JPH0212508B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0212508B2 JPH0212508B2 JP60152283A JP15228385A JPH0212508B2 JP H0212508 B2 JPH0212508 B2 JP H0212508B2 JP 60152283 A JP60152283 A JP 60152283A JP 15228385 A JP15228385 A JP 15228385A JP H0212508 B2 JPH0212508 B2 JP H0212508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- parts
- manufactured
- conductive paste
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 13
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 16
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 abstract description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 abstract description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical group C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 abstract 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
[発明の技術分野]
本発明は、接着性、特に大型ICチツプの接着
性に優れた導電性ペーストに関する。 [発明の技術的背景とその問題点] 半導体装置の製造において、金属薄板(リード
フレーム)上の所定部分に、IC、LSI等の半導体
チツプを電気的に接続する工程は、半導体装置の
長期信頼性に影響を与える重要な工程の1つであ
る。従来、この接続方法としては、チツプのSi表
面をリードフレーム上のAuメツキ面に加熱圧接
するというAu−Siの共晶法が主流であつた。し
かし、近年の貴金属、特にAuの高騰を契機とし
て、樹脂モールド型半導体装置では、Au−Si共
晶法から、ハンダを使用する方法、導電性接着剤
(導電性ペースト)を使用する方法などに急速に
移行しつつある。 しかし、ハンダを使用する方法は、一部実用化
されているが、半田やハンダボールが飛散して電
極等に付着し、腐食断線の原因となる可能性が指
摘されている。一方導電性接着剤を使用する方法
では、通常Ag粉末を配合したエポキシ樹脂が用
いられて、約10年程前から一部実用化されてきた
が、Au−Siの共晶合金を生成させる共晶法に比
較して信頼性の面で満足すべきものがなかつた。
導電性接着剤を使用する方法は、ハンダ法に比べ
て耐熱性に優れる等の長所を有しているが、その
反面、樹脂やその硬化剤が半導体素子接着用とし
て作られたものでないために、Al電極の腐食を
促進し断線不良の原因となる場合が多く、やはり
信頼性はAu−Si共晶法に比べて劣つていた。さ
らに近年ICやLSI等の半導体ペレツトの大型化に
伴い、ペレツトクラツクが接着力の低下が問題と
なつており、導電性ペーストを低応力タイプとす
ることが強く要望されていた。 本発明者は、特開昭60−260663号公報に、ポリ
パラヒドロキシスチレンと導電性粉末とからなる
導電性ペーストを提案した。このポリパラヒドロ
キシスチレンをビヒクル成分とする導電性ペース
トは、導電性被膜の機械的特性・接着特性が良好
であるとともに、電子部品洗浄用のトリクレンに
対して侵されない。ところが、アセトンによつて
この被膜は容易に剥離することができる性質をも
つているので、剥離性の導電性ペーストとして有
用である。しかし、剥離することがなく製品に組
み込まれる、例えば半導体チツプ接着用の導電性
ペーストとしては好適には使用できない。 [発明の目的] 本発明の目的は、上記の欠点および実情に鑑み
てなされたもので、大型チツプへの接着性、耐加
水分解性に優れ、半導体装置の耐湿信頼性を大幅
に向上させる導電性ペーストを提供しようとする
ものである。 [発明の概要] 本発明は、上記の目的を達成しようと鋭意研究
を重ねた結果、ノルボネン環を有する樹脂を含む
ことによつて、従来のものに比べて接着性、耐加
水分解性に優れ、半導体装置の耐湿信頼性が向上
する導電性ペーストの得られることを見いだし、
本発明を完成するに至つたものである。即ち、本
発明は、(A)ポリパラヒドロキシスチレンとエポキ
シ樹脂からなる変性樹脂、(B)ノルボネン環を有す
る樹脂および(C)導電性粉末を含むことを特徴とす
る導電性ペーストである。 本発明に用いる(A)変性樹脂の一成分であるポリ
パラヒドロキシスチレンは、次式で表されるもの
である。 このような樹脂としては、例えば丸善石油社製
のマルゼンレジンM(商品名)がある。これは分
子量3000〜8000で、水酸基当量120のものである。 また(A)変性樹脂の他の成分であるエポキシ樹脂
で、工業上生産されており、かつ本発明に効果的
に使用し得るものとしては、例えば次のようなビ
スフエノール類のジエポキシドがある。シエル化
学社製エピコート827、828、834、1001、1002、
1004、1007、1009、ダウケミカル社製DER330、
331、332、334、335、336、337、660、661、662、
667、668、669、チバガイギー社製アラルダイト
GY250、260、280、6071、6084、6097、6099、
JONES DABNEY社製EPI−REZ510、5101、大
日本インキ化学工業社製エピクロン810、1000、
1010、3010(いずれも商品名)。さらに本発明にお
いては、エポキシ樹脂として平均エポキシ基数3
以上の例えばノボラツク・エポキシ樹脂を使用す
ることにより、熱時(350℃)の接着強度を更に
向上させることが可能である。使用するノボラツ
ク・エポキシ樹脂としては分子量500以上のもの
が適している。このようなノボラツク・エポキシ
樹脂で工業生産されているものとしは、例えば次
のようなものある。チバガイギー社製アラルダイ
トEPN1138、1139、ECN1273、1280、1299、ダ
ウケミカル社製DEN431、438、シエル化学社製
エピコート152、154、ユニオンカーバイド社製
ERR−0100、ERRB−0447、ERLB−0488、日
本化薬社製EOCNシリーズである。 ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂は
当量付近で配合される。配合割合が当量付近を大
きくはずれると、いずれかが硬化時に未反応とな
つて熱時の接着強度が低下しまた加熱減量が多く
なり好ましくない。 本発明に用いる(B)ノルボネン環を有する樹脂と
しては一般的にC5〜C9留分から得られる汎用の
石油樹脂があり、例えば次のようなのが挙げげら
れる。タツキロール5000、1000(住友化学工業社
製、商品名)、クイントン1500、1000、1300(日本
ゼオン社製、商品名)等である。 ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂と
からなる(A)変性樹脂と、(B)ノルボネン環を有する
樹脂との配合割合は、全樹脂分に対して(B)のノル
ボネン環を有する樹脂を10〜30重量%配合するこ
とが望ましい。配合量が10重量%未満では接着強
度の向上に効果がなく、また30重量%を超えると
反応性が劣り好ましくない。 本発明に使用する変性樹脂は、ポリパラヒドロ
キシスチレンとエポキシ樹脂を単に溶解混合して
もよいし、必要であれば加熱反応により相互に部
分的な結合をさせたものでもよく、これらの成分
樹脂の共通の溶剤に溶解することにより作業粘度
を改善することができる。また反応に必要であれ
ば硬化触媒を使用してもよい。 ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂お
よびノルボネン環を有する樹脂を単に溶剤に溶解
混合する場合は、同時に添加し溶解させるように
してもよいが、最初にポリパラヒドロキシスチレ
ンを溶剤に溶解させ、次にエポキシ樹脂およびノ
ルボネン環を有する樹脂を溶解混合させることが
望ましい。ここで使用される溶剤類としては、ジ
オキサン、ヘキサノン、ベンゼン、トルエン、ソ
ルベントナフサ、工業用ガソリン、酢酸セロソル
ブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールア
セテート、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミド、N−メチルピロリドン等がある。 これらの溶剤は単独又は2種以上の組合せで使
用する。 本発明に用いる(C)導電性粉末としては、例えば
Ag粉末等が使用される。また本発明は、前述し
た(A)〜(C)成分を含む導電性ペーストであるが、そ
の他必要に応じて消泡剤、カツプリング剤等を添
加することもできる。 本発明の導電性ペーストは、常法に従い上述し
た変性樹脂、ノルボネン環を有する樹脂および導
電性粉末を充分混合した後、更に三本ロールなど
による十分な混練処理を行い、その後減圧脱泡す
ることによつて製造することができる。得られた
導電性ペーストは、半導体チツプとリードフレー
ムとの接着剤として使用される。その後、半導体
ペレツトはワイヤボンデイングを行つた後封止し
てICおよびLSIが製造される。こうして得られた
ICにおいては、導電性ペーストを200℃で加熱硬
化させてもリードフレーム面上に汚染がなく、大
型ICの接着力も薄いフレーム(150μm)上で0.8
Kg以上、ワイヤボンデイング強度も同じく4〜5
g以上の数値を得ることができる。 [発明の実施例] 次に、本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。実施例および比較例において「部」とは特に
説明のない限り「重量部」を意味する。 実施例 1 エピコート1001(シエル化学社製、商品名)
37.5部、マルゼンレジンM(丸善石油化学社製、
商品名)1部、およびクイントン1300(日本ゼオ
ン社製、商品名)10部を、ブチルカルビトールア
セテート103部中で100℃、1時間溶解反応を行
い、粘稠な褐色樹脂を得た。この樹脂22部に、触
媒として三フツ化ホウ素のアミン錯体1.0部とAg
粉末57部とを充分混合して導電性ペースト(A)を製
造した。 実施例 2 エピコート828(シエル化学社製、商品名)15.8
部、マルゼンレジンM(前出)10部、およびタツ
キロール1000(住友化学工業社製、商品名)10部
を、ブチルセロソルブアセテート56部中で100℃、
1時間溶解反応を行い、粘稠な褐色樹脂を得た。
この樹脂22部とAg粉末57部とを充分混合して導
電性ペースト(B)を製造した。 実施例 3 EOCN103S(日本化薬社製、商品名)66部をブ
チルカルビトールアセテート117部の溶剤中に80
℃で溶解後、マルゼンレジンM34部と触媒として
三フツ化ホウ素のアミン錯体0.6部とを添加し、
80℃でそのまま約3時間反応を進め、粘稠で透明
な変性樹脂を得た。この変性樹脂22部と、クイン
トン1700(日本ゼオン社製、商品名)6部と、銀
粉末57部とをよく混合して導電性ペースト(C)を製
造した。 実施例1〜3で得た導電性ペスト(A)、(B)、(C)お
よび市販のエポキシ樹脂ベースの半導体用ペース
ト(D)(比較例)を用い、リードフレームと半導体
チツプを接合して、200℃、60分間又は120℃、3
時間硬化させ、供試体を得た。そしてこれら供試
体の接着強度、引張り強度、加水分解性CIイオ
ン、および体積固有抵抗を試験した。その結果を
第1表に示した。
性に優れた導電性ペーストに関する。 [発明の技術的背景とその問題点] 半導体装置の製造において、金属薄板(リード
フレーム)上の所定部分に、IC、LSI等の半導体
チツプを電気的に接続する工程は、半導体装置の
長期信頼性に影響を与える重要な工程の1つであ
る。従来、この接続方法としては、チツプのSi表
面をリードフレーム上のAuメツキ面に加熱圧接
するというAu−Siの共晶法が主流であつた。し
かし、近年の貴金属、特にAuの高騰を契機とし
て、樹脂モールド型半導体装置では、Au−Si共
晶法から、ハンダを使用する方法、導電性接着剤
(導電性ペースト)を使用する方法などに急速に
移行しつつある。 しかし、ハンダを使用する方法は、一部実用化
されているが、半田やハンダボールが飛散して電
極等に付着し、腐食断線の原因となる可能性が指
摘されている。一方導電性接着剤を使用する方法
では、通常Ag粉末を配合したエポキシ樹脂が用
いられて、約10年程前から一部実用化されてきた
が、Au−Siの共晶合金を生成させる共晶法に比
較して信頼性の面で満足すべきものがなかつた。
導電性接着剤を使用する方法は、ハンダ法に比べ
て耐熱性に優れる等の長所を有しているが、その
反面、樹脂やその硬化剤が半導体素子接着用とし
て作られたものでないために、Al電極の腐食を
促進し断線不良の原因となる場合が多く、やはり
信頼性はAu−Si共晶法に比べて劣つていた。さ
らに近年ICやLSI等の半導体ペレツトの大型化に
伴い、ペレツトクラツクが接着力の低下が問題と
なつており、導電性ペーストを低応力タイプとす
ることが強く要望されていた。 本発明者は、特開昭60−260663号公報に、ポリ
パラヒドロキシスチレンと導電性粉末とからなる
導電性ペーストを提案した。このポリパラヒドロ
キシスチレンをビヒクル成分とする導電性ペース
トは、導電性被膜の機械的特性・接着特性が良好
であるとともに、電子部品洗浄用のトリクレンに
対して侵されない。ところが、アセトンによつて
この被膜は容易に剥離することができる性質をも
つているので、剥離性の導電性ペーストとして有
用である。しかし、剥離することがなく製品に組
み込まれる、例えば半導体チツプ接着用の導電性
ペーストとしては好適には使用できない。 [発明の目的] 本発明の目的は、上記の欠点および実情に鑑み
てなされたもので、大型チツプへの接着性、耐加
水分解性に優れ、半導体装置の耐湿信頼性を大幅
に向上させる導電性ペーストを提供しようとする
ものである。 [発明の概要] 本発明は、上記の目的を達成しようと鋭意研究
を重ねた結果、ノルボネン環を有する樹脂を含む
ことによつて、従来のものに比べて接着性、耐加
水分解性に優れ、半導体装置の耐湿信頼性が向上
する導電性ペーストの得られることを見いだし、
本発明を完成するに至つたものである。即ち、本
発明は、(A)ポリパラヒドロキシスチレンとエポキ
シ樹脂からなる変性樹脂、(B)ノルボネン環を有す
る樹脂および(C)導電性粉末を含むことを特徴とす
る導電性ペーストである。 本発明に用いる(A)変性樹脂の一成分であるポリ
パラヒドロキシスチレンは、次式で表されるもの
である。 このような樹脂としては、例えば丸善石油社製
のマルゼンレジンM(商品名)がある。これは分
子量3000〜8000で、水酸基当量120のものである。 また(A)変性樹脂の他の成分であるエポキシ樹脂
で、工業上生産されており、かつ本発明に効果的
に使用し得るものとしては、例えば次のようなビ
スフエノール類のジエポキシドがある。シエル化
学社製エピコート827、828、834、1001、1002、
1004、1007、1009、ダウケミカル社製DER330、
331、332、334、335、336、337、660、661、662、
667、668、669、チバガイギー社製アラルダイト
GY250、260、280、6071、6084、6097、6099、
JONES DABNEY社製EPI−REZ510、5101、大
日本インキ化学工業社製エピクロン810、1000、
1010、3010(いずれも商品名)。さらに本発明にお
いては、エポキシ樹脂として平均エポキシ基数3
以上の例えばノボラツク・エポキシ樹脂を使用す
ることにより、熱時(350℃)の接着強度を更に
向上させることが可能である。使用するノボラツ
ク・エポキシ樹脂としては分子量500以上のもの
が適している。このようなノボラツク・エポキシ
樹脂で工業生産されているものとしは、例えば次
のようなものある。チバガイギー社製アラルダイ
トEPN1138、1139、ECN1273、1280、1299、ダ
ウケミカル社製DEN431、438、シエル化学社製
エピコート152、154、ユニオンカーバイド社製
ERR−0100、ERRB−0447、ERLB−0488、日
本化薬社製EOCNシリーズである。 ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂は
当量付近で配合される。配合割合が当量付近を大
きくはずれると、いずれかが硬化時に未反応とな
つて熱時の接着強度が低下しまた加熱減量が多く
なり好ましくない。 本発明に用いる(B)ノルボネン環を有する樹脂と
しては一般的にC5〜C9留分から得られる汎用の
石油樹脂があり、例えば次のようなのが挙げげら
れる。タツキロール5000、1000(住友化学工業社
製、商品名)、クイントン1500、1000、1300(日本
ゼオン社製、商品名)等である。 ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂と
からなる(A)変性樹脂と、(B)ノルボネン環を有する
樹脂との配合割合は、全樹脂分に対して(B)のノル
ボネン環を有する樹脂を10〜30重量%配合するこ
とが望ましい。配合量が10重量%未満では接着強
度の向上に効果がなく、また30重量%を超えると
反応性が劣り好ましくない。 本発明に使用する変性樹脂は、ポリパラヒドロ
キシスチレンとエポキシ樹脂を単に溶解混合して
もよいし、必要であれば加熱反応により相互に部
分的な結合をさせたものでもよく、これらの成分
樹脂の共通の溶剤に溶解することにより作業粘度
を改善することができる。また反応に必要であれ
ば硬化触媒を使用してもよい。 ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹脂お
よびノルボネン環を有する樹脂を単に溶剤に溶解
混合する場合は、同時に添加し溶解させるように
してもよいが、最初にポリパラヒドロキシスチレ
ンを溶剤に溶解させ、次にエポキシ樹脂およびノ
ルボネン環を有する樹脂を溶解混合させることが
望ましい。ここで使用される溶剤類としては、ジ
オキサン、ヘキサノン、ベンゼン、トルエン、ソ
ルベントナフサ、工業用ガソリン、酢酸セロソル
ブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールア
セテート、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミド、N−メチルピロリドン等がある。 これらの溶剤は単独又は2種以上の組合せで使
用する。 本発明に用いる(C)導電性粉末としては、例えば
Ag粉末等が使用される。また本発明は、前述し
た(A)〜(C)成分を含む導電性ペーストであるが、そ
の他必要に応じて消泡剤、カツプリング剤等を添
加することもできる。 本発明の導電性ペーストは、常法に従い上述し
た変性樹脂、ノルボネン環を有する樹脂および導
電性粉末を充分混合した後、更に三本ロールなど
による十分な混練処理を行い、その後減圧脱泡す
ることによつて製造することができる。得られた
導電性ペーストは、半導体チツプとリードフレー
ムとの接着剤として使用される。その後、半導体
ペレツトはワイヤボンデイングを行つた後封止し
てICおよびLSIが製造される。こうして得られた
ICにおいては、導電性ペーストを200℃で加熱硬
化させてもリードフレーム面上に汚染がなく、大
型ICの接着力も薄いフレーム(150μm)上で0.8
Kg以上、ワイヤボンデイング強度も同じく4〜5
g以上の数値を得ることができる。 [発明の実施例] 次に、本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。実施例および比較例において「部」とは特に
説明のない限り「重量部」を意味する。 実施例 1 エピコート1001(シエル化学社製、商品名)
37.5部、マルゼンレジンM(丸善石油化学社製、
商品名)1部、およびクイントン1300(日本ゼオ
ン社製、商品名)10部を、ブチルカルビトールア
セテート103部中で100℃、1時間溶解反応を行
い、粘稠な褐色樹脂を得た。この樹脂22部に、触
媒として三フツ化ホウ素のアミン錯体1.0部とAg
粉末57部とを充分混合して導電性ペースト(A)を製
造した。 実施例 2 エピコート828(シエル化学社製、商品名)15.8
部、マルゼンレジンM(前出)10部、およびタツ
キロール1000(住友化学工業社製、商品名)10部
を、ブチルセロソルブアセテート56部中で100℃、
1時間溶解反応を行い、粘稠な褐色樹脂を得た。
この樹脂22部とAg粉末57部とを充分混合して導
電性ペースト(B)を製造した。 実施例 3 EOCN103S(日本化薬社製、商品名)66部をブ
チルカルビトールアセテート117部の溶剤中に80
℃で溶解後、マルゼンレジンM34部と触媒として
三フツ化ホウ素のアミン錯体0.6部とを添加し、
80℃でそのまま約3時間反応を進め、粘稠で透明
な変性樹脂を得た。この変性樹脂22部と、クイン
トン1700(日本ゼオン社製、商品名)6部と、銀
粉末57部とをよく混合して導電性ペースト(C)を製
造した。 実施例1〜3で得た導電性ペスト(A)、(B)、(C)お
よび市販のエポキシ樹脂ベースの半導体用ペース
ト(D)(比較例)を用い、リードフレームと半導体
チツプを接合して、200℃、60分間又は120℃、3
時間硬化させ、供試体を得た。そしてこれら供試
体の接着強度、引張り強度、加水分解性CIイオ
ン、および体積固有抵抗を試験した。その結果を
第1表に示した。
【表】
【表】
[発明の効果]
本発明の導電性ペストは、大型IC等との接着
性、特に熱時の接着性、耐加水分解性に優れ、金
属の腐食によるボンデイングワイヤの断線などの
不良や水分によるリーク電流の不良などを著しく
低減させることができ、またICそのものの耐湿
信頼性が従来のものに比べて大幅に改善され、か
つ安価な半導体装置を得ることができる。 なお、本発明の作用効果と、特開昭60−260663
号公報の開示技術のそれとを比較すれば、該開示
技術は剥離が可能であるが、剥離しないで製品に
組み込まれる半導体チツプ接着用などとしては好
適には利用できないというのに対して、本発明の
導電性ペーストは、エポキシ変性ポリパラヒドロ
キシスチレンの接着性とそれとは異質のノルボネ
ン環を有する樹脂の接着性とが相乗されて接着性
が高く、また組成物に耐加水分解性を劣化させる
成分が含ませる必要がないから、半導体チツプ接
着用として耐湿信頼性が優れるとともに、エポキ
シ樹脂とポリパラヒドロキシスチレンと双方に相
溶性のあるノルボネン環を有する樹脂が配合され
て低応力にもなるから、大型チツプの接着におい
てもペレツトクラツクの発生がない。
性、特に熱時の接着性、耐加水分解性に優れ、金
属の腐食によるボンデイングワイヤの断線などの
不良や水分によるリーク電流の不良などを著しく
低減させることができ、またICそのものの耐湿
信頼性が従来のものに比べて大幅に改善され、か
つ安価な半導体装置を得ることができる。 なお、本発明の作用効果と、特開昭60−260663
号公報の開示技術のそれとを比較すれば、該開示
技術は剥離が可能であるが、剥離しないで製品に
組み込まれる半導体チツプ接着用などとしては好
適には利用できないというのに対して、本発明の
導電性ペーストは、エポキシ変性ポリパラヒドロ
キシスチレンの接着性とそれとは異質のノルボネ
ン環を有する樹脂の接着性とが相乗されて接着性
が高く、また組成物に耐加水分解性を劣化させる
成分が含ませる必要がないから、半導体チツプ接
着用として耐湿信頼性が優れるとともに、エポキ
シ樹脂とポリパラヒドロキシスチレンと双方に相
溶性のあるノルボネン環を有する樹脂が配合され
て低応力にもなるから、大型チツプの接着におい
てもペレツトクラツクの発生がない。
Claims (1)
- 1 (A)ポリパラヒドロキシスチレンとエポキシ樹
脂からなる変性樹脂、(B)ノルボネン環を有する樹
脂および(C)導電性粉末を含むことを特徴とする導
電性ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15228385A JPS6213473A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 導電性ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15228385A JPS6213473A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 導電性ペ−スト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6213473A JPS6213473A (ja) | 1987-01-22 |
JPH0212508B2 true JPH0212508B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=15537131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15228385A Granted JPS6213473A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 導電性ペ−スト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6213473A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6232158A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペ−スト |
US5156771A (en) * | 1989-05-31 | 1992-10-20 | Kao Corporation | Electrically conductive paste composition |
JPH03173007A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Kao Corp | 導電性ペースト及び導電性塗膜 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5229800A (en) * | 1975-09-01 | 1977-03-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Apparatus for detecting effluence of slag in molten metal |
JPS60260663A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペ−スト |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP15228385A patent/JPS6213473A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5229800A (en) * | 1975-09-01 | 1977-03-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Apparatus for detecting effluence of slag in molten metal |
JPS60260663A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペ−スト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6213473A (ja) | 1987-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0726235A (ja) | 導電性ペースト | |
JPH0212508B2 (ja) | ||
JPH0528495B2 (ja) | ||
JPH0528494B2 (ja) | ||
JPH0527251B2 (ja) | ||
JPH0212509B2 (ja) | ||
JP2748318B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS58153338A (ja) | 半導体素子 | |
JP2785246B2 (ja) | 導電性ペースト | |
JPS62218413A (ja) | 半導体ペレット搭載用ペースト | |
JP2741677B2 (ja) | 半導体素子 | |
JPH05342910A (ja) | 導電性ペースト | |
JPS5966129A (ja) | 半導体素子 | |
JPS63120432A (ja) | 半導体素子 | |
JP2767606B2 (ja) | 半導体素子 | |
JPH0613690B2 (ja) | 導電性接着剤 | |
JPH0690883B2 (ja) | 導電性ペースト | |
JP2003263921A (ja) | 導電性ペースト | |
JPH04274336A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JPH04274335A (ja) | 絶縁ペースト | |
JPH04342903A (ja) | 導電性ペースト | |
JPH05174629A (ja) | 絶縁性ペースト | |
JPS63126114A (ja) | 導電性ペ−スト | |
JPH0462941A (ja) | 化合物半導体装置 | |
JPH0153502B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |