なお、半導体ウェハは、上記と同様の半導体ウェハを例示することができる。
　半導体ウェハとしては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素等の化合物半導体などが挙げられる。
　ダイシング工程は、半導体ウェハのダイシングを行う工程である。ダイシングは、例えば、半導体ウェハの回路面側から常法に従って行うことができる。また、本工程では、例えば、半導体ウェハに半分切込みを設けるハーフカットと呼ばれる方式、レーザーによって改質領域を形成し分断する方式（ステルスダイシング）等を採用できる。上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層は、冷却エキスパンドによる分断性に優れることから、ステルスダイシングを採用することが好ましい。本工程で用いるダイシング装置としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
　冷却エキスパンド工程は、基材層を冷却条件下エキスパンドする工程である。これにより、複数の個片化された接着剤片付き半導体素子を得ることができる。冷却条件下におけるエキスパンドの条件は、任意に設定することができるが、例えば、冷却温度－３０～５℃、冷却時間３０秒～５分、突き上げ量５～２０ｍｍ、突き上げ速度５０～３００ｍｍ／秒とすることができる。
　半導体素子（半導体チップ）としては、例えば、ＩＣ（集積回路）等が挙げられる。支持部材としては、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させた変性プラスチックフィルム；アルミナ等のセラミックスなどが挙げられる。
　ピックアップ工程は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに接着固定された接着剤片付き半導体素子を剥離するために、接着剤片付き半導体素子同士を離間させつつ、接着剤片付き半導体素子のピックアップを行う工程である。接着剤片付き半導体素子同士を離間させるためのエキスパンドの方法としては、特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。接着剤片付き半導体素子同士を離間させる方法としては、例えば、基材層をエキスパンドする方法が挙げられる。エキスパンドは、必要に応じて、冷却条件下におけるエキスパンドであってよい。ピックアップの方法としては、特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。このような方法としては、例えば、個々の接着剤片付き半導体素子をダイシング・ダイボンディング一体型フィルム側からニードルによって突き上げ、突き上げられた接着剤片付き半導体素子をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
　ここでピックアップ工程は、粘着剤層が放射線（例えば、紫外線）硬化型の場合、該粘着剤層に放射線を照射した後に行うことができる。これによって、粘着剤層の接着剤片に対する粘着力が低下し、接着剤片付き半導体素子の剥離が容易になる。その結果、接着剤片付き半導体素子を損傷させることなく、ピックアップが可能となる。
　第１の接着工程は、ピックアップされた接着剤片付き半導体素子を、半導体素子を搭載するための支持部材に接着剤片を介して接着する工程である。また、必要に応じて、他の接着剤片付き半導体素子を、支持部材に接着された半導体素子の表面に接着剤片を介して接着する工程（第２の接着工程）を備えていてもよい。接着はいずれも圧着によって行うことができる。圧着条件としては、特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。圧着条件は、例えば、８０～１６０℃の温度条件、５～１５Ｎの荷重条件、１～１０秒の時間条件であってよい。なお、支持部材は、上記と同様の支持部材を例示することができる。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、接着剤片を熱硬化させる工程を備えていてもよい。上記接着工程によって、半導体素子及び支持部材、又は、半導体素子（第１の半導体素子）と半導体素子（第２の半導体素子）を接着している接着剤片を熱硬化させることによって、より強固に接着固定が可能となる。熱硬化を行う場合、圧力を同時に加えて硬化させてもよい。本工程における加熱温度は、接着剤片を構成成分によって適宜変更することができる。加熱温度は、例えば、６０～２００℃であってよい。なお、温度又は圧力は、段階的に変更しながら行ってもよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、支持部材の端子部（インナーリード）の先端と半導体素子上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する工程（ワイヤボンディング工程）を備えていてもよい。ボンディングワイヤとしては、例えば、金線、アルミニウム線、銅線等が用いられる。ワイヤボンディングを行う（ボンディングワイヤを設ける）際の温度は、８０～２５０℃又は８０～２２０℃の範囲内であってよい。加熱時間は数秒～数分であってよい。ボンディングワイヤを設ける際は、上記温度範囲内で加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧とによる圧着エネルギーの併用によって行ってもよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止材によって半導体素子を封止する工程（封止工程）を備えていてもよい。本工程は、支持部材に搭載された半導体素子又はボンディングワイヤを保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂（封止樹脂）を金型で成型することによって行うことができる。封止樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂であってよい。封止時の熱及び圧力によって支持部材及び残渣が埋め込まれ、接着界面での気泡による剥離を防止することができる。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止工程で硬化不足の封止樹脂を完全に硬化させる工程（後硬化工程）を備えていてもよい。封止工程において、接着剤片が熱硬化されない場合でも、本工程において、封止樹脂の硬化とともに接着剤片を熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類よって適宜設定することができ、例えば、１６５～１８５℃の範囲内であってよく、加熱時間は０．５～８時間程度であってよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、支持部材に接着された接着剤片付き半導体素子に対して、リフロー炉を用いて加熱する工程（加熱溶融工程）を備えていてもよい。本工程では支持部材上に、樹脂封止した半導体装置を表面実装してもよい。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めはんだを供給した後、温風等によって加熱溶融し、はんだ付けを行うリフローはんだ付けなどが挙げられる。加熱方法としては、例えば、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、加熱方法は、全体を加熱するものであってもよく、局部を加熱するものであってもよい。加熱温度は、例えば、２４０～２８０℃の範囲内であってよい。
　以下に、本開示を実施例に基づいて具体的に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。
［フィルム状接着剤の作製］
（実施例１～１９及び比較例１～３）
＜接着剤ワニスの調製＞
　表１、表２、及び表３に示す成分及び含有量（単位：質量部）で、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｄ）成分からなる混合物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表１、表２、及び表３に示す成分及び含有量（単位：質量部）で、（Ｃ）成分を加えて撹拌し、さらに（Ｅ）成分及び（Ｆ）成分を加えて、各成分が均一になるまで撹拌して、接着剤ワニスを調製した。なお、表１、表２、及び表３に示す各成分は下記のものを意味し、表１、表２、及び表３に示す数値は固形分の質量部を意味する。
（Ａ）成分：エポキシ樹脂
（Ａ－１）Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０３ｇ／ｅｑ）
（Ａ－２）ＰＧ－１００（商品名、大阪ガスケミカル株式会社製、フルオレン骨格を有するエポキシ樹脂、エポキシ当量：２６０ｇ／ｅｑ）
（Ｂ）成分：硬化剤
（Ｂ－１）ＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化学株式会社製、フェノールノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量：１６７～１８０ｇ／ｅｑ、軟化点：６１～９０℃）
（Ｂ－２）ＧＰＨ－１０３（商品名、日本化薬株式会社製、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、水酸基当量：２２０～２４０ｇ／ｅｑ、軟化点：９９～１０６℃）
（Ｂ－３）ＰＳＭ－４３２６（商品名、群栄化学工業株式会社製、フェノールノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点：１１８～１２２℃）
（Ｃ）成分：エラストマー
（Ｃ－１）ＨＴＲ－８６０Ｐ（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：－１２℃）
（Ｃ－２）ＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ：ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量：３０万、Ｔｇ：－１２℃）
（Ｄ）成分：平均粒径が４００ｎｍ以下である無機フィラー
（Ｄ－１）アエロジルＲ９７２（商品名（「アエロジル」は登録商標）、日本アエロジル株式会社製、シリカ粒子、平均粒径：１６ｎｍ）
（Ｄ－２）ＹＡ０５０Ｃ－ＨＨＧ（商品名、アドマテックス株式会社製、シリカフィラー分散液、平均粒径：５０ｎｍ）
（Ｄ－３）Ｋ１８０ＳＴ（商品名、アドマテックス株式会社製、シリカフィラー分散液、平均粒径：１８０ｎｍ）
（Ｄ－４）３ＧＦ（商品名、アドマテックス株式会社製、シリカフィラー分散液、平均粒径：３００ｎｍ）
（ｄ）成分：平均粒径が４００ｎｍ超である無機フィラー
（ｄ－１）ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名、アドマテックス株式会社製、シリカフィラー分散液、平均粒径：５００ｎｍ）
（Ｅ）成分：カップリング剤
（Ｅ－１）Ａ－１８９（商品名、日本ユニカー株式会社製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）
（Ｅ－２）Ｙ－９６６９（商品名、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン製、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン）
（Ｆ）成分：硬化促進剤
（Ｆ－１）２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
＜フィルム状接着剤の作製＞
　調製した接着剤ワニスを５００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。支持フィルムとして、厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、真空脱泡後の接着剤ワニスをＰＥＴフィルム上に塗布した。塗布した接着剤ワニスを、９０℃で５分の条件、続いて１４０℃で５分の条件の２段階で加熱乾燥し、Ｂステージ状態にある実施例１～１９及び比較例１～３のフィルム状接着剤（厚さ：７μｍ）を得た。フィルム状接着剤においては、接着剤ワニスの塗布量によって、フィルム状接着剤の厚さが７μｍになるように調整した。
［冷却エキスパンドによる分断性評価］
　実施例１～１９及び比較例１～３のフィルム状接着剤からそれぞれ接着剤片（幅５ｍｍ×長さ１００ｍｍ）を切り出した。接着剤片を一対の冶具（厚紙）に固定するとともに、冶具からはみ出している接着剤片の箇所を除去した。これにより、評価対象の試料（幅５ｍｍ×長さ２３ｍｍ）を得た。－１５℃に設定された恒温槽（株式会社アイテック社製、ＴＬＦ－Ｒ３－Ｆ－Ｗ－ＰＬ－Ｓ）内において割断試験を実施した。すなわち、オートグラフ（株式会社エーアンドデイ社製、ＡＺＴ－ＣＡ０１、ロードセル５０Ｎ）を用いて圧縮モード、速度１０ｍｍ／分、押し込み距離５ｍｍの条件で割断試験を実施し、フィルム状接着剤が破断したときの割断仕事Ｗ、割断強度Ｐ、及び割断伸びＬを求めた。また、上記の式（１）及び式（２）にから、割断係数ｍ及び割断抵抗Ｒを算出した。なお、割断係数ｍ及び割断抵抗Ｒは、各実施例及び各比較例について８回以上の割断試験を実施し、その平均値である。割断係数ｍはその数値が小さくなるにつれて、冷却エキスパンドによる分断性に優れる傾向にある。割断係数ｍが７０以下である場合を、冷却エキスパンドによる分断性に特に優れるとして「Ａ」、割断係数ｍが７０超９０以下である場合を「Ｂ」、割断係数ｍが９０超である場合を「Ｃ」と評価した。結果を表１、表２、及び表３に示す。また、割断係数ｍ及び割断抵抗Ｒの数値も併せて表１、表２、及び表３に示す。
［薄膜性の評価（ダイシェア強度の測定）］
（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製）
　基材と粘着層とを有するダイシングテープ（商品名：６３６３－４５、昭和電工マテリアルズ株式会社製）を用意し、実施例１～１９及び比較例１～３のフィルム状接着剤のそれぞれに、ダイシングテープの粘着層をゴムロールにて張り合わせて、基材、粘着層、及び接着剤層（フィルム状接着剤）をこの順に備える実施例１～１９及び比較例１～３のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを作製した。
（ダイシェア強度の測定）
　上記で作製した実施例１～１９及び比較例１～３のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて、厚さ７μｍのフィルム状接着剤のダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度を測定するための評価用サンプルは、以下のようにして作製した。厚さ４００μｍの半導体ウェハを用意し、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのフィルム状接着剤側を、ステージ温度７０℃で半導体ウェハにラミネートし、ダイシング用サンプルを作製した。フルオートダイサーＤＦＤ－６３６１（株式会社ディスコ製）を用いて、得られたダイシング用サンプルを切断した。切断には、２枚のブレードを用いるステップカット方式で行い、ダイシングブレードＺＨ０５－ＳＤ２０００－Ｎ１－７０－ＦＦ、及びＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＥＥ（いずれも株式会社ディスコ製）を用いた。切断条件は、ブレード回転数：４０００ｒｐｍ、切断速度：５０ｍｍ／秒、チップサイズ：３ｍｍ×３ｍｍとした。切断は、半導体ウェハが２００μｍ程度残るように１段階目の切断を行い、ダイシングテープに２０μｍ程度の切り込みが入るように２段階目の切断を行った。次いで、紫外線硬化型粘着剤からなる粘着剤層に紫外線を照射して、粘着剤層を硬化させ、接着剤片付き半導体素子をピックアップした。続いて、接着剤片付き半導体素子の接着剤片を温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１．０秒の条件で、ＡＵＳ４１０基板（ソルダーレジスト付き有機基板）に圧着し、評価用サンプルを作製した。万能ボンドテスター（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー株式会社製）を用いて、ＡＵＳ４１０基板と接着剤片とのダイシェア強度を室温（２５℃）下で測定した。ダイシェア強度が６ＭＰａ以上である場合を、薄膜性に特に優れるとして「Ａ」、ダイシェア強度が４ＭＰａ以上６ＭＰａ未満である場合を「Ｂ」、ダイシェア強度が４ＭＰａ未満である場合を「Ｃ」と評価した。結果を表１、表２、及び表３に示す。また、ダイシェア強度の数値も併せて表１、表２、及び表３に示す。
［耐リフロー性の評価］
　ダイシェア強度の測定で作製した接着剤片付き半導体素子を用いて、以下の方法で耐リフロー性を作製した。まず、接着剤片付き半導体素子を用いて、図８に示すような、四段に積層された積層体をモールド用封止材（日立化成株式会社製、商品名「ＣＥＬ－９７５０ＺＨＦ１０」）で封止することによって、評価用パッケージを得た。なお、封止材の封止条件は１７５℃／６．７ＭＰａ／９０秒とし、硬化の条件は１７５℃、５時間とした。評価用パッケージを２０個準備し、これらをＪＥＤＥＣで定めた環境下（レベル３、３０℃、６０ＲＨ％、１９２時間）に曝して吸湿させた。続いて、ＩＲリフロー炉（２６０℃、最高温度２６５℃）に吸湿後の評価用パッケージを３回通過させた。以下の基準で評価を行った。結果を表１、表２、及び表３に示す。
　Ａ：評価用パッケージの破損、厚さの変化、接着剤片と半導体素子との界面での剥離等が２０個の評価用パッケージのうち１個も観察されなかった。
　Ｂ：評価用パッケージの破損、厚さの変化、接着剤片と半導体素子との界面での剥離等が２０個の評価用パッケージのうち少なくとも１個観察された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表１、表２、及び表３に示すとおり、実施例１～１９のフィルム状接着剤は、冷却分断性及び薄膜性の点で優れていた。一方で、比較例１～３のフィルム状接着剤は、薄膜性及び冷却分断性の少なくとも一方で充分でなかった。これらのことから、本開示のフィルム状接着剤が、冷却エキスパンドによる分断性に優れるとともに、薄膜化したときに充分なダイシェア強度を有することが確認された。
　１…フィルム状接着剤、１Ａ…接着剤層、２…基材層、３…粘着剤層、４…ダイシングテープ、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ…半導体素子、１２…支持部材、１３…ワイヤ、１４…封止材、１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ…接着部材、１６…端子、２０…試料固定用冶具、２０ａ…開口、２１…押し込み冶具、２１ａ…先端部、１００，１１０，１２０…半導体装置。

Claims (10)

  1. 　熱硬化性樹脂と、硬化剤と、エラストマーと、平均粒径が４００ｎｍ以下である無機フィラーとを含有し、
    　前記無機フィラーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８～４０質量％である、
    　フィルム状接着剤。
  2. 　厚さが２０μｍ以下である、
    　請求項１に記載のフィルム状接着剤。
  3. 　複数の半導体素子を積層してなる半導体装置の製造プロセスに用いられる、
    　請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤。
  4. 　前記半導体装置が三次元ＮＡＮＤ型メモリである、
    　請求項３に記載のフィルム状接着剤。
  5. 　基材層と、粘着剤層と、請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  6. 　半導体素子と、
    　前記半導体素子を搭載する支持部材と、
    　前記半導体素子及び前記支持部材の間に設けられ、前記半導体素子と前記支持部材とを接着する接着部材と、
    を備え、
    　前記接着部材が、請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤の硬化物である、
    　半導体装置。
  7. 　前記半導体素子の表面上に積層された他の半導体素子をさらに備える、
    　請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　半導体素子と支持部材との間、又は、第１の半導体素子と第２の半導体素子との間に請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤を介在させ、前記半導体素子及び前記支持部材、又は、前記第１の半導体素子及び前記第２の半導体素子を接着させる工程を備える、
    　半導体装置の製造方法。
  9. 　請求項５に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける工程と、
    　前記接着剤層を貼り付けた前記半導体ウェハをダイシングする工程と、
    　前記基材層を冷却条件下エキスパンドすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体素子を作製する工程と、
    　前記接着剤片付き半導体素子を前記粘着剤層からピックアップする工程と、
    　ピックアップされた前記接着剤片付き半導体素子を支持部材に接着剤片を介して接着する工程と、
    を備える、
    　半導体装置の製造方法。
  10. 　他の前記接着剤片付き半導体素子を、前記支持部材に接着された前記半導体素子の表面に接着剤片を介して接着する工程をさらに備える、
    　請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
PCT/JP2021/035421 2021-09-27 2021-09-27 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 WO2023047594A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/035421 WO2023047594A1 (ja) 2021-09-27 2021-09-27 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
PCT/JP2022/035193 WO2023048188A1 (ja) 2021-09-27 2022-09-21 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
CN202280062217.8A CN117999641A (zh) 2021-09-27 2022-09-21 膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法
TW111136098A TW202323489A (zh) 2021-09-27 2022-09-23 膜狀接著劑、切割晶粒接合一體型膜、以及半導體裝置及其製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/035421 WO2023047594A1 (ja) 2021-09-27 2021-09-27 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023047594A1 true WO2023047594A1 (ja) 2023-03-30

Family

ID=85720284

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/035421 WO2023047594A1 (ja) 2021-09-27 2021-09-27 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
PCT/JP2022/035193 WO2023048188A1 (ja) 2021-09-27 2022-09-21 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/035193 WO2023048188A1 (ja) 2021-09-27 2022-09-21 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN117999641A (ja)
TW (1) TW202323489A (ja)
WO (2) WO2023047594A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010074144A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングテープ一体型接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2020013250A1 (ja) * 2018-07-11 2020-01-16 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
WO2020184490A1 (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 日立化成株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6733394B2 (ja) * 2016-07-25 2020-07-29 日立化成株式会社 接着シート、及び半導体装置の製造方法。
JP7409029B2 (ja) * 2019-11-15 2024-01-09 株式会社レゾナック 半導体装置の製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010074144A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd ダイシングテープ一体型接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2020013250A1 (ja) * 2018-07-11 2020-01-16 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
WO2020184490A1 (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 日立化成株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117999641A (zh) 2024-05-07
TW202323489A (zh) 2023-06-16
WO2023048188A1 (ja) 2023-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7298613B2 (ja) 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム
JP2024010048A (ja) 半導体装置
WO2019220540A1 (ja) 半導体装置、並びに、その製造に使用する熱硬化性樹脂組成物及びダイシングダイボンディング一体型テープ
JP6662074B2 (ja) 接着フィルム
WO2023047594A1 (ja) フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2020195981A1 (ja) 半導体装置の製造方法、ダイボンディングフィルム、及びダイシング・ダイボンディング一体型接着シート
WO2020158490A1 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
JP7322897B2 (ja) 接着フィルム、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及び半導体パッケージの製造方法
JP7255146B2 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2023157846A1 (ja) フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2020129996A1 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2020065783A1 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2022186285A1 (ja) フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2023152837A1 (ja) フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2022149582A1 (ja) フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2022054718A1 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2022149581A1 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
JP7435458B2 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
JP2010109362A (ja) ダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置
TW202414550A (zh) 半導體裝置的製造方法、接著層及切晶黏晶一體型膜
JP2022044991A (ja) ダイボンディングフィルム、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2020136903A1 (ja) 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21958466

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1