JPS62574B2 - - Google Patents

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JPS62574B2
JPS62574B2 JP3525982A JP3525982A JPS62574B2 JP S62574 B2 JPS62574 B2 JP S62574B2 JP 3525982 A JP3525982 A JP 3525982A JP 3525982 A JP3525982 A JP 3525982A JP S62574 B2 JPS62574 B2 JP S62574B2
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JP
Japan
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resin
parts
semiconductor
adhesive
modified resin
Prior art date
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Expired
Application number
JP3525982A
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English (en)
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JPS58153338A (ja
Inventor
Teru Okunoyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Chemical Products Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Chemical Products Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Products Co Ltd filed Critical Toshiba Chemical Products Co Ltd
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Publication of JPS62574B2 publication Critical patent/JPS62574B2/ja
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  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 本発明は、樹脂で封止した半導体素子に係り、
特に耐湿信頼性の優れた半導体素子に関するもの
である。 〔発明の技術的背景〕 薄膜基板(リードフレーム)上の所定部分に
IC、LSI等の半導性チツプを接続する工程は、素
子の長期信頼性に影響を与える重要な工程の一つ
である。従来より、この方法としては、チツプ裏
面のSiをリードフレーム上のAuメツキ面に加熱
圧着し、Au−Siの共晶法が主流であつた。しか
し近年の貴金属、特にAuの高謄を契機として、
樹脂モールド半導体素子では、Au−Si共晶法か
らハンダを使用する方法、導電接着剤を使用する
方法などに急速に移行しつつある。 〔背景技術の問題〕 しかし、ハンダを使用する方法は、一部実用化
されているが、ハンダやハンダボールが飛散して
電極などに付着し、腐食断線の原因となる可能性
が指摘されている。一方導電性接着剤を使用する
方法では、通常Ag粉末を配合したエポキシ樹脂
が用いられて、約10年程前から一部実用化されて
きたが、信頼性の面でAu−Siの共晶合成を生成
させる共晶法に比較して満足すべきものがなかつ
た。導電性接着剤を使用する場合は、ハンダ法に
比べて耐熱性にすぐれる等の長所を有している
が、その反面、樹脂やその硬化剤が半導体素子接
着用として作られたものでないために、Al電極
の腐食を促進し断線不良の原因となる場合が多く
素子の信頼性はAu−Si共晶法に比べて劣つてい
た。 〔発明の目的〕 本発明は従来の欠点を除去した新規接着剤剤を
使用した半導体素子で、信頼性を大幅に向上でき
るとともに、製造価格も接着速度の向上により低
減できる半導体素子を提供することを目的として
いる。 〔発明の概要〕 本発明は、半導体チツプをリードフレームに接
合させる接着剤として、(a)ビスマレイミドとトリ
アジン樹脂モノマーを主成分とする樹脂と、(b)エ
ポキシ樹脂とからなる変性樹脂(A)と導電性又は非
導電性粉末(B)とからなる変性樹脂組成物を使用す
る半導体素子である。 本発明に使用する(a)ビスマレイミドとトリアジ
ン樹脂モノマーとを主成分とする樹脂は、一般式 (但し(1)式中Ar1は同一又は異なる2価の芳香族
基を示す)で表わされるビスマレイミドと、一般
式 N≡C−O−Ar2−O−C≡N ………(2) で表わされるジシアネート、ならびに分子中に上
記(2)式のジシアネートが3分子以上環化重合した
トリアジン環を有し、分子末端にシアネート基を
有する例えば次のような構造式を有するトリアジ
ン樹脂 (但し式(2)、(3)中Ar2は同一又は異なる2価の芳
香族基を示す。)とからなつている。このような
樹脂としては、例えば三菱瓦斯化学社製のBTレ
ジン(商品名)がある。BTレジンは、西独バイ
エル社の開発したトリアジンAレジン(商品名)
とビスマレイミドとを主原料とする耐熱性付加重
合型熱硬化性樹脂であつて、これらのレジンは、
それぞれ次のようにして製造されている。 トリアジンAレジン (但し(4)、(5)式中Ar3
【式】を示す) なお、BTレジンの硬化後の分子構造は次のよ
うなものであろうと推定されている。 (但し(5)式中Ar4は、
【式】 を示す) このようなBTレジンとしては、次のような銘
柄が市販されており、そのいずれも本発明に使用
することができる。
〔発明の実施例〕
以下、実施例および比較例により本発明を更に
詳細に説明する。以下部とは特に説明のない限り
重量部を示す。 実施例 1 エピコート828の80部と、BT2100(樹脂100
%)100部とを、ソルベントナフサ110部とシクロ
ヘキサノン110部とからなる混合溶剤中で120℃、
1時間溶解反応を行ない粘稠な褐色の変性樹脂を
得た。この変性樹脂55部と銀粉末75部を混合して
変性樹脂組成物を作り半導体用接着剤(A)を得た。 実施例 2 エピコート827の100部を、ソルベントナフサ90
部とシクロヘキサノン90部との混合溶剤中で90℃
で溶解後、BT2170(樹脂100%)10部を添加して
均一に溶解させ、粘稠で透明な変性樹脂を得た。
この変性樹脂66部とシリカ粉末50部とをよく混合
し変性樹脂組成物とし、これを半導体用接着剤(B)
とした。 実施例 3 ECN1280(チバ・ガイギー社製)200部をシク
ロヘキサノン600部の溶剤中で80℃で溶解後、
BT2100(樹脂100%)200部を添加し、100℃で混
合して粘稠で透明な変性樹脂を得た。この変性樹
脂62部と銀粉末75部とをよく混合して変性樹脂組
成物とし、これを半導体用接着剤(C)とした。 実施例1〜3で得た半導体用接着剤(A)、(B)、(C)
と市販のエポキシ樹脂ベースの半導体用接着剤(D)
と市販のピロメリツト酸無水物とジアミンから誘
導されたポリイミド樹脂ベースの接着剤(E)を使用
して各々半導体素子を作り、その特性を測定し第
1表に示した。第1表から明らかなごとく、比較
例では硬化に長時間を有し作業性が悪く、また信
頼性が劣る。これに対し本発明は、第1表でみら
れるように硬化時間が短かく、接着強度、耐加水
分解性に優れ、特に耐湿性に優れており、十分な
信頼性を有していることがわかつた。
〔発明の効果〕
このようにして製造した本発明の半導体素子
は、接着強度、耐加水分解性に優れ、特に耐湿性
に優れ信頼性の高い半導体素子を製造することが
でき、かつ、製造工程を短縮でき製造コストの低
減に貢献できるものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (A) (a)ビスマレイミドとトリアジン樹脂モノ
    マーとを主成分とする樹脂と、(b)エポキシ樹脂
    とからなる変性樹脂と、 (B) 導電性又は非導電性粉末 とからなる変性樹脂組成物を、半導性チツプとリ
    ードフレームとの接合用接着剤として使用する半
    導体素子。 2 (a)樹脂と(b)エポキシ樹脂との配合割合が、
    5:95〜70:30(重量比)である特許請求の範囲
    第1項記載の半導体素子。
JP3525982A 1982-03-08 1982-03-08 半導体素子 Granted JPS58153338A (ja)

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JPS58153338A JPS58153338A (ja) 1983-09-12
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61237436A (ja) * 1985-04-15 1986-10-22 Toshiba Chem Corp 半導体素子の製造方法
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JP4753617B2 (ja) * 2005-05-16 2011-08-24 ミヤチテクノス株式会社 通電加圧センサ

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