JPH0153502B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0153502B2
JPH0153502B2 JP5858383A JP5858383A JPH0153502B2 JP H0153502 B2 JPH0153502 B2 JP H0153502B2 JP 5858383 A JP5858383 A JP 5858383A JP 5858383 A JP5858383 A JP 5858383A JP H0153502 B2 JPH0153502 B2 JP H0153502B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
triazine
monomer
range
bismaleimide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP5858383A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59184536A (ja
Inventor
Teru Okunoyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Chemical Products Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Chemical Products Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Products Co Ltd filed Critical Toshiba Chemical Products Co Ltd
Priority to JP5858383A priority Critical patent/JPS59184536A/ja
Publication of JPS59184536A publication Critical patent/JPS59184536A/ja
Publication of JPH0153502B2 publication Critical patent/JPH0153502B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］ 本発明は、耐湿信頼性、耐加水分解および耐ク
ラツク性に優れた半導体素子に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 42アロイや樹脂基板上にAgメツキがなされた
各種のリードフレーム上の所定部分にIC、LSI等
の半導体チツプを接続する工程は、素子の長期信
頼性に影響を与える重要な工程の一つである。従
来より、この方法としては、チツプ裏面のSiをリ
ードフレーム上のAuメツキ面に加熱圧着した、
Au−Siの共晶法が主流であつた。しかし近年の
貴金属、特にAuの高騰を契機として、樹脂モー
ルド半導体素子では、Au−Si共晶法から、ハン
ダを使用する方法、導電性接着剤を使用する方法
などに急速に移行しつつある。 しかし、ハンダを使用する方法は、一部実用化
されているが、ハンダやハンダボールが飛散して
電極等に付着し、腐食断線の原因となることが指
摘されている。一方導電性接着剤を使用する方法
は、通常Ag粉末を配合したエポキシ樹脂が用い
られて、約10年程前から一部実用化されてきた
が、信頼性の面でAu−Siの共晶合成を生成させ
る共晶法に比較して満足すべきものがなかつた。
導電性接着剤を使用する場合は、ハンダ法に比べ
て耐熱性に優れている等の長所を有しているが、
その反面、樹脂やその硬化剤が半導体素子接着用
として作られたものでないために、Al電極の腐
食を促進し断線不良の原因となる場合が多く素子
の信頼性はAu−Si共晶法に比べて劣るという欠
点があつた。さらに近年、従来の導電性接着剤を
使用した場合、樹脂封止後に素子クラツクが発生
するという問題が起こり、溶剤を多く使用した導
電性接着剤硬化時のボイドがその主原因であるこ
とが類推されている。このような溶剤を多く使用
した導電性接着剤を用いて半導体素子を製造する
場合は、高速硬化（ヒートブロツク方式）が行え
ず、また従来の導電性接着剤そのものの硬化が遅
いという欠点があつた。 ［発明の目的］ 本発明の目的は、従来の欠点を除去した新規な
接着剤を用いた半導体素子で接着性、耐加水分解
性および樹脂封止後の耐クラツク性に優れ、耐湿
信頼性を大幅に向上できるとともに、価格も接着
剤の高速硬化により低減できる半導体素子を提供
することにある。 ［発明の概要］ 上記目的を達成すべく、鋭意研究を重ねた結
果、次に示す導電性接着剤を使用する半導体素子
が従来のものに比べて接着性、耐加水分解性、耐
湿信頼性、樹脂封止後の耐クラツク性に優れてい
ることを見出した。 即ち、本発明は、(a)ビスマレイミドとトリアジ
ン樹脂モノマーとを主成分とする樹脂と、(b)エポ
キシ樹脂と、(c)不飽和単量体と(d)導電性粉体とか
らなる樹脂組成物をベヒクルとする導電性接着剤
で半導体とリードフレームとが接着されているこ
とを特徴とする半導体素子である。 本発明に使用する(a)ビスマレイミドとトリアジ
ン樹脂モノマーとを主成分とする樹脂は一般式 で表されるビスマレイミドと一般式 Ｎ≡Ｃ−Ｏ−Ar2−Ｏ−Ｃ≡Ｎで表されるジシ
アネート、及び分子中に前記ジシアネートが３分
子以上環化重合した、トリアジン環 を有しかつ分子末端にシアネート基［Ｎ≡Ｃ−Ｏ
−］を有する例えば次のような構造を有するトリ
アジン樹脂 （但し、Ar1、Ar2は同一又は異なる２価の芳香
族基を示す）とからなつている。このようなビス
マレイミドとトリアジン樹脂モノマーとを主成分
とする樹脂としては、例えば三菱瓦斯化学社製の
BTレジン（商品名）がある。BTレジンとして
は、BT2100、2300、2170、2470、3103等が挙げ
られる。 本発明に使用される(b)エポキシ樹脂のうち効果
的に使用し得るものとして、例えば次のようなビ
スフエノール類のジエポキシドがある。シエル化
学社製エピコート（Epikote）827、828、834、
1001、1002、1004、1007、1009、ダウ・ケミカル
社製DER330、331、332、334、335、336、337、
660、661、662、667、668、669、チバ・ガイギー
社製アラルダイト（Araldite）GY250、260、
280、6071、6084、6097、6099、Jones Dabney
社製Epi−Res510、5101、大日本インキ化学工業
社製エピクロン810、1000、1010、3010（以上いず
れも商品名）。更に本発明においては、エポキシ
樹脂として、平均エポキシ基数３以上の例えばノ
ボラツク・エポキシ樹脂を使用することにより、
更に機械的特性および耐熱性を向上させることが
可能である。使用するノボラツク・エポキシ樹脂
としては分子量500以上のものが適している。こ
のようなノボラツク・エポキシ樹脂としては、例
えばチバガイギー社製アラルダイト（Araldite）
EPN1138、1139、ECN1273、1280、1299、ダ
ウ・ケミカル社製EEN431、DEN438、シエル化
学社製エピコート152、154、ユニオン・カーバイ
ド社製ERR−0100、ERRB−0447、ERLB−
0448、更に脂環式エポキシ樹脂やビスフエノール
型エポキシ樹脂等も樹脂を低粘度化するために有
効に使用され、例えばダイセル化学工業社製セロ
キサイド2021、ユニオン・カーバイド社製ERL
−4221、4299、4234、4206等やビフエノールＦ等
がある。以上の各成分はそれぞれ単独又は２種以
上混合して使用することができる。 (a)ビスマレイミドとトリアジン樹脂モノマーと
を主成分とする樹脂と、(b)のエポキシ樹脂との配
合割合は、10：90〜90：10（重量比）の範囲にあ
ることが望ましく、好ましくは30：70〜70：30
（重量比）の範囲にあることが望ましい。 (a)成分の割合が10重量部未満では、得られるベ
ヒクルの耐熱性が劣り、熱時の強度が低下し、逆
に(b)の成分の割合が10重量部未満では、ベヒクル
の粘度が高くなり、作業性が悪くなり好ましくな
い。 更に本発明に使用する(c)不飽和単量体として
は、例えばジアリルフタレートやトリアリルイソ
シアヌレート等の耐熱性を低下させにくいものが
好適である。このような不飽和単量体の(a)および
(b)の樹脂成分に対する配合割合は、(a)のビスマレ
イミドとトリアジン樹脂モノマーとを主成分とす
る樹脂と(b)のエポキシ樹脂との合計量100重量部
あたり不飽和単量体が５〜150重量部なかんずく
10〜100重量部の範囲にあることが望ましい。不
飽和単量体の配合量が５重量部未満では樹脂粘度
を必要な程度にまで低下させるのに不十分であ
り、逆に150重量部を超えると硬化後の樹脂の耐
熱性が劣るようになる。この不飽和単量体の配合
範囲では、得られるベヒクルが常温あるいは常温
付近で極めて低い粘度（例えば25℃で１〜100ポ
アズ以下）となり、作業性の良好な導電性接着剤
を得ることができる。 本発明に使用する(d)導電性粉体としては、フレ
ーク状、球状、あるいは樹脂コートされた平均粒
径10μ以下の銀、銅等の金属粉を使用するのが好
ましい。導電性粉体とベヒクルとの配合割合は
60：40〜90：10（重量比）が好ましい。導電性粉
体が60重量部未満では満足な導電性が得られ難
く、また90重量部を超える場合は作業性や半導体
チツプとのなじみが悪くなり好ましくない。 本発明においては以上の成分を用いた樹脂組成
物をベヒルクとするが、その他に、硬化触媒や粘
度を調整する目的でモノエポキシ化合物や有機溶
剤を導電性接着剤100重量部に対して５％以内で
必要に応じて使用することもできる。 本発明の半導体素子は、常法に従い上述したペ
ヒクルを十分に混合した後、更に例えば三本ロー
ルによる混練処理を施し、得られた接着剤を半導
体チツプとリードフレーム接合用接着剤として使
用した後、ワイヤボンデイングを行い、その後に
半導体素子を封止すればよい。 ［発明の実施例］ 以下本発明を実施例により具体的に説明する。 以下「部」とは特に説明のない限り「重量部」
を表す。 第１表に示す各成分をセラミツク三本ロールに
より３回混練して一液型導電性接着剤(A)、(B)、
(C)、製造した。この接着剤(A)、(B)及び(C)と市販の
エポキシ樹脂ベースの半導体用接着剤（比較例）
を使用して半導体素子を作り、その特性を測定し
たので第１表に示した。なお、第１表中の耐湿試
験評価の方法は、IC素子を構成するアルミニウ
ム電極の腐食によるオープン又はリーク電流が許
容値の500％以上への上昇をもつて不良と判定し
た。 本発明の半導体素子は第１表から明らかなよう
に接着強度、耐加水分解性に優れ、硬化後の発泡
もなくペレツトクラツクが起こりにくく、特に加
水分解性のClイオンが少ないため、十分な信頼性
を有している。
【表】 ［発明の効果］ 以上の如く新規な導電性接着剤を使用すること
によつて、半導体チツプとリードフレームとの接
着が高速硬化で行われてかつ熱時の接着性が向上
し、耐加水分解性に優れ、金属の腐食による断線
などの不良や水分によるリーク電流の不良などが
なくなり樹脂封止後の素子クラツクも発生せず、
耐湿信頼性が従来のものに比べて大幅に改善され
た半導体素子が得られる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ (a)ビスマレイミドとトリアジン樹脂モノマー
    とを主成分とする樹脂と、(b)エポキシ樹脂と、(c)
    不飽和単量体と、(d)導電性粉体とからなる樹脂組
    成物をベヒクルとする導電性接着剤で半導体チツ
    プとリードフレームとが接着されていることを特
    徴とする半導体素子。 ２ (a)のビスマレイミドとトリアジン樹脂モノマ
    ーとを主成分とする樹脂と(b)エポキシ樹脂との配
    合割合は、10：90〜90：10（重量比）の範囲にあ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    半導体素子。 ３ (a)のビスマレイミドとトリアジン樹脂モノマ
    ーとを主成分とする樹脂は、一般式 で表されるビスマレイミドと、 一般式Ｎ≡Ｃ−Ｏ−Ar2−Ｏ−Ｃ≡Ｎで表され
    るジシアネート、及び分子中に前記ジシアネート
    が３分子以上環化重合した、トリアジン環 を有しかつ分子末端にシアネート基［Ｎ≡Ｃ−Ｏ
    −］を有するトリアジン樹脂 （但し、Ar1Ar2、は同一または異なる２価の芳
    香族基を表す）からなることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項又は第２項記載の半導体素子。
JP5858383A 1983-04-05 1983-04-05 半導体素子 Granted JPS59184536A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5858383A JPS59184536A (ja) 1983-04-05 1983-04-05 半導体素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5858383A JPS59184536A (ja) 1983-04-05 1983-04-05 半導体素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59184536A JPS59184536A (ja) 1984-10-19
JPH0153502B2 true JPH0153502B2 (ja) 1989-11-14

Family

ID=13088480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5858383A Granted JPS59184536A (ja) 1983-04-05 1983-04-05 半導体素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59184536A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000020779A1 (fr) * 1998-10-08 2000-04-13 Kanzaki Kokyukoki Mfg. Co., Ltd. Dispositif d'entrainement d'essieu

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112048247B (zh) * 2020-09-14 2022-04-05 黑龙江省科学院石油化学研究院 一种双马来酰亚胺/氰酸酯发泡胶膜及其制备方法及其应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000020779A1 (fr) * 1998-10-08 2000-04-13 Kanzaki Kokyukoki Mfg. Co., Ltd. Dispositif d'entrainement d'essieu

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59184536A (ja) 1984-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0790239A (ja) 導電性樹脂ペースト
JPH0153502B2 (ja)
JPH07179833A (ja) 導電性樹脂ペースト
JP4064025B2 (ja) 樹脂組成物およびこれを使用して作製した半導体装置。
JPS63161014A (ja) 導電性樹脂ペ−スト
JP2584424B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH01189806A (ja) 導電性樹脂ペースト
JPS62574B2 (ja)
JP2596663B2 (ja) 半導体用導電性樹脂ペースト
JPS59172571A (ja) 導電性接着剤
JPS61237436A (ja) 半導体素子の製造方法
JP3608908B2 (ja) 半導体用樹脂ペースト
JPH0528494B2 (ja)
JPH08245765A (ja) 化合物半導体装置
JPS60193349A (ja) 半導体素子
JPH052915A (ja) 半導体装置
JPS6213473A (ja) 導電性ペ−スト
JP2798565B2 (ja) 半導体用導電性樹脂ペースト
JP2748318B2 (ja) 半導体装置
JPS59218738A (ja) 半導体素子
JPH038394B2 (ja)
JP2741677B2 (ja) 半導体素子
JPS62218413A (ja) 半導体ペレット搭載用ペースト
JPH06184278A (ja) 半導体用導電性樹脂ペースト
JPH0462941A (ja) 化合物半導体装置