JP2016027555A5 - 発光装置、及び発光装置の作製方法 - Google Patents
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- 第1の支持体と、第1の被剥離層と、接合層と、第2の支持体と、を有し、
前記第1の被剥離層と前記第1の支持体は、互いに重なる領域を有し、
前記接合層と前記第1の被剥離層は、互いに重なる領域を有し、
前記第2の支持体と前記接合層は、互いに重なる領域を有し、
前記第1の支持体は、等方性を備え、
前記第1の被剥離層は、第1の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第1の絶縁膜は、前記発光素子と前記第1の支持体の間に設けられ、
前記第1の支持体または前記第2の支持体の少なくとも一つは、前記発光素子が射出する光を透過することができる機能を有する発光装置。 - 第1の支持体と、第1の被剥離層と、接合層と、第2の被剥離層と、第2の支持体と、を有し、
前記第1の被剥離層と前記第1の支持体は、互いに重なる領域を有し、
前記接合層と前記第1の被剥離層は、互いに重なる領域を有し、
前記第2の被剥離層と前記接合層は、互いに重なる領域を有し、
前記第2の支持体と前記第2の被剥離層は、互いに重なる領域を有し、
前記第1の支持体は、等方性を備え、
前記第1の被剥離層は、第1の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第1の絶縁膜は、前記発光素子と前記第1の支持体の間に設けられ、
前記第2の被剥離層は、第2の絶縁膜を備え、
前記第1の支持体または前記第2の支持体の少なくとも一つは、前記発光素子が射出する光を透過することができる機能を有する発光装置。 - 請求項1又は2において、
前記第2の支持体は、等方性又は異方性を備える材料を含む発光装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第1の被剥離層は、前記発光素子と電気的に接続された端子部を備え、
前記第2の支持体は、前記端子部に重なる開口部を備える発光装置。 - 第1の基板と、第1の剥離層と、第1の被剥離層と、接合層と、第2の支持体と、を備え、
前記第1の剥離層と前記第1の基板は、互いに重なる領域を備え、
前記第1の被剥離層と前記第1の剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記接合層と前記第1の被剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第2の支持体と前記接合層は、互いに重なる領域を備え、
前記第1の被剥離層は、第1の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第1の絶縁膜は、前記発光素子と前記第1の基板の間に設けられる加工部材を準備して、
第1のステップにおいて、前記加工部材の前記接合層の端部に重なる位置の近傍に、前記第1の被剥離層の一部が前記第1の基板から分離した第1の剥離の起点を形成し、
第2のステップにおいて、前記第1の剥離の起点から、前記第1の基板を含む表層を前記加工部材から分離して、第1の残部を得、
第3のステップにおいて、前記第1の被剥離層に流動性を有する材料を塗布し、
第4のステップにおいて、前記材料を硬化して、第1の支持体を形成する発光装置の作製方法。 - 第1の基板と、第1の剥離層と、第1の被剥離層と、接合層と、第2の被剥離層と、第2の剥離層と、第2の基板と、を備え、
前記第1の剥離層と前記第1の基板は、互いに重なる領域を備え、
前記第1の被剥離層と前記第1の剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記接合層と前記第1の被剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第2の被剥離層と前記接合層は、互いに重なる領域を備え、
前記第2の剥離層と前記第2の被剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第2の基板と前記第2の剥離層は、互いに重なる領域を備え、
前記第1の被剥離層は、第1の絶縁膜および発光素子を備え、
前記第1の絶縁膜は、前記発光素子と前記第1の基板の間に設けられ、
前記第2の被剥離層は、第2の絶縁膜を備える加工部材を準備して、
第1のステップにおいて、前記加工部材の前記接合層の端部に重なる位置の近傍に、前記第1の被剥離層の一部が前記第1の基板から分離した第1の剥離の起点を形成し、
第2のステップにおいて、前記第1の剥離の起点から、前記第1の基板を含む表層を前記加工部材から分離して、第1の残部を得、
第3のステップにおいて、前記第1の被剥離層に流動性を有する材料を塗布し、
第4のステップにおいて、前記材料を硬化して第1の支持体を形成し、積層体を形成し、
第5のステップにおいて、前記第2の被剥離層の一部が前記第2の基板から分離した第2の剥離の起点を形成し、
第6のステップにおいて、前記第2の剥離の起点から、前記第2の基板を含む表層を前記積層体から分離して、第2の残部を得、
第7のステップにおいて、前記第2の被剥離層に流動性を有する材料を塗布し、
第8のステップにおいて、前記材料を硬化して第2の支持体を形成する発光装置の作製方法。 - 請求項6において、
前記第7のステップにおいて、接着層を用いて第2の支持体を前記第2の被剥離層に貼り合わせ、
前記第8のステップにおいて、前記接着層を硬化する発光装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015121237A JP6603486B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-16 | 発光装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014132741 | 2014-06-27 | ||
JP2014132741 | 2014-06-27 | ||
JP2015121237A JP6603486B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-16 | 発光装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019187472A Division JP6839249B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-10-11 | 表示装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016027555A JP2016027555A (ja) | 2016-02-18 |
JP2016027555A5 true JP2016027555A5 (ja) | 2018-07-26 |
JP6603486B2 JP6603486B2 (ja) | 2019-11-06 |
Family
ID=54931460
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015121237A Expired - Fee Related JP6603486B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-16 | 発光装置の作製方法 |
JP2019187472A Active JP6839249B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-10-11 | 表示装置の作製方法 |
JP2021020647A Withdrawn JP2021092803A (ja) | 2014-06-27 | 2021-02-12 | 表示装置の作製方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019187472A Active JP6839249B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-10-11 | 表示装置の作製方法 |
JP2021020647A Withdrawn JP2021092803A (ja) | 2014-06-27 | 2021-02-12 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9466811B2 (ja) |
JP (3) | JP6603486B2 (ja) |
KR (1) | KR102368997B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102368997B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2022-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 발광 장치의 제작 방법 |
EP3284118A4 (en) * | 2015-04-13 | 2019-04-03 | Royole Corporation | SUPPORT AND SEPARATION OF SOFT SUBSTRATES |
JP6061057B1 (ja) * | 2015-06-15 | 2017-01-18 | 住友化学株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JP6637766B2 (ja) | 2016-01-04 | 2020-01-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
US10279576B2 (en) | 2016-04-26 | 2019-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and manufacturing method of flexible device |
WO2018051212A1 (en) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel |
CN110520962B (zh) * | 2017-03-16 | 2023-11-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 |
KR102343794B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
DE102018206278A1 (de) | 2018-04-24 | 2019-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske |
KR20200108139A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4244120B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2009-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
JP2003109773A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法 |
TW594947B (en) * | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2003323132A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Sony Corp | 薄膜デバイスの製造方法および半導体装置 |
TWI330269B (en) | 2002-12-27 | 2010-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Separating method |
JP4373085B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
US7105448B2 (en) | 2003-02-28 | 2006-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for peeling off semiconductor element and method for manufacturing semiconductor device |
TWI328837B (en) | 2003-02-28 | 2010-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP4495939B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2010-07-07 | 株式会社リコー | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法 |
US7271076B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device |
US7452786B2 (en) | 2004-06-29 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate |
US8040469B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same |
US7482248B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7566633B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7605056B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device including separation by physical force |
US7465674B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
KR101272097B1 (ko) | 2005-06-03 | 2013-06-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 집적회로 장치 및 그의 제조방법 |
EP1760776B1 (en) | 2005-08-31 | 2019-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate |
EP1760798B1 (en) | 2005-08-31 | 2012-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2007055142A1 (en) | 2005-11-11 | 2007-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Layer having functionality, method for forming flexible substrate having the same, and method for manufacturing semiconductor device |
US7727773B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method of manufacturing an analytical sample and method of analyzing an analytical sample |
US7968382B2 (en) | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
JP5268395B2 (ja) | 2007-03-26 | 2013-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5322408B2 (ja) | 2007-07-17 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP5460108B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP5583951B2 (ja) | 2008-11-11 | 2014-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5586920B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フレキシブル半導体装置の作製方法 |
KR101613865B1 (ko) | 2009-03-26 | 2016-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법 |
JP5703569B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2015-04-22 | 大日本印刷株式会社 | 有機el素子パネル及びその製造方法 |
JP5902406B2 (ja) | 2010-06-25 | 2016-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 分離方法および半導体装置の作製方法 |
US8357974B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-01-22 | Corning Incorporated | Semiconductor on glass substrate with stiffening layer and process of making the same |
WO2012115016A1 (en) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using light-emitting device |
US9891361B2 (en) * | 2011-08-05 | 2018-02-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
JP2013114994A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Panasonic Corp | ディスプレイパネルの製造方法及びディスプレイパネル |
US9324449B2 (en) * | 2012-03-28 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device |
JP2013251255A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
KR102161078B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
JP6024916B2 (ja) * | 2012-10-22 | 2016-11-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | パネル貼付方法およびパネル貼付装置 |
KR102309244B1 (ko) | 2013-02-20 | 2021-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102187752B1 (ko) | 2013-05-07 | 2020-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법 및 박리 장치 |
CN109273622B (zh) | 2013-08-06 | 2021-03-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 剥离方法 |
CN105493631B (zh) | 2013-08-30 | 2017-11-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 叠层体的加工装置及加工方法 |
US9981457B2 (en) | 2013-09-18 | 2018-05-29 | Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus of stack |
US9937698B2 (en) | 2013-11-06 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and light-emitting device |
KR102368997B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2022-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 발광 장치의 제작 방법 |
-
2015
- 2015-06-16 KR KR1020150085374A patent/KR102368997B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-16 JP JP2015121237A patent/JP6603486B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 US US14/750,295 patent/US9466811B2/en active Active
-
2016
- 2016-10-05 US US15/285,936 patent/US10468625B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-11 JP JP2019187472A patent/JP6839249B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-12 JP JP2021020647A patent/JP2021092803A/ja not_active Withdrawn
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