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TW107142177A TWI703620B (zh) 2014-03-25 2015-03-23 鎢膜之成膜方法及成膜裝置
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6416679B2 (ja) * 2015-03-27 2018-10-31 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法
KR102344660B1 (ko) 2015-05-27 2021-12-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 몰리브덴 또는 텅스텐 함유 박막의 ald용 전구체의 합성 및 사용
JP6710089B2 (ja) * 2016-04-04 2020-06-17 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法
US10087523B2 (en) * 2016-05-20 2018-10-02 Lam Research Corporation Vapor delivery method and apparatus for solid and liquid precursors
KR20190035784A (ko) * 2016-07-26 2019-04-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 텅스텐막의 성막 방법
JP6751631B2 (ja) * 2016-09-13 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板の凹部をタングステンで充填する方法
US10358407B2 (en) 2016-10-12 2019-07-23 Asm Ip Holding B.V. Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films
EP3453679B1 (en) 2016-12-05 2023-04-05 JX Nippon Mining & Metals Corporation Method for producing high-purity tungsten pentachloride
JP6913752B2 (ja) * 2016-12-15 2021-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 核形成のない間隙充填ａｌｄプロセス
US10460987B2 (en) * 2017-05-09 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof
JP7018748B2 (ja) 2017-11-28 2022-02-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜条件の算出方法
JP7072399B2 (ja) * 2018-02-21 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法、成膜システム及び記憶媒体
JP7149788B2 (ja) * 2018-09-21 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US11387112B2 (en) * 2018-10-04 2022-07-12 Tokyo Electron Limited Surface processing method and processing system
WO2020084852A1 (ja) 2018-10-25 2020-04-30 Ｊｘ金属株式会社 モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法
CN113195783A (zh) * 2018-12-19 2021-07-30 恩特格里斯公司 在还原共反应剂存在下沉积钨或钼层的方法
JP7362258B2 (ja) 2019-02-08 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び成膜システム
WO2020195992A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2021001361A (ja) 2019-06-19 2021-01-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び基板処理システム
KR102867763B1 (ko) 2019-11-21 2025-10-14 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치의 제조 설비
JP7487538B2 (ja) * 2020-04-15 2024-05-21 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜を形成する方法及び装置、並びにタングステン膜を形成する前の中間膜の形成を行う装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4849260A (en) * 1986-06-30 1989-07-18 Nihon Sinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method for selectively depositing metal on a substrate
JPH02278827A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Nec Corp 半導体集積回路装置の配線構造とその形成方法
KR0184279B1 (ko) * 1990-01-29 1999-04-15 미다 가쓰시게 금속 또는 금속실리사이드막의 형성방법
JP2829143B2 (ja) * 1991-03-25 1998-11-25 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JPH05226282A (ja) 1992-02-13 1993-09-03 Nec Corp タングステン膜の形成方法
JP3127348B2 (ja) * 1995-02-27 2001-01-22 エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド 凹凸の表面形状を有するタングステン膜を用いた半導体装置の製造方法
CN1115723C (zh) * 1996-11-15 2003-07-23 三星电子株式会社 氮化钨层制造方法及使用同样原理的金属连线制造方法
US6156382A (en) 1997-05-16 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition process for depositing tungsten
CN100446218C (zh) * 2000-11-17 2008-12-24 东京毅力科创株式会社 金属膜的形成方法和钨膜的形成方法
US7262125B2 (en) * 2001-05-22 2007-08-28 Novellus Systems, Inc. Method of forming low-resistivity tungsten interconnects
JP4032872B2 (ja) 2001-08-14 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の形成方法
WO2004061154A1 (ja) * 2002-12-27 2004-07-22 Ulvac Inc. 窒化タングステン膜の成膜方法
JP3956049B2 (ja) 2003-03-07 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の形成方法
US8551885B2 (en) * 2008-08-29 2013-10-08 Novellus Systems, Inc. Method for reducing tungsten roughness and improving reflectivity
CN102534543A (zh) * 2012-02-22 2012-07-04 上海大学 一种化学气相沉积制备钨的方法及其装置
US8975184B2 (en) * 2012-07-27 2015-03-10 Novellus Systems, Inc. Methods of improving tungsten contact resistance in small critical dimension features
US9230815B2 (en) * 2012-10-26 2016-01-05 Appled Materials, Inc. Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten

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