JP2015523810A - シリコン・オン・インシュレータベースの高周波スイッチに関する回路、デバイス、方法および組合せ - Google Patents
シリコン・オン・インシュレータベースの高周波スイッチに関する回路、デバイス、方法および組合せ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015523810A JP2015523810A JP2015520713A JP2015520713A JP2015523810A JP 2015523810 A JP2015523810 A JP 2015523810A JP 2015520713 A JP2015520713 A JP 2015520713A JP 2015520713 A JP2015520713 A JP 2015520713A JP 2015523810 A JP2015523810 A JP 2015523810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- switch
- circuit
- gate
- node
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 295
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims description 143
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 170
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 395
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 355
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 355
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 355
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 302
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 176
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 89
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 73
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 70
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 38
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 37
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 27
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 27
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 25
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 17
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000010615 ring circuit Methods 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 13
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 11
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 6
- 101150015217 FET4 gene Proteins 0.000 description 6
- 101150079361 fet5 gene Proteins 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0018—Special modifications or use of the back gate voltage of a FET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
本願は、米国特許法第119条(e)に基づき、以下の出願の優先権の利益を主張する。すなわち、2012年7月7日に提出され、「ダイナミックボディカップリングを有する高周波スイッチ(RADIO-FREQUENCY SWITCH HAVING DYNAMIC BODY COUPLING)」と題された米国仮出願第61/669,034号;2012年7月7日に提出され、「電界効果トランジスタの非線形補償によるスイッチ線形化(SWITCH LINEARIZATION BY NON-LINEAR COMPENSATION OF A FIELD-EFFECT TRANSISTOR)」と題された米国仮出願第61/669,035号;2012年7月7日に提出され、「ダイナミックゲートバイアス抵抗およびボディコンタクトを有する高周波スイッチ(RADIO-FREQUENCY SWITCH HAVING DYNAMIC GATE BIAS RESISTANCE AND BODY CONTACT)」題された米国仮出願第61/669,037号;2012年7月7日に提出され、「周波数調整されたボディバイアスを有する高周波スイッチ」と題された米国仮出願第61/669,039号;2012年7月7日に提出され、「高周波スイッチにおける歪みを低減させるためのボディ・ゲート・カップリング(BODY-GATE COUPLING TO REDUCE DISTORTION IN RADIO-FREQUENCY SWITCH)」と題された米国仮出願第61/669,054号;2013年2月4日に提出され、「電圧振幅の均一性が高められたRFスイッチ(RF SWITCHES HAVING INCREASED VOLTAGE SWING UNIFORMITY)」と題された米国仮出願第61/760,561号;2012年7月7日に提出され、「相互変調歪み特性改善のための放電回路を有するスイッチングデバイス(SWITCHING DEVICE HAVING A DISCHARGE CIRCUIT FOR IMPROVED INTERMODULATION DISTORTION PERFORMANCE)」と題された米国仮出願第61/669,042号;2012年7月7日に提出され、「高周波スイッチの相互変調歪み特性を改善させるためのフィードフォワード回路(FEED-FORWARD CIRCUIT TO IMPROVE INTERMODULATION DISTORTION PERFORMANCE OF RADIO-FREQUENCY SWITCH)」と題された米国仮出願第61/669,044号;2012年7月7日に提出され、「相互変調歪み特性が改善された高周波スイッチシステム(RADIO-FREQUENCY SWITCH SYSTEM HAVING IMPROVED INTERMODULATION DISTORTION PERFORMANCE)」と題された米国仮出願第61/669,045号;2012年7月7日に提出され、「高周波スイッチの相互変調歪み特性改善のための調整可能なゲートおよび/またはボディ抵抗(ADJUSTABLE GATE AND/OR BODY RESISTANCE FOR IMPROVED INTERMODULATION DISTORTION PERFORMANCE OF RADIO-FREQUENCY SWITCH)」と題された米国仮出願第61/669,047号;2012年7月7日に提出され、「ゲートノード電圧補償ネットワークを有する高周波スイッチ(RADIO-FREQUENCY SWITCH HAVING GATE NODE VOLTAGE COMPENSATION NETWORK)」と題された米国仮出願第61/669,049号;2012年7月7日に提出され、「高周波スイッチの直線性を改善させるためのボディ・ゲート・カップリング(BODY-GATE COUPLING TO IMPROVE LINEARITY OF RADIO-FREQUENCY SWITCH)」と題された米国仮出願第61/669,050号;ならびに、2012年7月7日に提出され、「シリコン・オン・インシュレータベースの高周波スイッチに関する回路、デバイス、方法および用途(CIRCUITS, DEVICES, METHODS AND APPLICATIONS RELATED TO SILICON-ON-INSULATOR BASED RADIO-FREQUENCY SWITCHES)」と題された米国仮出願第61/669,055号であって、それらの開示全体が引用によりこの明細書中に明確に援用されている。
分野
本開示は、概して、電子機器の分野に関し、より特定的には高周波スイッチに関する。
トランジスタスイッチなどの高周波(RF:radio frequency)スイッチは、1つ以上の極と1つ以上の投との間で信号を切換えるのに用いることができる。トランジスタスイッチまたはその構成部分はトランジスタバイアシングおよび/またはカップリングによって制御することができる。RFスイッチに関連するバイアス回路および/またはカップリング回路の設計および用途はスイッチング性能に影響を及ぼす可能性がある。
特に、電界効果トランジスタ(FET:field-effect transistor)のさまざまな部分および/またはさまざまなFETを結合してRFスイッチシステムのために所望の性能向上をもたらすさまざまな回路の例が開示されている。いくつかの実施形態においては、所与の例のうち1つ以上の特徴はこのような性能向上を提供することができる。いくつかの実施形態においては、さまざまな例から得られる特徴を組合わせて、このような性能向上をもたらすことができる。たとえば、後者の文脈においては、この明細書中に開示されるいくつかの実施形態は、複数の電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチを提供しており、これら複数の電界効果トランジスタ(FET)は第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続され、各FETはゲートおよびボディを有する。RFスイッチはさらに、隣接するFETからなる対の各々のゲート同士を結合するゲート・カップリング回路を含む補償ネットワークを含んでもよく、補償ネットワークはさらに、隣接するFETからなる対の各々のボディ同士を結合するボディ・カップリング回路を含んでもよい。いくつかの実施形態においては、FETのうち少なくともいくつかはシリコン・オン・インシュレータ(SOI:silicon-on-insulator)FETである。ゲート・カップリング回路は、キャパシタ、および場合によってはキャパシタと直列な抵抗器を含んでもよい。
さまざまな実施形態は、説明を目的として添付の図面に示されたものであり、本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。加えて、開示される別個の実施形態のさまざまな特徴を組合わせて、この開示の一部をなす付加的な実施形態を形成することができる。図面全体にわたって、参照番号は参照要素同士の対応関係を示すために繰り返し用いられる可能性がある。
この明細書中に設けられる標題は、単に便宜的なものに過ぎす、主張される発明の範囲または意味に必ずしも影響を与えるものではない。
図1は、1つ以上の極102と1つ以上の投104との間で1つ以上の信号を切換えるように構成された高周波(RF)スイッチ100を概略的に示す。いくつかの実施形態においては、このようなスイッチは、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETなどの1つ以上の電界効果トランジスタ(FET)に基づき得る。特定の極が特定の投に接続されると、このような経路は、一般に、閉じられるかまたはオン状態になると称されている。極と投との間の所与の経路が接続されていない場合、このような経路は、一般に、開かれるかまたはオフ状態になると称されている。
図6に示される例においては、FET 120の各々のゲートは、ゲートバイアス信号を受信するために、および/または、FET 120の別の部分もしくはスイッチアーム140にゲートを結合するために、ゲートバイアス/カップリング回路150aに接続することができる。いくつかの実現例においては、ゲートバイアス/カップリング回路150aの設計または特徴はスイッチアーム140の性能を改善させることができる。性能についてのこのような改善は、デバイスの挿入損失、絶縁性能、電力処理能力および/またはスイッチングデバイスの直線性を含み得るが、これらに限定されない。
図6に図示のとおり、各々のFET 120のボディは、ボディバイアス信号を受信するために、および/または、FET 120の別の部分もしくはスイッチアーム140にボディを結合するために、ボディバイアス/カップリング回路150cに接続することができる。いくつかの実現例においては、ボディバイアス/カップリング回路150cの設計または特徴は、スイッチアーム140の性能を改善させることができる。性能についてのこのような改善は、デバイスの挿入損失、絶縁性能、電力処理能力および/またはスイッチングデバイスの直線性を含み得るがこれらに限定されない。
図6に図示のとおり、各々のFET 120のソース/ドレインをカップリング回路150bに接続して、FET 120の別の部分またはスイッチアーム140にソース/ドレインを結合することができる。いくつかの実現例においては、カップリング回路150bの設計または特徴によりスイッチアーム140の性能を改善させることができる。性能についてのこのような改善は、デバイスの挿入損失、絶縁性能、電力処理能力および/またはスイッチングデバイスの直線性を含み得るが、これらに限定されない。
挿入損失
スイッチングデバイスの性能パラメータは、挿入損失の基準を含み得る。スイッチングデバイスの挿入損失は、RFスイッチングデバイスを介してルーティングされるRF信号の減衰の基準になり得る。たとえば、スイッチングデバイスの出力ポートにおけるRF信号の大きさは、スイッチングデバイスの入力ポートにおけるRF信号の大きさよりも小さくてもよい。いくつかの実施形態においては、スイッチングデバイスは、スイッチングデバイス挿入損失増加の一因となる寄生容量、インダクタンス、抵抗またはコンダクタンスをデバイスにもたらすデバイスコンポーネントを含む可能性がある。いくつかの実施形態においては、スイッチングデバイスの挿入損失は、スイッチングデバイスの出力ポートにおけるRF信号の電力または電圧に対する入力ポートにおけるRF信号の電力または電圧の比として測定することができる。RF信号送信の改善を可能にするには、スイッチングデバイスの挿入損失を低減させることが望ましいだろう。
スイッチングデバイス性能パラメータは、絶縁の基準も含み得る。スイッチングデバイス絶縁は、RFスイッチングデバイスの入力ポートと出力ポートとの間のRF絶縁の基準になり得る。いくつかの実施形態においては、これは、スイッチングデバイスの入力ポートと出力ポートとが電気的に絶縁状態である間の、たとえば、スイッチングデバイスがオフ状態である間の、スイッチングデバイスのRF絶縁の基準になり得る。スイッチングデバイスの絶縁性が高まると、RF信号インテグリティを改善させることができる。いくつかの実施形態においては、絶縁性が高まるとワイヤレス通信デバイスの性能を改善させることができる。
スイッチングデバイス性能パラメータはさらに、相互変調歪(IMD)性能の基準を含み得る。相互変調歪(IMD)はRFスイッチングデバイスにおける非線形性の基準になり得る。
いくつかのRF応用例においては、他のデバイス性能パラメータの低下を抑制しつつ高電力下でRFスイッチングデバイスを動作させることが所望され得る。いくつかの実施形態においては、相互変調歪、挿入損失および/または絶縁性能を改善させた状態で高電力下でRFスイッチングデバイスを動作させることが所望され得る。
スイッチングデバイスは、オンダイ(on-die)、オフダイ(off-die)またはそれらのいくつかの組合せで実現することができる。スイッチングデバイスはまたさまざまな技術を用いて作製することができる。いくつかの実施形態においては、RFスイッチングデバイスはシリコンまたはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)技術で作製することができる。
1つ以上の性能改善例をもたらすためにFETベースのスイッチ回路に如何にバイアスがかけられるかおよび/またはFETベースのスイッチ回路が如何に結合されるかについてのさまざまな例をこの明細書中に記載する。いくつかの実施形態においては、このようなバイアシング/カップリング構成は、SOI FETベースのスイッチ回路において実現することができる。例示的なバイアシング/カップリング構成のうちのいくつかを組合わせて、個々の構成には利用できないかもしれない所望の特徴の組合せをもたらし得ることが理解されるだろう。RFスイッチング応用例の文脈において記載してきたが、この明細書中に記載される1つ以上の特徴もSOI FETなどのFETを利用する他の回路およびデバイスに適用可能であることも理解されるだろう。
いくつかの高周波(RF)応用例においては、IMD3およびIMD2などの相互変調歪(IMD)の管理に加えて高い線形性を有するスイッチを利用することが望ましい。このようなスイッチ関連の性能特徴は、携帯端末のシステムレベル性能に有意に寄与し得る。シリコン・オン・オキサイド(SOI:silicon-on-oxide)スイッチの文脈においては、(基板寄生成分とも称されることのある)基板カップリングなどのファクタおよびSOIプロセスによって、達成可能な性能が制限されてしまう可能性がある。
いくつかの実現例に従うと、例1は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々はそれぞれのソースおよびドレインを有する。スイッチはさらに、少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのソースまたはそれぞれのドレインに接続された補償回路を含む。補償回路は、少なくとも1つのFETによってもたらされる非線形効果を補償するように構成される。
この明細書中に記載されるように、相互変調歪(IMD)は、他の高周波(RF)信号からの積を混合することで所望の信号に加えられる不要な信号の基準となる可能性がある。このような歪みは、マルチモード・マルチバンド環境において特に顕著になる可能性がある。
いくつかの実現例においては、例2は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有する。RFスイッチはさらに、第1の経路および第2の経路のうち少なくとも1つを有するカップリング回路を含み、第1の経路は、各FETのそれぞれのソースまたはドレインと対応するゲートとの間にあり、第2の経路は、各FETのそれぞれのソースまたはドレインと対応するボディとの間にある。カップリング回路は、結合されたゲートおよびボディのいずれかまたは両方から界面電荷を放出することを可能にするように構成される。
ロング・ターム・エボリューション(LTE)、ワールドワイド・インターオペラビリティ・フォー・マイクロウェーブ・アクセス(WiMAx:Worldwide Interoperability for Microwave Access)および符号分割多重アクセス方式(CDMA:Code Division Multiple Access)などのいくつかのワイヤレスシステムは、極めて線形性の高い高周波(RF)スイッチを必要とする可能性がある。いくつかの実施形態においては、このようなRFスイッチはSOI FETなどのFETに基づいて実現することができる。
いくつかの実現例に従うと、例3は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々はそれぞれのボディを有する。RFスイッチはさらに、各FETのそれぞれのボディを基準ノードに接続する共振回路を含む。共振回路は、選択された値よりも低い低周波数ではほぼ閉じられた回路として動作し、動作周波数ではほぼ開かれた回路として動作するように構成される。ほぼ閉じられた回路は、それぞれのボディから基準ノードまでの表面電荷を除去することを可能にする。
多くの高周波(RF)送信応用例においては、スイッチ設計は、典型的には、特に不整合の状態では、高出力の動作能力を必要とする。たとえば、アンテナ調整のために用いられるスイッチは、+35dBmの入力電力下では20:1ほどの高い不整合に耐えるものと予想される。また、GSM(登録商標)などのワイヤレスシステムにおいて利用されるいくつかのスイッチは、+35dBmの入力電力下では5:1の不整合に耐えるものと予想される。高電力に耐えて圧縮点(compression point)を改善させるために、一般に、スタック高がより高い電界効果トランジスタ(FET)が用いられる。
いくつかの実現例に従うと、例4は、第1のノードと第2のノードとの間に配置される少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディおよびゲートを有する。RFスイッチはさらに、各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含む。カップリング回路は抵抗器と直列なダイオードを含み、それぞれのボディからの過剰な電荷の除去を促進するように構成される。
相互変調歪(IMD)は、他のRF信号からの積を混合することにより所望の信号に加えられた不要な信号の基準となる。このような影響は、マルチモード・マルチバンド環境において特に顕著になる可能性がある。IMDを発生させる可能性のある2つ以上の信号は、混合されると高調波周波数ではない周波数を発生させ得る。
いくつかの実現例に従うと、例5は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有する。RFスイッチはさらに、各FETのそれぞれのゲートおよびボディのうち少なくとも1つに接続された調整抵抗回路を含む。
相互変調歪(IMD)は、他のRF信号からの積を混合することにより所望の信号に加えられた不要な信号の基準となる。このような影響は、マルチモード・マルチバンド環境において特に顕著になる可能性がある。IMDを発生させる可能性のある2つ以上の信号は、混合されると高調波周波数ではない周波数を発生させ得る。
いくつかの実現例に従うと、例6は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディゲートを有する。RFスイッチはさらに、各FETのそれぞれのボディとゲートとの間に配置されたカップリング回路を含む。カップリング回路は、それぞれのボディからの界面電荷の放出を可能にするように構成される。
多くの高周波(RF)応用例においては、低挿入損失および高絶縁値を有するスイッチを利用することが望ましい。このようなスイッチの線形性が高いものであることも望ましい。この明細書中に記載されるように、このような有利な性能特徴はRFスイッチの信頼性を著しく低下させることなく実現することができる。
いくつかの実現例においては、例7は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの第1の電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つの第1のFETの各々は、それぞれのボディおよびゲートを有する。RFスイッチはさらに、少なくとも1つの第1のFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含む。カップリング回路は、抵抗結合モードとボディ浮動モードとの間で切換え可能となるように構成される。
CMOS/SOI(complementary metal-oxide-semiconductor/silicon-on-insulator:相補型金属酸化膜半導体/シリコン・オン・インシュレータ)またはpHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor:擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ)トランジスタを用いるいくつかの高周波スイッチは、FCC規格を満たすことができない等の悪影響をもたらす非線形の歪みを発生させる可能性がある。このような歪みを減じるためにさまざまな技術が用いられてきたが、これらの技術は概して、高調波に関連付けられる根本的な問題(たとえば、三次相互変調歪(IMD3)および二次相互変調歪(IMD2))のうちのいくつかに必ずしも対処するものではない。たとえば、(IMD3およびIMD2のうちの)どちらか一方を改善させることにより、結果として、他方を悪化させる可能性がある。
いくつかの実現例においては、例8は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディおよびゲートを有する。RFスイッチはさらに、各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含む。カップリング回路はダイオードと電気的に並列なキャパシタを含む。
高周波(RF)スイッチが低挿入損失、高絶縁および非常に高い線形性を有することが極めて望ましい。これらの性能パラメータは、通常、互いに競合し合う可能性がある。いくつかの状況においては、これらの競合し合うパラメータは、FETのボディのためにゲートバイアス抵抗器およびバイアス電圧を調整することによって動的に調整することができる。
いくつかの実現例に従うと、例9は、第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有する。RFスイッチはさらに、それぞれのゲートに接続された切換え可能な抵抗カップリング回路と、少なくとも1つのFETの対応するボディに接続された切換え可能な抵抗接地回路とを含む。
多くの高周波(RF)送信応用例においては、スイッチ設計は、典型的には、特に不整合がある場合には、高出力動作能力を必要とする。たとえば、アンテナ調整のために用いられるスイッチは、+35dBmの入力電力下では20:1ほどの高い不整合に耐えると予想される。また、GSMなどのワイヤレスシステムにおいて利用されるいくつかのスイッチは、+35dBmの入力電力では5:1の不整合に耐えると予想される。不整合の状態で高電力に耐えるためには、一般に、スタック高がより高い電界効果トランジスタ(FET)が用いられる。しかしながら、FETスタックにわたる電圧分布が不均等であれば、高調波ピーキング、圧縮点の低下および/またはSOIベースのスイッチの相互変調歪(IMD)をもたらす可能性がある。
いくつかの実現例においては、例10は、第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。各FETはゲートを有する。RFスイッチはさらに、隣接するFETからなる対の各々のゲート同士を結合するカップリング回路を有する補償ネットワークを含む。
相互変調歪(IMD)は、他のRF信号からの積を混合することにより所望の信号に加えられた不要な信号の基準となる。このような影響は、マルチモード・マルチバンド環境において特に顕著になる可能性がある。IMDを発生させる可能性のある2つ以上の信号は、混合されると高調波周波数ではない周波数を発生させ得る。
いくつかの実現例においては、例11は、第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された電界効果トランジスタ(FET)のスタックを有するスイッチを含む高周波(RF)スイッチシステムに関する。当該システムはさらに、スイッチと直列に接続されたキャパシタであって、スイッチにおいて低周波数ブロッカ信号が基本周波数信号と混合することを抑制するように構成されたキャパシタを含む。
いくつかの実現例においては、ボディ間の補償技術を、SOI FETなどのFETのスタックに適用することができる。このような技術により、たとえば、スイッチスタックにおける各FETにわたる電圧振幅の変動を小さくすることができる。このような特徴により、高調波およびIMD性能の改善とともに、圧縮点の改善などの他の所望の特徴を得ることができる。
いくつかの実現例においては、例12は、第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含む高周波(RF)スイッチに関する。各々のFETはボディを有する。RFスイッチはさらに、隣接するFETからなる対の各々のボディ同士を結合するカップリング回路を有する補償ネットワークを含む。
この明細書中に記載されるFETベースのスイッチ回路およびバイアス/カップリング構成のさまざまな例は、いくつかのさまざまな方法で、かつさまざまな製品レベルで実現することができる。このような製品の実現例のうちのいくつかを一例として説明する。
図43Aから図43Dは、1つ以上の半導体ダイ上におけるこのような実現例の非限定的な例を概略的に示す。図43Aは、いくつかの実施形態において、この明細書中に記載される1つ以上の特徴を有するスイッチ回路120およびバイアス/カップリング回路150がダイ800上で実現可能であることを示す。図43Bは、いくつかの実施形態において、バイアス/カップリング回路150のうちの少なくともいくらかが図43Aのダイ800の外側で実現可能であることを示す。
いくつかの実施形態においては、この明細書中に記載される1つ以上の特徴を有する1つ以上のダイは、パッケージモジュールにおいて実現することができる。このようなモジュールの一例が図44A(平面図)および図44B(側面図)において示される。同じダイ上にあるスイッチ回路およびバイアス/カップリング回路の両方(たとえば図44Aの例示的な構成)の文脈において記載されているが、パッケージモジュールが他の構成にも基づき得ることが理解されるだろう。
いくつかの実現例においては、この明細書中に記載される1つ以上の特徴を有するデバイスおよび/または回路をワイヤレスデバイスなどのRFデバイスに含めることができる。このようなデバイスおよび/または回路は、ワイヤレスデバイスにおいて直接、この明細書中に記載されるようなモジュラー形式で、またはこれらのいくつかの組合せで実現することができる。いくつかの実施形態においては、このようなワイヤレスデバイスは、たとえば、携帯電話、スマートフォン、電話機能付きまたは電話機能無しの携帯型ワイヤレスデバイス、ワイヤレスタブレットなどを含み得る。
この明細書中に記載されるように、各々の例に関連付けられる1つ以上の特徴は1つ以上の望ましい構成をもたらすことができる。いくつかの実現例においては、この明細書中に記載されたさまざまな例からのさまざまな特徴を組合わせて、1つ以上の所望の構成をもたらすことができる。図47は、第1の特徴(i、x)が第2の特徴(j、y)と組合わされていることが示されている組合せ構成1000を概略的に示す。指数「i」および「j」はN個の例のうち例示的な番号に関するものであり、i=1、2、…、N−1、Nおよびj=1、2、…、N−1、Nである。いくつかの実現例においては、i≠jは、組合せ構成1000の第1の特徴および第2の特徴に関するものである。指数「x」は、i番目の例に関連付けられる個々の特徴を表わし得る。指数「x」はまた、i番目の例に関連付けられる特徴の組合せを表わし得る。同様に、指数「y」は、j番目の例に関連付けられる個々の特徴を表わし得る。指数「y」はまた、j番目の例に関連付けられる特徴の組合せを表わし得る。この明細書中に記載されるように、Nの値は12であってもよい。
文脈が明確に他の態様を必要としなければ、明細書および請求の範囲の全体にわたって、「備える」および「備え」などといった文言は、排他的または網羅的な意味ではない包括的な意味、すなわち、「を含むがこれらに限定されない」という意味で解釈されるべきである。本願明細書に全体において使用される「結合される」という文言は、直接的に接続されるかまたは1つ以上の中間要素を経由して接続され得る2つ以上の要素を指す。さらに、「本願明細書において」、「上で」、「以下に」および同様の主旨の文言は、本願において使用される場合、本願の任意の特定の部分ではなく、本願を全体として指す。文脈が許容する場合、単数または複数を使用する、上記の詳細な説明における文言は、それぞれ複数または単数を含んでもよい。2つ以上の項目のリストを参照する「または」という文言は、リストにおける項目のいずれか、リストにおける項目のすべて、およびリストにおける項目の任意の組合せを含む当該文言の以下の解釈のすべてをカバーする。
Claims (326)
- 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの第1の電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つの第1のFETの各々は、それぞれのボディおよびゲートを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つの第1のFETの前記それぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、抵抗結合モードとボディ浮動モードとの間で切換え可能に構成される、RFスイッチ。 - 前記第1のFETはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項1に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路はカップリングスイッチと直列な抵抗を含む、請求項1に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリングスイッチは第2のFETを含む、請求項3に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディ浮動モードにするために、前記第1のFETがオンである場合、第2のFETはオフである、請求項4に記載のRFスイッチ。
- 前記抵抗結合モードにするために、前記第1のFETがオフである場合、前記第2のFETはオンである、請求項5に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートに接続されたゲートバイアス抵抗器をさらに含む、請求項1に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記第1のFETがオン状態である場合にRF信号を出力するように構成される、請求項1に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つの第1のFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項8に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記少なくとも1つのFETの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
前記少なくとも1つのFETの各々がオンである場合のボディ浮動モードと前記少なくとも1つのFETの各々がオフである場合の抵抗結合モードとを切換えるステップとを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路とを含み、前記カップリング回路は、抵抗結合モードとボディ浮動モードとの間で切換え可能に構成される、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項11に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項12に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記半導体基板上にカップリング回路を形成するステップと、
前記カップリング回路を前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのボディおよびゲートと接続するステップとを含み、前記カップリング回路は、抵抗結合モードとボディ浮動モードとの間で切換え可能に構成される、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとを含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、抵抗結合モードとボディ浮動モードとの間で切換え可能に構成される、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項16に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路は、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項16に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路は、前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項16に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路は前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項16に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、抵抗結合モードとボディ浮動モードとの間で切換え可能に構成される、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースに接続された補償回路を含み、前記補償回路は、前記少なくとも1つのFETによってもたらされる非線形効果を補償するように構成される、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項22に記載のRFスイッチ。
- 前記補償回路が非線形キャパシタを含む、請求項22に記載のRFスイッチ。
- 前記非線形キャパシタが金属酸化膜半導体(MOS)キャパシタを含む、請求項24に記載のRFスイッチ。
- 前記MOSキャパシタは、前記FETによってもたらされる非線形効果を実質的に相殺するために1つ以上の高調波を発生させるように構成される、請求項25に記載のRFスイッチ。
- 前記MOSキャパシタがFET構造を含む、請求項26に記載のRFスイッチ。
- 前記MOSキャパシタによって発生させた前記1つ以上の高調波は、前記MOSキャパシタの前記FET構造に供給されるボディバイアス信号によって少なくとも部分的に制御される、請求項27に記載のRFスイッチ。
- 前記非線形キャパシタが前記FETの前記ソースに接続される、請求項23に記載のRFスイッチ。
- 前記FETのゲートに接続され、前記FETのゲートにバイアス信号を供給するように構成されたゲートバイアス回路をさらに含む、請求項22に記載のRFスイッチ。
- 前記FETのボディに接続され、前記FETのボディにバイアス信号を供給するように構成されたボディバイアス回路をさらに含む、請求項22に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項22に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項32に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記FETがオン状態またはオフ状態になるように制御するステップと、
前記FETのドレインまたはソースに別の非線形信号を印加することによって前記FETの非線形効果を補償するステップとを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのソースに接続された補償回路とを含み、前記補償回路は、前記少なくとも1つのFETによってもたらされる非線形効果を補償するように構成される、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項35に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項36に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記半導体基板上に補償回路を形成するステップと、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインに前記補償回路を接続することにより、前記補償回路が前記少なくとも1つのFETによってもたらされる非線形効果を補償することを可能にするステップとを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項38に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとを含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのソースまたはそれぞれのドレインに接続された補償回路を含み、前記補償回路は、前記少なくとも1つのFETによってもたらされる非線形効果を補償するように構成される、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項40に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償回路が、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項40に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償回路が、前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項40に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項40に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのソースまたはそれぞれのドレインに接続された補償回路を含み、前記補償回路は、前記少なくとも1つのFETによってもたらされる非線形効果を補償するように構成される、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのドレインに接続された補償回路を含み、前記補償回路は、前記少なくとも1つのFETによってもたらされる非線形効果を補償するように構成される、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項46に記載のRFスイッチ。
- 前記補償回路が非線形キャパシタを含む、請求項46に記載のRFスイッチ。
- 前記非線形のキャパシタが金属酸化膜半導体(MOS)キャパシタを含む、請求項48に記載のRFスイッチ。
- 前記MOSキャパシタが、前記FETによってもたらされる非線形効果を実質的に相殺するために1つ以上の高調波を発生させるように構成される、請求項49に記載のRFスイッチ。
- 前記MOSキャパシタがFET構造を含む、請求項50に記載のRFスイッチ。
- 前記MOSキャパシタによって発生させた前記1つ以上の高調波が、前記MOSキャパシタの前記FET構造に供給されるボディバイアス信号によって少なくとも部分的に制御される、請求項51に記載のRFスイッチ。
- 前記FETのゲートに接続され、前記FETのゲートにバイアス信号を供給するように構成されたゲートバイアス回路をさらに含む、請求項46に記載のRFスイッチ。
- 前記FETのボディに接続され、前記FETのボディにバイアス信号を供給するように構成されたボディバイアス回路をさらに含む、請求項46に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項46に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項55に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記それぞれのゲートの各々に接続された切換え可能な抵抗カップリング回路と、
前記それぞれのボディの各々に接続された切換え可能な抵抗接地回路とを含む、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項57に記載のRFスイッチ。
- 前記切換え可能な抵抗カップリング回路が、第1のカップリングスイッチと直列なバイアス抵抗器を含む、請求項57に記載のRFスイッチ。
- 前記切換え可能な抵抗接地回路が、第2のカップリングスイッチと直列なボディ抵抗器を含む、請求項59に記載のRFスイッチ。
- 前記FETがオンである場合に前記第1のカップリングスイッチおよび前記第2のカップリングスイッチの各々がオフとなって、前記ボディおよび前記ゲートを浮動させることによって挿入損失を低減させる、請求項59に記載のRFスイッチ。
- 前記FETがオフである場合に前記第1のカップリングスイッチおよび前記第2のカップリングスイッチの各々がオンとなって、前記ボディに接地バイアスを与え、前記ゲートにRF接地を与えることにより、前記RFスイッチの絶縁性能を改善させる、請求項61に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項57に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項63に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記少なくとも1つのFETの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートおよびボディを、各FETがオン状態である場合に浮動させるステップと、
各FETがオフ状態である場合に、前記それぞれのボディに接地バイアスを与え、前記それぞれのゲートにRF接地を与えるステップとを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートに接続された切換え可能な抵抗回路を含むカップリング回路とを含み、前記カップリング回路はさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディに接続された切換え可能な抵抗接地回路を含む、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項66に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項67に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記それぞれのゲートの各々に接続された切換え可能な抵抗カップリング回路を前記半導体基板上に形成するステップと、
前記それぞれのボディの各々に接続された切換え可能な抵抗接地回路を前記半導体基板上に形成するステップとを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項69に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートに接続された切換え可能な抵抗回路を含むカップリング回路を含み、前記カップリング回路はさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディに接続された切換え可能な抵抗接地回路を含む、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項71に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項71に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項71に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項71に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートに接続された切換え可能な抵抗回路と、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディに接続された切換え可能な抵抗接地回路とを有するカップリング回路を含む、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETの前記ボディを基準ノードに接続する共振回路を含み、前記共振回路は、選択された値よりも低い低周波数でほぼ閉じられた回路として動作し、動作周波数でほぼ開いた回路として動作するように構成され、前記ほぼ閉じられた回路は、前記ボディから前記基準ノードまでの表面電荷を除去することを可能にする、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項77に記載のRFスイッチ。
- 前記共振回路がキャパシタと電気的に並列なインダクタを有するLC回路を含む、請求項77に記載のRFスイッチ。
- 前記共振回路がさらに、前記ボディを前記基準ノードに接続するかまたは前記ボディを前記基準ノードから切断するように構成されたボディスイッチを含む、請求項79に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディスイッチが第2のFETを含む、請求項80に記載のRFスイッチ。
- 前記第2のFETは、第1のFETがオンである場合にオフになることにより、前記第1のFETの前記ボディを浮動させるように構成される、請求項80に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のFETがオフである場合に前記第2のFETがオンになることにより、前記ボディから前記基準ノードまでの表面電荷の除去を促進するようにさらに構成される、請求項81に記載のRFスイッチ。
- 前記基準ノードが接地ノードを含む、請求項77に記載のRFスイッチ。
- 前記FETのゲートに接続され、前記FETのゲートにバイアス信号を供給するように構成されたゲートバイアス回路をさらに含む、請求項77に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項77に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項86に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記少なくとも1つのFETの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
選択された値よりも低い低周波数で前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディから表面電荷を選択的に除去するステップとを含み、前記選択的な除去は、低周波数でほぼ閉じられた回路として動作する共振回路によって促進される、方法。 - 前記共振回路はさらに、動作周波数でほぼ開いた回路として動作する、請求項88に記載の方法。
- 前記共振回路がLC回路を含む、請求項89に記載の方法。
- 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディを基準ノードに接続する共振回路とを含み、前記共振回路は、選択された値よりも低い低周波数でほぼ閉じられた回路として動作し、動作周波数でほぼ開いた回路として動作するように構成され、前記ほぼ閉じられた回路は、前記それぞれのボディから前記基準ノードまでの表面電荷の除去を可能にする、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項91に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項92に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記半導体基板上に共振回路を形成するステップを含み、前記共振回路は、選択された値よりも低い低周波数でほぼ閉じられた回路として動作し、動作周波数でほぼ開いた回路として動作するように構成され、前記方法はさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのボディと基準ノードとの間に前記共振回路を接続して、前記共振回路がほぼ閉じられているときに前記それぞれのボディから前記基準ノードまでの表面電荷の除去を可能にするステップを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項94に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディを基準ノードに接続する共振回路を含み、前記共振回路は、選択された値よりも低い低周波数でほぼ閉じられた回路として動作し、動作周波数でほぼ開いた回路として動作するように構成され、前記ほぼ閉じられた回路は、前記それぞれのボディから前記基準ノードまでの表面電荷の除去を可能にする、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項96に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記共振回路が、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項96に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記共振回路が前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項96に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記共振回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項96に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディを基準ノードに接続する共振回路を含み、前記共振回路は、選択された値よりも低い低周波数でほぼ閉じられた回路として動作し、動作周波数でほぼ開いた回路として動作するように構成され、前記ほぼ閉じられた回路は、前記それぞれのボディから前記基準ノードまでの表面電荷の除去を可能にする、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディゲートを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのボディとゲートとの間に配置されたカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、前記それぞれのボディからの界面電荷の放出を可能にするように構成される、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項102に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路が抵抗器と直列なキャパシタを含む、請求項102に記載のRFスイッチ。
- 前記キャパシタおよび前記抵抗器は、前記スイッチを所望の相互変調歪(IMD)レベルにするように選択され、前記所望のIMDレベルは設定されたしきい値未満である、請求項104に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートに接続されたゲートバイアス抵抗器をさらに含む、請求項102に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディに接続されたボディバイアス抵抗器をさらに含む、請求項102に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記少なくとも1つのFETがすべてオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項102に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項108に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記少なくとも1つのFETの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディから、前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのボディと対応するゲートとの間に配置されたカップリング回路を介して、界面電荷を放出するステップとを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとの間に配置されたカップリング回路とを含み、前記カップリング回路は、前記それぞれのボディからの界面電荷の放出を可能にするように構成される、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項111に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項112に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記それぞれのボディからの界面電荷の放出を可能にするために、前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのボディおよびゲートに接続されるカップリング回路を前記半導体基板上に形成するステップを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項114に記載の方法。
- 前記カップリング回路が抵抗器と直列なキャパシタを含む、請求項114に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとの間に配置されたカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、前記それぞれのボディからの界面電荷の放出を可能にするように構成される、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項117に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が抵抗器と直列なキャパシタを含む、請求項117に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項117に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項117に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項117に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとの間に配置されたカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、前記それぞれのボディからの界面電荷の放出を可能にするように構成される、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
第1の経路および第2の経路を含むカップリング回路を含み、前記第1の経路は、前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインと前記それぞれのゲートとの間にあり、前記第2の経路は、前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインと前記それぞれのボディとの間にあり、前記カップリング回路は、結合された前記ゲートおよびボディのいずれかまたは両方からの界面電荷の放出を可能にするように構成される、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項124に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路が、第1のRC回路および第2のRC回路を含み、前記第1のRC回路は、第1の抵抗器と直列な第1のキャパシタを有し、これにより、前記ゲートからの放出を可能にし、前記第2のRC回路は、第2の抵抗器と直列な第2のキャパシタを有し、これにより、前記ボディからの放出を可能にする、請求項124に記載のRFスイッチ。
- 前記第1の経路および前記第2の経路の各々が前記ドレインに接続される、請求項124に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートに接続され、前記ゲートを浮動させるように構成されたゲート抵抗器をさらに含む、請求項124に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディに接続され、前記ボディを浮動させるように構成されたボディ抵抗器をさらに含む、請求項124に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディと前記ゲートとの間にダイオード・ボディ接続をさらに含む、請求項124に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項124に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項131に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を制御するステップと、
第1の経路および第2の経路のうち少なくとも1つを設けることによって前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートおよびボディのうち少なくとも1つから界面電荷を放出するステップとを含み、前記第1の経路は、それぞれのソースまたはそれぞれのドレインと対応する前記ゲートとの間にあり、前記第2の経路は、前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインと前記対応するボディとの間にある、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
第1の経路および第2の経路のうち少なくとも1つを含むカップリング回路とを含み、前記第1の経路は、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのソースまたはそれぞれのドレインとそれぞれのゲートとの間にあり、前記第2の経路は、前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインとそれぞれのボディとの間にあり、前記カップリング回路は、結合された前記それぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方から界面電荷を放出することを可能にするように構成される、半導体ダイ。 - 前記カップリング回路は、抵抗器と直列なキャパシタを有する少なくとも1つのRC回路を含む、請求項134に記載の半導体ダイ。
- 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項134に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項136に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記半導体基板上にカップリング回路を形成するステップと、
前記カップリング回路で第1の経路および第2の経路のうちの少なくとも1つを形成するステップとを含み、前記第1の経路は、前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインと前記それぞれのゲートとの間にあり、前記第2の経路は、前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインと前記それぞれのボディとの間にあり、前記カップリング回路は、結合された前記ゲートおよび前記ボディのいずれかまたは両方から界面電荷を放出することを可能にするように構成される、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項138に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
第1の経路および第2の経路のうち少なくとも1つを含むカップリング回路を含み、前記第1の経路は、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのソースまたはそれぞれのドレインとそれぞれのゲートとの間にあり、前記第2の経路は、前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインとそれぞれのボディとの間にあり、前記カップリング回路は、結合された前記ゲートおよび前記ボディのいずれかまたは両方から界面電荷を放出することを可能にするように構成される、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項140に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が、抵抗器と直列なキャパシタを有する少なくとも1つのRC回路を含む、請求項140に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項142に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記RC回路のうち少なくとものいくらかは、前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項142に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記RC回路の少なくともいくらかが前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項142に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナにルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、第1の経路および第2の経路のうち少なくとも1つを含むカップリング回路を含み、前記第1の経路は、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのソースまたはそれぞれのドレインとそれぞれのゲートとの間にあり、前記第2の経路は、前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインとそれぞれのボディとの間にあり、前記カップリング回路は、結合された前記ゲートおよびボディのいずれかまたは両方から界面電荷を放出することを可能にするように構成される、ワイヤレスデバイス。 - 前記カップリング回路が、抵抗器と直列なキャパシタを有する少なくとも1つのRC回路を含む、請求項146に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記ワイヤレスデバイスがLTE通信システムにおいて動作するように構成される、請求項147に記載のワイヤレスデバイス。
- 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインと前記それぞれのゲートとの間にある経路を含むカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、結合された前記ゲートからの界面電荷の放出を可能にするように構成される、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項149に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路は、抵抗器と直列なキャパシタを有し、これにより、前記ゲートからの放出を可能にするRC回路を含む、請求項149に記載のRFスイッチ。
- 前記経路が前記ドレインに接続される、請求項149に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートに接続され、前記ゲートを浮動させるように構成されたゲート抵抗器をさらに含む、請求項149に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディに接続され、前記ボディを浮動させるように構成されたボディ抵抗器をさらに含む、請求項149に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディと前記ゲートとの間にダイオード・ボディ接続をさらに含む、請求項149に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項149に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項156に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのソース、ドレイン、ゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのソースまたは前記それぞれのドレインと前記それぞれのボディとの間にある経路を含むカップリング回路を含み、前記カップリング回路は、結合された前記ボディからの界面電荷の放出を可能にするように構成される、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項158に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路は、抵抗器と直列なキャパシタを有し、これにより、前記ボディからの放出を可能にするRC回路を含む、請求項158に記載のRFスイッチ。
- 前記経路が前記ドレインに接続される、請求項158に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートに接続され、前記ゲートを浮動させるように構成されたゲート抵抗器をさらに含む、請求項158に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディに接続され、前記ボディを浮動させるように構成されたボディ抵抗器をさらに含む、請求項158に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディと前記ゲートとの間にダイオード・ボディ接続をさらに含む、請求項158に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項158に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項165に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチシステムであって、
第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された電界効果トランジスタ(FET)のスタックを有するスイッチと、
前記スイッチと直列に接続されて、前記スイッチにおいて低周波数ブロッカ信号が基本周波数信号と混合することを抑制するように構成されたキャパシタとを含む、RFスイッチシステム。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項167に記載のRFスイッチシステム。
- 前記第1のノードがアンテナノードである、請求項167に記載のRFスイッチシステム。
- 前記キャパシタが前記スイッチと前記アンテナノードとの間に配置される、請求項169に記載のRFスイッチシステム。
- 前記スイッチは、前記スイッチの前記第2のノードが増幅されたRF信号のための入力ノードとなるように送信経路の一部をなす、請求項169に記載のRFスイッチシステム。
- 前記スイッチは、前記スイッチの前記第2のノードが前記アンテナから受信したRF信号のための出力ノードとなるように受信経路の一部をなす、請求項169に記載のRFスイッチシステム。
- 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、直列に接続された電界効果トランジスタ(FET)のスタックを有するスイッチと、
前記半導体基板上に形成され、前記スイッチと直列に接続されたキャパシタとを含み、前記キャパシタは、前記スイッチにおいて低周波数ブロッカ信号が基本周波数信号と混合することを抑制するように構成される、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項173に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項174に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に直列に接続されるように電界効果トランジスタ(FET)のスタックを形成するステップと、
前記スタックの端と直列に接続されるように前記半導体基板上にキャパシタを形成するステップとを含み、前記キャパシタは、前記スタックにおいて低周波数ブロッカ信号が基本周波数信号と混合することを抑制するように構成される、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項176に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとを含み、前記ダイは、直列に接続された電界効果トランジスタ(FET)のスタックを有するスイッチを含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記スイッチと直列に接続されたキャパシタを含み、前記キャパシタは、前記スイッチにおいて低周波数ブロッカ信号が基本周波数信号と混合することを抑制するように構成される、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項178に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記キャパシタが前記FETと同じ半導体ダイの一部である、請求項178に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記キャパシタが前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項178に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記キャパシタ回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項178に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記アンテナおよび前記トランシーバに相互接続され、前記アンテナとの間でRF信号を選択的にルーティングするように構成されたスイッチモジュールとを含み、前記スイッチモジュールは、直列に接続された電界効果トランジスタ(FET)のスタックを有するスイッチを含み、前記スイッチモジュールは前記スイッチと直列に接続されたキャパシタをさらに含み、前記キャパシタは、前記スイッチにおいて低周波数ブロッカ信号が基本周波数信号と混合することを抑制するように構成される、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記FETの各々がそれぞれのゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された調整抵抗回路を含む、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項184に記載のRFスイッチ。
- 前記調整抵抗回路が、第2の抵抗器とバイパススイッチとの並列な組合せと直列な第1の抵抗器を含む、請求項184に記載のRFスイッチ。
- 前記バイパススイッチが閉じられることにより、結果として、前記第2の抵抗器がバイパスされて、調整可能な抵抗のための第1の抵抗を与え、前記バイパススイッチが開かれることにより、結果として、第2の抵抗が、ほぼ前記第2の抵抗器の値だけ前記第1の抵抗よりも大きくなる、請求項186に記載のRFスイッチ。
- 前記第1の抵抗がバイアス抵抗を含む、請求項187に記載のRFスイッチ。
- 前記第2の抵抗が相互変調歪(IMD)性能を改善させるように選択され、前記第1の抵抗が、前記FETのスイチッング時間に対する影響を低減させるように選択される、請求項188に記載のRFスイッチ。
- 前記調整抵抗回路が前記ゲートに接続される、請求項184に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディに接続された第2の調整抵抗回路をさらに含む、請求項190に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディに接続されたダイオードボディコンタクトをさらに含む、請求項190に記載のRFスイッチ。
- 前記調整抵抗回路が前記ゲートではなく前記ボディに接続される、請求項184に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項184に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項194に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記少なくとも1つのFETの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された回路の抵抗を調整するステップとを含む、方法。 - 前記抵抗が第1の抵抗器および第2の抵抗器を含み、前記調整するステップは、直列に接続された前記第1の抵抗器および前記第2の抵抗器のうちの1つをバイパスするステップを含む、請求項196に記載の方法。
- 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された調整抵抗回路とを含む、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項198に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項199に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記半導体基板上に調整抵抗回路を形成するステップと、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に調整抵抗回路を接続するステップとを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項201に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された調整抵抗回路を含む、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項203に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記調整抵抗回路が、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項203に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記調整抵抗回路が前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項203に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記調整抵抗回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項203に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された調整抵抗回路を含む、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含み、各々のFETはゲートを有し、前記RFスイッチはさらに、
隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するカップリング回路を含む補償ネットワークを含む、RFスイッチ。 - 前記FETのうち少なくともいくつかがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 前記補償ネットワークが、前記複数のFETの各々にわたる電圧振幅を低減させるように構成される、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 端のFETのソースを前記端のFETのゲートに結合するフィードフォワード回路をさらに含む、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 前記フィードフォワード回路がキャパシタを含む、請求項212に記載のRFスイッチ。
- 前記フィードフォワード回路はさらに、前記キャパシタと直列な抵抗器を含む、請求項213に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路がキャパシタを含む、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 前記キャパシタの有する容量値は、前記FETが前記第1のノードから前記第2のノードにまで横断するのに応じて連続的に小さくなる、請求項215に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路はさらに、前記キャパシタと直列な抵抗器を含む、請求項215に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路が抵抗器を含む、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 前記FETのゲートに接続され、前記FETのゲートにバイアス信号を供給するように構成されたゲートバイアスネットワークをさらに含む、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートバイアスネットワークは、前記ゲートのすべてが共通のバイアス信号を受信するように構成される、請求項219に記載のRFスイッチ。
- 前記FETのボディに接続され、前記FETのボディにバイアス信号を供給するように構成されたボディバイアスネットワークをさらに含む、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディバイアスネットワークは、前記ボディのすべてが共通のバイアス信号を受信するように構成される、請求項221に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項209に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項223に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を、前記FETがまとめてオン状態またはオフ状態になるように制御するステップを含み、各々のFETはゲートを有し、前記方法はさらに、
前記複数のFETの各々にわたる電圧振幅を低減させるように、隣接するFETの各FETのゲート同士を結合するステップを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)とを含み、各々のFETはゲートを含み、前記半導体ダイはさらに、
前記半導体基板上に形成された補償ネットワークを含み、前記補償ネットワークは、隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するカップリング回路を含む、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項226に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項227に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に直列に接続されるように複数の電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、各々のFETはゲートを有し、前記方法はさらに、
前記半導体基板上において、隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するようにカップリング回路を形成するステップを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項229に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとを含み、前記ダイは、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含み、各々のFETはゲートを含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するカップリング回路を含む補償ネットワークを含む、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項231に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償ネットワークが、前記複数のFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項231に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償ネットワークが、前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項231に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償ネットワークが前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項231に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含み、各々のFETはゲートを含み、前記スイッチはさらに、隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するカップリング回路を有する補償ネットワークを含む、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディおよび対応するゲートを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのボディと対応するゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路は抵抗器と直列なダイオードを含み、前記それぞれのボディからの過剰な電荷の除去を促進するように構成される、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項237に記載のRFスイッチ。
- 前記ダイオードのアノードが前記ボディに接続され、前記ダイオードのカソードが前記抵抗器の一方の端部に接続され、前記抵抗器の他方の端部が前記ゲートに接続される、請求項237に記載のRFスイッチ。
- 前記ダイオードおよび前記抵抗器は、前記スイッチのP1dBおよびIMD性能を改善させるように構成される、請求項239に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートの浮動を促進するために前記ゲートに接続されたゲート抵抗器をさらに含む、請求項237に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項237に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項242に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記少なくとも1つのFETの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディから、前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのボディを対応するゲートに結合するカップリング回路を介して、過剰な電荷を除去するステップとを含み、前記カップリング回路は抵抗器と直列なダイオードを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディと対応するゲートとを結合するカップリング回路とを含み、前記カップリング回路は抵抗器と直列なダイオードを含み、前記それぞれのボディから過剰な電荷の除去を促進するように構成される、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項245に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項246に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディおよび対応するゲートを有し、前記方法はさらに、
前記半導体基板上にカップリング回路を形成するステップを含み、前記カップリング回路は抵抗器と直列なダイオードを含み、前記方法はさらに、
前記それぞれのボディからの過剰な電荷の除去を促進するために、前記少なくとも1つのFETの前記それぞれのボディと前記それぞれのゲートとの間に前記カップリング回路を接続するステップを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項248に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディと対応するゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路は抵抗器と直列なダイオードを含み、前記それぞれのボディからの過剰な電荷の除去を促進するように構成される、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項250に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項250に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項250に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項250に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディと対応するゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路は抵抗器と直列なダイオードを含み、前記それぞれのボディからの過剰な電荷の除去を促進するように構成される、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディおよびゲートを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路はダイオードと電気的に並列なキャパシタを含む、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項256に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路は、三次相互変調歪(IMD3)性能を著しく低下させることなく、二次相互変調歪(IMD2)性能を改善させるように構成される、請求項256に記載のRFスイッチ。
- 前記ダイオードがPMOSダイオードを含む、請求項258に記載のRFスイッチ。
- 前記ダイオードのアノードが前記ボディに接続され、前記ダイオードのカソードが前記ゲートに接続される、請求項258に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートに接続されたゲートバイアス抵抗器をさらに含む、請求項256に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項256に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項262に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を、前記少なくとも1つのFETの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
キャパシタとダイオードとの並列な組合せによって前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するステップとを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)と、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路とを含み、前記カップリング回路はダイオードと電気的に並列なキャパシタを含む、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項265に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項266に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記半導体基板上に少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を形成するステップとを含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのボディとゲートとの間にあるカップリング回路を前記半導体基板上に形成するステップを含み、前記カップリング回路はダイオードと電気的に並列なキャパシタを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項268に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路はダイオードと電気的に並列なキャパシタを含む、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項270に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路は、前記少なくとも1つのFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項270に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路は前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項270に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記カップリング回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項270に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記スイッチはさらに、前記少なくとも1つのFETの各FETのそれぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路はダイオードと電気的に並列なキャパシタを含む、ワイヤレスデバイス。 - 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に配置された少なくとも1つの電界効果トランジスタ(FET)を含み、前記少なくとも1つのFETの各々は、それぞれのボディおよびゲートを有し、前記RFスイッチはさらに、
前記少なくとも1つのFETの各FETの前記それぞれのボディとゲートとを結合するカップリング回路を含み、前記カップリング回路はキャパシタを含む、RFスイッチ。 - 前記FETがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項276に記載のRFスイッチ。
- 前記カップリング回路は、三次相互変調歪(IMD3)性能を著しく低下させることなく、二次相互変調歪(IMD2)性能を改善させるように構成される、請求項276に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲートに接続されたゲートバイアス抵抗器をさらに含む、請求項276に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディに接続されたボディバイアス抵抗器をさらに含む、請求項276に記載のRFスイッチ。
- 前記第1のノードは、電力値を有するRF信号を受信するように構成され、前記第2のノードは、前記FETがオン状態である場合に前記RF信号を出力するように構成される、請求項276に記載のRFスイッチ。
- 前記少なくとも1つのFETは、直列に接続されたN個のFETを含み、数量Nは、スイッチ回路が前記RF信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項281に記載のRFスイッチ。
- スイッチング回路であって、
高周波(RF)信号を受信するように構成された入力ポートと、
前記RF信号を出力するように構成された出力ポートと、
前記入力ポートと前記出力ポートとの間にRF信号経路を規定する1つ以上の電界効果トランジスタ(FET)を含むスイッチとを含み、各々のFETはソース、ドレイン、ゲートノードおよびボディノードを有し、前記スイッチは、第1の状態および第2の状態になり得るように構成され、前記第1の状態は、前記入力ポートと前記出力ポートとがそれらの間を前記RF信号が通過できるように電気的に接続されている状態に対応し、前記第2の状態は、前記入力ポートと前記出力ポートとが電気的に絶縁されている状態に対応し、前記スイッチング回路はさらに、
前記スイッチにわたる電圧分布変動を低減させるように構成された電圧分布回路を含み、前記電圧分布回路は、前記スイッチが前記第1の状態であり前記入力ポートでRF信号を受けたときに、前記スイッチにわたる電圧分布変動を低減させるように、1つ以上のFETのうちの選択されたボディノードに結合される1つ以上の素子を含む、スイッチング回路。 - 1つ以上のFETのうちの前記選択されたボディノードに結合された前記1つ以上の素子が容量性素子を含む、請求項283に記載のスイッチング回路。
- 1つ以上のFETのうちの前記選択されたボディノードに結合された前記1つ以上の素子が抵抗素子を含む、請求項283に記載のスイッチング回路。
- 1つ以上のFETのうちの前記選択されたボディノードに結合された前記1つ以上の素子が、抵抗素子に直列に接続された容量性素子を含む、請求項283に記載のスイッチング回路。
- 前記電圧分布回路は、前記RF信号経路を規定するFETの前記ボディノードに前記RF信号を結合するように構成されたフィードフォワード容量性素子をさらに含む、請求項283に記載のスイッチング回路。
- 前記フィードフォワード容量性素子は、第1のFETのソースまたはドレインを通るRF信号経路を規定する前記第1のFETの前記ボディノードに前記RF信号を結合するように構成される、請求項287に記載のスイッチング回路。
- 前記電圧分布回路は、前記RF信号経路を規定するFETの前記ボディノードに前記RF信号を結合するように構成され、抵抗素子に直列に接続されたフィードフォワード容量性素子をさらに含む、請求項283に記載のスイッチング回路。
- 前記電圧分布回路は、前記RF信号経路を規定するFETの前記ゲートノードに結合されることによって前記FETの前記ゲートノードの浮動を可能にする抵抗素子をさらに含む、請求項283に記載のスイッチング回路。
- 前記電圧分布回路は、前記RF信号経路を規定するFETの前記ボディノードに結合されることによって前記FETの前記ボディノードの浮動を可能にする抵抗素子をさらに含む、請求項283に記載のスイッチング回路。
- ダイ上に形成された集積回路(IC)であって、
入力ポートと出力ポートとの間にRF信号経路を規定する1つ以上の電界効果トランジスタ(FET)を含むスイッチを含み、各々のFETはボディノードを有し、前記スイッチは、オン状態およびオフ状態になり得るように構成され、前記ICはさらに、
前記スイッチに結合され、前記スイッチにわたる電圧分布変動を低減させるように構成された電圧分布回路を含み、前記電圧分布回路は、前記スイッチがオン状態であり前記入力ポートでそれぞれのRF信号を受けたときに、前記スイッチにわたる電圧分布変動を低減させるように、1つ以上のFETのうちの選択されたボディノードに結合された1つ以上の素子を含む、IC。 - 前記スイッチに電気的に接続され、RF信号を処理するように構成されたトランシーバ回路をさらに含む、請求項292に記載のIC。
- 高周波(RF)デバイスのためのパッケージモジュールであって、
パッケージング基板と、
半導体ダイ上に形成され、前記パッケージング基板上に実装される集積回路(IC)とを含み、前記ICは、入力ポートと出力ポートとの間にRF信号経路を規定する1つ以上の電界効果トランジスタ(FET)を有するスイッチを含み、各々のFETは、前記スイッチがオン状態およびオフ状態になり得るよう構成されるようにボディノードを有し、前記ICはさらに、前記スイッチに結合された電圧分布回路を含み、前記電圧分布回路は、前記スイッチがオン状態であり前記入力ポートでそれぞれのRF信号を受けたときに、前記スイッチにわたる電圧分布変動を低減させるように構成され、前記電圧分布回路は、前記RF信号経路を規定する1つ以上のFETのうちの選択されたボディノードに結合される1つ以上の素子を含む、パッケージモジュール。 - 前記スイッチへの信号の送達および前記スイッチからの信号の送達を促進するように構成された少なくとも1つの接続をさらに含む、請求項294に記載のパッケージモジュール。
- 前記スイッチを保護するように構成されたパッケージング構造をさらに含む、請求項294に記載のパッケージモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
高周波(RF)信号の送信および受信を促進するように構成された少なくとも1本のアンテナと、
前記アンテナに結合され、高周波(RF)信号を処理するように構成されたトランシーバと、
入力ポートと出力ポートとの間にRF信号経路を規定する1つ以上の電界効果トランジスタ(FET)を有するスイッチとを含み、各々のFETはボディノードを有し、前記スイッチは、オン状態およびオフ状態になり得るように構成され、前記ワイヤレスデバイスはさらに、
前記スイッチに結合された電圧分布回路を含み、前記電圧分布回路は、前記スイッチがオン状態であり前記入力ポートでRF信号を受けたときに、前記スイッチにわたる電圧分布変動を低減させるように構成され、前記電圧分布回路は、前記RF信号経路を規定する1つ以上のFETのうちの選択されたボディノードに結合された1つ以上の素子を含む、ワイヤレスデバイス。 - バッテリを収容し、前記バッテリと前記スイッチとの間に電気的接続をもたらすように構成されたレセプタクルをさらに含む、請求項297に記載のワイヤレスデバイス。
- 高周波(RF)スイッチング回路を作製するための方法であって、
基板を設けるかまたは形成するステップと、
入力端と出力端との間にRF信号経路を規定するために直列に接続された1つ以上のFETを前記基板上に形成するステップとを含み、各々のFETは、ソース、ドレイン、ゲートノードおよびボディノードを有し、前記方法はさらに、
直列に接続された前記1つ以上のFETのうちの選択されたボディノードに結合されることにより、前記スイッチング回路にわたる電圧分布変動を低減させる素子を形成するステップを含む、方法。 - 前記1つ以上のFETのうちの前記選択されたボディノードに結合された素子を形成する前記ステップは、容量性素子を形成するステップを含む、請求項299に記載の方法。
- 前記1つ以上のFETのうちの前記選択されたボディノードに結合された素子を形成する前記ステップは、抵抗素子を形成するステップを含む、請求項299に記載の方法。
- 前記基板が半導体基板を含む、請求項299に記載の方法。
- 前記RF信号経路から、前記入力端と前記出力端との間に前記RF信号経路を規定する選択されたFETの前記ボディノードにまで、フィードフォワード容量性素子を形成するステップをさらに含む、請求項299に記載の方法。
- 前記RF信号経路から前記選択されたFETの前記ボディノードにまで前記フィードフォワード容量性素子を形成する前記ステップは、前記選択されたFETの前記ソースまたは前記ドレインから前記FETの前記ボディノードにまで前記容量性素子を形成するステップを含む、請求項303に記載の方法。
- 前記入力端および前記出力端を規定するFETの前記ゲートノードに結合されることにより、前記FETの前記ゲートノードの浮動を可能にする抵抗素子を形成するステップをさらに含む、請求項299に記載の方法。
- 前記入力端および前記出力端を規定するFETの前記ボディノードに結合されることにより、前記FETの前記ボディノードの浮動を可能にする抵抗素子を形成するステップをさらに含む、請求項299に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチであって、
第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含み、各々のFETはゲートおよびボディを有し、前記RFスイッチはさらに、
隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するゲート・カップリング回路を有する補償ネットワークを含み、前記補償ネットワークはさらに、隣接するFETからなる対の各々の前記ボディ同士を結合するボディ・カップリング回路を含む、RFスイッチ。 - 前記FETのうちの少なくともいくつかがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)FETである、請求項307に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲート・カップリング回路がキャパシタを含む、請求項307に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲート・カップリング回路は前記キャパシタと直列な抵抗器をさらに含む、請求項309に記載のRFスイッチ。
- 前記ゲート・カップリング回路が抵抗器を含む、請求項307に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディ・カップリング回路がキャパシタを含む、請求項307に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディ・カップリング回路が、キャパシタと直列な抵抗器をさらに含む、請求項312に記載のRFスイッチ。
- 前記ボディ・カップリング回路が抵抗器を含む、請求項307に記載のRFスイッチ。
- 高周波(RF)スイッチを動作させるための方法であって、
第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を、前記FETがまとめてオン状態またはオフ状態になるように制御するステップを含み、各々のFETはゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
前記複数のFETの各々にわたる電圧振幅を低減させるために隣接するFETの各FETの前記ゲート同士を結合するステップと、
前記複数のFETの各々にわたる電圧振幅を低減させるために隣接するFETの各FETの前記ボディ同士を結合するステップとを含む、方法。 - 半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)とを含み、各々のFETはゲートおよびボディを有し、前記半導体ダイはさらに、
前記半導体基板上に形成された補償ネットワークを含み、前記補償ネットワークは、隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するゲート・カップリング回路を含み、前記補償ネットワークは、隣接するFETからなる対の各々の前記ボディ同士を結合するボディ・カップリング回路をさらに含む、半導体ダイ。 - 前記FETと前記半導体基板との間に配置される絶縁体層をさらに含む、請求項316に記載の半導体ダイ。
- 前記ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項317に記載の半導体ダイ。
- 半導体ダイを作製するための方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
複数の電界効果トランジスタ(FET)を前記半導体基板上に直列に接続されるように形成するステップとを含み、各々のFETはゲートおよびボディを有し、前記方法はさらに、
隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するように前記半導体基板上にゲート・カップリング回路を形成するステップと、
隣接するFETからなる対の各々の前記ボディ同士を結合するように前記半導体基板上にボディ・カップリング回路を形成するステップとを含む、方法。 - 前記FETと前記半導体基板との間に絶縁体層を形成するステップをさらに含む、請求項319に記載の方法。
- 高周波(RF)スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとを含み、前記ダイは、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含み、各々のFETはゲートおよびゲートを含み、前記RFスイッチモジュールはさらに、
隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するゲート・カップリング回路を含む補償ネットワークを含み、前記補償ネットワークは、隣接するFETからなる対の各々の前記ボディ同士を結合するボディ・カップリング回路をさらに含む、RFスイッチモジュール。 - 前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ダイである、請求項321に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償ネットワークは、前記複数のFETと同じ半導体ダイの一部である、請求項321に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償ネットワークは、前記パッケージング基板上に実装された第2のダイの一部である、請求項321に記載のRFスイッチモジュール。
- 前記補償ネットワークが前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項321に記載のRFスイッチモジュール。
- ワイヤレスデバイスであって、
RF信号を処理するように構成されたトランシーバと、
増幅されたRF信号の送信を促進するように構成されて前記トランシーバと通信するアンテナと、
前記トランシーバに接続され、前記増幅されたRF信号を生成するように構成されたパワーアンプと、
前記アンテナおよび前記パワーアンプに接続され、前記増幅されたRF信号を前記アンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含み、前記スイッチは、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ(FET)を含み、各々のFETはゲートおよびゲートを含み、前記スイッチはさらに、隣接するFETからなる対の各々の前記ゲート同士を結合するゲート・カップリング回路と、隣接するFETからなる対の各々の前記ボディ同士を結合するボディ・カップリング回路とを有する補償ネットワークを含む、ワイヤレスデバイス。
Applications Claiming Priority (27)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261669045P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669034P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669049P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669050P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669047P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669054P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669042P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669037P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669039P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669055P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669035P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US201261669044P | 2012-07-07 | 2012-07-07 | |
US61/669,054 | 2012-07-07 | ||
US61/669,037 | 2012-07-07 | ||
US61/669,049 | 2012-07-07 | ||
US61/669,039 | 2012-07-07 | ||
US61/669,034 | 2012-07-07 | ||
US61/669,045 | 2012-07-07 | ||
US61/669,042 | 2012-07-07 | ||
US61/669,055 | 2012-07-07 | ||
US61/669,047 | 2012-07-07 | ||
US61/669,044 | 2012-07-07 | ||
US61/669,035 | 2012-07-07 | ||
US61/669,050 | 2012-07-07 | ||
US201361760561P | 2013-02-04 | 2013-02-04 | |
US61/760,561 | 2013-02-04 | ||
PCT/US2013/049500 WO2014011510A2 (en) | 2012-07-07 | 2013-07-06 | Circuits, devices, methods and combinations related to silicon-on-insulator based radio-frequency switches |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015523810A true JP2015523810A (ja) | 2015-08-13 |
JP2015523810A5 JP2015523810A5 (ja) | 2016-04-21 |
JP6026654B2 JP6026654B2 (ja) | 2016-11-16 |
Family
ID=49916656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015520713A Active JP6026654B2 (ja) | 2012-07-07 | 2013-07-06 | シリコン・オン・インシュレータベースの高周波スイッチに関する回路、デバイス、方法および組合せ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP3823167A1 (ja) |
JP (1) | JP6026654B2 (ja) |
KR (1) | KR102063163B1 (ja) |
CN (4) | CN104604135B (ja) |
HK (3) | HK1249808A1 (ja) |
TW (5) | TWI623142B (ja) |
WO (1) | WO2014011510A2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017519430A (ja) * | 2014-05-20 | 2017-07-13 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | Ac等電位ノードを維持するためのフィルタを有するトランジスタベーススイッチスタック |
CN107592119A (zh) * | 2016-07-07 | 2018-01-16 | 三星电机株式会社 | 射频开关电路和具有内置耦合器的设备 |
US10033332B2 (en) | 2016-09-05 | 2018-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency semiconductor amplifier circuit |
WO2018139495A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社村田製作所 | スイッチ回路 |
US10044341B2 (en) | 2016-07-07 | 2018-08-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Radio frequency switch circuit and apparatus having built-in coupler |
US10411658B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
KR102234905B1 (ko) * | 2020-02-04 | 2021-03-31 | 목포대학교산학협력단 | 무선용 고속 온타임 특성을 갖는 rf 스위치 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140361847A1 (en) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | Qualcomm Incorporated | Low loss multiple output switch with integrated distributed attenuation |
JP6295802B2 (ja) | 2014-04-18 | 2018-03-20 | ソニー株式会社 | 高周波デバイス用電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびに高周波デバイス |
WO2015179879A2 (en) * | 2014-05-19 | 2015-11-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Switch isolation network |
TWI580185B (zh) * | 2015-03-05 | 2017-04-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 類比開關電路 |
JP2016174240A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体スイッチ |
US20160322385A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Substrate bias for field-effect transistor devices |
CN106612113B (zh) * | 2015-10-21 | 2020-08-21 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种提高打开的支路间隔离度的射频开关电路 |
CN106911326A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-30 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种可减少偏压控制信号的射频开关 |
CN106209048A (zh) * | 2016-08-22 | 2016-12-07 | 江苏卓胜微电子有限公司 | 一种组合拆分射频开关 |
US10560061B2 (en) | 2016-09-01 | 2020-02-11 | Analog Devices, Inc. | Low capacitance switch for programmable gain amplifier or programable gain instrumentation amplifier |
WO2018045298A1 (en) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | Analog Devices, Inc. | Low capacitance switch for pga or pgia |
US10200029B2 (en) | 2016-09-01 | 2019-02-05 | Analog Devices, Inc. | Low capacitance analog switch or transmission gate |
WO2018056213A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール及び電力用半導体装置 |
US10630282B2 (en) | 2016-09-26 | 2020-04-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Hybrid main-auxiliary field-effect transistor configurations for radio frequency applications |
KR101823269B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2018-01-29 | 삼성전기주식회사 | 다이나믹 바이어스를 갖는 고주파 스위치 장치 |
KR102624466B1 (ko) | 2017-01-12 | 2024-01-15 | 삼성전자주식회사 | 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치 및 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치에서 스위칭 방법 |
CN106972845A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-07-21 | 广东工业大学 | 一种射频开关电路 |
TWI697097B (zh) * | 2017-04-18 | 2020-06-21 | 力智電子股份有限公司 | 電力開關及其半導體裝置 |
KR101912289B1 (ko) * | 2017-06-28 | 2018-10-29 | 삼성전기 주식회사 | 고조파 감쇠특성을 개선한 고주파 스위치 장치 |
KR102348686B1 (ko) * | 2017-08-04 | 2022-01-06 | 삼성전기주식회사 | 션트 및 바이어스 복합형의 고주파 스위치 장치 |
CN107819900B (zh) * | 2017-10-13 | 2020-06-05 | 捷开通讯(深圳)有限公司 | 一种移动通讯终端及其主板 |
CN111373657B (zh) * | 2017-11-14 | 2023-10-03 | 株式会社村田制作所 | 放大电路、前端电路以及接收电路 |
US10574212B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-02-25 | Mediatek Inc. | Method and circuit for low-noise reference signal generation |
CN107947775A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-04-20 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种改善关断电容的射频开关电路 |
JP6516029B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-05-22 | ソニー株式会社 | 電界効果トランジスタおよび無線通信装置 |
US10680605B2 (en) * | 2018-02-28 | 2020-06-09 | Infineon Technologies Ag | Bias circuit and method for a high-voltage RF switch |
US10236872B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-19 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
US10886911B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-05 | Psemi Corporation | Stacked FET switch bias ladders |
CN108649953A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-10-12 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 一种基于p阱浮空技术的采样开关及控制方法 |
CN109194320A (zh) * | 2018-09-11 | 2019-01-11 | 成都聚利中宇科技有限公司 | 一种tr开关 |
CN109450419A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-08 | 惠州华芯半导体有限公司 | 射频开关芯片 |
KR102670924B1 (ko) * | 2019-01-24 | 2024-05-31 | 삼성전자 주식회사 | 스위치 및 상기 스위치를 제어하기 위한 스위치 제어 프로세서를 포함하는 증폭기 |
TWI679829B (zh) * | 2019-01-25 | 2019-12-11 | 天揚精密科技股份有限公司 | 多節電池組之穩定供電裝置 |
JP6717404B2 (ja) * | 2019-04-16 | 2020-07-01 | ソニー株式会社 | 電界効果トランジスタおよび無線通信装置 |
KR102636848B1 (ko) * | 2019-06-18 | 2024-02-14 | 삼성전기주식회사 | 균등 전압 분배 기능을 갖는 고주파 스위치 |
US11476849B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-10-18 | Psemi Corporation | High power positive logic switch |
US11811438B2 (en) | 2020-08-21 | 2023-11-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems and methods for magnitude and phase trimming |
US11677392B2 (en) | 2021-04-16 | 2023-06-13 | Analog Devices International Unlimited Company | Bias networks for DC or extended low frequency capable fast stacked switches |
CN113595579B (zh) * | 2021-06-30 | 2023-03-24 | 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 | 射频开关模组和射频开关电路 |
CN113868937B (zh) * | 2021-08-20 | 2022-08-23 | 浙江大学 | 基于动态空间映射的硅场效应管射频开关谐波预测方法 |
CN113794488B (zh) * | 2021-11-15 | 2022-02-08 | 成都爱旗科技有限公司 | 一种射频电路板及射频电路板的制作方法 |
CN116192112A (zh) | 2021-11-29 | 2023-05-30 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
CN114884530B (zh) * | 2022-04-20 | 2024-04-19 | 星宸科技股份有限公司 | 一种有线收发器 |
US20230353140A1 (en) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | Shaoxing Yuanfang Semiconductor Co., Ltd. | Biasing body node of a transistor |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050078546A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Yuuichi Hirano | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
JP2008011120A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 半導体スイッチ回路 |
JP2008017416A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ装置 |
JP2008270964A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
US20110012669A1 (en) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Io Semiconductor, Inc. | Semiconductor-on-insulator with back side connection |
US20110025403A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Qualcomm Incorporated | Switch with improved biasing |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5593252A (en) * | 1979-01-05 | 1980-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | Substrate potential generating apparatus |
JP2964975B2 (ja) * | 1997-02-26 | 1999-10-18 | 日本電気株式会社 | 高周波スイッチ回路 |
US6281737B1 (en) * | 1998-11-20 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing parasitic bipolar current in a silicon-on-insulator transistor |
US6804502B2 (en) * | 2001-10-10 | 2004-10-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
US6933572B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-08-23 | Micron Technology, Inc. | Field-shielded SOI-MOS structure free from floating body effect, and method of fabrication therefor |
CN1141787C (zh) * | 2002-07-05 | 2004-03-10 | 清华大学 | 变增益的单端到差分的射频低噪声放大器 |
US6903987B2 (en) * | 2002-08-01 | 2005-06-07 | T-Ram, Inc. | Single data line sensing scheme for TCCT-based memory cells |
US6992916B2 (en) * | 2003-06-13 | 2006-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | SRAM cell design with high resistor CMOS gate structure for soft error rate improvement |
DE602004025246D1 (de) * | 2003-07-22 | 2010-03-11 | Nxp Bv | Antennenschalter mit adaptivem filter |
US20050035410A1 (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-17 | Yee-Chia Yeo | Semiconductor diode with reduced leakage |
JP2005318093A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
US7683433B2 (en) * | 2004-07-07 | 2010-03-23 | Semi Solution, Llc | Apparatus and method for improving drive-strength and leakage of deep submicron MOS transistors |
US7049863B2 (en) * | 2004-07-13 | 2006-05-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Output driver circuit with reduced RF noise, reduced power consumption, and reduced load capacitance susceptibility |
US7898297B2 (en) * | 2005-01-04 | 2011-03-01 | Semi Solution, Llc | Method and apparatus for dynamic threshold voltage control of MOS transistors in dynamic logic circuits |
US7619462B2 (en) * | 2005-02-09 | 2009-11-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Unpowered switch and bleeder circuit |
US7253675B2 (en) * | 2005-03-08 | 2007-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Bootstrapping circuit capable of sampling inputs beyond supply voltage |
JP2006310512A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体スイッチ回路装置 |
JP2006332778A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路およびこれを用いた半導体装置 |
JP2006332416A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
US7910993B2 (en) * | 2005-07-11 | 2011-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink |
CN101102103A (zh) * | 2006-05-31 | 2008-01-09 | 松下电器产业株式会社 | 射频开关电路、射频开关装置和发射机模块装置 |
US7848712B2 (en) * | 2007-05-03 | 2010-12-07 | Intel Corporation | CMOS RF switch for high-performance radio systems |
WO2009022654A1 (ja) * | 2007-08-16 | 2009-02-19 | Nec Corporation | スイッチ回路及び半導体装置 |
US20090181630A1 (en) | 2008-01-15 | 2009-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radio frequency switch circuit |
JP2009201096A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-09-03 | Nec Electronics Corp | スイッチ回路 |
US8358155B2 (en) * | 2008-01-29 | 2013-01-22 | Oracle America, Inc. | Circuit that facilitates proximity communication |
US7928794B2 (en) * | 2008-07-21 | 2011-04-19 | Analog Devices, Inc. | Method and apparatus for a dynamically self-bootstrapped switch |
JP5189958B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2013-04-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路およびそれを内蔵した高周波モジュール |
JP5751498B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2015-07-22 | ファーフィクス リミテッド | スイッチングシステム及びスイッチング方法 |
US7952419B1 (en) * | 2009-11-16 | 2011-05-31 | Analog Devices, Inc. | Bootstrapped switch circuit |
US8288895B2 (en) * | 2009-11-27 | 2012-10-16 | Samsung Electro-Mechanics | High-power tunable capacitor |
US8461898B2 (en) * | 2009-12-23 | 2013-06-11 | Rf Micro Devices, Inc. | Temperature compensation attenuator |
CN102107848B (zh) * | 2009-12-25 | 2013-06-05 | 华东光电集成器件研究所 | 一种悬浮射频开关的制造方法 |
US10056895B2 (en) * | 2010-04-27 | 2018-08-21 | Qorvo Us, Inc. | High power FET switch |
US8330519B2 (en) * | 2010-07-09 | 2012-12-11 | Sige Semiconductor Inc. | System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch |
US8514008B2 (en) * | 2010-07-28 | 2013-08-20 | Qualcomm, Incorporated | RF isolation switch circuit |
CN101958703A (zh) * | 2010-07-28 | 2011-01-26 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | Soi cmos射频开关及包含该射频开关的射频发射前端模块 |
US8629725B2 (en) * | 2010-12-05 | 2014-01-14 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | Power amplifier having a nonlinear output capacitance equalization |
JP5814547B2 (ja) * | 2010-12-20 | 2015-11-17 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 高周波スイッチ |
-
2013
- 2013-07-05 TW TW105114644A patent/TWI623142B/zh active
- 2013-07-05 TW TW105114646A patent/TWI628840B/zh active
- 2013-07-05 TW TW102124271A patent/TWI624110B/zh active
- 2013-07-05 TW TW105114643A patent/TWI623141B/zh active
- 2013-07-05 TW TW105114645A patent/TWI623143B/zh active
- 2013-07-06 CN CN201380046576.5A patent/CN104604135B/zh active Active
- 2013-07-06 CN CN201710243371.6A patent/CN107276577B/zh active Active
- 2013-07-06 EP EP20194925.2A patent/EP3823167A1/en not_active Withdrawn
- 2013-07-06 CN CN201711420589.0A patent/CN108155900B/zh active Active
- 2013-07-06 JP JP2015520713A patent/JP6026654B2/ja active Active
- 2013-07-06 WO PCT/US2013/049500 patent/WO2014011510A2/en active Application Filing
- 2013-07-06 KR KR1020157003307A patent/KR102063163B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-06 EP EP13817490.9A patent/EP2870694B1/en active Active
- 2013-07-06 CN CN201711419244.3A patent/CN108134596B/zh active Active
-
2015
- 2015-08-07 HK HK18109223.0A patent/HK1249808A1/zh unknown
- 2015-08-07 HK HK15107619.9A patent/HK1207217A1/xx unknown
- 2015-08-07 HK HK18109222.1A patent/HK1249807A1/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050078546A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Yuuichi Hirano | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
JP2008011120A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 半導体スイッチ回路 |
JP2008017416A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ装置 |
JP2008270964A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
US20110012669A1 (en) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Io Semiconductor, Inc. | Semiconductor-on-insulator with back side connection |
US20110025403A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Qualcomm Incorporated | Switch with improved biasing |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017519430A (ja) * | 2014-05-20 | 2017-07-13 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | Ac等電位ノードを維持するためのフィルタを有するトランジスタベーススイッチスタック |
CN107592119A (zh) * | 2016-07-07 | 2018-01-16 | 三星电机株式会社 | 射频开关电路和具有内置耦合器的设备 |
KR101823270B1 (ko) * | 2016-07-07 | 2018-01-29 | 삼성전기주식회사 | 커플러 내장형 고주파 스위치 회로 및 장치 |
US10044341B2 (en) | 2016-07-07 | 2018-08-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Radio frequency switch circuit and apparatus having built-in coupler |
CN107592119B (zh) * | 2016-07-07 | 2019-11-05 | 三星电机株式会社 | 射频开关电路和具有内置耦合器的设备 |
US10505517B2 (en) | 2016-07-07 | 2019-12-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Radio frequency switch circuit and apparatus having built-in coupler |
US10033332B2 (en) | 2016-09-05 | 2018-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency semiconductor amplifier circuit |
US10250193B2 (en) | 2016-09-05 | 2019-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency semiconductor amplifier circuit |
US10411658B2 (en) | 2016-12-14 | 2019-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
WO2018139495A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 株式会社村田製作所 | スイッチ回路 |
KR102234905B1 (ko) * | 2020-02-04 | 2021-03-31 | 목포대학교산학협력단 | 무선용 고속 온타임 특성을 갖는 rf 스위치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201631836A (zh) | 2016-09-01 |
CN104604135A (zh) | 2015-05-06 |
TW201414071A (zh) | 2014-04-01 |
CN108134596B (zh) | 2021-09-03 |
TWI623143B (zh) | 2018-05-01 |
KR102063163B1 (ko) | 2020-01-07 |
CN107276577A (zh) | 2017-10-20 |
KR20150034767A (ko) | 2015-04-03 |
EP3823167A1 (en) | 2021-05-19 |
TWI623142B (zh) | 2018-05-01 |
CN108155900B (zh) | 2021-12-28 |
TW201631835A (zh) | 2016-09-01 |
TW201631837A (zh) | 2016-09-01 |
TWI628840B (zh) | 2018-07-01 |
TW201631838A (zh) | 2016-09-01 |
CN108155900A (zh) | 2018-06-12 |
CN104604135B (zh) | 2018-01-26 |
EP2870694B1 (en) | 2020-09-09 |
HK1249807A1 (zh) | 2018-11-09 |
TWI624110B (zh) | 2018-05-11 |
WO2014011510A3 (en) | 2014-03-06 |
EP2870694A4 (en) | 2016-03-02 |
EP2870694A2 (en) | 2015-05-13 |
HK1207217A1 (en) | 2016-01-22 |
TWI623141B (zh) | 2018-05-01 |
CN107276577B (zh) | 2021-07-09 |
WO2014011510A2 (en) | 2014-01-16 |
CN108134596A (zh) | 2018-06-08 |
HK1249808A1 (zh) | 2018-11-09 |
JP6026654B2 (ja) | 2016-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6026654B2 (ja) | シリコン・オン・インシュレータベースの高周波スイッチに関する回路、デバイス、方法および組合せ | |
US9595951B2 (en) | Radio-frequency switches having gate bias and frequency-tuned body bias | |
US9628075B2 (en) | Radio-frequency switch having dynamic body coupling | |
US9590614B2 (en) | Non-linearity compensation in radio frequency switches and devices | |
EP3069446B1 (en) | Circuits and methods for improved quality factor in a stack of transistors | |
JP2019080080A (ja) | スイッチング装置、高周波スイッチングモジュール、および電子装置 | |
KR102175613B1 (ko) | 플렉서블 l-네트워크 안테나 튜너 회로 | |
US10147724B2 (en) | Feed-forward circuit to improve intermodulation distortion performance of radio-frequency switch | |
US10361697B2 (en) | Switch linearization by compensation of a field-effect transistor | |
TW201722070A (zh) | 整合式開關濾波器網路 | |
US11855361B2 (en) | Devices and methods related to switch linearization by compensation of a field-effect transistor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160304 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160304 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20160304 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6026654 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |