JP2015530961A5 - - Google Patents
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Description
本明細書に記載するCNTアレイを、パーソナルコンピュータ、サーバーコンピュータ、メモリーモジュール、グラフィックチップ、レーダーおよび無線周波(RF)デバイス、デバイスバーンイン試験システム、ディスクドライブ、ディスプレイ(発光ダイオード(LED)ディスプレイを含む)、照明システム、自動車用コントロールユニット、パワーエレクトロニクス、電池、通信装置、例えば携帯電話、熱電発電装置、および撮像装置(MRIを含む)における熱界面材料として使用することができる。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
複数のカーボンナノチューブの成長および/または支持のための多層基板であって、
不活性支持体と、
1層以上の接着層と、
1層以上の界面層と、
触媒層と
を含む、多層基板。
(項目2)
不活性支持体、第一の接着層、第一の界面層、および触媒層を含む、項目1に記載の基板。
(項目3)
不活性支持体、第一の接着層、第一の界面層、第二の接着層、第二の界面層、および触媒層を含む、項目1に記載の基板。
(項目4)
前記不活性支持体が、アルミニウム、白金、金、ニッケル、鉄、錫、鉛、銀、チタン、インジウム、銅、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される金属である、項目1から3のいずれか一項に記載の基板。
(項目5)
前記不活性支持体が、金属合金である、項目1から3のいずれか一項に記載の基板。
(項目6)
前記合金が、銅−タングステン擬合金であるか、銅−銀合金マトリックス中のダイヤモンドであるか、またはこれらの組み合わせである、項目5に記載の基板。
(項目7)
前記支持体が、アルミニウムマトリックス中の炭化ケイ素、ベリリウムマトリックス中の酸化ベリリウム、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される、項目1から3のいずれか一項に記載の基板。
(項目8)
前記接着層が、金属または金属合金を含む、項目1から7のいずれか一項に記載の基板。
(項目9)
前記金属または金属合金が、CNT形成用の触媒である遷移金属または遷移金属合金である、項目8に記載の基板。
(項目10)
前記金属または金属合金が、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される、項目9に記載の基板。
(項目11)
前記金属または金属合金が、鉄または鉄合金である、項目10に記載の基板。
(項目12)
前記界面層が、アルミニウム、チタン、金、銅、銀、タンタル、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される金属を含む、項目1から11のいずれか一項に記載の基板。
(項目13)
前記界面層が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、二酸化チタン、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される金属酸化物を含む、項目1から11のいずれか一項に記載の基板。
(項目14)
前記触媒層が、鉄、ニッケル、コバルト、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される、項目1から13のいずれか一項に記載の基板。
(項目15)
前記触媒層が鉄である、項目14に記載の基板。
(項目16)
前記接着層および前記触媒層が、同じ化学組成を有する、項目1から15のいずれか一項に記載の基板。
(項目17)
前記接着層が、厚さ約10nm〜約150nmの間、さらに好ましくは厚さ約10nm〜約100nmの間、さらに好ましくは厚さ約10nm〜約75nmの間、最も好ましくは厚さ約15nm〜約50nmの間にある、項目1から16のいずれか一項に記載の基板。
(項目18)
前記界面層が、厚さ約5nm〜約50nmの間、さらに好ましくは厚さ約7nm〜約30nmの間、最も好ましくは厚さ約7nm〜約15nmの間にある、項目1、2、および4から17のいずれか一項に記載の基板。
(項目19)
前記触媒層が、厚さ約10nm〜約1nmの間、さらに好ましくは厚さ約5nm〜約1nmの間、さらに好ましくは厚さ約2nm〜約5nmの間にある、項目1から18のいずれか一項に記載の基板。
(項目20)
前記接着層が、厚さ約30nmであり、前記界面層が、厚さ約10nmであり、前記触媒層が、厚さ約3nmである、項目1、2、および4〜19のいずれか一項に記載の基板。
(項目21)
前記第一の界面層が、厚さ約50nm〜約150nmの間、さらに好ましくは厚さ約80nm〜約120nmの間にある、項目3〜17、および19のいずれか一項に記載の基板。
(項目22)
前記第二の界面層が、厚さ約5nm〜約50nmの間、さらに好ましくは厚さ約7nm〜約30nmの間にある、項目21に記載の基板。
(項目23)
前記第一の接着層が、厚さ約10nmであり、前記第一の界面層が、厚さ約100nmであり、前記第二の接着層が、厚さ約30nmであり、前記第二の界面層が、厚さ約10nmであり、前記触媒層が、厚さ約3nmである、項目21に記載の基板。
(項目24)
金属表面と、
接着層と、
該接着層上に堆積している複数の金属酸化物ナノ粒子または凝集体と、
該金属酸化物ナノ粒子または凝集体上に堆積している複数の触媒ナノ粒子または凝集体と、
該触媒ナノ粒子に付着した複数の垂直配向カーボンナノチューブと
を含む、カーボンナノチューブのアレイ。
(項目25)
前記ナノチューブが、約1×10 7 〜1×10 11 ナノチューブ/mm 2 、さらに好ましくは約1×10 8 〜1×10 10 ナノチューブ/mm 2 、最も好ましくは約1×10 9 〜1×10 10 ナノチューブ/mm 2 の密度で前記不活性支持体上に存在する、項目24に記載のアレイ。
(項目26)
前記CNTの少なくとも90%、95%、96%、97%、98%、99%または99.9%が、エタノール中での超音波処理後に前記表面上に残存する、項目24に記載のアレイ。
(項目27)
前記カーボンナノチューブの遠位端に吸着された1つ以上のポリマーをさらに含む、項目24に記載のアレイ。
(項目28)
前記カーボンナノチューブの遠位端に吸着された1つ以上の金属ナノ粒子をさらに含む、項目24に記載のアレイ。
(項目29)
カーボンナノチューブ間の空間に流動性材料または相変化材料をさらに含む、項目24に記載のアレイ。
(項目30)
前記アレイの形態が、前記アレイを浸漬させた液体を蒸発させることによって変更される、項目24に記載のアレイ。
(項目31)
垂直配向カーボンナノチューブのアレイであって、
(a)不活性支持体と、接着層と、界面層と、触媒層とを含む多層基板をアニールすること;および
(b)前記多層基板を550℃〜660℃の間の成長温度に加熱すること;および
(c)炭素原料ガスを導入すること
を含むプロセスによって調製される、アレイ。
(項目32)
熱源からヒートシンクへの熱伝達を向上させる方法であって、金属表面と、接着層と、該接着層上に堆積している複数の金属酸化物ナノ粒子または凝集体と、該金属酸化物ナノ粒子または凝集体上に堆積している複数の触媒ナノ粒子または凝集体と、該触媒ナノ粒子に付着した複数の垂直配向カーボンナノチューブとを含むカーボンナノチューブのアレイを、該熱源と該ヒートシンクとの間に配置または貼付することを含む、方法。
(項目33)
垂直配向カーボンナノチューブのアレイを形成する方法であって、
(a)不活性支持体と、接着層と、界面層と、触媒層とを含む多層基板をアニールすること;および
(b)該多層基板を550℃〜660℃の間の成長温度に加熱すること;および
(c)炭素原料ガスを導入すること
を含む、方法。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
複数のカーボンナノチューブの成長および/または支持のための多層基板であって、
不活性支持体と、
1層以上の接着層と、
1層以上の界面層と、
触媒層と
を含む、多層基板。
(項目2)
不活性支持体、第一の接着層、第一の界面層、および触媒層を含む、項目1に記載の基板。
(項目3)
不活性支持体、第一の接着層、第一の界面層、第二の接着層、第二の界面層、および触媒層を含む、項目1に記載の基板。
(項目4)
前記不活性支持体が、アルミニウム、白金、金、ニッケル、鉄、錫、鉛、銀、チタン、インジウム、銅、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される金属である、項目1から3のいずれか一項に記載の基板。
(項目5)
前記不活性支持体が、金属合金である、項目1から3のいずれか一項に記載の基板。
(項目6)
前記合金が、銅−タングステン擬合金であるか、銅−銀合金マトリックス中のダイヤモンドであるか、またはこれらの組み合わせである、項目5に記載の基板。
(項目7)
前記支持体が、アルミニウムマトリックス中の炭化ケイ素、ベリリウムマトリックス中の酸化ベリリウム、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される、項目1から3のいずれか一項に記載の基板。
(項目8)
前記接着層が、金属または金属合金を含む、項目1から7のいずれか一項に記載の基板。
(項目9)
前記金属または金属合金が、CNT形成用の触媒である遷移金属または遷移金属合金である、項目8に記載の基板。
(項目10)
前記金属または金属合金が、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される、項目9に記載の基板。
(項目11)
前記金属または金属合金が、鉄または鉄合金である、項目10に記載の基板。
(項目12)
前記界面層が、アルミニウム、チタン、金、銅、銀、タンタル、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される金属を含む、項目1から11のいずれか一項に記載の基板。
(項目13)
前記界面層が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、二酸化チタン、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される金属酸化物を含む、項目1から11のいずれか一項に記載の基板。
(項目14)
前記触媒層が、鉄、ニッケル、コバルト、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される、項目1から13のいずれか一項に記載の基板。
(項目15)
前記触媒層が鉄である、項目14に記載の基板。
(項目16)
前記接着層および前記触媒層が、同じ化学組成を有する、項目1から15のいずれか一項に記載の基板。
(項目17)
前記接着層が、厚さ約10nm〜約150nmの間、さらに好ましくは厚さ約10nm〜約100nmの間、さらに好ましくは厚さ約10nm〜約75nmの間、最も好ましくは厚さ約15nm〜約50nmの間にある、項目1から16のいずれか一項に記載の基板。
(項目18)
前記界面層が、厚さ約5nm〜約50nmの間、さらに好ましくは厚さ約7nm〜約30nmの間、最も好ましくは厚さ約7nm〜約15nmの間にある、項目1、2、および4から17のいずれか一項に記載の基板。
(項目19)
前記触媒層が、厚さ約10nm〜約1nmの間、さらに好ましくは厚さ約5nm〜約1nmの間、さらに好ましくは厚さ約2nm〜約5nmの間にある、項目1から18のいずれか一項に記載の基板。
(項目20)
前記接着層が、厚さ約30nmであり、前記界面層が、厚さ約10nmであり、前記触媒層が、厚さ約3nmである、項目1、2、および4〜19のいずれか一項に記載の基板。
(項目21)
前記第一の界面層が、厚さ約50nm〜約150nmの間、さらに好ましくは厚さ約80nm〜約120nmの間にある、項目3〜17、および19のいずれか一項に記載の基板。
(項目22)
前記第二の界面層が、厚さ約5nm〜約50nmの間、さらに好ましくは厚さ約7nm〜約30nmの間にある、項目21に記載の基板。
(項目23)
前記第一の接着層が、厚さ約10nmであり、前記第一の界面層が、厚さ約100nmであり、前記第二の接着層が、厚さ約30nmであり、前記第二の界面層が、厚さ約10nmであり、前記触媒層が、厚さ約3nmである、項目21に記載の基板。
(項目24)
金属表面と、
接着層と、
該接着層上に堆積している複数の金属酸化物ナノ粒子または凝集体と、
該金属酸化物ナノ粒子または凝集体上に堆積している複数の触媒ナノ粒子または凝集体と、
該触媒ナノ粒子に付着した複数の垂直配向カーボンナノチューブと
を含む、カーボンナノチューブのアレイ。
(項目25)
前記ナノチューブが、約1×10 7 〜1×10 11 ナノチューブ/mm 2 、さらに好ましくは約1×10 8 〜1×10 10 ナノチューブ/mm 2 、最も好ましくは約1×10 9 〜1×10 10 ナノチューブ/mm 2 の密度で前記不活性支持体上に存在する、項目24に記載のアレイ。
(項目26)
前記CNTの少なくとも90%、95%、96%、97%、98%、99%または99.9%が、エタノール中での超音波処理後に前記表面上に残存する、項目24に記載のアレイ。
(項目27)
前記カーボンナノチューブの遠位端に吸着された1つ以上のポリマーをさらに含む、項目24に記載のアレイ。
(項目28)
前記カーボンナノチューブの遠位端に吸着された1つ以上の金属ナノ粒子をさらに含む、項目24に記載のアレイ。
(項目29)
カーボンナノチューブ間の空間に流動性材料または相変化材料をさらに含む、項目24に記載のアレイ。
(項目30)
前記アレイの形態が、前記アレイを浸漬させた液体を蒸発させることによって変更される、項目24に記載のアレイ。
(項目31)
垂直配向カーボンナノチューブのアレイであって、
(a)不活性支持体と、接着層と、界面層と、触媒層とを含む多層基板をアニールすること;および
(b)前記多層基板を550℃〜660℃の間の成長温度に加熱すること;および
(c)炭素原料ガスを導入すること
を含むプロセスによって調製される、アレイ。
(項目32)
熱源からヒートシンクへの熱伝達を向上させる方法であって、金属表面と、接着層と、該接着層上に堆積している複数の金属酸化物ナノ粒子または凝集体と、該金属酸化物ナノ粒子または凝集体上に堆積している複数の触媒ナノ粒子または凝集体と、該触媒ナノ粒子に付着した複数の垂直配向カーボンナノチューブとを含むカーボンナノチューブのアレイを、該熱源と該ヒートシンクとの間に配置または貼付することを含む、方法。
(項目33)
垂直配向カーボンナノチューブのアレイを形成する方法であって、
(a)不活性支持体と、接着層と、界面層と、触媒層とを含む多層基板をアニールすること;および
(b)該多層基板を550℃〜660℃の間の成長温度に加熱すること;および
(c)炭素原料ガスを導入すること
を含む、方法。
Claims (30)
- 複数のカーボンナノチューブの成長および/または支持のための多層基板であって、
不活性支持体と、
該支持体の1層以上の表面上に存在する厚さ約10nm〜約150nmの間の接着層と、
該接着層上に存在する厚さ約5nm〜約50nmの間の界面層と、
該界面層上に存在する厚さ約10nm〜約1nmの間の触媒層と
を含み、
該接着層および該触媒層は、同一の化学組成を有し、それによってナノチューブ合成中の該触媒層の該界面層への移動を低減させ、接着層の化学組成とは異なる化学組成である接着層を有する多層基板上で形成されたカーボンナノチューブの収率および密度と比較して該触媒層上で形成されたカーボンナノチューブの収率および密度が増加する、多層基板。 - 前記不活性支持体が、アルミニウム、白金、金、ニッケル、鉄、錫、鉛、銀、チタン、インジウム、銅、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される金属である、請求項1に記載の基板。
- 前記不活性支持体が、金属合金である、請求項1に記載の基板。
- 前記合金が、銅−タングステン擬合金であるか、銅−銀合金マトリックス中のダイヤモンドであるか、またはこれらの組み合わせである、請求項3に記載の基板。
- 前記支持体が、アルミニウムマトリックス中の炭化ケイ素、ベリリウムマトリックス中の酸化ベリリウム、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される、請求項1に記載の基板。
- 前記接着層が、金属または金属合金を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の基板。
- 前記金属または金属合金が、CNT形成用の触媒である遷移金属または遷移金属合金である、請求項6に記載の基板。
- 前記金属または金属合金が、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される、請求項7に記載の基板。
- 前記金属または金属合金が、鉄または鉄合金である、請求項8に記載の基板。
- 前記界面層が、アルミニウム、チタン、金、銅、銀、タンタル、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される金属を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の基板。
- 前記界面層が、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、二酸化チタン、またはこれらの組み合わせから成る群より選択される金属酸化物を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の基板。
- 前記触媒層が、鉄、ニッケル、コバルト、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、およびこれらの組み合わせから成る群より選択される、請求項1から11のいずれか一項に記載の基板。
- 前記触媒層が鉄である、請求項12に記載の基板。
- 前記接着層が、厚さ約10nm〜約100nmの間、さらに好ましくは厚さ約10nm〜約75nmの間、最も好ましくは厚さ約15nm〜約50nmの間にある、請求項1から13のいずれか一項に記載の基板。
- 前記界面層が、厚さ約7nm〜約30nmの間、最も好ましくは厚さ約7nm〜約15nmの間にある、請求項1から14のいずれか一項に記載の基板。
- 前記触媒層が、厚さ約5nm〜約1nmの間、さらに好ましくは厚さ約2nm〜約5nmの間にある、請求項1から15のいずれか一項に記載の基板。
- 前記接着層が、厚さ約30nmであり、前記界面層が、厚さ約10nmであり、前記触媒層が、厚さ約3nmである、請求項1から16のいずれか一項に記載の基板。
- 前記界面層が前記接着層および前記触媒層の化学組成とは異なる化学組成を有する、請求項1に記載の基板。
- 前記界面層は複数の金属酸化物ナノ粒子または凝集体で形成され;
前記触媒層は金属酸化物ナノ粒子または凝集体上に堆積している複数の触媒ナノ粒子または凝集体で形成され;
複数の垂直配向カーボンナノチューブが該触媒ナノ粒子または凝集体に付着している、請求項1に記載の基板上で形成される、カーボンナノチューブのアレイ。 - 前記ナノチューブが、約1×107〜1×1011ナノチューブ/mm2、さらに好ましくは約1×108〜1×1010ナノチューブ/mm2、最も好ましくは約1×109〜1×1010ナノチューブ/mm2の密度で前記不活性支持体上に存在する、請求項19に記載のアレイ。
- 前記CNTの少なくとも90%、95%、96%、97%、98%、99%または99.9%が、エタノール中での超音波処理後に前記表面上に残存する、請求項19に記載のアレイ。
- 前記カーボンナノチューブの遠位端に吸着された1つ以上のポリマーをさらに含む、請求項19に記載のアレイ。
- 前記カーボンナノチューブの遠位端に吸着された1つ以上の金属ナノ粒子をさらに含む、請求項19に記載のアレイ。
- カーボンナノチューブ間の空間に流動性材料または相変化材料をさらに含む、請求項19に記載のアレイ。
- 前記アレイの形態が、前記アレイを浸漬させた液体を蒸発させることによって変更される、請求項19に記載のアレイ。
- 請求項19に記載の垂直配向カーボンナノチューブのアレイであって、
(a)不活性支持体、該支持体の1つ以上の表面上に存在する接着層、該接着層上に存在する界面層、および触媒層を含む多層基板をアニールする工程であって、該界面層は、該接着層と該触媒層との間に存在し、該接着層と該触媒層は、同じ化学組成を有する、工程;および
(b)該多層基板を550℃〜660℃の間の成長温度に加熱する工程;および
(c)炭素原料ガスを導入する工程
を含むプロセスによって調製される、アレイ。 - 前記界面層が前記接着層および前記触媒層の化学組成とは異なる化学組成を有する、請求項26に記載のアレイ。
- 熱源からヒートシンクへの熱伝達を向上させる方法であって、請求項19に記載のカーボンナノチューブのアレイを、熱源とヒートシンクとの間に配置または貼付することを含む、方法。
- 請求項19に記載の垂直配向カーボンナノチューブのアレイを形成する方法であって、
(a)不活性支持体、該支持体の1つ以上の表面上に存在する接着層、該接着層上に存在する界面層、および触媒層を含む多層基板をアニールする工程であって、該界面層は、該接着層と該触媒層との間に存在し、該接着層と該触媒層は、同じ化学組成を有する、工程;および
(b)該多層基板を550℃〜660℃の間の成長温度に加熱する工程;および
(c)炭素原料ガスを導入する工程
を含む、方法。 - 前記界面層が前記接着層および前記触媒層の化学組成とは異なる化学組成を有する、請求項29に記載の方法。
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