WO2020084852A1 - モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法 - Google Patents

モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法 Download PDF

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WO2020084852A1
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高橋　秀行
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Ｊｘ金属株式会社
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    • C01P2006/80—Compositional purity
    • C01P2006/82—Compositional purity water content

Definitions

  • the present invention relates to molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride, which can be suitably used as a thin film vapor phase growth material, a catalyst for chemical reaction, and the like, and a method for producing them.
  • a thin film such as a contact plug, a wiring, or a diffusion barrier layer below the wiring in a functional electronic device such as a semiconductor element has a physically and chemically stable metal having a low resistance such as molybdenum (Mo) or tungsten (W). Materials or compounds such as nitrides and carbides of these metals are used. Further, in recent years, in addition to the above-mentioned applications, an ultrathin two-dimensional structure film made of MoS 2 has been attracting attention as a novel metal chalcogenide material exhibiting semiconductor characteristics.
  • the thin films of molybdenum and tungsten or their compounds described above are vaporized by using a compound containing each element as a precursor, and are decomposed and reacted on the substrate surface to form a thin film by a chemical vapor deposition (CVD) method or an atom. It is formed using a phase vapor deposition (ALD) method.
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD phase vapor deposition
  • a precursor compound used when forming a metal or a metal compound by the CVD method or the ALD method there is a metal halide or the like.
  • Patent Document 1 describes forming a MoS 2 film using a chloride of molybdenum (MoCl 5 ).
  • Patent Document 2 describes that a metal chloride (WCl 6 , WCl 5 , WCl 4 ) gas and a reducing gas such as H 2 are supplied to form a metal film.
  • Patent Document 3 discloses a method for forming a film of a metal or its compound by a CVD method using a metal fluoride (WF 6 , MoF 6 ) as a raw material.
  • molybdenum oxychloride MoO 2 Cl 2 or MoOCl 4
  • MoO 2 Cl 2 or MoOCl 4 a raw material precursor (precursor) to form a molybdenum or molybdenum compound by CVD film formation.
  • This molybdenum oxychloride powder is mainly synthesized by directly chlorinating molybdenum oxide (MoO 3 ) powder with chlorine gas (Cl 2 ).
  • Oxychlorides of molybdenum and tungsten have a very high hygroscopic property, so that a hydrate may be formed in the presence of water, and when there is more water, it may deliquesce to generate hydrochloric acid (HCl). is there. From this, it is an object of the present invention to provide a low water content molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride and a method for producing them.
  • the present disclosure provides the following molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride and methods for producing them.
  • molybdenum oxychloride MoO 2 Cl 2 , MoOCl 3, etc.
  • tungsten oxychloride is used as a precursor.
  • Molybdenum oxychloride and tungsten oxychloride are synthesized by chlorinating the raw materials molybdenum oxide (MoO 2 , MoO 3 ) and tungsten oxide (W 2 O 3 , WO 2 , WO 3 ) with chlorine gas (Cl 2 ). To be done.
  • molybdenum oxide MoO 2 , MoO 3
  • tungsten oxide W 2 O 3
  • molybdenum oxide or tungsten oxide which is a raw material, is placed in a furnace or the like, and an inert gas such as Ar or N 2 , a gas obtained by mixing an inert gas with oxygen, or air (O 2 + N 2 ) Heat while flowing.
  • the heating temperature is preferably 400 ° C. or higher and 800 ° C. or lower. If the temperature is lower than 400 ° C, the moisture contained in the inside cannot be sufficiently volatilized, and the amount of moisture contained in the oxychloride of molybdenum / tungsten synthesized thereafter cannot be sufficiently reduced.
  • the temperature exceeds 800 ° C., molybdenum oxide or tungsten oxide is melted or partially sublimated, which is not preferable. More preferably, it is 500 ° C. or higher and 750 ° C. or lower.
  • the flow rate of the introduced gas is preferably 0.1 to 100 L / min. If it is less than 0.1 L / min, it is insufficient to discharge water from the system, and recondensed water flows backward, which is dangerous. On the other hand, if it exceeds 100 L / min, a large amount of gas is consumed. However, the cost is high, and in addition, there is a problem that the product is strongly reduced and oxygen-deficient Mo 4 O 11 or the like is formed.
  • the dehydration treatment is preferably performed for 3 hours or more. By performing the dehydration treatment at a high temperature for a long time, the amount of water contained in molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride after synthesis can be sufficiently reduced.
  • the treatment time is preferably adjusted in consideration of the heating temperature. For example, the heat treatment time can be shortened while setting the heating temperature to a relatively high temperature. More preferably, it is 10 hours or more.
  • molybdenum oxychloride is synthesized by flowing chlorine (Cl 2 ) gas at a predetermined flow rate to molybdenum oxide powder (MoO 2 powder, MoO 3 powder) that has been heat-treated under the above-mentioned conditions, and forming a gas phase produced by a reaction between the two. It is carried out by precipitating molybdenum oxychloride in the solid phase.
  • the heating temperature of molybdenum oxide during the reaction is preferably 700 ° C. or higher.
  • the vapor-phase molybdenum oxychloride produced by the reaction can be precipitated in the solid phase by cooling.
  • the synthesis of tungsten oxychloride is performed by flowing chlorine (Cl 2 ) gas at a predetermined flow rate to a tungsten oxide powder (W 2 O 3 , WO 2 , WO 3 ) that has been heat-treated under the above conditions, and reacting them with each other. It is carried out by precipitating vapor-phase tungsten oxychloride generated by the solid phase.
  • the heating temperature of the tungsten oxide during the reaction is preferably 700 ° C. or higher.
  • the vapor phase tungsten oxychloride generated by the reaction can be precipitated in the solid phase by cooling.
  • the water content after synthesis contained in molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride can be less than 1 wt%.
  • the film formation yield can be improved.
  • the residue at the time of sublimation can be reduced, and the purity of molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride can be 99.999 wt% (5N) or more.
  • the purity in the present disclosure is obtained by analyzing elements that are assumed to be contained as an impurity in molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride, and subtracting the total content of elements expressed at a content above the detection limit from 100 wt%. Defined as a value.
  • the impurity element is Be, Mg, Al, K, Ga, Ge, As, Sr, Ba, W, Ti, U, Ag, Na, Co, Fe, In, Mn, Ni, Pb, Zn, Cu. , Cr, Tl, Li, Th, Sc, Se, Hf, Ta, and Bi.
  • K is an atomic absorption spectrometry (AAS) method
  • elements other than K are inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP- MS) method.
  • the content of detection limit in the analysis of the present invention is 0.5 wtppm for Ni and Se, and 0.1 wtppm for each of the above-mentioned other elements. Impurity elements having a content less than the measurement limit are regarded as substantially not contained and the purity is calculated.
  • Example 1 490 g of MoO 3 raw material was placed in an annular furnace ( ⁇ 150 cm), and heated at 550 ° C. for 20 hours while introducing Ar gas at a flow rate of 0.5 L / min to perform dehydration treatment. Then, the dehydrated MoO 3 raw material was placed in a reaction vessel, Cl 2 gas and N 2 gas serving as a carrier gas were introduced into the reaction vessel, and heating was performed at 720 ° C. for synthesis. Then, the synthesized molybdenum oxychloride was recovered. The molybdenum oxychloride thus obtained was measured for water content, and as a result, it was 0.1 wt%, and a low water content was obtained. Further, the purity was 99.999% or more, and a high purity was obtained.
  • Example 2 490 g of MoO 3 raw material was placed in an annular furnace ( ⁇ 150 cm), and heated at 550 ° C. for 20 hours while introducing Ar gas at a flow rate of 5 L / min to perform dehydration treatment. Then, the dehydrated MoO 3 raw material was placed in a reaction vessel, Cl 2 gas and N 2 gas serving as a carrier gas were introduced into the reaction vessel, and heating was performed at 720 ° C. for synthesis. Then, the synthesized molybdenum oxychloride was recovered. The molybdenum oxychloride thus obtained was measured for water content, and as a result, it was found to be 0.01 wt%, and a low water content was obtained. Further, the purity was 99.999% or more, and a high purity was obtained.
  • Example 3 490 g of WO 3 raw material was placed in an annular furnace ( ⁇ 150 cm) and heated at 550 ° C. for 20 hours while introducing Ar gas at a flow rate of 0.5 L / min for dehydration treatment. Then, the dehydrated WO 3 raw material was placed in a reaction vessel, Cl 2 gas and N 2 gas serving as a carrier gas were introduced into the reaction vessel, and heating was performed at 720 ° C. for synthesis. Then, the synthesized tungsten oxychloride was recovered. As a result of measuring the water content of the thus obtained tungsten oxychloride, it was 0.1 wt%, and a low water content was obtained. Further, the purity was 99.999% or more, and a high purity was obtained.
  • Example 4 490 g of WO 3 raw material was placed in an annular furnace ( ⁇ 150 cm) and heated at 550 ° C. for 20 hours while introducing Ar gas at a flow rate of 5 L / min for dehydration treatment. Then, the dehydrated WO 3 raw material was placed in a reaction vessel, Cl 2 gas and N 2 gas serving as a carrier gas were introduced into the reaction vessel, and heating was performed at 720 ° C. for synthesis. Then, the synthesized tungsten oxychloride was recovered. As a result of measuring the water content of the thus obtained tungsten oxychloride, the water content was 0.01 wt%, and a low water content was obtained. Further, the purity was 99.999% or more, and a high purity was obtained.
  • a low water content molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride and a method for producing the same can be provided.
  • INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention uses molybdenum oxychloride or tungsten oxychloride as a raw material or catalyst for CVD or ALD to perform thin film formation and compound synthesis, semiconductor industry, electronic device manufacturing, functional material creation, organic / inorganic chemical industry. It makes a major technological contribution to the industrial and technical fields.

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Abstract

水分量が１ｗｔ％未満であることを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド。原料である酸化モリブデン又は酸化タングステンを４００℃以上８００℃以下で脱水処理した後、脱水処理後の前記原料を塩素ガスと反応させて、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドを合成することを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。本発明は、低水分量のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。

Description

モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法
　本発明は、薄膜の気相成長用材料、化学反応用触媒等に好適に用いることができる、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法に関するものである。
　半導体素子等の機能的電子デバイスにおけるコンタクトプラグ、配線、又は配線下の拡散バリア層等の薄膜には、モリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などの物理的、化学的に安定で低抵抗な金属材料、あるいは、これらの金属の窒化物、炭化物等の化合物が用いられている。また近年では、上記用途以外にも、半導体特性を示す新規な金属カルコゲン化物材料として、ＭｏＳ２からなる極薄の二次元構造膜も着目されている。
　上述したモリブデンやタングステン又はそれらの化合物の薄膜は、各元素を含む化合物を前駆体として蒸発気化させ、これを基板表面で分解、反応させて、薄膜化する化学気相堆積（ＣＶＤ）法や原子相蒸着（ＡＬＤ）法を用いて形成されている。このＣＶＤ法やＡＬＤ法によって金属又は金属化合物を形成する際に使用される前駆体化合物として、金属のハロゲン化物等がある。
　例えば、特許文献１には、モリブデンの塩化物（ＭｏＣｌ５）を用いてＭｏＳ２膜を形成することが記載されている。また、特許文献２には、金属塩化物（ＷＣｌ６、ＷＣｌ５、ＷＣｌ４）ガスと、Ｈ２などの還元ガスを供給して、金属膜を成膜することが記載されている。また、特許文献３には、金属フッ化物（ＷＦ６、ＭｏＦ６）を原料とするＣＶＤ法によって金属またはその化合物を成膜する方法が開示されている。
　一方、上述とは異なるアプローチとして、例えば、特許文献４には、モリブデンのオキシクロライド（ＭｏＯ２Ｃｌ２又はＭｏＯＣｌ４）を原料前駆体（プリカーサ）に使用して、モリブデン又はモリブデン化合物をＣＶＤ成膜する方法が開示されている。このモリブデンオキシクロライド粉末は、主に酸化モリブデン（ＭｏＯ３）粉末を塩素ガス（Ｃｌ２）で直接塩化することによって合成される。
特開２００３－２２５８０８号公報 特開２０１５－１９３９０８号公報 特開平４－３１１５７０号公報 特開２０００－１１９０４５号公報
　モリブデンやタングステンのオキシクロライドは、非常に吸湿性が高いため、水分があると水和物が形成されることがあり、さらに水分が多い場合には、潮解して塩酸（ＨＣｌ）を生じることがある。このことから、本発明は、低水分量のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。
　本発明者が鋭意検討を重ねた結果、原料である酸化モリブデンや酸化タングステンを所定の条件で脱水処理することにより、その後、合成して得られるモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドに含まれる水分量を低減することができるとの知見が得られた。このような知見に基づき、本開示は、以下のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びそれらの製造方法を提供するものである。
　１）水分量が１ｗｔ％未満であることを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド。
　２）純度５Ｎ以上であることを特徴とする上記１）記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド。
　３）原料である酸化モリブデン又は酸化タングステンを４００℃以上８００℃以下で脱水処理した後、熱処理後の前記原料を塩素ガスと反応させて、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドを合成することを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
　４）前記熱処理時間を３時間以上とすることを特徴とする上記３）記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
　本開示によれば、低水分量のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びその製造方法を提供することができる。
　ＣＶＤ法やＡＬＤ法を用いてモリブデンやモリブデンの化合物、あるいは、タングステンやタングステンの化合物を成膜する場合、前駆体として、モリブデンオキシクロライド（ＭｏＯ２Ｃｌ２、ＭｏＯＣｌ３など）、あるいは、タングステンオキシクロライド（ＷＯ２Ｃｌ２、ＷＯＣｌ４など）が使用される。モリブデンオキシクロライドやタングステンオキシクロライドは、原料である酸化モリブデン（ＭｏＯ２、ＭｏＯ３）や酸化タングステン（Ｗ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３）を、塩素ガス（Ｃｌ２）で塩化することで合成される。
　しかしながら、モリブデンやタングステンのオキシクロライドは、非常に吸湿性が高いため、水分があると水和物が形成されることがあり、さらに水分が多い場合には潮解して塩酸（ＨＣｌ）を生じることがあった。したがって、水分を多く含むこれらの粉末をＣＶＤ法やＡＬＤ法における前駆体として使用すると、容器内で分解して容器を腐食させる原因となったり、水和物がパーティクルとして基板に付着して、製品特性に影響を与えるということがあった。
　このようなことから、モリブデンオキシクロライドやタングステンオキシクロライドに含有する水分量を低減するために鋭意検討した結果、原料である、酸化モリブデン（ＭｏＯ２、ＭｏＯ３）や酸化タングステン（Ｗ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３）を所定の条件で脱水処理することにより、その後、合成して得られるモリブデンオキシクロライドやタングステンオキシクロライドの水分量を低減できるとの知見が得られた。そして、これによって、合成後の前駆体中に含まれる水和物を減少でき、歩留まりを向上することが可能となった。
　前記脱水処理は、原料である酸化モリブデンや酸化タングステンを炉内などに載置し、ＡｒやＮ２などの不活性ガス、或いは不活性ガスに酸素を混合したガス、或いは、空気（Ｏ２＋Ｎ２）を流しながら加熱する。このとき加熱温度は、４００℃以上８００℃以下とすることが好ましい。４００℃未満であると、内部に含まれる水分を十分に揮発することができず、その後に合成されるモリブデン／タングステンのオキシクロライドに含まれる水分量を十分に低減することができない。一方、８００℃超であると、酸化モリブデンや酸化タングステンが溶融又は一部昇華してしまうため、好ましくない。より好ましくは、５００℃以上、７５０℃以下である。
　導入するガスの流量は０．１～１００Ｌ／ｍｉｎとするのが好ましい。０．１Ｌ／ｍｉｎ未満であると、系内から水分を排出するには不十分であり、再凝縮した水分が逆流して危険であり、一方、１００Ｌ／ｍｉｎを超えると、ガスを大量に消費しコスト高となり、加えて製品が強く還元されて酸素欠損のＭｏ４Ｏ１１などが形成されるなどの問題があるため、好ましくない。また、前記脱水処理は３時間以上行うことが好ましい。高温で長時間脱水処理することにより、合成後のモリブデンオキシクロライドやタングステンオキシクロライドに含まれる水分量を十分に低減することができる。また、前記処理時間は加熱温度を考慮して調整することが好ましく、例えば、加熱温度を比較的高温に設定しつつ、熱処理時間を短縮することが可能である。より好ましくは、１０時間以上である。
　モリブデンオキシクロライドの合成は、前記条件で熱処理した酸化モリブデン粉末（ＭｏＯ２粉末、ＭｏＯ３粉末）に対して、所定の流量で塩素（Ｃｌ２）ガスを流し、これら両者の反応によって生じる気相のモリブデンオキシクロライドを固相で析出させることにより行う。このとき反応時の酸化モリブデンの加熱温度は７００℃以上とすることが好ましい。反応によって生じた気相のモリブデンオキシクロライドは、冷却することにより固相で析出させることができる。
　また、タングステンオキシクロライドの合成は、前記条件で熱処理した酸化タングステン粉末（Ｗ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３）に対して、所定の流量で塩素（Ｃｌ２）ガスを流し、これら両者の反応によって生じる気相のタングステンオキシクロライドを固相で析出させることにより行う。このとき反応時の酸化タングステンの加熱温度は７００℃以上とすることが好ましい。反応によって生じた気相のタングステンオキシクロライドは、冷却することにより固相で析出させることができる。
　上記方法によって、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドに含まれる合成後の水分量を１ｗｔ％未満とすることができる。このような低水分量のものをＣＶＤやＡＬＤの前駆体として用いることにより、成膜歩留りを向上することができる。さらに、上記の方法によって、昇華した際の残渣を低減することができ、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの純度を９９．９９９ｗｔ％（５Ｎ）以上とすることができる。
　本開示における各種の評価方法は、実施例、比較例を含め、以下の通りである。
（水分量）
　まず、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、目的外の低級塩化物（例えば、ＭｏＯ２ＣｌやＭｏＯＣｌ４）が無いことを確認する。次に、熱重量・質量分析装置（ＴＧ－ＭＳ）を用いて重量変化を測定し、残渣重量比から、これが水和物であると仮定して水分量を計算で求める。さらに、ＩＣＰ発光分光分析装置（ＩＣＰ－ＯＥＳ）で主成分であるモリブデン又はタングステンの量を測り、理論値からの差分から水分量を計算する。
　但し、いずれの手法も仮定を伴い、不確定性を完全に排除することは困難であることから、ＴＧ－ＭＳとＩＣＰ－ＯＥＳのそれぞれ異なる手法で求めた水分量が同様の値を示すことを確認することで、測定水分量の信頼性を高めることができる。
（純度）
　本開示における純度は、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドに不純物として含まれることが想定される元素について分析し、検出限界以上の含有量で現出された元素の含有量の合計を１００ｗｔ％から差し引いた値として定義される。ここで、不純物元素は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｕ、Ａｇ、Ｎａ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｌ、Ｌｉ、Ｔｈ、Ｓｃ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＢｉであり、これらのうちＫについては原子吸光分析（ＡＡＳ）法、Ｋ以外の元素については誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ－ＭＳ）法によって分析する。本発明の分析における検出限界の含有量は、ＮｉおよびＳｅについては０．５ｗｔｐｐｍ、これら以外の上記各元素については０．１ｗｔｐｐｍである。なお、測定限界未満の含有量の不純物元素については、実質的に含まれないものとみなして純度を算出する。
　以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
　ＭｏＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量０．５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、５５０℃で、２０時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したＭｏＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、０．１ｗｔ％であり、低水分量のものが得られた。また、純度は９９．９９９％以上と、高純度のものが得られた。
（実施例２）
　ＭｏＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、５５０℃で、２０時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したＭｏＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、０．０１ｗｔ％であり、低水分量のものが得られた。また、純度は９９．９９９％以上と、高純度のものが得られた。
（実施例３）
　ＷＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量０．５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、５５０℃で、２０時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したＷＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、０．１ｗｔ％であり、低水分量のものが得られた。また、純度は９９．９９９％以上と、高純度のものが得られた。
（実施例４）
　ＷＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、５５０℃で、２０時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したＷＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、０．０１ｗｔ％であり、低水分量のものが得られた。また、純度は９９．９９９％以上と、高純度のものが得られた。
（比較例１）
　ＭｏＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量０．５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、２００℃で、２０時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したＭｏＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、５ｗｔ％であり、水分量の低減効果が不十分であった。
（比較例２）
　ＭｏＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量０．５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、５５０℃で、１時間加熱して、脱水処理を行った。その後脱水処理したＭｏＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたモリブデンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたモリブデンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、２ｗｔ％であり、水分量の低減効果が不十分であった。
（比較例３）
　ＷＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量０．５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、２００℃で、２０時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したＷＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果、４ｗｔ％であり、水分量の低減効果が不十分であった。
（比較例４）
　ＷＯ３原料４９０ｇを環状炉内（φ１５０ｃｍ）に載置し、流量０．５Ｌ／分の条件でＡｒガス導入しながら、５５０℃で、１時間加熱して、脱水処理を行った。その後、脱水処理したＷＯ３原料を反応容器に載置し、反応容器にＣｌ２ガスとキャリアガスとなるＮ２ガスを導入し、７２０℃で加熱して合成を行った。その後、合成されたタングステンオキシクロライドを回収した。このようにして得られたタングステンオキシクロライドについて、水分量を測定した結果２ｗｔ％であり、水分量の低減効果が不十分であった。
　以上の結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本発明によれば、低水分量のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド及びその製造方法を提供することができる。本発明は、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドをＣＶＤやＡＬＤなどの原料または触媒として用い、薄膜形成や化合物の合成を行う、半導体産業、電子デバイス製造、機能性材料創生、有機・無機化学工業といった産業・技術分野に対して大きな技術的貢献を果たすものである。

Claims (4)

  1. 　水分量が１ｗｔ％未満であることを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド。
  2. 　純度５Ｎ以上であることを特徴とする請求項１記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライド。
  3. 　原料である酸化モリブデン又は酸化タングステンを４００℃以上８００℃以下で脱水処理した後、脱水処理後の前記原料を塩素ガスと反応させて、モリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドを合成することを特徴とするモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
  4. 　前記脱水処理時間を３時間以上とすることを特徴とする請求項３記載のモリブデンオキシクロライド又はタングステンオキシクロライドの製造方法。
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