JP2016018898A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光電変換装置PVは、仮想線VLで相互に接する第1領域および第2領域を含む活性領域を取り囲むように配された素子分離91と、第1導電型の電荷蓄積領域21と、第1導電型の浮遊拡散領域41と、ゲート電極Gと、第2導電型を有する第1半導体領域100と、を有する。仮想線VLに平行な方向における第2領域の幅は、前記方向における第1領域の幅より狭く、ゲート電極Gは、第2領域と素子分離91の上下の境界と、第2領域と第1領域の境界にまたがった部分を連結する部分を含む。
【選択図】図1
Description
Claims (22)
- 仮想線で相互に接する第1領域および第2領域を含む活性領域を取り囲むように配された素子分離と、
前記第1領域に配された第1導電型の電荷蓄積領域と、
前記第1領域および前記第2領域にまたがって配された前記第1導電型の浮遊拡散領域と、
前記電荷蓄積領域に蓄積された電荷を前記浮遊拡散領域に転送するためのチャネルを形成するためのゲート電極と、
前記電荷蓄積領域の少なくとも一部を取り囲むように前記電荷蓄積領域と前記素子分離との間に配された部分、および、前記第2領域に配された部分を含み、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する第1半導体領域と、を有し、
前記仮想線に平行な方向における前記第2領域の幅は、前記方向における前記第1領域の幅より狭く、
前記第2領域の外縁を規定する境界線は、前記仮想線の上の第1点を一端とし前記仮想線の上にはない第2点を他端とする第1境界線と、前記仮想線の上の第3点を一端とし前記仮想線の上にはない第4点を他端とする第2境界線とを含み、
前記ゲート電極は、前記第1点を覆うように前記第1領域よび前記第2領域にまたがった第1部分と、前記第3点を覆うように前記第1領域よび前記第2領域にまたがった第2部分と、前記第1部分と前記第2部分とを連結するように前記第1領域の上に配された第3部分とを含み、
前記第1半導体領域の外縁を規定する境界線は、前記第3部分と前記仮想線との間を通る部分を含む、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記電荷蓄積領域、前記浮遊拡散領域および前記第1半導体領域は、前記第2導電型の第2半導体領域の中に配され、
前記第1半導体領域における前記第2導電型の不純物濃度は、前記第2半導体領域における前記第2導電型の不純物濃度より高く、
前記チャネルは、前記第2半導体領域における前記ゲート電極の下に形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記第2半導体領域が前記素子分離に接していない、
ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。 - 前記電荷蓄積領域の上に配された前記第2導電型の第3半導体領域を更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第3半導体領域は、前記第1領域において前記第1半導体領域と接するように配されている、
ことを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置。 - 前記仮想線に平行な方向において、前記電荷蓄積領域と前記第1半導体領域とが離隔されている、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記電荷蓄積領域の前記仮想線に平行な方向における幅が、前記第1領域の上における前記ゲート電極の前記仮想線に平行な方向における幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置。 - 前記電荷蓄積領域は、第1蓄積領域と、前記第1蓄積領域と前記ゲート電極との間に配された第2蓄積領域とを含み、
前記仮想線に平行な方向における前記第1蓄積領域の幅は、前記仮想線に平行な方向における前記第2蓄積領域の幅より小さい、
ことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記浮遊拡散領域は、第1拡散領域と、前記第1拡散領域と前記ゲート電極との間に配された第2拡散領域とを含み、
前記仮想線に平行な方向における前記第2拡散領域の幅は、前記仮想線に平行な方向における前記第1拡散領域の幅より大きい、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1部分および前記第2部分は、前記仮想線に直交する方向に延び、前記第3部分は、前記仮想線に平行な方向に延びている、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第3部分は、前記浮遊拡散領域から遠ざかるにつれて前記仮想線に平行な方向における幅が狭くなった部分を有する、
ことを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置。 - 前記ゲート電極は、円弧形状を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1半導体領域のうち前記電荷蓄積領域の少なくとも一部を取り囲むように前記電荷蓄積領域と前記素子分離との間に配された部分は、前記電荷蓄積領域を挟むように互いに対向する一対の対向部分を含み、前記第1半導体領域は、前記一対の対向部分の間隔が前記浮遊拡散領域に近づくにつれて小さくなった部分を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1領域は、前記浮遊拡散領域に近づくにつれて前記仮想線に平行な方向における幅が狭くなった部分を有する、
ことを特徴とする請求項13に記載の光電変換装置。 - 前記半導体領域および前記電荷蓄積領域は、前記仮想線に対して斜めに交差する方向に延びた部分を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記浮遊拡散領域が前記素子分離に接していない、
ことを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記浮遊拡散領域にキャパシタを接続する第1トランジスタを更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1トランジスタは、前記活性領域に配されている、
ことを特徴とする請求項17に記載の光電変換装置。 - 前記第1トランジスタは、前記活性領域とは分離された活性領域に配されている、
ことを特徴とする請求項17に記載の光電変換装置。 - 前記浮遊拡散領域にキャパシタを接続する第1トランジスタおよび前記浮遊拡散領域の電位をリセットする第2トランジスタを更に含む、
ことを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタは、前記活性領域に配されている、
ことを特徴とする請求項20に記載の光電変換装置。 - 前記第1トランジスタは、前記活性領域とは分離された第1活性領域に配され、前記第2トランジスタは、前記活性領域および前記第1活性領域とは分離された第2活性領域に配されている、
ことを特徴とする請求項20に記載の光電変換装置。
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