JPS63120432A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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JPS63120432A
JPS63120432A JP26553486A JP26553486A JPS63120432A JP S63120432 A JPS63120432 A JP S63120432A JP 26553486 A JP26553486 A JP 26553486A JP 26553486 A JP26553486 A JP 26553486A JP S63120432 A JPS63120432 A JP S63120432A
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resin
epoxy resin
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viscosity liquid
solid epoxy
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Teru Okunoyama
奥野山 輝
Hiroshi Inaba
稲葉 洋志
Yu Kubota
久保田 祐
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Kyocera Chemical Corp
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Toshiba Chemical Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、大形ICなどチップを樹脂で封止した半導体
素子に関し、特に耐湿性、耐加水分解性、接着性に優れ
た半導体素子に係るものである。
(従来の技術) 金属薄板(リードフレーム)上の所定部分にIC,LS
I等の半導体チップを接続する工程は、素子の長期信頼
性に影響を与える重要な工程の1つである。 従来から
この接続方法としてチップのシリコン面をリードフレー
ム上の金メツキ面に加熱圧着するというAU−3i共晶
法が主流であった。 しかし、近年の貴金属、特に金の
高騰を契機として、樹脂封止型半導体装置では1.A、
u−8i共品法から、半田を使用する方法、導電性接着
剤を使用する方法等に急速に移行しつつある。
しかし、半田を使用する方法は、一部実用化されている
が半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食断
線の原因となることが指摘されている。 一方、導電性
接着剤を使用する方法では、通常、銀粉末を配合したエ
ポキシ樹脂が用いられ、約10年程前から一部実用化さ
れてきたが、信頼性の面でAu−8i共品法に比較して
満足すべきものが得られなかった。 導電性接着剤を使
用する場合は、半田法に比べて耐熱性に優れる等の長所
を有しているが、その反面、樹脂や硬化剤が半導体素子
接着用として作られたものでないため、ボイドの発生や
、耐湿性、耐加水分解性に劣り、アルミニウム電極の腐
食を促進し、断線不良の原因どなることが多く、素子の
信頼性はAu−3i共晶法に比べて劣っていた。 また
近年、IC/′LSIやl−E D Wの半導体チップ
の大形化に伴い、デツプクラックの発生や接着力の低下
が起こり、問題となってぎた。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、上記の事情・欠点に鑑みてなされたもので、
半導体チップの大形化に対応した耐湿性、耐加水分解性
、接着性に優れ、特に接着チップの反りを低減した信頼
性の高い半導体素子を提供しようとするものである。
[発明の構成1 (問題点を解決するための手段と作用)本発明名らは、
上記の目的を達成しようと鋭意研究を重ねた結束、後述
する樹脂組成物を用いることによって、耐湿性、耐加水
分解性、接着性に優れ、ボイドの発生がなく、またチッ
プの反りが少ない高信頼性の半導体系fが441 lう
れることを見いだし、本発明を完成したものτ・ある。
 すなわち、本発明は、 (A>固形エポキシ樹脂 (B)低粘度液状エポキシ樹脂 (C)ノルボネン環を有する樹脂 (D)アクリロニトリル基を右づるポリブタジェン系液
状樹脂 (E)イミダゾール系触媒および (F)導電性粉末 を含む樹脂組成物を用い、半導体チップとリードフレー
ムとを接着固定してなることを特徴とする半導体素子で
ある。
本発明に用いる(A)固形エポキシ樹脂としては、工業
生産されており、かつ本発明に効果的に使用し得るもの
として、例えば次のようなビスフェノール類のジJポキ
シドがある。 シ1ル化学社製エビ]−ト1001.1
002.1004.1007.1009、ダウケミカル
社製D IE R660、661,662,667、6
68゜669、ヂバガイギー社製アラルダイトGY60
71.6084.6097,6099、大日本インキ化
学T業社製エビクロン1010゜3010や旭電化社製
[Pシリーズ・FP−5100,5400,5700,
5900(以上いずれも商品名)等がある。 さらに固
形エポキシ樹脂として、例えば平均エポキシ基数31J
、)のノボラック・エポキシ樹脂を使用することにより
、熱的(350℃)の接着強度を更に向上させることが
でき、このノボラック・エポキシ樹脂としては、分子量
500以上のものが適している。 このようなノボラッ
ク・エポキシ樹脂で工業生産されているものとしては、
例えば次のようなものがある。
チバガイギー社製アラルダイトEPN1138゜113
9、ECN1273,1280.1299、ダウケミカ
ル社製DEN431,438、シェル化学社製1ビコー
ト152,154、ユニオンカーバイト社製E1マR−
0100,ERRB−0447、ERI B−0488
、日本化薬社製EOCNシリーズ、出隅国策パルプ社製
DER400(以上いずれも商品名)等が挙げられ、こ
れらは単独又は2種以上の混合系として用いる。
本発明に用いる(B)低粘度液状エポキシ樹脂としては
、例えばβ−(3,4王ポキシシクロヘヤシル)■デル
トリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロビルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロビルメチルジェト
キシシラン等のシラン系モノマーおよびビスフェノール
型低粘度液状王ボキシ樹脂、脂環式低粘度液状エポキシ
樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジル
エステル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独も
しくは2種以上混合して用いる。
(A)固形エポキシ樹脂ど(B)低粘度液状エポキシ樹
脂とは重量化で5:95〜40:60の範囲で配合され
る。 固形エポキシ樹脂が5重量%未満では必要とする
接着強度が得られず、また40重量%を超えると導電性
ペーストにした場合の作業性が極めて悪くなり好ましく
ない。
本発明に用いる(C)ノルボネン環を有する樹脂として
は、石油樹脂などがあり、石油のC6〜C9留分から得
られる汎用の樹脂である。 例えば市販されているもの
として、セロキサイド4000 (ダイセル化学社製、
商品名)、タツキロール1ooo<住友化学工業社製、
商品名)、フィントン1500.1000.1300゜
1700 (日本ゼオン社製、商品名)等が挙げられる
。 そして、これらは単独又は2種以上混合して用いる
。 ノルボネン環を有する樹脂の配合割合は、前述した
(A)固形エポキシ樹脂と(B)低粘磨液状エポキシ樹
脂との合計量に対して0.5〜30重量%配合すること
が望ましい。 配合量が0.5重量%未満の場合は、接
着強度の向上に効果なく、また30重量%を超えると反
応性が劣る傾向にあり好ましくない。
本発明に用いる(D)アクリロニトリル基を有するポリ
ブタジェン系液状樹脂としては、例えばCTBN130
0.2000 (宇部興産社製、商品名)等が挙げられ
、1種又は2種以上混合して使用する。 このポリブタ
ジェン系液状樹脂の配合割合は、(A)固形エポキシ樹
脂と(B)低粘度液状エポキシ樹脂との合計量に対して
0.5〜30重量%配合することが望ましい。 配合量
が0.5重量%未満の場合は、低応力に効果がなく、ま
た30重歯%を超えると接着力が低下する傾向にあり好
ましくない。
本発明に用いる(E)イミダゾール系触媒としては、例
えば四国化成工業社製の2PZ=OK。
2PZ−CN、2MZ−OK (以上いずれも商品名)
等がある。 イミダゾール系触媒は、通常、(A)固形
エポキシ樹脂と(B)低粘度液状エポキシ樹脂との合計
量に対して0.01〜8重量%配合する。
本発明に用いる(A)固形エポキシ樹脂、(B)低粘度
液状エポキシ樹脂、(C)ノルボネン環を有する樹脂、
(D)アクリロニトリル基を有するポリブタジェン系液
状樹脂および(E)イミダゾール系触媒を配合する場合
は、全成分に溶剤を加えて混合溶解させてもよいが、最
初にノルボネン環を有する樹脂およびアクリロニトリル
基を有するポリブタジェン系液状樹脂を溶剤に溶解させ
た後、これに固形エポキシ樹脂と低粘度液状エポキシ樹
脂とを溶解混合したものを、添加混合することが望まし
い。 ここで用いる粘度調整用の溶剤類としては、ジオ
キサン、ヘキサノン、ベンゼン。
トルエン、ソルベントナフサ、工業用ガソリン。
酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ
アセテート、ブチルカルピトールアセテート、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロ
リドン等が挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混
合して使用することができる。
本発明に用いる(F)導電性粉末としては、例えば銀粉
末等が使用される。
本発明に用いる樹脂組成物は、固形エポキシ樹脂、低粘
度液状エポキシ樹脂、ノルボネン環を有する樹脂、アク
リロニトリル基を有する液状ポリブタジェン樹脂、イミ
ダゾール系触媒、導電性粉末を含むが、必要に応じて消
泡剤、カップリング剤その他の添加剤を加えることがで
きる。 そして、この樹脂組成物は、常法に従い各原料
成分を充分混合した後、更に例えば三本ロールによる混
練処理をし、その後、減圧脱泡して製造することができ
る。 こうして製造した樹脂組成物を用いて半導体チッ
プとリードフレームを接着固定した後、ワイヤボンディ
ングを行い、次いで樹脂で封止して半導体素子を製造す
る。 この半導体素子は、200℃で樹脂組成物を加熱
硬化させても、大型チップの反り変形が少なく、接着力
は半導体チップの接着に必要な強度を有し、ワイヤボン
ディング強度も同じく 4〜5gの値以上の強度を得る
ことができる。
(実施例〉 次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
らの実施例によって限定されるものではない。 実施例
および比較例において「部」とは特に説明のない限り「
重量部」を意味する。
実施例 1 固形エポキシ樹脂EOCN103S (日本化薬社製、
商品名)9.6部、液状エポキシ樹脂EX201 (f
Q瀬化成社製、商品名)9.6部、ノルボネン環を右す
る樹脂セロキサイド4000 (ダイセル室1製、商品
名)3.0部、ポリブタジェン系樹脂C1BN1300
(宇部興産社製、商品名)3.0部およびジエチレング
リ」−ルジエチルX−チル1.8部を混合溶解し、粘稠
な褐色の樹脂を得た。 この樹脂29部に触媒どして2
PZ−OK(四国化成工業社製、商品名)1.2部と銀
粉末70部とを混合して樹脂組成物Aを製造した。
実施例 2 FOCN103S (前出)5.0部、E 13100
1(シTル化学社製、商品名)4.6部、EX201(
前出)9.6部、フィン1−ン1700 (日本ゼオン
社製、商品名)3.0部、およびジエチレングリニ」−
ルジ]デルエーテル1.8部を混合溶解し、粘稠な褐色
の樹脂を得た。 この樹脂29部に触媒として2P、”
−0K(前出)1.2部と銀粉末70部を混合して樹脂
組成物Bを製造した。
実施例 3 [)Fe2O2(山間国策パルプ社製、商品名)9.6
部、FX201 (前出)9.6部、フィントン170
0 (前出)3.0部、CTBN1300(前出)3.
0部、およびジエチレングリ1−ルジ■チルニーデル1
.8部を混合溶解し、粘稠な黄色の樹脂を得た。 この
樹脂29部に触媒と()で2 I) Z −0K(前出
)1.2部と銀粉末70部とを加えて十分涙金しC樹脂
組成物Cを製造した。
比較例 市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型半導体用導電性接着
剤りを入手した。
実施例1〜3および比較例で得た樹脂組成物A。
B、Cおよび導電性接着剤りを用いて半導体チップどリ
ードフレームとを接着硬化して半導体素子を製造した。
 これらの半導体素子について接着強度、加水分解性、
耐湿性、チップの廃りの試験を行った。 その結果を第
1表に示したがいずれも本発明の顕茗な効果が認められ
た。
接着強度は、200μm厚のリードフレーム(銅系)上
に4X 12111mのシリコンチップを接着し、それ
ぞれの温度でプッシュプルゲージを用いて測定した。 
加水分解性CIイオンは、半導体素子接着条件C硬化さ
せた後、100メツシユに粉砕して、180℃で・2時
間加熱抽出を行ったC1イオンの量を測定した。 耐湿
性試験は、温度121℃、圧力2気圧の水蒸気中におけ
る耐漏試験(PCT)および温度120℃、 If力2
気圧の水魚気中印加電圧直流15Vを通電して耐湿試験
(バイアス−PCI>を各半導体素子についで行い評価
した。 この試験に供した半導体素子数は各々60個で
、時間の経過に伴う不良発生数を第1表に示した。 な
お、評価の方法は半導体素子を構成するアルミニウム電
極の腐食によるオーブン又はリーク電流が許容値の50
0%以−]二への上昇をもって不良と判定した。
チップの反りは、硬化後のチップ表面を表面あらさ計で
測定し、チップ中央部と末端との距離で示し Iこ 。
第1表 [発明の効果] 以上の説明および第1表からも明らかなように本発明の
半導体素子は、樹脂組成物を接着剤として用いたことに
よって、優れた耐湿性、耐加水分解性を示し、その結果
アルミニウム電極の腐食による断線不良等が起こらず、
ボイドの発生もなく、接着チップの反りが少なく、また
接着性、特に熱的の接着性に優れた、高信頼性の製品を
得ることができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1(A)固形エポキシ樹脂 (B)低粘度液状エポキシ樹脂 (C)ノルボネン環を有する樹脂 (D)アクリロニトリル基を有するポリブタジエン系液
    状樹脂 (E)イミダゾール系触媒および (F)導電性粉末 を含む樹脂組成物を用い、半導体チップとリードフレー
    ムとを接着固定してなることを特徴とする半導体素子。
JP26553486A 1986-11-10 1986-11-10 半導体素子 Expired - Lifetime JPH0793330B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006160952A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Sekisui Chem Co Ltd エポキシ系硬化性組成物及び電子部品の実装構造
JP2016039238A (ja) * 2014-08-07 2016-03-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006160952A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Sekisui Chem Co Ltd エポキシ系硬化性組成物及び電子部品の実装構造
JP4690714B2 (ja) * 2004-12-09 2011-06-01 積水化学工業株式会社 エポキシ系硬化性組成物及び電子部品の実装構造
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