JP2010109362A - ダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 38
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- -1 methacryloyl group Chemical group 0.000 description 15
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 11
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 10
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 2
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 2
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 101100255205 Caenorhabditis elegans rsa-2 gene Proteins 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005040 ion trap Methods 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
【解決手段】ガラス転移温度が40〜70℃及び重量平均分子量が1万〜50万の範囲であるアクリル共重合体を含有する接着剤層を有するダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置。
【選択図】図1
Description
本発明で用いるアクリル共重合体のガラス転移温度は40〜70℃である。前記ガラス転移温度が40℃未満であると、ピックアップ−ダイボンディング工程における連続動作時にピックアップコレットがダイボンディング加熱ステージの熱で温められ、その熱でピックアップ時のダイボンディングフィルムのタック強度が増大し、ピックアップ性が低下してしまう。一方、ガラス転移温度が70℃を超えると、ウェハラミネート時に低温でのウェハとの貼付け性確保が困難となり、80℃以下の低温でラミネートするという本発明の目的を達成できない。ピックアップ性及び低温でのラミネート性の観点から、前記ガラス転移温度は、好ましくは45〜60℃である。なお、前記ガラス転移温度は、粘弾性アナライザー(レオメトリック社製、RSA−2)を用いて測定した値である。測定条件は、サンプルサイズ:長さ12mm、幅5mm、厚み150μm、温度範囲:−50〜300℃、昇温速度:5℃/分、周波数1Hz、引張モードである。
本発明では、前記接着剤層は熱硬化性成分を含んでいても良い。熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂を使用することができ、熱により硬化して接着作用を有するエポキシ樹脂であれば特に制限はなく、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
熱硬化性成分としてエポキシ樹脂を用いた場合、エポキシ樹脂硬化剤を用いることが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類;ポリアミド;酸無水物;ポリスルフィド;三フッ化ホウ素;ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類;フェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等のフェノール樹脂;などが挙げられる。
本発明では、前記接着剤層はフィラーを含んでいても良い。フィラーを含有する目的は、Bステージ状態におけるダイボンディングフィルムのダイシング性の向上、ダイボンディングフィルムの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などである。
次に、本発明のダイボンディングフィルムを作製する各工程について説明する。以下に示す工程は一例であり、本発明のダイボンディングフィルムは以下の工程に制限するものではない。
アクリル共重合体、熱硬化性成分、フィラー及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。ワニスの調製に用いる有機溶媒は、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような有機溶媒としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらのなかでも、乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。
上記(1)で得られたワニスを基材層上に塗工し、ワニスの層を形成する。基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム、これらに離型剤のコーティング処理を施したフィルム等を用いることができる。
上記(2)で得られた、ワニスを塗工した基材層を加熱乾燥する。加熱乾燥の条件は、使用した有機溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常60℃〜200℃で、0.1〜90分間加熱して行う。
Z:荷重を加えた後のダイボンディングフィルムの厚さ
V:ダイボンディングフィルムの体積
F:加えた荷重の大きさ
t:荷重を加えた時間
本発明のダイボンディングフィルムは、圧着工程で基板表面段差を充填する方式だけではなく、圧着工程では段差未充填の状態で留め、その後の樹脂封止時に加わる高温高圧の条件で段差充填を完了する封止充填方式へ適用することもできる。
(ワニスの調製)
以下に示すアクリルゴム、エポキシ樹脂、硬化剤、フィラー、硬化促進剤及びカップリング剤を用いて、表1に示す配合(質量部)の組成物を得、シクロヘキサノンを加えて、攪拌混合し、真空脱気して、ワニスを調製した。
アクリル共重合体1:HTR−860シリーズ(商品名)、ナガセケムテックス株式会社製、ガラス転移温度45℃、重量平均分子量20万
アクリル共重合体2:HTR−860シリーズ(商品名)、ナガセケムテックス株式会社製、ガラス転移温度50℃、重量平均分子量30万
アクリル共重合体3:HTR−860シリーズ(商品名)、ナガセケムテックス株式会社製、ガラス転移温度25℃、重量平均分子量80万
アクリル共重合体4:HTR−860シリーズ(商品名)、ナガセケムテックス株式会社製、ガラス転移温度27℃、重量平均分子量30万
[エポキシ樹脂]
YDF−8170C(商品名):東都化成株式会社製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量156
YDCN−703(商品名):東都化成株式会社製、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量209
YSLV−80XY(商品名):東都化成株式会社製、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量192
YDCN−700−10(商品名):東都化成株式会社製、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量210
[硬化剤]
XLC−LL:ミレックスXLC−LL(商品名)、三井化学株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量175
[フィラー]
SC2050−HLG(商品名):株式会社アドマテックス、シリカフィラー分散液、平均粒径0.500μm
[硬化促進剤]
2PZ−CN:キュアゾール2PZ−CN(商品名)、四国化成工業株式会社製、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール
[カップリング剤]
A−189:NUC A−189(商品名)、日本ユニカー株式会社製、γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン
A−1160:NUC A−1160(商品名)、日本ユニカー株式会社製、γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン
(ダイボンディングフィルムの塗工)
アプリケータ自動塗工機(テスター産業株式会社製)を用いて、ポリエチレンテレフタレート(PET)基材(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名:マイラーA53)上に、上記で調製したワニスを塗布し、ギャップを調整したアプリケータで塗工した。
上記により得られたダイボンディングフィルム未硬化物をオーブン中で120℃/30分、140℃/1時間、175℃/2時間の条件で加熱硬化してCステージ状態のダイボンディングフィルム硬化物とした。
上記より得られた実施例1〜4、比較例1〜4のダイボンディングフィルムの各々について、タック強度を測定し、ピックアップ性の評価を行った。
試料として、PET基材に積層したBステージ状態のダイボンディングフィルム未硬化物を用いた。株式会社レスカ製のタッキング試験器を用いて、押し込み速度:2mm/秒、引き上げ速度:10mm/秒、5MPa、停止加重:0.05MPa、停止時間:1秒、測定温度:40℃の条件で、直径5.1mm(φ)のSUS304に対するタック強度を測定した。結果を表1に示す。
(2)ピックアップ性の評価
PET基材に積層したBステージ状態のダイボンディングフィルム未硬化物を直径210mmに切り抜き、厚さ80μmのダイシングテープ(電気化学工業株式会社製、商品名T−80MW)上に、ダイアタッチフィルムマウンター(株式会社ジェーシーエム製、商品名DM−300−H)を用いて室温(25℃)で貼り合わせた。なお、塗工時の開放面(ポリエチレンテレフタレートフィルムの逆側)とダイシングテープを貼り合わせて、ダイボンディングフィルム・ダイシングテープ積層品を得た。
1’ 半導体チップ
1” 半導体チップ
2 ダイボンディングフィルム
2’ ダイボンディングフィルム
2” ダイボンディングフィルム
3 ボンディングワイヤ
4 配線付き基板
5 端子
6 配線
7 封止樹脂
Claims (7)
- ガラス転移温度が40〜70℃及び重量平均分子量が1万〜50万の範囲であるアクリル共重合体を含有する接着剤層を有するダイボンディングフィルム。
- 前記接着剤層のタック強度が、1500mN以下である請求項1記載のダイボンディングフィルム。
- 前記アクリル共重合体が、架矯性官能基を有する、アクリル酸エステル共重合体又はアクリルゴムである請求項1又は2に記載のダイボンディングフィルム。
- 前記接着剤層が、熱硬化性成分を含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルム。
- 前記接着剤層が、フィラーを含有する請求項1〜4のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルム。
- 前記ダイボンディングフィルムの厚みが、1〜100μmである請求項1〜5のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルム。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のダイボンディングフィルムを用いて、半導体素子と配線付き基板とを、又は半導体素子同士を接着した構造を有してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008257369 | 2008-10-02 | ||
JP2008257369 | 2008-10-02 | ||
JP2009230511A JP5805925B2 (ja) | 2008-10-02 | 2009-10-02 | ダイボンディングフィルム及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010109362A true JP2010109362A (ja) | 2010-05-13 |
JP5805925B2 JP5805925B2 (ja) | 2015-11-10 |
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